「source structure」を含む例文一覧(2995)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 次へ＞- This structure changes the ratio of heat source medium L1 distributed to thawing heat dischargers 1A to 1C installed at zones a1 to a3, and the distribution ratio of sprinkling water W supplied to thawing sprinklers 11A to 11C installed at zones a1 to a3.
そして、熱源供給熱の分配比変更として、具体的には各区域ａ１〜ａ３に設置した融雪用放熱器１Ａ〜１Ｃに分配供給する熱源熱媒Ｌ１の分配比や、各区域ａ１〜ａ３に設置した融雪用散水装置１１Ａ〜１１Ｃに分配供給する散水用水Ｗの分配比を変更する構成にする。 - 特許庁 - To provide a windmill for a power source and a wind power generator of which the size, shape and number of wind receiving blades, other mechanism and structure can be changed after installing a generator to suit to geographical conditions and which has excellent performances such as light weight, high rigidity, easiness to carry, low cost, wide selection range of installation place.
この発明は、発電機を設置後に、その地理条件に適すように、風受羽根の大きさ、形状、数、その他機構、構成の変更をすることができる、軽量で剛性が高い、搬送が容易、安価、設置場所の選択幅が広がる、等、すぐれた性能の動力用風車並びに風力発電機を提供する事を目的としている。 - 特許庁 - In Japan, household incomes from the start have been at a low level and because globalization has further decreased the labor distribution ratio it is important to further strengthen the income distribution structure by expanding investment income, such as interest and dividends, as well as through more effective management of pension funds, which are the source of funds for social benefits.
我が国では、家計所得の水準がそもそも低く、またグローバル化の進展に伴って労働分配率も低下していることから、利子・配当等投資所得を拡大するとともに社会給付の原資となる年金基金の運用を効率化することで、所得分配構造をより堅固なものにしていくことが重要である。 - 経済産業省 - In the backlight structure of the liquid crystal display device, a coating film containing a wavelength conversion polymer material having a function to convert light having 250 to 400 nm wavelength into light having 450 to 650 nm wavelength is formed on the surface of at least one component disposed on an optical path from the light source to the liquid crystal display panel.
液晶表示パネルのバックライト構造であって、光源からの光が液晶表示パネルに至る経路に配置された少なくとも１つの部品の表面に２５０〜４００ｎｍの波長の光を４５０〜６５０ｎｍの波長の光に変換する機能を有する波長変換ポリマー材料を含む被膜が形成されている液晶表示パネルのバックライト構造。 - 特許庁 - With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.
活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁 - To provide a surface lighting system having a relatively simple structure, excelling in productivity, high in luminance and capable of providing desired luminance uniformity by improving utilization efficiency of light source light, and having an optically excellent characteristic, in a direct surface lighting system illuminating a non-luminous display element or a translucent display body.
本発明は、非発光表示素子あるいは透光性表示体を照明する直下型の面照明装置において、比較的簡易な構造で生産性に優れると共に、光源光の利用効率の向上で輝度が高く且つ所望の輝度均斉度を容易に得ることができ、光学的にも優れた特性を有する面照明装置を提供することにある。 - 特許庁 - A semiconductor has a transistor in longitudinal trench gate structure having a high-density drain area, a low-density drain area, a channel area, and a source area formed one after another; and the bottom of a gate conductor layer is positioned in a boiled-up layer formed by diffusing impurities from the high-density drain area to the adjacent low-density drain area.
高濃度ドレイン領域、低濃度ドレイン領域、チャネル領域、ソース領域が順次形成された縦型のトレンチゲート構造のトランジスタを有する半導体装置であって、前記高濃度ドレイン領域から隣接する低濃度ドレイン領域に不純物が拡散して形成される沸き上がり層にゲート導体層の底部を位置させる。 - 特許庁 - A reaction vessel for performing vapor deposition in a vacuum state comprises an outer wall at normal temperature to keep the vacuum and a heated inner wall 10 which surrounds a vaporizing source, and in a partition structure, the inner wall 10 is integrally guided in the vicinity of a vapor deposition surface, and a heated seal part 23 is formed inside the inner wall 10.
真空状態で蒸着を行う反応容器において、真空を保持する常温の外壁９と蒸発源を包みかつ加熱された内壁１０とで構成されており、その内壁１０を蒸着面近傍まで一体で案内し、かつ内壁１０の内部に加熱されたシール部２３を作成した仕切り構造である。 - 特許庁 - A resistive element of the first inverter includes a first high leakage current structure such that a leakage current density generated when a reverse direction bias is applied to a drain of the first transfer transistor and the first well is greater than the leakage current density generated when the reverse direction bias of the same voltage is applied to a source of the first transfer transistor and to the first well.
第１のインバータの抵抗素子は、第１の転送トランジスタのドレインと第１のウェルとに逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度が、第１の転送トランジスタのソースと第１のウェルとに同一電圧の逆方向バイアスを印加したときのリーク電流密度よりも大きくなるような第１の高リーク電流構造を含む。 - 特許庁 - In the semiconductor device 100, there are an n-type IGBT 102 and an n-type MOSFET 104 that are parallel each other in the same breakdown voltage structure in semiconductor substrates 110, 112, and the drain-source breakdown voltage of the MOSFET 104 should be smaller than the collector-emitter breakdown voltage of the IGBT 102.
半導体基体１１０，１１２における同一耐圧構造内に、互いに並列の関係にあるｎ型のＩＧＢＴ１０２と、ｎ型のＭＯＳＦＥＴ１０４とを有する半導体装置であって、ＭＯＳＦＥＴ１０４のドレイン・ソース降伏電圧は、ＩＧＢＴ１０２のコレクタ・エミッタ降伏電圧より小さいことを特徴とする半導体装置１００。 - 特許庁 - The rotary tool includes: a motor 2 as a rotary driving source; a torque application structure for applying torque generated by rotation of the motor to an output shaft 7; a sensor 10 for measuring the torque applied to the output shaft; and a controller C for stopping the torque application to the output shaft when the torque measured by the sensor reaches a set target torque.
回転駆動源としてのモータ２と、モータ回転で発生させたトルクを出力軸７に加えるトルク印加手段と、上記出力軸に加わるトルクを測定するセンサ１０と、該センサにより測定されたトルクが設定された目標トルクに達した時に上記出力軸へのトルク印加を停止させる制御手段Ｃとを備える。 - 特許庁 - To provide a power circuit with a standby function, capable of reducing standby power for power saving during standby by covering a light load during standby to a load during the operation of an electrical apparatus with a single power transformer for a commercial power source, and attaining a simple circuit structure and noise reduction.
本発明の目的は商用電源に単一の電源トランスを用いて、待機時の軽荷から電気機器動作時の負荷までをカバーし、スタンバイ電力の低減を図ることによりスタンバイ時の省電力化を可能にし、かつ簡単な回路構成とノイズの低減を実現したスタンバイ機能を備えた電源回路を提供することにある。 - 特許庁 - In an acoustic model experiment system, the 1/50 to 1/10 scale model of a structure demanding a severe acoustic property such as a hall or a music room to be constructed and a loudspeaker for an acoustic model experiment described in the claim 1 having a frequency equivalent to the reduction scale installed at a sound source position on the inner side of the scale model are combined.
この発明は、建設すべきホール又は音楽室などの、音響性状に厳しい建造物の１／５０〜１／１０縮尺模型と、その内側の音源位置に、前記縮尺に相当する周波数とした請求項１記載の音響模型実験用スピーカとを組み合わせたことを特徴とする音響模型実験システムにより目的を達成した。 - 特許庁 - The fixing leg protection structure for the heat source unit includes an outdoor unit 11 having a fork insertion hole 13g into which a fork of a forklift is inserted on the fixing leg 13a arranged on a bottom of an outdoor unit body 12, and a protection member 14 made of elastic resin and detachably attached to a lower flange 14b of the fixing leg 13a and protecting the fixing leg.
室外機本体１２の底部に配設された固定脚１３ａに、フォークリフトのフォークが挿入されるフォーク挿入孔１３ｇを形成した室外機１１と、固定脚１３ａである下フランジ１４ｂに着脱可能に装着されてこの固定脚を保護する弾性を有する樹脂製の保護部材１４と、を具備している。 - 特許庁 - It was described in the preceding section how SMEs are responding to changes in economic structure through business innovation. These diverse and dynamic activities of SMEs are the "source of economic dynamism" of the Japanese economy, and policies to encourage business innovation activities by SMEs are considered a top priority.
前項で述べたように、経営革新を行うことにより経済構造の変化に対応する中小企業の姿がみられたのであるが、こうした中小企業の多様で活力ある活動は我が国の「経済のダイナミズムの源泉」であり、政策的にも中小企業の経営革新活動を促進することが最も重要な位置付けとなっている。 - 経済産業省 - In other words, Japan’s income surplus has expanded on a “single-track” structure, whereby the current account surplus leads to an increase in net external assets, which leads, in turn, to an income surplus expansion. On the other hand, in the UK and the US, the source of income balance is the “dual-track” structure where they have expanded both internal and external investments and profited from the difference between the return rate on external assets and return rate on external debts, thereby maintained income surplus (flow) even though net external assets (stock) have been on the decline.
すなわち、我が国は「経常収支黒字→対外純資産増加→所得収支拡大」という「単線的」構造によって所得収支を拡大してきたのに対し、英国、米国については対外純資産（ストック）は減少しているものの、対内投資と対外投資の双方を拡大しつつ、対外資産収益率と対外負債収益率の格差を収益源とし、所得収支（フロー）の黒字を継続させてきたのであり、「複線的」構造によって所得収支を獲得しているといえる。 - 経済産業省 - The Al-Si aluminum alloy billet having a structure including an eutectic phase and an α-Al phase, which has been grown to be lumps after dividing the billet, is reheated up to a temperature between the eutectic temperature and the liquidus line of the Al-Si aluminum alloy by means of a ceramic infra-red heating source.
共晶相と、分断して塊状に成長させたα−Ａｌ相を有する組織としたＡｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを、セラミックス赤外線加熱源により当該Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金の共晶温度から液相線の間の温度に再加熱して前記Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを半溶融状態した後に、所定の加圧成形を施す。 - 特許庁 - In the electron source joining the fibrous carbon to the base material, 1 to 5 atom% of at least one kind out of nitrogen, boron, phosphorus, and sulfur is contained in the fibrous carbon, and the IG/ID ratio (IG means Raman scattering intensity corresponding to expanding and contracting motion of carbon in a graphite structure, and ID means Raman scattering intensity corresponding to crystal lattice disorder) is 0.75 or more.
繊維状炭素を基材に接合した電子源において、該繊維状炭素中は窒素，ボロン，リン，硫黄の少なくとも１種類を１〜５原子％含有し、ラマン分光強度のＩＧ／ＩＤ比（ＩＧ；グラファイト構造における炭素の伸縮運動に対応するラマン散乱強度、ＩＤ；結晶格子乱れに対応するラマン散乱強度）が０.７５ 以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a light source which comprises a discharge lamp and a concave reflector, and reflects light irradiated from the discharge lamp to the front side of the reflector to the rear part, and again returns to a front focal point of the reflector, and which has a structure in which the reflection light from the front part is not attenuated or scattered by passing through an arc tube.
放電ランプと凹面反射鏡とからなり、該反射鏡の前面側に放電ランプ放射から放射された光を後方に反射して、これを再度反射鏡の前方焦点に戻すようにした光源装置において、前方からの反射光が発光管を通過することによって減衰されたり、発散されたりすることのないようにした構造を提供することである。 - 特許庁 - To provide a damping device mounting structure for a ship capable of sufficiently suppressing vibration at a stage of a ship bottom plate adjacent to a propeller which is an exciting source in regard to vibration excited by rotation of the propeller, and positively reducing vibration within a wide frequency range by a small installation space in a portion requiring sufficient suppression of the vibration and noises such as a living quarter.
プロペラの回転を起振力とする振動に対して起振源であるプロペラに近接する船底板の段階において振動を充分に抑制可能として、居住区等の振動や騒音の充分な抑制を要する箇所において、少ない設置スペースで以って広範囲の周波数範囲での振動を確実に低減し得る船舶の制振装置取付構造を提供する。 - 特許庁 - A porous separator 1 impregnated with an electrolyte solution comprising ferrous chloride, calcium chloride and water is interposed between a porous gas-exchangeable negative electrode 3 and a porous gas-exchangeable positive electrode 2, and power is supplied from an external DC power source to both the electrodes through a power collection structure to thereby transfer oxygen from the negative electrode side to the positive electrode side, the electrode sides being mutually isolated in a gas phase.
多孔質のガス交換性の負極３、多孔質のガス交換性の正極２の間に、塩化第一鉄、塩化カルシウム、水を含む電解質溶液を含浸せる多孔質セパレータ１を挟み、集電構造を介して外部直流電源より両電極に給電して、互いに隔離された気相の負極側から正極側に酸素の移動を行うものである。 - 特許庁 - The back light unit has an integral structure of a light guide plate for guiding illuminating light made incident from a light source, a diffusing sheet for diffusing illuminating light emitted from the light guide plate, a prism sheet for polarizing illuminating light diffused by the diffusing sheet, and a reflecting sheet for reflecting illuminating light emitted from the light guide plate toward a display surface.
本発明のバックライトユニットは、光源から入射される照明光を導光する導光板と、前記導光板から出射される照明光を拡散する拡散シートと、前記拡散シートで拡散された照明光を偏光するプリズムシートと、前記導光板から射出される照明光を表示面側に反射する反射シートとを一体構造としたものである。 - 特許庁 - In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film.
ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。 - 特許庁 - A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12.
基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 - 特許庁 - In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.
１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁 - The lighting tool for a vehicle with at least one light source arranged inside provided with a lamp room having an opening for light emission is so structured that a lamp cover consisting of a transparent cover main body and a polarizing film set on an inner surface of the cover main body and equipped with a microscopic concavo-convex structure is fitted at the opening for light emission of the lamp room.
内部に少なくとも１灯の光源が配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えた車両用灯具において、ランプ室の光出射用開口に、透明なカバー本体とそのカバー本体の内面に設けられた表面に微細な凹凸構造を備えた偏光フィルムとからなるランプカバーが取り付けられているように構成する。 - 特許庁 - A first switching element 1 of a longitudinal MOSFET including wide-band gap semiconductor wafers 11, 21 each being composed of a silicon carbide, source electrodes 15, 25 and gate electrodes 17, 27 provided on the principal surface side of each wafer and drain electrodes 18, 28 provided on the rear surface of each wafer, and a second switching element 2 of the identical structure are constituted, by mutually overlapping their principal surface sides.
炭化珪素からなるワイドバンドギャップ半導体基板１１、２１と、基板の主面側に設けられたソース電極１５，２５及びゲート電極１７，２７と、基板の裏面上に設けられたドレイン電極１８，２８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴの第１のスイッチング素子１と、同構造の第２のスイッチング素子２をその主面側同士を重ねて構成する。 - 特許庁 - To provide a small table which enables successively connecting of top boards thereof closely when the tables are arranged side by side by providing legs in place within and right and left sides of the top boards, moreover, allows stacking thereof in layers with one across another positioned below it and further, includes a structure ideal for leading an information line or a power source line onto the top boards from thereunder.
脚を天板の左右側辺からはみ出すことなく設けることにより、並べて使用する場合に天板同士を密着した形で連接させることができ、しかも下方に位置する天板を跨いだ形態での積層スタッキング可能であり、更には、天板の下から情報線，電源線を天板の上へ導出する上でも好適な構造を具備した小形のテーブルを提供すること。 - 特許庁 - In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.
本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises the mask ROM formed on a semiconductor substrate 1 including at least one transistor Tp having a gate insulating film 3 having the charge accumulating function (ONO structure), a gate electrode 4a formed on the gate insulating film 3, and a source region 2 formed in the side of the gate electrode 4a in the semiconductor substrate 1.
半導体装置は、半導体基板１の上に形成され、電荷蓄積機能（ＯＮＯ構造）を持つゲート絶縁膜３と該ゲート絶縁膜３上に形成されたゲート電極４ａと、半導体基板１におけるゲート電極４ａの側方にそれぞれ形成されたソース・領域２とを有する少なくとも１つのトランジスタＴｐを含むマスクＲＯＭ部を備えている。 - 特許庁 - The organic ferroelectric memory 100 comprises a memory cell 114 of thin film transistor structure and a thin film transistor 112 for controlling the memory cell 114, wherein the memory cell 114 is formed above the thin film transistor 112 and includes an organic semiconductor layer 140, an organic ferroelectric layer 150, a gate electrode 160, a source electrode 120, and a drain electrode 122.
本発明にかかる有機強誘電体メモリ１００は、薄膜トランジスタ構造のメモリセル１１４および当該メモリセル１１４を制御する薄膜トランジスタ１１２を有し、前記メモリセル１１４は、前記薄膜トランジスタ１１２の上方に形成され、かつ、有機半導体層１４０と、有機強誘電体層１５０と、ゲート電極１６０と、ソース電極１２０と、ドレイン電極１２２とを含む。 - 特許庁 - Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20.
凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus having a substantially O-shaped gantry ring including an X-ray source and a detector, in which the gantry ring can be fixed and connected to a support body or can be connected to a support structure through a ring-positioning unit which can move a gantry in parallel or incline it relative to the support body on one or a plurality of axes.
Ｘ線源および検出器を有するほぼＯ字形のガントリ・リングを備える画像化装置であって、ガントリ・リングは、支持体に固定して接続することができ、あるいは、ガントリを支持体に対して１つまたは複数の軸上で並進または傾斜させることができるリング位置決めユニットを介して、支持構造体に接続することができる、画像化装置を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.
超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁 - The structure 20 is provided with a notched part 25 having an erected surface 20a erected toward an object direction at a part on the side of the image sensor 15 and near the object, in order to prevent the light emitted from the light source 16 from being guided by the light guide type optical member 24 and received by the image sensor 15 without being reflected at the object.
上記構造体２０には、撮像素子１５側でかつ被写体に近い部位に、光源１６から出射された光が被写体で反射することなく上記導光型光学部材２４によって導光されて撮像素子１５に受光されることを防止するために、被写体方向に向かって立設する立設面２０ａを有する切欠き部２５が設けられている。 - 特許庁 - The problem is solved by the light guide film which includes: a light incident part in which incoming incident light from a light source is entered on the surface of the incident light side; and a light emitting part in which the incoming incident light in the light incident part is emitted to the outside, wherein a fine concave-convex structure is formed on at least one surface of the light emitting part.
光源から入射される入射光を該入射光側の面で入光させる光入射部と、前記光入射部から入射された光を外部に出射する光出射部と、を有し、前記光出射部の少なくとも一つの面の表面には微細凹凸構造が形成されていることを特徴とする導光フィルムにより、上記課題を達成できる。 - 特許庁 - The outdoor apparatus attaching structure to an aerially supported line in which the outdoor apparatus 10 housing a communication device 11 as a source of heat generation in a resin-made case 12 is suspended and supported to messenger wire 20 by a metal-made suspension plate 30, and a heat-dissipation path for transferring heat from the communication device 11 to the suspension plate 30 is formed between the communication device 11 and the suspension plate 30.
発熱源となる通信装置１１が樹脂製ケース１２に収容された屋外用機器１０を金属製吊り下げ板３０によりメッセンジャーワイヤ２０に吊り下げ支持した架空支持線への屋外用機器取付構体であって、通信装置１１と吊り下げ板３０との間に、通信装置１１から吊り下げ板３０へ熱を伝達する放熱経路を設ける。 - 特許庁 - This invention discloses the display apparatus (0200) comprising: the thin type case (0210); a metal chassis (0220) which is arranged inside the thin type case and functions as a structure member; and a display board (0230) arranged on one face of the metal chassis, and comprising a lengthy rectangular light source unit (0240) arranged closely to the metal chassis.
本発明は、薄型筐体（０２１０）と、薄型筐体の内部に配置されて構造部材として機能する金属シャーシ（０２２０）と、金属シャーシの一の面に配置されるディスプレイ板（０２３０）とからなるディスプレイ装置（０２００）であって、ディスプレイ板の一辺に沿わせ、かつ、前記金属シャーシに近接させて配置した長尺短冊状の光源ユニット（０２４０）を有するディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - The surface light source includes: a substrate having a plurality of divided regions; a plurality of red, green, and blue LEDs arranged on the substrate with a prescribed arrangement structure; and a plurality of LED drive sections including red, green, and blue LED drive circuits for driving the red, green, and blue LEDs, respectively.
上記面光源は、複数個の分割領域を有する基板と、上記基板上に所定の配置構造で配置された複数個の赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、及び上記赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤを各々駆動するための赤色ＬＥＤ駆動回路、緑色ＬＥＤ駆動回路、 青色ＬＥＤ駆動回路を含む複数個のＬＥＤ駆動部を含む。 - 特許庁 - To provide a serial control system controlling a constant current generator for an electron light emission source attaining highly accurate adjustment of luminance by a simple circuit structure of a load circuit connected in series with a plurality of lights using the electronic light emission sources and attaining reduction in time for controlling a plurality of load circuits and reduction in load on the maintenance of the lights.
電子発光光源を用いた複数の灯火が直列に接続されている負荷回路に対して簡単な回路構成で輝度調整の高精度化を図ると共に、複数の負荷回路に対する制御時間を短縮し、さらに、灯火の保守メンテナンス負担を軽減することができる電子発光光源用定電流発生器シリアル制御システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a structure in which a converging solid angle of laser light condensed and made incident in a plasma container can be enlarged in a laser-driven light source which includes the plasma container having a light-emitting medium sealed therein and condensing means for condensing the laser light in the plasma container, and generates plasma in the plasma container by the condensed laser light.
発光媒体が封入されたプラズマ容器と、レーザ光を該プラズマ容器内に集光させる集光手段とを備え、該集光されたレーザ光によって前記プラズマ容器内にプラズマを生成するレーザ駆動光源において、プラズマ容器に集光入射されるレーザ光の集光立体角を大きくとることができるような構造を提供することである。 - 特許庁 - The packaging structure is provided with the optical modulator 10, a metal wire 60 connected in order to apply the signal voltage from the prescribed external power source to the signal electrode existing alongside the optical modulator and a member 50 having a grounding electrode layer in at least a portion of a major face of the optical modulator 10 for the purpose of impedance control of the optical modulator 10.
光変調器１０と、この光変調器の側方に位置する前記信号電極に所定の外部電源からの信号電圧を印加するために接続された金属線６０と、この金属線６０の周囲において、光変調器１０のインピーダンス制御のために、光変調器１０の主面の、少なくとも一部に接地電極層を有する部材５０を設ける。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film.
本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 - 特許庁 - To provide a CMOS semiconductor integrated circuit capable of decreasing power consumption at standby time without increasing a dedicated power source for reducing the power consumption at the standby time, separately providing a substrate bias generating circuit, which increases the power consumption and a chip area, and forming a triple well structure to become the cause of complicating a process.
待機時の消費電力低減のために専用の電源を増やさず、消費電力及びチップ面積の増大を招く基板バイアス発生回路を別途設けることなく、プロセスの複雑化の原因となる三重ウエル構造を形成することなく待機時の消費電力を減少させることができるＣＭＯＳ半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.
半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、ｎ型ＡｌＮ層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはｎ型ＡｌＮ層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁 - To provide a structure of an electron emission element capable of forming the element having a satisfactory electron emission characteristics with high repeatability, even if a high-melting point material having high durability is used for a conductive film, to provide an electron source, to provide an image forming device capable of realizing high-quality image display having high durability, high luminance and no dispersion of luminance and to provide manufacturing methods for them.
耐久性の高い高融点材料を導電性膜として用いた場合にも、良好な電子放出特性を有する素子を再現性良く形成できる電子放出素子の新規な構成、電子源、耐久性が高く、高輝度で、かつ輝度のばらつきの無い高品位な画像表示を実現し得る画像形成装置、及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel is constituted of a substrate 101, a gate electrode 104 formed thereon and composed of metal, an insulating film 107 formed on the gate electrode, a polycrystalline indium tin oxide film 117, having a crystal structure of a cubic bixbyte type and formed on the insulating film and a source and drain electrode 110 formed on the polycrystalline indium tin oxide film.
液晶表示パネルの基板１０１上に、金属で形成したゲート電極１０４と、該ゲート電極の上に形成した絶縁膜１０７と、該絶縁膜の上に形成したキュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶酸化インジウムスズ膜１１７と、該多結晶酸化インジウムスズ膜上に形成したソース・ドレイン電極１１０とを有して構成されている。 - 特許庁 - In this structure for generating the near field light comprising a metal light-shielding film having a micro opening of wavelength or less of incident light from a polarization-controlled light source, and arranged with a small metal piece in the micro opening, a shape of a polarization face for the incident light in the small metal piece is constituted to be asymmetric with respect to the center of the micro opening.
偏光制御された光源からの入射光の波長以下のサイズの微小開口を有し、該微小開口に金属小片が配置された金属遮光膜からなる近接場光を発生させる構造体であって、前記金属小片における前記入射光の偏光面を含む面内の断面形状を、前記微小開口の中心に対して非対称に構成する。 - 特許庁 - In the light source apparatus 3, since a gap 70 is formed between a sub-mount 90 and a first electrode 50a, the sub-mount 90 is constituted in the structure in contact only with a second electrode 50b formed on the upper surface 40a of a reinforcing member 40 but not in contact with the first electrode 50a formed on the upper surface 20a of the mesa part 20.
本発明に係る光源装置３において、サブマウント９０と第１の電極部５０ａとの間に空隙７０が形成されてなることから、サブマウント９０は、補強部材４０の上面４０ａに形成された第２の電極部５０ｂとのみ接触し、メサ部２０の上面２０ａに形成された第１の電極部５０ａとは接触しない構造となる。 - 特許庁 - To provide a pinball game machine and a slot machine with enhanced attraction of games by providing an attaching structure for irradiating the light from a light transmitter evenly over a wide range without changing the design such as changing a light emitting source to feed the light to the light transmitter and giving impression to a player with the optical presentation.
光伝送体に光を供給する発光源を替える等の設計変更を伴うことなく、光伝送体から放射される光により広い範囲にわたって均一に照射することができる取付け構造を提案し、光演出により遊技者に印象を与えることにより遊技の興趣性が向上した弾球遊技機およびスロットマシンを提供することである。 - 特許庁
