「static random-access memory」を含む例文一覧(96)
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スタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT
スタティックランダムアクセスメモリ回路 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL
スタティック・ランダム・アクセス・メモリセル - 特許庁 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND ACCESS METHOD TO SRAM
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭへのアクセス方法 - 特許庁 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND SRAM TEST METHOD
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭのテスト方法 - 特許庁 - PREFETCH FROM DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY TO STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミック・ランダムアクセスメモリからスタティック・ランダムアクセスメモリへのプリフェッチ - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭのテスト方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY COMPRISING GLOBAL BIT LINE
グローバルビット線を有するスタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE
スタティック・ランダム・アクセスメモリおよび半導体装置 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MEASURING METHOD FOR PSEUDO STATIC NOISE MARGIN
スタティックランダムアクセスメモリ、および擬似スタティックノイズマージンの計測方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法 - 特許庁 - VIRTUAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD
仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME
スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルとその製造方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL OF TWO TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD
２個トランジスタのスタティックランダムアクセスメモリーセルとその駆動方法 - 特許庁 - MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY
列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.
第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁 - ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE
ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁 - To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).
不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁 - To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin.
スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。 - 特許庁 - The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.
メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁 - To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.
スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁 - INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT
インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁 - A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.
スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL
ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法 - 特許庁 - To provide a static random access memory further stabilized for reading.
向上した読み取り安定性を有する静的ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH NON-VOLATILE DATA HOLDING FUNCTION AND ITS OPERATING METHOD
不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING HIGH BANDWIDTH AND OCCUPYING SMALL AREA
高帯域幅を有し且つ小さな領域を占めるスタティックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁 - To provide a system, method, and apparatus for performing prefetch from a dynamic random access memory (DRAM) to a static random access memory (SRAM).
ダイナミック・ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）からスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）へのプリフェッチを行うシステム、方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an asymmetrical static random access memory element having reduced bit line leakage.
ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.
ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁 - To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.
ＳＮＭを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびＳＮＭ計測方法を提供する。 - 特許庁 - A dot area modulation method is used, and each sub-pixel is provided with static random access memory.
面積階調方式を用い、副画素ごとに、スタティックランダムアクセスメモリを備える。 - 特許庁 - A method for controlling a static random access memory device adopting twin cell structure is provided.
ツインセル構造を採用するスタティックランダムアクセスメモリ装置を制御する方法を提供する。 - 特許庁 - A plurality of scan path registers are connected by an array of static random access memory (SRAM) units of a plurality of memory cells.
複数のスキャンパスレジスタは、複数のメモリセルからなるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイによって接続される。 - 特許庁 - To realize high speed of read-operation of a semiconductor memory, especially, a static random access memory(SRAM).
半導体記憶装置、特にスタティック・ランダム・アクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のリード動作の高速化を実現すること。 - 特許庁 - To enlarge the operation margin of a memory cell of a flip-flop type such as a static type random access memory (SRAM).
スタティック型ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなフリップフロップ型のメモリセルの動作マージンを拡大する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY
半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁 - To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.
相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT
半導体装置及びその製造方法、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置並びに携帯電子機器 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING DECREASED LEAKAGE CURRENT DURING ACTIVE MODE, AND ITS OPERATING METHOD
アクティブモードの間減少した漏洩電流を有するスタティックランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁 - The PDPRAM (partial dual port random access memory) 20 is composed of a clock synchronization SRAM (static random access memory) interface (IF) 21, a DRAM cell array 22, a dual port DRAM cell array 23, and a DRAM cell array 24.
ＰＤＰＲＡＭ２０は、クロック同期ＳＲＡＭインタフェース（ＩＦ）２１と、ＤＲＡＭセルアレイ２２と、デュアル・ポートＤＲＡＭセルアレイ２３と、ＤＲＡＭセルアレイ２４とから構成されている。 - 特許庁 - To attain sure maintenance of stored data in an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing the stored data from being destructed by a latch-up phenomenon even when a soft error occurs due to a neutron.
ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）において、中性子によるソフトエラーが発生した場合であってもラッチアップ現象によって記憶データが破壊されることを防止して、記憶データを確実に維持できるようにする。 - 特許庁 - To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.
不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁 - To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which has low power consumption and is operated by low voltage of 1 V or less while securing static noise margin.
スタティックノイズマージンを確保して、低消費電力で、かつ、１Ｖ以下の低電圧で動作するＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁 - To provide a static/random/access/memory (SRAM) including a plurality of SRAM cells arranged in an array state.
アレイに配列された複数のＳＲＡＭセルを含むスタティック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＳＲＡＭ」）が提供される。 - 特許庁 - STATIC/RANDOM/ACCESS/MEMORY (SRAM) AND METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGE LEVEL SUPPLIED TO SRAM
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）およびＳＲＡＭに供給される電圧レベルを制御する方法 - 特許庁
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