「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 52 53 次へ＞- To provide a sputtering system and a sputtering method capable of forming a ferroelectric film having satisfactory orientation properties for a long period of time.
良好な配向性の強誘電体膜を長期にわたり形成することができるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target improving characteristics of an optical information recording medium and considerably improving the productivity thereof and to provide a method of producing the sputtering target.
光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - HIGH PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF HIGH PURITY METAL, THIN FILM FORMED BY SPUTTERING, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH PURITY METAL
高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜並びに高純度金属の製造方法 - 特許庁 - MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE
マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置並びに磁石構造体の使用方法 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target by which a large-size sputtering target free from problems of arcing, etc., can be manufactured relatively easily and inexpensively.
アーキング等の問題のない大型スパッタリングターゲットを比較的容易に且つ安価に製造できるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY VANADIUM, HIGH- PURITY VANADIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE HIGH- PURITY VANADIUM, AND THIN FILM DEPOSITED USING THE SPUTTERING TARGET
高純度バナジウムの製造方法、高純度バナジウム、同高純度バナジウムからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system and a thin film production method where, when an LaB_6 thin film is deposited by sputtering, the single crystal properties in the wide region domain direction of the obtained LaB_6 thin film is improved.
ＬａＢ_6薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ_6薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。 - 特許庁 - To provide an RF sputtering device and a manufacturing method for semiconductor device, with which the release of a coating film on a stage can be suppressed in RF sputtering.
ＲＦスパッタ時にステージ上のコーティング膜の剥離を抑制できるＲＦスパッタ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for depositing a Co-based magnetic film having excellent coercive force and less medium noise by the sputtering method.
保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of designing a sputtering system where optimum sputtering cathode conditions are obtained, and the cracking and peeling of a target can be prevented.
最適なスパッタカソード条件を計算で求め、ターゲットの割れや剥がれを未然に防止しうるスパッタ装置を設計する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and a sputtering apparatus for depositing a thin film of high quality to the last by effectively utilizing a target.
ターゲットの有効利用をはかり、最後まで高品質の薄膜形成を行うことの可能なスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, AND THEIR PRODUCTION METHOD
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法 - 特許庁 - ITO SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET FOR HIGH RESISTANCE FILM DEPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
高抵抗膜形成用ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM
酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜 - 特許庁 - ITO SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ITO SPUTTERING TARGET USING THE SINTERED COMPACT
ＩＴＯ焼結体とその製造方法、及びそれを用いたＩＴＯスパッタリングターゲット - 特許庁 - SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT AND IONIZATION SPUTTERING DEVICE
固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器、イオン化スパッタリング装置 - 特許庁 - The base plated layer and the finish plated layer can be formed by the sputtering method.
下地めっき層および仕上めっき層は、スパッタリング法により形成することができる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL COMPOSED OF CERAMICS-METAL COMPOSITE MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - MEDIUM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND SPUTTERING TARGET
光学的情報記録用媒体およびその製造方法ならびにスパッタリング用ターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR THIN FILM FORMATION, DIELECTRIC THIN FILM, OPTICAL DISK, AND METHOD FOR PRODUCING THE DIELECTRIC THIN FILM
薄膜形成用スパッタリングターゲット、誘電体薄膜、光ディスク及びその製造方法 - 特許庁 - The outside periphery of piston ring 1 is coated with a hard anodic oxide coating 3, using a sputtering method.
ピストンリング１の外周面に硬質皮膜３をスパッタリング法によって被覆する。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR BATTERY AND IMAGE DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME
スパッタリング装置、それを用いた太陽電池及び画像表示装置の製造方法 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET USED FOR ITS MANUFACTURE
透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット - 特許庁 - A thin-film electrode for a piezoelectric element used for a sounding body is formed by a sputtering method.
発音体に使用される圧電素子用薄膜電極を、スパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - Al-Ni-La-Cu-BASED Al ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - In addition, an Ir lower-part electrode 4 is formed on the barrier metal layer 3 through the sputtering method.
更に、バリアメタル層３上にスパッタリング法により、Ｉｒ下部電極４を形成する。 - 特許庁 - Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - ZINC SULFIDE-BASED SINTERING MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
硫化亜鉛系焼結材料とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD FOR DEPOSITING Al ALLOY THIN FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING Al ALLOY THIN FILM
Ａｌ合金薄膜の製造方法およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING COMPLEX OXIDE SINTERED BODY, AND SPUTTERING TARGET COMPOSED OF ITS SINTERED BODY
複合酸化物焼結体の製造方法及びその焼結体からなるスパッタリングターゲット - 特許庁 - Then, the capacitive insulating film 55 is formed on the Pt film 92 by the sputtering method.
その後、Ｐｔ膜９２上に、スパッタ法により容量絶縁膜５５を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a cylindrical sputtering target without using a brazing filler metal.
ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTER FILM-FORMING METHOD, FILM-FORMED PRODUCT, AND ELECTRON-FLOW CONTROL DEVICE FOR SPUTTERING APPARATUS
スパッタリング成膜方法、成膜製品及びスパッタリング装置の電子流量調節装置 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for forming a thin film on an organic film through sputtering.
有機膜上にスパッタリングで薄膜を形成する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - HIGH Ga CONTENT Cu-Ga BINARY ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - A light shielding layer 12 is formed on the second surface 11b of the substrate 11 by a sputtering method.
基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光層１２が形成されている。 - 特許庁 - POLYCRYSTAL MgO SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MgO TARGET FOR SPUTTERING
多結晶ＭｇＯ焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用ＭｇＯターゲット - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, CYLINDRICAL CATHODE, AND METHOD OF COATING THIN MULTICOMPONENT FILM ON SUBSTRATE
マグネトロンスパッタリング装置、円筒陰極、及び薄い複合膜を基板上に成膜する方法 - 特許庁 - An insulating film 5, consisting of alumina or silicon dioxide, is formed through sputtering method.
次に、アルミナ、あるいは二酸化ケイ素からなる絶縁膜５をスパッタ法により形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Al OR Al ALLOY SPUTTERING TARGET WITH FINE CRYSTAL GRAIN
微細な結晶粒を有するＡｌまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - CAPACITOR INCLUDING END SURFACE ELECTRODE LAYER FORMED BY SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
スパッタリングにより形成された端面電極層を含むコンデンサおよびその製造方法 - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING, DIELECTRIC FILM FORMED USING THE TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE FILM
スパッタリング用ターゲット、それを用いて形成した誘電体膜およびその製造方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SPUTTERING APPARATUS, DRY ETCHING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
半導体製造装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - Cu ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING Cu WIRING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Ｃｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法 - 特許庁 - The transparent conductive film 26 is formed by a sputtering method using gas containing krypton.
クリプトンを含むガスを用いたスパッタリング法により透明導電膜２６を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR PURIFYING METALS AND FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF HIGH PURITY METAL
金属の高純度化方法及びスパッタリング用高純度金属ターゲットの製造方法 - 特許庁 - The electrode base film 21 and the vibrating electrode film 2a are formed by a sputtering method.
電極下地膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成される。 - 特許庁 - METHOD FOR SPUTTERING CARBON PROTECTIVE FILM ON MAGNETIC DISK HAVING HIGH sp3 CONTENT
高いｓｐ３含有率をもつ磁気ディスク上に、炭素保護フィルムをスパッタリングする方法 - 特許庁 - HIGH-STRENGTH BARIUM-ALUMINUM-ALLOY-BASED SPUTTERING TARGET FOR INORGANIC EL DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
無機ＥＬ素子用高強度バリウムアルミニウム合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
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