「step pattern」を含む例文一覧(2084)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 41 42 次へ＞- The charged particle beam drawing method for exposing a pattern comprising a plurality of pixels on a substrate by scanning with charged particle beams has a step for generating an instruction value so that the exposure time of a pixel located at the edge of the pattern becomes smaller than that of other pixels, and a step for correcting the instruction value based on the instruction value of the pixel immediately before.
【解決手段】 荷電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線描画方法において、前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有する。 - 特許庁 - The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for opposing the electrode 12 of a semiconductor chip 10 and a wiring pattern 22 each other through a solder 30 containing bismuth, and a step for forming a conductive portion 40 connecting the electrode 12 and the wiring pattern 22 electrically by thermally melting the solder 30 at a temperature between the melting point and 300°C and then hardening the solder.
半導体装置の製造方法は、半導体チップ１０の電極１２と配線パターン２２とを、ビスマスを含有するはんだ３０を介して対向させること、及び、はんだ３０を、融点以上３００度未満の温度で加熱して溶融させ、その後硬化させて、電極１２と配線パターン２２とを電気的に接続する導電部４０を形成することを含む。 - 特許庁 - The process for manufacturing a photoelectric converter comprises step A for providing a bank pattern having an opening for exposing a part of the surface of one of two electrodes, and a bank surrounding the opening on the surface of one conductive layer; and step B for laminating a plurality of semiconductor layers in the opening along the thickness direction of the bank pattern.
光電変換装置の製造方法が、２つの電極の一方の表面を部分的に露出する開口部と、前記開口部の周囲を囲むバンク部と、を有するバンクパターンを前記一方の電極の前記表面上に設ける工程Ａと、前記開口部内で前記複数の半導体層を前記バンクパターンの厚さの方向に沿って積層する工程Ｂと、を包含している。 - 特許庁 - Surprisingly, when forming a titanium compressor impeller using the hybrid or two-step process, the technical complexity of each step (pattern forming and machining) is substantially lower, distortion of the wax blades during pattern casting is reduced, casting of titanium is simplified, the process allows itself to be fully automated, and the dimensional accuracy of the final product is greater than with conventional techniques.
意外にも、ハイブリッドまたは２段階法を使用してチタン圧縮機翼車１を形成すると、各ステップ（パターン形成および切削）の技術的複雑性は実質的に低く、パターン鋳造中のワックスブレードのねじれは減少し、チタンの鋳造は簡単になり、方法自体を完全自動化することができ、最終製品の寸法精度は従来の技法よりも高くなる。 - 特許庁 - The imprinting method and apparatus therefor are characterised by having a step of softening a resist of the processed product by using gas under pressure and a supercritical fluid, the processed product being composed of a substrate where the resist is applied, and a step of pressing a mold, on which a predetermined pattern is formed to the resist of the processed product, to transfer the predetermined pattern to the resist.
加圧気体又は超臨界流体を利用して、レジストが塗布された基板からなる被処理体の前記レジストを柔軟にする工程と、前記被処理体の前記レジスト側に、所定のパターンが形成されたモールドを押し付けて前記所定のパターンを前記レジストに転写する工程とを有することを特徴とするインプリント方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - This design method for a semiconductor integrated circuit is provided with a net list creation step (S121) for creating a net list, which includes connection information between and inside macros of the semiconductor integrated circuit and identification information about the used macro, and a test pattern creation step (S122) creating a test pattern for the semiconductor integrated circuit on the basis of the identification information about the used macro inside the net list.
半導体集積回路のマクロ間及びマクロ内の結線情報並びに使用するマクロの識別情報を含むネットリストを生成するネットリスト生成ステップ（Ｓ１２１）と、ネットリスト内の使用マクロの識別情報を基に半導体集積回路の試験パターンを生成する試験パターン生成ステップ（Ｓ１２２）とを有する半導体集積回路の設計方法が提供される。 - 特許庁 - This invention in related to the formation of a semiconductor device laminated on a substrate 1 including a step forming laminated bodies 2, 3, 4, 5 as well as a forming step of a circuit element by photolithography including the formation of an alignment mask, the reference pattern by the aperture of the alignment mask as well as another mask specifying the circuit element aligned with the reference pattern.
本発明は、基板（１）上に積層体（２，３，４，５）を形成する工程と、位置合わせマスクの形成、このマスクの開口部による基準パターンの形成、及びこの基準パターンに位置合わされた回路素子を規定するマスクの形成を含むフォトリソグラフィにより回路素子を形成する工程を具える基板上に集積化された半導体装置を形成する方法に関するものである。 - 特許庁 - The method for successively writing the positioning patterns onto a disk surface by using the servo patterns written to its own disk is so constituted that a plurality of servo patterns strings on the same disk surface are read (a step 1) and that the positioning patterns are alternately written by using the read servo pattern strings (a step 2).
自己のディスクに書き込まれたサーボパターンを用いて位置決めパターンをディスク面に順次書き込んでいく方法において、同一ディスク面上の複数のサーボパターン列を読み込み（ステップ１）、読み込んだサーボパターン列を用いて交互に位置決めパターンを書き込む（ステップ２）ように構成する。 - 特許庁 - To prevent disconnection of a coil pattern by increasing the line widths of conductor patterns by reducing the stains of the conductor patterns, which become larger when the connection between the end sections of the conductor patterns is extended in a direction perpendicular to the boundary (step) of an insulating layer and a squeegee is moved in parallel with the boundary (step) of the insulating layer.
導体パターンの端部と導体パターンの端部との接続部が絶縁体層の境目（段差）と垂直な方向に延在すると共に、スキージを絶縁体層の境目（段差）と平行な方向に移動させるので、導体パターンの接続部の滲みが大きくなる。 - 特許庁 - The step of disposing the laminate 120 between the convex press plate 61 and the flat press plate 62 includes a step of positioning the laminate 120 so that the salient 63 overlaps a region 33 inside the conductor pattern 36 when viewed from the lamination direction of the resin sheet 21.
積層体１２０を凸型プレス板６１と平型プレス板６２との間に配置する工程は、樹脂シート２１の積層方向から見た場合に、凸部６３と、導体パターン３６の内側の領域３３とが重なるように、積層体１２０を位置決めする工程を含む。 - 特許庁 - The planar pattern shape of a magnetoresistive effect element having corners is formed such that the corners are completed finally after repeating a lithography step and an etching step a plurality of times.
磁気抵抗効果素子の形状として角部を有した平面パターン形状を形成するのにあたり、その角部を複数回のリソグラフィ工程およびエッチング工程を行い、複数回繰り返される各工程を経た後に最終的に当該角部が完成するように、前記平面パターン形状の形成を行う。 - 特許庁 - The method of repairing a phase shift mask, comprising a substrate and a phase shift pattern formed on the substrate includes a step S42 of forming a protective film on the exposed surfaces of the phase shift mask and a step S43 of cleaning the phase shift mask.
基板及び前記基板上に形成された位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを修理する方法において、位相シフトマスクの露出された表面に保護膜を形成する段階Ｓ４２と、位相シフトマスクを洗浄する段階Ｓ４３と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの修理方法。 - 特許庁 - A recess 12 of a predetermined depth, having an acute angle step Ea, is formed in a substrate 11, a resist film is formed having an open annular pattern RP passing through the acute angle step, an annular wiring conductor 16 and an annular insulating layer are formed alternately, to form a helical wiring conductor.
鋭角段差部Ｅａを備える所定深さのくぼみ１２を基板１１に形成し、この鋭角段差部を通る環状パターンＲＰを開口したレジスト膜を形成し、環状配線導体１６と環状絶縁層とを交互に形成してヘリカル状の配線導体を形成する。 - 特許庁 - Any type is determined out of variation patterns of multiple types containing the type of variation pattern for executing a split display performance from the result of the determination to offer the "jackpot" as that of the variable display or the result of the determination to present a ready for win state at the step S268 (step S273).
可変表示結果を「大当り」とする決定結果、または、ステップＳ２６８におけるリーチ状態ありの決定結果に基づき、分割表示演出を実行する変動パターン種別を含む複数種類の変動パターン種別のいずれかに決定する（ステップＳ２７３）。 - 特許庁 - The method of forming a dielectric film of an MIM capacitor includes a step for forming a passivation film 41a on a dielectric film 33a of the MIM capacitor, and a step in which the dielectric film 33a of the MIM capacitor is separated from an upper photoresist pattern not to directly contact it.
ＭＩＭキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、ＭＩＭキャパシタの誘電膜３３ａ上にパッシベーション膜４１ａを形成する段階と、ＭＩＭキャパシタの誘電膜３３ａが上部フォトレジストパターンと直接接触しないように分離させる段階と、を含む。 - 特許庁 - A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.
基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a top contact type field effect transistor 10 of this embodiment, after a protection layer 22 is formed on an active layer 18 formed in a semiconductor layer formation step, a photoresist film is formed on the protection layer 22 and it is exposed to a pattern shape in an exposure step.
本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層１８上に、防護層２２を形成した後に、該防護層２２上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。 - 特許庁 - In the game machine wherein whether or not to add a time shortening function after a big winning is determined by prior internal drawing, a notice performance pattern is changed between the case that the result of the internal drawing is a winning with time shortening and the case that it is the winning without the time shortening (step S704, step S712).
大当り後に時間短縮機能が付加されるか否かが事前の内部抽選で決定されている遊技機において、内部抽選の結果が時短付当りの場合と、時短無当りの場合とで予告演出パターンを変化させる（ステップＳ７０４，ステップＳ７１２）。 - 特許庁 - If the value stored in a total reserved memory number counter is 3 (Step S101B), a CPU of a game controlling microcomputer determines whether the value in the total reserved memory number counter is at least the previous value in the reserved memory number counter (Step S101C) in a variation pattern setting process.
変動パターン設定処理において、遊技制御マイクロコンピュータのＣＰＵは、保存されている合算保留記憶数カウンタの値が３であるとき（ステップＳ１０１Ｂ）、合算保留記憶数カウンタの値が前回保留記憶数カウンタの値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１０１Ｃ）。 - 特許庁 - To optimize an antireflection film for use, when patterning a resist for use in an ion implantation step and enhance throughput in the manufacture of a semiconductor device, containing a step of ion-implanting impurities in a region selected by the use of a resist pattern.
レジストパターンを使用して選択された領域に不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、イオン注入工程において使用されるレジストをパターニングする際に使用される反射防止膜の最適化を図るとともに、スループットを向上すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer wiring board capable of forming a minute circuit pattern having a highly reliable electrical connection between circuit layers, and having a step of electrically connecting between circuit layers at low cost within a short step without requiring a lot of devices.
回路層間の電気的接続の信頼性が高く、細密な回路パターンを形成することが可能であり、工程が短く、多くの装置を必要とすることなく、低コストで行うことのできる回路層間の電気的接続工程を有する多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a substrate for a display panel is provided with a film forming step to form an organic insulating film on a light transmitting substrate and a patterning step to pattern the organic insulating film so as to form first openings and second openings smaller than the first openings penetrating the organic insulating film.
表示パネル用基板製造方法は光透過性基板上に有機絶縁膜を形成する成膜工程と、第１開口および第１開口よりも小さい第２開口が有機絶縁膜を貫通して形成されるように有機絶縁膜をパターニングするパターニング工程とを備える。 - 特許庁 - In the pattern forming method, development is carried out with a developing solution containing a metal ion-free organic base and a nonionic surfactant as essential components in the developing step of photolithography while keeping 45.0-65.0 mN/m (20°C) surface tension of the developing solution through the developing step.
ホトリソグラフィーの現像工程において、金属イオンを含まない有機塩基とノニオン性界面活性剤を主成分として含む現像液を用い、現像全工程を通して、現像液の表面張力値を４５．０〜６５．０ｍＮ/ｍ（２０℃）に維持して現像するパターン形成方法。 - 特許庁 - The method includes a step of arranging a mask 1 and a glass substrate 12 in opposed relationship through a gap and transmitting monochromatic light through the glass substrate 12 to irradiate the mask 1 with it, and a step of discriminating the quality of the mask 1 on the basis of the interference fringe pattern formed between the mask 1 and the glass substrate 12.
マスク１とガラス基板１２とを間隙を介して対向配置し、ガラス基板１２を透過させてマスク１に単色光を照射する工程と、マスク１とガラス基板１２との間に形成された干渉縞パターンに基づいてマスク１の良否を判別する工程とを備える。 - 特許庁 - When the value of Dev run is equal to or higher than a threshold Th (Y in step S23), since the image is considered to be an artificial image, the image data are quantized for each sub-band by a truncated pattern for an artificial image, and is encoded by JPEG 2000 algorithm (step S24).
そして、ＤｅｖＲｕｎの値が閾値Ｔｈ以上である場合には（ステップＳ２３のＹ）、画像は人工画像的なものとみなされるため、画像データをサブバンド毎に人工画像用のトランケートパターンで量子化し、ＪＰＥＧ２０００アルゴリズムで符号化する（ステップＳ２４）。 - 特許庁 - The jacket 12 is stripped by beaming laser light 23 on the jacket 12 to create a notched groove 15 and going through a notching step A, to form a jacket stripping section 14 in a desired pattern, and a punching step B in which the jacket stripping section is pressed with a pressing tool 31.
被覆材１２にレーザ光２３を照射して切込溝１５を入れることにより、所望パターンの被覆材除去部１４を形成する切込工程Ａと、被覆材除去部１４を押圧工具３１で押圧するパンチ工程Ｂとを経て、被覆材１２を皮剥ぎする。 - 特許庁 - A main control part 200 stores a prescribed one in a plurality of random number drawing results obtained in a RAM 203 (Step S1900) and transmits a command to operate a special pattern display 100 side in accordance with other random number drawing results to a CPU 1020 (Step S1910).
主制御部２００は、得られた複数の乱数抽選結果の内で所定のものをＲＡＭ２０３に格納し（ステップＳ１９００）、これ以外の乱数抽選結果に応じた動作を特別図柄表示装置１００側にさせるためのコマンドをＣＰＵ１０２０に送信する（ステップＳ１９１０）。 - 特許庁 - A CPU discriminates the kind of an information code based on a feature pattern detected by a feature detecting gate array (step B4), and changes the fetch time for information code data, that is, the read state by a CCD sensor according to the discriminated kind (step B11).
ＣＰＵは、特徴検出用ゲートアレイによって検出される特徴パターンに基づいて情報コードの種類を判別し（ステップＢ４）、判別した種類に応じてＣＣＤセンサによる情報コードデータの取り込み時間、即ち読取り状態を変化させる（ステップＢ１１）。 - 特許庁 - When the image processing apparatus discriminates that the image includes the dot pattern or the like according to the detection (Y in step S14), a prescribed processing is applied to the image data in a way that the image processing unit applies processing to the image data for bringing the image not to be discriminated (step S15), and the resulting image data are outputted to a plotter.
この検出によりドットパターンなどが含まれていると判断したときは（ステップＳ１４のＹ）、画像データに所定の処理、例えば、画像が判別できないように画像処理ユニットで加工を行うなどを実行して（ステップＳ１５）、プロッタに出力する。 - 特許庁 - A rubbing apparatus 11 for performing rubbing an LCD substrate 12 is a step for rubbing the surface of the LCD substrate (substrate) 12 using a rubbing roll 13 so that, in the case of an LCD substrate 12 where a wiring pattern is printed or sintered on the substrate in a preceding step, static electricity is easily generated as it is.
ＬＣＤ基板１２にラビング処理を行なうラビング装置１１は、ＬＣＤ基板（基板）１２の表面をラビングロール１３で擦る工程であるため、前工程で基板に配線パターンの印刷や焼成を行なったＬＣＤ基板１２の場合、そのままでは静電気が発生し易い。 - 特許庁 - Using conductive resin (polymer material such as pyrrole exhibiting a metal conductivity or insulating resin such as acryl having conductive fine particles incorporated therein) as the material of the core member, an arbitrary shape of a three-dimensional pattern can be formed only by a core member forming step (photo-fabrication step).
また、芯材に導電性の樹脂（ピロール等の金属導電性を示す高分子材料、或いは、アクリル等の絶縁性の樹脂に導電性微粒子を練り込んだもの）を用いることで、芯材の形成工程（光造形工程）のみで任意の形状の３次元パターンを形成する。 - 特許庁 - The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.
除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁 - The design step preferably comprises a step for determining a scaling factor function for relating the critical dimensions and the shaft of a pattern composition member with the necessary critical dimensions of the circuit composition member, while taking account of the fact that the scaling factor function is a function of the shift.
好適には、設計ステップは、スケーリング係数関数が、またシフトの関数であることを考慮に入れながら、パターン構成部材の臨界寸法とシフトを回路構成部材の必要な臨界寸法へ関連づける、スケーリング係数関数を決定するステップを含むことが好ましい。 - 特許庁 - Consequently, soluble first side wall deposits 21 are formed on the side walls of a pattern exposed in the openings 18a of the lower electrodes 17B in the first step and insoluble second side wall deposits 22 are formed on the side faces of the deposits 21 in the second step.
この結果、第１の工程により、下部電極１７Ｂにおける開口部１８ａに露出するパターン側壁に可溶性の第１の側壁付着物２１が形成され、第２の工程により、第１の側壁付着物２１の側面に難溶性の第２の側壁付着物２２が形成される。 - 特許庁 - The thermal actuator is produced by a method comprising a step of forming a bottom layer made of a bottom material on a substrate 10 with a flat surface, and a step of eliminating the bottom material into a bottom layer pattern so as to have a movable area disposed between free ends facing with each other remaining on the substrate.
サーマルアクチュエータは、平らな表面をもつ基板１０上に、底材料からなる底層を形成するステップと、底材料を対向する自由縁間に位置する可動領域が基板上に残るように底層パターンに除去するステップと、を含む方法によって製造される。 - 特許庁 - The manufacturing method including a step of evaporating a transparent electrode 11 on a transparent substrate 10; a step of forming a resistance layer 12 on the transparent electrode 11 by laminating UV-transmitting resistance materials 12; a step of forming an emitter layer 13 on the resistance materials 12 by laminating carbon nanotube; and a step of patterning the emitter layer 13 by a prescribed emitter pattern.
透明基板１０上に透明電極１１を蒸着するステップと、透明電極１１上に、ＵＶ透過性抵抗性物質を積層して抵抗層１２を形成するステップと、ＵＶ透過性抵抗性物質１２上に炭素ナノチューブを積層してエミッタ層１３を形成するステップと、エミッタ層１３を所定のエミッタパターンによってパターニングするステップとを含むことを特徴とする電界放出素子用エミッタの製造方法である。 - 特許庁 - When the variation pattern is prepared, processing is executed for starting the variation of respective left, middle and right special picture patterns according to the prepared variation pattern and stopping display with the designated stop picture patterns (step S310) and the display control of background and character is executed as well.
変動パターンが作成されると、作成された変動パターンに従って左、中及び右の各特別図柄の変動を開始し指定された静止図柄で静止表示する処理（ステップＳ３１０）を実行すると共に、背景及びキャラクタの表示制御も実行される。 - 特許庁 - A control device 24 produces a special game state when meeting a requirement that symbols in the rows 14-16, 40 finally stop at a first specific pattern or a second specific pattern, while controlling and displaying a ready-to-win state in the previous step.
制御装置２４は、図柄列１４〜１６，４０における図柄が第１の特定の図柄又は第２の特定の図柄にて最終的に停止されることを必要条件に、特別遊技状態を発生させるとともに、その前段階に、リーチ遊技状態を表示制御する。 - 特許庁 - The first step enables a contact of a pattern (2) of the template (1) surface with a polymer material (3) containing one or more Cyclic Olefin Copolymers (COCs) to produce a flexible polymer replica having a structural surface with an inverse of the pattern (2) of the template (1) surface.
第一工程では、テンプレート１表面のパターン２を、一種以上の環状オレフィン共重合体（ＣＯＣ）を含んでなる重合体材料３と接触させ、テンプレート１表面のパターン２と逆の構造化された表面を有する可撓性重合体レプリカを製造する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a stencil mask and a method of cleaning the stencil mask by which the variation of the position or dimension of the pattern of a stencil mask can be prevented by controlling the surface tension of a cleaning liquid in a cleaning step in which the position or dimension of the pattern is possibly varied.
ステンシルマスクのパターンの位置や寸法が変動する可能性が高い洗浄工程において、洗浄液の表面張力を制御することにより、パターンの位置や寸法の変動を防止したステンシルマスクの製造方法および洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - In a video of the step-up notice 3, a pattern 131 of a window is displayed overlappingly in front of a pattern 121 of the window in a semitransparent color, so that patterns 111, 121, 131 of the window are overlapped in the back-and-forth direction, and patterns 113, 123, 133 of the conversation are positionally displaced from each other.
ステップアップ予告３の映像ではウィンドの絵柄１３１が半透明な色彩でウィンドの絵柄１２１の前方に重ねて表示されることでウィンドの絵柄１１１と１２１と１３１相互間が前後方向に重なり、会話の絵柄１１３と１２３と１３３相互間が位置的にずれる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the antenna pattern 110 comprising a conductive metallic layer located on a base member 100 includes a discharge step for forming the prescribed antenna pattern 110 by discharging liquid drops D of a fluid 10 including a conductive metal K toward the base member 100.
基材１００上に配置された導電性金属層からなるアンテナパターン１１０の製造方法において、基材１００に向けて導電性金属Ｋを含む流動体１０の液滴Ｄを吐出することにより、所定のアンテナパターン１１０を形成させる吐出工程を有するようにした。 - 特許庁 - The pattern forming method is carried out by irradiating a work coated with a resist with exposure light through a mask in a plurality of shots, developing and etching the work and inspecting the formed pattern, wherein the method includes a step of inspecting the mask after the exposure and development processes and before the etching process.
レジストが塗布されたワークにマスクを介して露光光を照射して複数ショット露光し現像処理し、エッチング処理を行った後、形成されたパターンの検査を行うパターン形成方法において、露光・現像処理後であって、エッチング処理の前にマスクを検査する工程を設ける。 - 特許庁 - To stabilize electrical properties and improve reliability of a resin circuit board manufactured through each step of creating a laminate by laminating a plurality of thermoplastic resin sheets provided with an in-plane conductor pattern and an interlayer conductor pattern, and performing a heat treatment and a pressure treatment on the laminate.
面内導体パターンおよび層間導体パターンが設けられた、複数の熱可塑性樹脂シートを積み重ねることによって、積層体を作製し、この積層体を熱処理・加圧処理する、各工程を経て製造される、樹脂回路基板の電気特性の安定化および信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - In addition, a metallic pattern which may be formed continuously with exciting electrodes 28a and 28b that constitute the vibration piece 26 is arranged on a step surface of the resin-made support mount 34 and the opposing surface to the base board 12 so as to contact the metallic pattern to the vibration piece mounted pads 18a and 18b.
また、支持マウント３４の段差面、およびベース基板１２との対向面に、振動片２６を構成する励振電極２８ａ，２８ｂと連続的に形成された金属パターンを形成し、前記金属パターンと振動片実装パッド１８ａ，１８ｂとを当接させるようにすると良い。 - 特許庁 - The substrate processing method includes a rinse liquid supply step S12 in which a rinse liquid is supplied to a substrate where a resist pattern is formed, and rinse liquid removing steps S14-S16 in which the rinse liquid is removed from the substrate to which the rinse liquid has been supplied in such atmosphere as contains vapor of a first process liquid that causes the resist pattern to be hydrophobic.
レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a surface emitting laser including a surface relief structure provided on laminated semiconductor layers, includes a step of transferring, to a first dielectric film, a first pattern for defining a mesa structure and a second pattern for defining the surface relief structure in the same method.
積層された半導体層の上に表面レリーフ構造を備えた面発光レーザであって、第一の誘電体膜に、メサ構造を画定するための第１のパターンと前記表面レリーフ構造を画定するための第２のパターンを同一工程により転写する工程を有する。 - 特許庁 - By irradiating the electron beam to a region including the circuit pattern before and after the application of electric load to acquire a second electric image (Step 90), and the second electric images before and after the application of electric load are compared and determined to inspect the circuit pattern and the wafer including the same.
そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 - 特許庁 - A color layer 25B in the pixel part in the position along the outermost periphery of the display region is extended to the frame pattern 32 consisting of a black color layer to form an extended part 27 so that the step part between the color layer and the frame pattern is disposed apart from the pixel electrode 30.
表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。 - 特許庁 - In a sixth processing step, a high-pressure liquid jet 33 is made to act on the initial surface pattern at a predetermined processing temperature, whereby at least partial parts of the coatings 29 covering the sacrificial layer regions 25 are mechanically removed or at least broken off in order to provide the final surface pattern.
第６処理ステップにて、初期表面パターンに予め定められた処理温度にて高圧液体ジェット３３を作用させ、それにて犠牲層領域２５を覆うコーティング２９の少なくとも一部を最終表面パターンを得るために機械的に除去、又は少なくともこじ開ける。 - 特許庁
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