「source structure」を含む例文一覧(2995)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 59 60 次へ＞- The instrument lighting structure radiates lighting light of a light source 5 to the rear face of an instrument display panel 4 having translucency, and translucently illuminates the instrument information 4a described on the instrument display panel 4.
本発明は透光性を有する計器表示パネル４の裏面へ光源５の照明光を照射して計器表示パネル４に記される計器情報４ａを透光照明する計器照明構造に関する。 - 特許庁 - The polysilicon seed enables a polysilicon source/drain contact, which has a structure capable of reducing its current density and path length to an irreducible minimum and giving other mechanical advantages, to grow epitaxially from the polysilicon seed.
ポリシリコン・シードは、その中の電流密度およびパス長を最小に抑え他の機械的利点も与える構成を備えたポリシリコン・ソース／ドレイン・コンタクトをポリシリコン・シードからエピタキシャル成長することも可能にする。 - 特許庁 - The semiconductor layer is constituted of two layers as an especially characteristic structure so that the lower layer composed of the semiconductor layer 5, the source electrode 6 and the drain electrode 7, and the upper layer of the semiconductor layer 8 are laminated sequentially.
特に特徴的な構造として、半導体層が２層構成であり、下層の半導体層５とソース電極６及びドレイン電極７と上層の半導体層８が順次積層された構造をしている。 - 特許庁 - A TFT1 has a reverse stagger structure with a bottom gate configuration, the source electrode 4 is formed into an H shape having two recesses 4a each for receiving the tip 5a of the drain electrode 5.
ＴＦＴ１は、ボトムゲート構造を有する逆スタガ型構造となっており、ソース電極４は、ドレイン電極５を先端部５ａ側から受け入れるための２個の凹部４ａを有するＨ型形状をしている。 - 特許庁 - A piezoelectric oscillator 2 uses an FET as an amplifier for oscillation, and has a simple structure having a rectifying circuit, where an AGC circuit for controlling the potential between the gate/source of the FET comprises a diode.
本発明は、ＦＥＴを発振用増幅器とした圧電発振器であり、ＦＥＴのゲート・ソース間電位を制御する為のＡＧＣ回路がダイオードから成る整流回路を備えた単純構造であることを特徴とする。 - 特許庁 - A depletion layer spreading from the drain side toward the source side is effectively deterred using difference in band structure between the Si_xGe_1-x region 105 and an Si region 106 to which germanium is not added.
このＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ領域１０５とゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域１０６とのバンド構造の差を利用して、ドレイン側からソース側に向かって広がる空乏層を効果的に抑止する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device together with its manufacturing method wherein a reliable high permittivity gate insulating film with sufficient insulating characteristics is formed and a source and drain structure with sufficiently low resistance is formed.
十分な絶縁性を有する信頼性の高い高誘電率ゲート絶縁膜の形成と、十分低い抵抗を有するソース及びドレイン構造を形成することができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - A periodical structure dielectric film 3d formed on the back of the semiconductor optical amplifying element 3 effectively captures a stimulation light source from the semiconductor laser 1, and reflects a light generated from the semiconductor optical amplifying element 3.
半導体光増幅素子３の裏面に形成している周期構造誘電体膜3dは、半導体レーザ１からの励起光源を効率良く取り込み、かつ、半導体光増幅素子３から発生する光を反射する。 - 特許庁 - By this array structure, reading and writing speeds can be maintained even if the device is miniaturized by reading data from the bit line side and writing data by controlling the voltages of the source lines.
このアレイ構造により、データの読み出しをビット線側から行ない、データの書き込みをソース線電圧の制御により行なうことにより、装置が微細化しても読み出し速度と書き込み速度を維持することができる。 - 特許庁 - To provide an infrared sensor, an infrared type gas detector and an infrared ray source capable of reducing a body structure size, and capable of enhancing photoreception efficiency of the infrared sensor more efficient than that when applying gel as a protection film.
体格を小型化でき、且つ、保護膜としてゲルを適用した場合よりも赤外線センサの受光効率を向上できる赤外線センサ、赤外線式ガス検出器、及び赤外線光源を提供すること。 - 特許庁 - To inhibit vitiation in the overlap area between a gate and a drain due to deviation in a photomask, either one of the gate electrode of a transistor and the source or drain electrode is set to an annular structure.
フォトマスクの合わせずれによるゲ−ト−ドレイン間のオ−バラップ面積の変動を抑制するために、トランジスタのゲ−ト電極と、ソ−ス又はドレイン電極のうちどちらか一方のみとを、環状の構造となるようにする。 - 特許庁 - An electrode structure having a convergence effect is arranged proximity to the vicinity of an extraction electrode of a cold cathode electron source array part, whereby the convergence effect of emitted electron beams is enhanced to provide a satisfactory low-emittance characteristic.
冷陰極電子源アレイ部の引き出し電極近傍に、収束効果を有する電極構造体を近接配置することにより、放出電子ビームの収束効果を高め、良好な低エミッタンス特性を得る。 - 特許庁 - To form uniform bumps highly precisely on both front and reverse sides of a disk with a simple optical system structure, even if a means for branching a laser beam from its light source for example changes in the characteristics by heat and other external influence.
簡単な光学系構成で、レーザ光源からのレーザビームを分岐させる手段等が熱その他の外的な影響で特性が変化しても、ディスクの表裏両面に均等なバンプを高精度に形成する。 - 特許庁 - It is not necessary to use a driving force transmission device such as a belt for transmitting rotational driving force from the vehicle axis 26 that is a drive source to the motor 14 for air conditioning, which provides a simpler structure than a conventional system.
駆動源である車軸２６からの回転駆動力を空調用モータ１４に伝達するためにベルト等の駆動力伝達装置を用いる必要が無いので、従来に比して構成を簡素化することができる。 - 特許庁 - To suppress drain by a simple structure and control and maintain hot water supply capacity by securing high thermal efficiency and stable hot water supply amount in a heat source machine for generating drain by heat exchange.
本発明は、熱交換によりドレンを発生させる熱源機において、簡易な構成及び制御でドレン抑制を行うとともに、高い熱効率及び安定した給湯量を確保して、給湯能力を維持する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a multi-particle surface adhesive (SMD) light emitting diode (LED), being a surface light source, with long service life, low production cost, superior light-scattering effects, and capable of utilizing a conventional production step, and a structure of the same.
寿命の長い、生産費の安い、散熱効果の良好な、従来の生産工程が利用できる、面光源である多粒の表面粘着型（SMD）発光ダイオード（LED）の製造方法と、その構造の提供。 - 特許庁 - The lighting unit 21 includes a light emitting body 32 being a light source; and a light design part 33 covering a lower side of the light emitting body 32, and is replaceably fixed to the ceiling structure 21 from the inside of the cab 11.
照光ユニット２１は、光源となる発光体３２と、発光体３２の下方を覆う照光意匠部３３とを含むとともに、天井構造物２１に対してかご室１１内から交換可能に固定されている。 - 特許庁 - To provide a lighting system for an elevator car, which is installed on a ceiling inside of the car, has a heat radiation structure which does not accumulate the heat generated from a light source in its inner part.
本発明は、エレベータの乗籠の内側となる天井に設置される照明装置であって、光源から発生した熱を内部に溜めない放熱構造を有したエレベータの乗籠の照明装置を提供する - 特許庁 - To realize suppression of bending of a substrate serving as a deposition target due to its own weight and release of constraints on materials for a mask and a mask holder in vapor deposition, in which an evaporation source is located below the substrate, with a simple structure.
蒸着源が基板の下方に位置する蒸着において、蒸着対象となる基板の自重による撓みの抑制とマスクやマスクホルダの材質等の制約の解除とを簡素な構成で実現する。 - 特許庁 - To provide an LED illumination light source device capable of more precisely determining or detecting a difference in color and luster and a difference in the texture, which are caused by the special structure of an object to be measured or are local.
被測定物の特殊な構造によるあるいは局所的な色艶の微妙な差や、風合いの違いが、より正確に判別あるいは検出することができるＬＥＤ照明光源装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a power-dividing device having simple structure for a working vehicle capable of dividedly outputting a driving force inputted from a driving source into a main transmission route including a pump unit and a sub transmission route including a PTO unit.
駆動源から入力された駆動力を、ポンプユニットを含む主伝動経路と、ＰＴＯユニットを含む副伝動経路とに分岐出力し得る構造簡単な作業車輌の動力分岐装置を提供する。 - 特許庁 - The thin-film transistor has a vertical LDD structure wherein the impurity concentration in the source/drain regions of the semiconductor thin-film varies in the direction of the film thickness, and a lower concentration region is formed on the surface side of the semiconductor thin-film.
前記半導体薄膜のソース／ドレイン領域の不純物濃度が膜厚方向で異なっており、半導体薄膜の表面側が低濃度領域に形成されてなる縦形のＬＤＤ構造を有する。 - 特許庁 - To solve problems such as (1) improvement of luminous energy (increase of luminance), (2) improvement of a heat radiation property and (3) reduction of difference of shading (luminance irregularity), in an edge light type backlight structure using LEDs for a light source.
ＬＥＤを光源とするエッジライト型バックライト構造にあって、当該構造の有する（１）光量の向上（高輝度化），（２）放熱性の向上，（３）陰影の差（輝度ムラ）の低減という課題を解決するものである。 - 特許庁 - To provide bag filter structure wherein required shaking-off performance of soot and dust can be secured by allowing an air supply source of pulse jet for backwashing to be flexibly adjusted without performing a change in capacity accompanying the property of the soot and dust.
逆洗時におけるパルスジェットの空気供給源が、煤塵の性状に伴う容量変更をしなくても柔軟に対応して必要な払い落とし性能を確保できるバグフィルタ構造を提供すること。 - 特許庁 - A device 200 for manufacturing a nanomaterial array structure includes a light source 201, a housing 202, a nanomaterial aggregate production part 203, a medium supply part 204, a substrate fixing part 205 and a control part 206.
ナノ物質配列構造体を製造する製造装置２００は、光源２０１と、筐体２０２と、ナノ物質集団生成部２０３と、媒質供給部２０４と、基板固定部２０５と、制御部２０６とを備える。 - 特許庁 - To provide a structure by which electric-field concentration which might occur between a source electrode and a drain electrode in a bottom-gate thin film transistor is relaxed and deterioration in the switching characteristics is suppressed, and to provide a manufacturing method thereof.
ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極間に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑える構造及びその作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrokinetic type vibration suppression device in which vibration transmitted from an exciting source to a structure can be suppressed stably over a wide frequency bandwidth and size reduction and weight saving are realized.
構造物に伝わる起振源からの振動を広い周波数帯域に亘り安定して制振することができ、しかも小型化・軽量化を図った、構造物の動電型制振装置を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a downright surface light source device capable of restraining color shading or unevenness of light emission by using an appropriate number of light sources in accordance with a scale or request of lighting, without making a structure complicated.
構成を複雑にせず、照明の規模や要望に応じて適切な数量の光源を使用し、かつ、色むらや発光むらの発生を抑制することのできる直下型の面状光源装置を提供する。 - 特許庁 - The build-up welding using the laser beam is carried out by irradiating with the laser beam from a laser beam source 6 while supplying the austenitic structure material and the high hardness material in the states of rods, powder, etc., by a welding material supply means 5.
オーステナイト組織材料と硬質材料を、棒や粉末などの状態で溶接材料供給手段５により供給しながら、レーザ光源６からレーザ照射して、レーザによる肉盛溶接を実施する。 - 特許庁 - The device is an image display device 100 which includes periodic structure 105 provided between a front panel 101 and a light-emitting layer 104, and an exciting source 103 exciting the light-emitting layer, and in which display light 106 is obtained by transmitting the light generated in the light-emitting layer by excitation of the exciting source into the periodic structure and the front panel.
前面板１０１と発光層１０４との間に設けられた周期構造１０５と、発光層を励起する励起源１０３とを備え、励起源の励起により発光層で生成された光を、周期構造および前面板を透過させて表示光１０６を得る画像表示装置１００であって、周期構造は、前面板と平行な面内で周期的な屈折率分布を有し、つぎの式１の関係を満たす構造を有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.
柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an improved system for identifying defects in a complex structure, by providing a light source so that defects, such as dark defects at a dark background and/or bright defects at a bright background, can be identified by capturing an image at an illuminated part in the complex structure.
特に、暗い背景にある暗い欠陥および／または明るい背景にある明るい欠陥などの欠陥を複合構造の照らされた部分の画像を捕捉することによって識別することのできるように光源を設けることで、複合構造内の欠陥を識別するための改良されたシステムを提供する。 - 特許庁 - As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.
n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁 - This structure includes a set of conductive gate electrodes covered with a high-permittivity insulator, the layer of the organic/inorganic hybrid semiconductor, a set of electric conductive source electrode corresponding to each gate line and electric conductive drain electrode, and a passivation layer that is optionally selected and covers the device structure for protection.
この構造は、基板上に、高誘電率絶縁体で覆われた導電性ゲート電極の組、有機無機混成半導体の層、ゲート線の各々に対応する電気伝導性ソース電極と電気伝導性ドレイン電極の組、およびこのデバイス構造の上を覆いこれを保護することができる随意選択のパッシベーション層を含む。 - 特許庁 - The first transistor portion 11 includes a group-III nitride semiconductor layer structure including a heterojunction, a source electrode 5 and a drain electrode 7 disposed at an interval on the group-III nitride semiconductor layer structure, a gate electrode 6 having a field plate 91, and an insulator layer 8 disposed to cover the drain electrode 7.
第１のトランジスタ部１１は、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造、III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極５およびドレイン電極７、フィールドプレート９１を有するゲート電極６、ドレイン電極７を被覆するように配置された絶縁体層８を有する。 - 特許庁 - A three-dimensional structure can be formed with the linear light emission structure equipped with a connector having a plurality of light guide connection parts and a main body part with an incorporated light source, and an object in a complicated shape for decoration can be formed.
複数の導光体接続部と光源が内蔵される本体部とを有するコネクタと、該接続部に接続される複数の線状導光体と、を備える線状発光構造体により、三次元的な立体構造を形成することができ、装飾を目的とした複雑な形状のオブジェを作ることができる。 - 特許庁 - A binder document generating part 104 generates a binder structure that includes at least one material document and at least one page unit document obtained from the material document and holds at least one source document, and edits the page unit document in the binder structure to generate a binder document.
バインダ文書生成部１０４は、少なくとも１つの素材文書および該素材文書から得られる少なくとも１つのページ単位文書が含まれる少なくとも１つのソース文書を保持するバインダ構造を生成するともに、該バインダ構造内のページ単位文書を編集してバインダ文書を生成する。 - 特許庁 - The high-voltage transistor having a low ON-state resistance and keeping a high voltage in an OFF state is equipped with one or more source regions arranged near to a multilayered extended drain structure, and the multilayered extended drain structure contains an extended drift region separated from a field plate member by one or more dielectric layers.
低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。 - 特許庁 - In the cathode anticorrosion system, the surface of a concrete structure is provided with an inorganic ceramic coating film having electrical conductivity, and with a steel in the structure as the cathode and the inorganic ceramic coating film as the anode, energizing is performed to the space between the anode and the cathode by using an external power source to attain the corrosion protection of the steel material.
コンクリート構造物の表面に、導電性を有する無機系セラミック塗膜が設けられており、構造物中の鋼材を陰極とし無機系セラミック塗膜を陽極として、外部電源を用いて陽極と陰極間に通電して鋼材の防食を図る陰極防食システムである。 - 特許庁 - To obtain a structure which uses an electric motor 6a as a drive source, has a parking mechanism which can maintain a brake force even if electricity carrying to the electric motor 6a has been stopped already, does not make a lock device of the parking mechanism carelessly operated at a failure, is relatively simple in structure, small in size and low in cost.
電動モータ６ａを駆動源とし、この電動モータ６ａへの通電停止後の状態であっても制動力を維持できるパーキング機構を備え、しかも、故障時に不用意にこのパーキング機構の為のロック装置が作動する事のない、比較的簡単で、小型且つ低コストで造れる構造を実現する。 - 特許庁 - A partial reflecting mirror 89b and a partial reflecting mirror 91b split a coherent light beam from a radiation source 13b into two partial beams so as to be overlapped, and the overlapped partial beam is guided to a first partially reflecting structure 3b and a second partially reflecting structure 5b which are arranged in a beam direction by keeping a distance by a measuring head 105b.
部分反射ミラー８９ｂ、９１ｂが、放射源１３ｂからのコヒーレントな光ビームを２つの部分ビームに分割および重ね合わせ、重ね合わせ部分ビームを測定ヘッド１０５ｂにより互いに距離をあけてビーム方向に配置された部分反射する第１の構造体３ｂおよび第２の構造体５ｂに導く。 - 特許庁 - This measuring instrument for measuring a parameter of fine structure on a substrate is provided with a supercontinuum light source constituted to generate a measurement beam, an optical system constituted to emit the measurement beam onto the substrate, and a sensor for detecting radiation reflected and/or diffracted by the structure.
基板上の微細構造のパラメータを測定する計測装置であって、測定ビームを生成するように構成されたスーパコンティニューム光源と、測定ビームを基板上に送るように構成された光学系と、構造によって反射された、かつ／又は、回折された放射を検出するセンサとを備える計測装置。 - 特許庁 - To provide a plasma source equipped with a ferrite structure in which the ferrite structure is installed in arch shape on a linear antenna of a built-in type inductively coupled plasma generating device and a field formed radially from the linear antenna can be concentrated on a treating substrate, and to provide a plasma generating device employing the same.
内蔵型誘導結合プラズマ発生装置の線形アンテナ上にフェライト構造体をアーチ型に装着し、線形アンテナから放射状に形成されるフィールドを処理基板に集中させることができるフェライト構造体を備えるプラズマソース及びこれを採用するプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a pump fixing structure facilitating attaching-detaching work of a pump even when only a little space can be secured on the periphery of a pump installation place of the casing inside and capable of firmly installing the pump in a casing, and a heat source machine for fixing the pump to the casing inside by such a pump fixing structure.
筺体内部のポンプ設置場所の周辺に僅かな空間しか確保できない場合であってもポンプの着脱作業が容易であって、ポンプを筺体に対して強固に取付け可能なポンプの固定構造、また、そのようなポンプの固定構造によって筺体内部にポンプを固定した熱源機を提供する。 - 特許庁 - The production method of mesoporous silica particles having a hollow structure or a core-shell structure and having a mesoporous structure in an outer shell portion includes a step of adding with time a surfactant (b) selected from cationic surfactants and nonionic surfactants, and a silica source (c) to a dispersion liquid (A) containing a water-soluble substance (a) and water.
中空構造又はコアシェル構造を有し、外殻部がメソ細孔構造を有するメソポーラスシリカ粒子の製造方法であって、水不溶性物質（ａ）を及び水を含有する分散液（Ａ）に、陽イオン界面活性剤及び非イオン界面活性剤から選ばれる１種以上の界面活性剤（ｂ）とシリカ源（ｃ）とを経時的に添加して反応を行う工程を含む、メソポーラスシリカ粒子の製造方法である。 - 特許庁 - In order to decrease the interference susceptibility of the supply line structure in a power line communication and to simultaneously further ensure the energy supply of electrical component via the supply line structure, the supply line structure has separate supply lines electrically isolated from the vehicle body as return lines from the components to at least one energy source of the motor vehicle.
パワーラインコミュニケーションにおける供給導線構造の干渉の起きやすさを減少させて，同時に供給導線構造を介しての電気的要素のエネルギ供給をさらに保証することができるようにするために，供給導線構造は，構成要素から自動車の少なくとも１つのエネルギ源への帰線として，自動車車体から電気的に分離された別の供給導線を有していることが，提案される。 - 特許庁 - In the structure, the device 3 for diagnostic aid is connected to an electronic endoscope 1 for imaging a subject facing the tip thereof and a light source processor 2 thereof and generates specific observation image data for displaying the specific observation images provided for the diagnosis based on various image data transmitted from the light source processor 2.
先端に対向する被検体を撮影する電子内視鏡１及びその光源プロセッサ装置２に繋がれるとともに、その光源プロセッサ装置２から伝送される各種画像データに基づいて、診断に供される特殊観察画像を表示するための特殊観察画像データを生成するように、診断補助用装置３を構成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a first transistor and a second transistor are formed on the same semiconductor substrate so as to share the drain region and the source region with each other, which can efficiently form embedded insulation films directly below the source region and the drain region of each transistor.
第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - An oxide semiconductor element includes: a gate electrode disposed on a substrate; a gate insulation layer including a recess structure; a source electrode disposed on one side of the gate insulation layer; a drain electrode disposed on the other side of the gate insulation layer; and an active pattern disposed on the gate insulation layer, the source electrode, and the drain electrode.
酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。 - 特許庁 - Since the deposition or application process of the electrode films 4 and 5 and the EL emission layer 3, for forming the organic EL light source 1 and a sealing process for sealing the organic EL light source 1 in the vessel 2, can be considered as separate processes in terms of reaction and conduction, the flexibility in the sealing structure and the material are increased and a further simple method can be employed.
有機ＥＬ光源１を形成する電極膜４、５およびＥＬ発光層３の蒸着または塗布工程と、有機ＥＬ光源１を容器２に密閉するための封止の工程を反応や導通の面で別の工程として考えることができるので、封止構造、材料の自由度が増し、より簡易な方法が採用できる。 - 特許庁
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