「source structure」を含む例文一覧(2995)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 次へ＞- In the method of manufacturing a thin film transistor, a thin film having a three-layer (first metal layer 38/ITO layer 40/second metal layer 42) structure is used simultaneously as a source electrode, a drain electrode and a pixel electrode to thereby omit the via forming step and the patterning for forming the pixel electrodes.
薄膜トランジスターの製造方法において、３層（第１金属層３８/ＩＴＯ層４０/第２金属層４２）構造の薄膜を、ソース電極とドレイン電極、および画素電極として同時に使用することにより、ビアホール形成工程と、画素電極形成のためのパターンニングを省略する。 - 特許庁 - The front light side is equipped with a light emitting element as an illumination light source to make a front light side structure provided with electrodes electrically connected to a circuit board, and the circuit board provided with contact patterns at a plurality of places at 90° intervals corresponding to the electrodes, so that the front light can be fitted in a plurality of directions.
フロントライト側に照明光源である発光素子を備え、回路基板と導通する電極を設けたフロントライトの構造にし、回路基板は前記電極に対応する９０°間隔で複数箇所に接点パターンを設けて、フロントライトが複数方向に取付可能な構造にする。 - 特許庁 - In this edge light type backlight structure using LEDs for a light source, side surfaces 11 and 12 of a light guide 10 are covered with reflective sheets 30 and 35 in a tightly fitted state by excluding parts of the LEDs 20 arranged on the side surfaces 11 and 12 of the light guide plate 10 at predetermined intervals.
ＬＥＤを光源とするエッジライト型バックライト構造にあって、導光板１０の側面１１，１２へ所定間隔に配置されたＬＥＤ２０，２０，…の部分を除いて導光板１０の側面１１，１２を反射シート３０，３５で密着状態に被覆したことにある。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal projector apparatus that reduces color unevenness of a projected image by an optical system equipped with a light quantity adjusting means of adjusting the quantity of light from a light source and is equipped with a structure for heat measures for the light quantity adjusting means of adjusting the quantity of light.
光源からの光量を調節する光量調節手段を備えた光学系において、投射される画像の色ムラを低減させ、また、光量を調節する光量調節手段における熱対策の構造を備えた液晶プロジェクタ装置を提供する。 - 特許庁 - A stage 2 where the integrated thin film solar cell 5 is mounted is provided inside a dark box 1, and a linear structure light source 4 which is capable of irradiating the integrated thin film solar cell 5 in a line is provided on the stage 2 so as to be moved in steps by a step drive 3.
暗ボックス１内には、集積型薄膜太陽電池５が載置されるステージ２が設置されており、ステージ２上には、集積型薄膜太陽電池５上をライン状に照射することのできるライン構造光源４が、ステップ駆動部３によりステップ移動できるように設置されている。 - 特許庁 - Furthermore, with a low voltage detection circuit for securing an access time of the management region, and a flag value is confirmed before the write-in of the management area, so that power source interruption can be prevented from occurring during data management region write-in, and so that data structure breakdown in the external recording medium can be prevented.
さらに、管理領域のアクセス時間を保証する低電圧検出回路を設け、管理領域の書込み前にはフラグ値を確認することで、データ管理領域書込み中に電源遮断が発生しない仕組みとし、外部記録メディア内のデータ構造破壊を防止する。 - 特許庁 - Thus, it can be prevented that a level difference is caused in an upper shield layer 12 by the first lead conductor 31 and magnetic domain structure becoming a noise causing source is formed by its level difference and also it is possible to make the lead conductor 31 and the upper shield player 12 so as not to be overlapped with each other.
これにより、第１のリード導体３１によって上部シールド層１２に段差が生じ、その段差によってノイズの発生源となる磁区構造が形成されることを防ぐことができ、また、リード導体３１と上部シールド層１２が重ならないようにすることができる。 - 特許庁 - A function ordering means 102 refers to the program structure graph, arranges the functions in the order of calling, rearranges the functions so that the functions called by the loop of high execution frequency continue in the order of calling and gives order to all the functions contained in a source module.
ファンクション順序付け手段１０２は、このプログラム構造グラフを参照し、まず、呼び出し順にファンクションを並べ、次に実行頻度の高いループで呼び出されるファンクションが呼び出し順に連続するようにファンクションを並べ替えて、ソースモジュールに含まれるすべてのファンクションに順序を付ける。 - 特許庁 - To provide an electro-optical device permitting to reduce the number of stages of source signal line driving circuits to a half of the number of horizontal pixels using pixels having a new structure while a pixel part is made high- definition, permitting to arrange the pixels with a margin, and contribute to a high opening rate.
画素部の高精細化に伴い、新規の構成を有する画素を用いることでソース信号線側駆動回路の段数を水平方向画素数の１／２とし、余裕を持たせた配置とすることが出来、かつ高開口率化にも貢献出来る電気光学装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Consequently, it is made easy to replace the projection-side polarizing plates 961R, 961G and 961B and the fitting structure for the projection-side polarizing plates 861R, 961G and 961B can be obtained, which is adaptive to higher luminance of the light source lamp, the size reduction of the device, etc.
これにより、各出射側偏光板９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂの交換作業が容易となり、光源ランプの高輝度化やプロジェクタの小型化等に対応できる出射側偏光板９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂの取付構造を得ることができる。 - 特許庁 - The cooling structure for the light source is equipped with a housing 29, a discharge lamp 1 provided in the housing 29, an air discharge fan 28 which is fitted in the housing 29 and discharge the air in the housing 20 to the outside, and a cylindrical member 30 which is provided on the downstream side of the air discharge fan 28.
光源の冷却構造は、筐体２９と、筐体２９内に設けられる放電ランプ１と、筐体２９内に取付けられ、筐体２９内の気体を外部に放出する排気ファン２８と、排気ファン２８の下流側に設けられた筒状部材３０とを備える。 - 特許庁 - The problem can be solved by the field effect transistor constituted of nitride semiconductor and having a multi-layered structure, wherein a silicon nitride film, a silicon oxide film or an aluminum oxide film and a high dielectric film are laminated from the side of semiconductor, on the surface of semiconductor between source and drain.
窒化物半導体により構成される電界効果トランジスタであって、ソースとドレインの間の半導体表面上に半導体側から窒化珪素膜、酸化珪素膜又は酸化アルミニウム膜、及び高誘電体膜の多層構造を有する電界効果トランジスタによって解決される。 - 特許庁 - This key lock device is formed as a structure of mounting the light emitting element 23 and the light receiving element 24 put in the corresponding relationship on the integrally molded same three-dimensional circuit board 22 among a plurality of light emitting elements 23 being a light source and a plurality of light receiving elements 24 corresponding to the respective light emitting elements 23.
光源となる複数の発光素子２３と各発光素子２３に対応する複数の受光素子２４のうち、対応関係にある発光素子２３と受光素子２４とを一体成形された同一の立体回路基板２２上に実装した構造とする。 - 特許庁 - The bleeder structure is provided with a selector valve selectively connecting a plurality of liquid chambers of the pilot operation control valve supplied with the pilot fluid and discharging it with a tank or a pressure fluid source, and a check valve provided in a passage connecting the liquid chambers and the selector valve and allowing a flow only in a direction of the selector valve.
パイロット流体が給排されるパイロット操作制御弁の複数個の液室をタンク又は圧力流体源に選択的に接続する切換弁と、液室と切換弁とを結ぶ流路に設けられ切換弁の方向への流れのみを許容する逆止弁とを備える。 - 特許庁 - To provide a hydrostatic transmission device which can avoid degradation of the transmitting efficiency by introducing such a structure that the characteristics including continuous variable speed change are maintained in the low speed running and the drive force of a power source is transmitted directly to a hydraulic motor in the high speed running.
低速走行時には、無段階変速といった特性を維持しながらも、高速走行時には、動力源の駆動力を直接的に油圧モーター側に伝えるようにして、伝達効率が悪くなるのを避けることのできるハイドロスタティックトランスミッション装置を提供することである。 - 特許庁 - The source device for the multicast group selects one of N instances, for example, using a unicast Equal Cost Multipath (ECMP) hashing algorithm, and sends multicast content for the multicast group via the multicast distribution structure corresponding to the selected one of the N instances.
マルチキャストグループのソースデバイスは，例えばユニキャスト等価コストマルチパス（ＥＣＭＰ）ハッシングアルゴリズムを用いてＮ個のインスタンスのうち一つを選択し，Ｎ個のインスタンスのうち選択された一つに対応するマルチキャスト配信構造を介して，マルチキャストグループのためのマルチキャストコンテンツを送信する。 - 特許庁 - A unit having a structure allowing easy removal of the photocatalyst, the light source like ultraviolet rays and the filter depending on an object substance, and having an optimum economical combination of a pump with a fine bubble generation device, is used as a base, to cope with a load by increasing or decreasing the number of the units.
対象物質により光触媒、紫外線等の光源、濾過フィルターを容易に取り外せる構造を有し、又ポンプと微細気泡発生装置が経済的に最適な組み合わせとなるユニットを基本として、そのユニットの増減により負荷量に対応する事ができる。 - 特許庁 - The electron source 1 is formed into lamination structure in which the first signal wire 16 and the lower layer insulation part 21 form a first layer, the element electrodes 14, 15 and the upper layer insulation part 22 form a second layer, and a conductive thin film 12 and a second signal wire 17 are formed on the second layer.
電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。 - 特許庁 - With the structure explained above, since noise due to the harmonic element as the noise source among the electromagnetic force developed in the gap between iron cores can be reduced, noise generated from an rotary electric machine can be reduced effectively by forming the magnetic poles in the shape as explained above.
このような構成により、鉄心間空隙に発生する電磁力のうち騒音源となっている高調波成分による騒音を低減することが分ったので、斯様な形状に磁極を形成することにより、回転電機から発生する騒音を効果的に低減することができる。 - 特許庁 - A favorable optical device having a simple structure with a suppressed manufacture cost is obtained without using a plurality of quartz plates but by using a single plate quartz and designing the plate, in accordance with the characteristics of a light source, to have a plurality of points where a 90° phase difference is generated when light passes once in the optical device.
複数の水晶板を用いず単板水晶を用いて、光源の特性に合わせて光が光学デバイスを一回通過すると位相差を９０度ずらせたポイントを複数ヶ所できる設計にすることにより、シンプルな構造で製造コストを抑え良好な光学デバイスを実現した。 - 特許庁 - To control a size of a gate electrode layer in processing and to control a regions of impurity diffusion layers (= a source region, a drain region) in a heat treatment step in particular when having a LDD structure as a gate length shortens with a MOS transistor made fine.
ＭＯＳ型トランジスタの微細化に伴い、ゲート長が短くなり、特にＬＤＤ構造を有する場合には、加工時におけるゲート電極層の寸法制御性、また、熱処理工程時の不純物拡散層（＝ソース領域、ドレイン領域）の領域を制御することが重要となる。 - 特許庁 - In a spectrum smoothing device, a spectrum of spectral light from a light source with a fine spectral structure is smoothed by a combination of a spectrum smoothing unit 10 allowing transmission of a wedge-shaped polarization canceling element 12 having an optical anisotropy with a polarizer 11 and a detector 13 and a spectrum smoothing controlling unit 20 based on an etalon 14.
細かいスペクトル構造を持つ光源のスペクトル光を偏光子１１と光学的異方性を有する楔形偏光解消子１２と検光子１３を透過させるスペクトル平滑化部１０と、エタロン１４によるスペクトル平滑化制御部２０とを組み合わせてスペクトルを平滑化する。 - 特許庁 - To provide a charging apparatus for back-up power source supplying power for required back-up operation to a printer with a simple circuit structure, thereby reducing the use of parts, such as a primary battery unfavorable for environment, and provide a printer which attains cost reduction and power savings.
プリンタに所用のバックアップ動作を行うための電力を供給するバックアップ電源の充電装置を簡単な回路構成で実現し、環境に好ましくない１次電池等の部品の使用を減らせると共に、低コストで省電力化を図ったプリンタを提供すること。 - 特許庁 - To improve pressure loss performance in neutral by a simple structure, in a hydraulic unit including a plurality of stacked selector valves and a high-pressure flow passage for guiding a working fluid from a hydraulic supply source to a tank through the plurality of selector valves laid in a neutral state.
複数の切替弁をスタックさせてなり、中立状態にある前記複数の切替弁を貫通し液圧供給源からの作動液をタンクに導く高圧流路を有する液圧ユニットにおいて、簡単な構成により中立時圧力損失性能の向上を図る。 - 特許庁 - In the pseudo grain 10 with a multilayer structure, the iron oxide powder 11a and solvent 11c in the internal layer 11 are contained at a predetermined ratio by substituting a part of the MgO source 11d so that the content of MgO becomes 2-5% based on 100 mass% of the sintering raw material.
この多層構造擬似粒子１０では、内層１１の酸化鉄粉１１ａおよび媒溶剤１１ｃにて焼結原料１００質量％とした時、ＭｇＯ含有率が２〜５％となるようにＭｇＯ源１１ｄがその一部を置換する形で所定の割合で含まれている。 - 特許庁 - To provide an active matrix type display device having a pixel structure in which the arrangement of a pixel electrode, a gate wiring and a source wiring which are formed in a pixel part is made suitable and also a high apperture ratio is realized without increasing the number of masks and the number of processes.
画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To eliminate installation of an exhaust duct of a low-frequency noise generating source to provide a noise-suppressed type facility for an engine ground test of simple structure excellent in noise-suppressing effect, in the noise-suppressed type facility for conducting the engine ground test in the condition where an aircraft is parked on the ground.
航空機を駐機したままエンジン地上試験を行うための消音型設備において、低周波騒音の発生源となる排気ダクトの設置を不必要とし、構造簡単で消音効果の優れたエンジン地上試験の消音型設備を提供すること。 - 特許庁 - To provide a light-guiding structure and an optical disc playback apparatus equipped therewith in which the former lets the latter's user know the working and location of the latter's components even though there is only a limited space for the light source to be installed between the housing and the disc loader.
筐体と所定の部材との間に光源を配置するスペースがない場合においても、内部部品の動作状況を利用者に把握させたり、利用者に操作位置を把握させたりするための導光構造および該導光構造を備えた光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁 - A sensor unit 10 comprising a variable contact resistor and a return switch both of which form a double-layered structure is manufactured by folding an FPC11 forming pressure-sensitive resistor inks R11-R14 and R21-R24, a grounded displacement electrode D0 and a displacement electrode D1 kept at a power source voltage Vcc.
感圧抵抗インクＲ１１〜Ｒ１４、Ｒ２１〜Ｒ２４、接地された変位電極Ｄ０および電源電圧Ｖｃｃに保持された変位電極Ｄ１を形成したＦＰＣ１１を折り曲げることによって、可変接触抵抗と復帰スイッチとが２層となるセンサユニット１０を製造する。 - 特許庁 - A thin-film transistor of the present invention with a bottom-gate structure having a back-channel portion using silicon as a semiconductor layer includes a source electrode or a drain electrode containing aluminum, and a layer of a sialon compound that is a portion of the back-channel portion and covers a surface of the semiconductor layer.
この発明に係る薄膜トランジスタは、シリコンを半導体層とするバックチャネル部を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタであって、アルミニウムを含むソース電極またはドレイン電極と、バックチャネル部の一部であって半導体層の表層を覆うサイアロン化合物の層とを有するものである。 - 特許庁 - The gas sensor structure 100 is provided with at least one radiation source for discharging emission; a gas measuring chamber 110 capable of being filled with gases to be measured; and at least one detector for detecting emission and generating an output signal dependent on a specimen.
本発明のガスセンサ構造１００は、放射を放出する少なくとも１個の放射源、計測ガスで充填され得るガス計測室１１０、及び放射を検出すると共に検体に依存する出力信号を生成する少なくとも１個の検出器を具備する。 - 特許庁 - A separator 10 of an integrated structure for separating moisture and hydrogen from a hydrogen off-gas is installed in a fuel gas circulation system for circulating, to a fuel cell, a mixture gas of hydrogen supplied to the fuel cell from a hydrogen supply source and the hydrogen off-gas exhausted from the fuel cell to the fuel cell.
水素供給源から燃料電池に供給される水素と該燃料電池から排出された水素オフガスとの混合ガスを該燃料電池に循環させる燃料ガス循環系に、水素オフガスから水分および水素を分離する一体構造の分離器１０を設けた。 - 特許庁 - An electric device is connected to the light source of the decorative member with the illuminator to thereby easily perform illumination, whereby when this member is used in the stairs, each lower step board can be illuminated so that the step boards of the stairs can be illuminated by a simple structure.
また、照明具付化粧部材の光源に電気を接続すれば容易に照明を行えるので、例えば階段に用いることで、それぞれ下側の段板を照らすことができるようになり、その結果、階段の段板の照明を簡単な構造で行うことができる。 - 特許庁 - The optical fiber striation device has a stroboscope light source of low electric power which instantaneously emits light intermittently strongly utilizing afterglow of eyes and by carrying out optical coupling of a simple structure by contacting the tip of a single or a plurality of optical fibers to this, an intermittent striation by leakage light from the fiber is formed.
本発明は、目の残光性を利用し、間歇的に強く瞬間発光する低電力のストロボ光源と、これに単数または複数のプラスチック光ファイバーの先端を触突させた簡単な構造の光結合を行い、該ファイバーからの漏洩光による間歇光条を作っている。 - 特許庁 - In this room air conditioner comprising the outdoor unit mounted outdoor and the indoor unit mounted indoor through a partition of a window, the outdoor unit and the indoor unit are connected by a frame integrated with the pipes for passing the refrigerant and power source and having an inverted recessed structure, and the indoor unit and the outdoor unit are suspended from the window frame.
窓の仕切を挟んで外部に室外機、室内に室内機を備えたルームエアコンであって、室外機と室内機を逆凹構造とした電源と冷媒を通す配管と一体化した架台で連結し、室内機と室外機を窓枠に吊架したルームエアコンである。 - 特許庁 - The reflection structure pattern includes a reflection film which reflects only the light of special wavelength and which is formed thereon whereby when a set wavelength is obtained upon adjusting an oscillation wavelength while turning a grating 52, reflection light is generated and is returned to the semiconductor laser source 50 again while passing through the same light path.
反射構造パターンは特定の波長の光のみを反射する反射膜が形成されているので、回折格子５２を回転させながら発振波長を調整した場合、設定波長になれば、反射光が発生し、同じ光路を通過して再び半導体レーザ光源５０に帰還する。 - 特許庁 - If a voltage is applied to the cathode electrode 3 and the gate electrode 5, an electron 10 by an electric field is emitted from a part where the hole exists, on the surface of the diamond thin film 4 in their crossing area, and this structure can be operated as a two dimensional cold cathode electron source.
カソード電極３とゲート電極５に電圧が印加されると、これらが交差している領域のダイヤモンド薄膜４の表面で、孔７が存在する部分から電界による電子１０が放出され、二次元の冷陰極電子源としての動作が得られる。 - 特許庁 - A cathode 20 of the magnetron is provided with a cathode structure 21, having the lower end hat at one end and a protruded part 23 at the other end, an upper end hat 24 which can be mounted on the other end of the cathode structure 21, and a cold cathode electron emission source 25 arranged on the cathode structure 21.
マグネトロンの陰極２０を、一方の端に下側エンドハット２２を形成し、他方の端に突起部２３を形成した陰極構体２１と、陰極構体２１の他端に装着可能とする上側エンドハット２４と、陰極構体２１に設ける冷陰極電子放出源２５とを備え、陽極ベイン先端の角から冷陰極電子放出源２５までの最短距離をＡ、陽極ベイン先端の角から上側エンドハット２４までの最短距離をＢとして０．５≦Ｂ÷Ａ≦１．０の範囲に入るように上側エンドハット２４の外周部の大きさを決める。 - 特許庁 - A tunnel negative resistance element having a MOSFET structure is composed by forming a gate insulation film 12 on a substrate 11, forming thereon a multiple nanodot structure 13 composed of a plurality of nano-dots 13a which are made of an oxide semiconductor such as ZnO, etc. and mutually bonded through a double Schottky barrier 13b in one plane, and forming a source electrode 14 and a drain electrode 15 thereon.
基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成し、その上にＺｎＯなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット１３ａが一面内において二重ショットキー障壁１３ｂを介して互いに接合した多重ナノドット構造体１３を形成し、その上にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成することにより、ＭＯＳＦＥＴ構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing iron oxide particulate red pigment is characterized in that, after brown iron oxide fine particles having γ-Fe2O3 crystalline structure are manufactured by the DC arc plasma method by using an iron source material as a consumptive anode electrode, the iron oxide fine particles are calcined in an oxygen-containing atmosphere to obtain red fine particles each having α-Fe2O3 crystalline structure.
鉄原料を消費アノード電極として、直流アークプラズマ法で製造したγ−Ｆｅ_2 Ｏ_3 の結晶構造を持つ略褐色酸化鉄微粒子を製造した後、該酸化鉄微粒子を用いて、酸素含有雰囲気中で焼成することによりα−Ｆｅ_2 Ｏ_3 の結晶構造を持つ赤色微粒子を得ることを特徴とする酸化鉄微粒子赤色顔料の製造方法に関する。 - 特許庁 - In this LED light source module structure wherein a silicon submount mounting the LED chip is directly arranged on a base metal of a metal wiring substrate to realize a mounting structure with low thermal resistance, the LED chip, the silicon submount and the metal wiring substrate are arranged as prescribed for effectively diffusing the heat generated by the LED chip to a metal wiring substrate side to realize high heat dissipation effect.
熱抵抗の低い実装構造を実現するため、ＬＥＤチップを搭載したシリコン製サブマウントを金属配線基板のベース金属上に直接配置したＬＥＤ光源モジュール構造において、ＬＥＤチップ、シリコン製サブマウント、金属配線基板を所定の配置とすることにより、ＬＥＤチップからの発熱を金属配線基板側へ有効に拡散させ、高い放熱効果を与えることを特徴としている。 - 特許庁 - This method for manufacturing a cobalt-based black pigment is characterized in that, after brown cobalt oxide fine particles having the crystalline structure of CoO and Co3O4 are produced by the DC arc plasma method by using a cobalt source material as a consumptive anode electrode, the cobalt oxide fine particles are calcined in an oxygen-containing atmosphere to obtain black fine particles each having Co3O4 crystalline structure.
コバルト原料を消費アノード電極として、直流アークプラズマ法で製造したＣｏＯおよびＣｏ３ Ｏ４ の結晶構造を持つ略茶色のコバルト酸化物微粒子を製造した後、該コバルト酸化物微粒子を用いて、酸素含有雰囲気中で焼成することによりＣｏ３ Ｏ４ の結晶構造を持つ黒色微粒子を得ることを特徴とするコバルト系黒色顔料の製造方法に関する。 - 特許庁 - This semiconductor Brgg grating contains an optical waveguide 12, a grating structure 10 formed in the optical waveguide 12, plural first electrodes 16 arranged on the optical waveguide 12, plural second electrodes 20 electrically connected to plural first electrodes 16 through the grating structure 10 and arranged on the optical waveguide 12 and plural wiring 32 connected between plural second electrodes 20 and a source 38.
光導波路１２と、光導波路内に形成された格子構造１０と、光導波路に配置された複数の第１の電極１６と、格子構造を介して複数の前記第１の電極に電気的に結合された、前記光導波路に配置された複数の第２の電極２０と、複数の前記第２の電極と電源３８との間に結合された複数の導線３２とを含む。 - 特許庁 - The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.
電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁 - This invention relates to the organic electroluminescent display element and its manufacturing method, and provides the organic electroluminescent display element and its manufacturing method capable of reducing damage of the organic light emitting element by improving the adhesive strength of the sealant by securing the sealant area for contacting with the inorganic insulating film by changing the wiring structure of the common power source supply Vdd line and the structure of the flattening film being the organic film.
本発明は有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、共通電源供給Ｖｄｄラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sensitivity with respect to high-frequency of a high-frequency transistor is measured in terms of coupling capacitance among gate wiring, source wiring and drain wiring, and the coupling capacitance between the respective wirings and a semiconductor substrate, among equivalent circuit parameters that change, depending on the structure of wiring and contact (Step ST21).
配線およびコンタクトの構成に応じて変化する等価回路パラメータのうち、ゲート配線、ソース配線およびドレイン配線の各配線間の結合容量、ならびに、各配線と半導体基板と間の結合容量について、高周波トランジスタの高周波特性に対する感度を測定する（ステップＳＴ２１）。 - 特許庁 - The gas feed line structure for feeding the raw material gas comprising ≥1% fluorine gas to a main treatment apparatus 10 comprises gas feed lines 48 and 28a connecting the main treatment apparatus 10 and a raw material gas feed source 32, and adsorption devices 52 and 54 provided on the gas feed lines 48 and 28a.
フッ素ガスを１％以上含む原料ガスを主処理装置１０に供給するためのガス供給ライン構造は、主処理装置１０と原料ガス供給源３２とを接続するガス供給ライン４８、２８ａと、ガス供給ライン４８、２８ａ上に配設された吸着デバイス５２、５４と、を有する。 - 特許庁 - To contrive the stability of quality by reducing a cost by reducing the number of parts for supporting a terminal and simplifying the structure of a stator insulation part assembling the terminal in the stator of an electric motor connecting a board through the terminal assembled on the stator insulation part and supplying a power source.
固定子絶縁部に組付けられる端子を介して基板と結線され、電源を供給される電動機の固定子において、端子を支持する部品を削減することによるコストの低減、あるいは、端子が組付けられる固定子絶縁部の構造を簡素化することにより、品質の安定を図ること。 - 特許庁 - In this method for observing the internal structure of the present invention, a sample is irradiated with a primary corpuscular beam generated from a particle source to detect transmitted particles transmitted through the sample, and a voltage is impressed partially to the sample to observe from time to time a detection condition of the transmitted particle in an impressed portion.
本発明は、粒子源から発生する一次粒子線を試料に照射し、前記試料を透過した透過粒子を検出すると共に、前記試料に部分的に電圧を印加し、該印加した部分の前記透過粒子の検出状態を随時観察することを特徴とする内部構造観察方法にある。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.
半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁
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