「step pattern」を含む例文一覧(2084)
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ついで選択した所定数のパターンに対して上記一連の工程からなるアルゴリズム工程を、最終の淘汰パターンの光学特性の値が所望の光学特性の値に対する所望の差の値の範囲内になるまで繰り返し行ない、最適な多層膜光フィルタを製造する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminated electronic component, in which when a film is released from a ceramic green sheet in the step of laminating the green sheet in which a conductor pattern is formed, retention of a conductor paste filled in a through-hole at the film side can be suppressed.
導体パターンを形成したセラミックグリーンシートの積層工程においてセラミックグリーンシートからフィルムを剥離する際、スルーホール内に充填されている導体ペースト部分がフィルム側に残留してしまうのを抑えることができる積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the second step, the non-inspecting panel 15 is arranged on a stage 40, and an optical filter 44 is inserted between the viewing angle control panel of the non-inspecting panel 15 and an inspector, and thereby, the display state of the dummy pattern is inspected from the front direction of the viewing angle control panel.
第２工程では、非検査パネル１５をステージ４０に配置すると共に、非検査パネル１５の視野角制御パネルと検査員との間に光学フィルタ４４を介在させることにより、視野角制御パネルの正面方向からダミーパターンの表示状態を検査する。 - 特許庁 - To prevent defective plating due to an electrode set in the surface to be plated of a semiconductor substrate and, at the same time, to prevent insufficient continuity between the electrode and a current film, in a method for manufacturing semiconductor device including a step of forming a wiring pattern on the semiconductor substrate by a plating method.
半導体基板上にメッキ法によって配線パターンを施す工程を含む半導体装置の製造方法において、半導体基板の被メッキ面に突き立てた電極によるメッキ不良を防止するとともに、電極とカレントフィルムとの間の導通不良を防止する。 - 特許庁 - The radiation sensitive resin composition can form a resist film to be used in a resist pattern forming method including a liquid immersion exposure step using bicyclohexyl as the liquid immersion exposure liquid, wherein the refractive index of the resist film to radiation having a wavelength of 193 nm is 1.64 to 1.75.
液浸露光用液体としてビシクロヘキシルを用いた液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト膜を形成することができ、レジスト膜の、波長１９３ｎｍの放射線に対する屈折率が１．６４〜１．７５である感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁 - The manufacturing method of the electronic part includes a step of cutting a wiring board having a base substrate, a wiring pattern 18 formed on the first surface of the base substrate and a reinforcement member 20 provided on the second surface of the base substrate along a line which intersects with the periphery of the reinforcement member 20.
電子部品の製造方法は、ベース基板と、ベース基板の第１の面に設けられた配線パターン１８と、ベース基板の第２の面に設けられた補強部材２０とを有する配線基板を、補強部材２０の外周と交差する線に沿って切ることを含む。 - 特許庁 - To manufacture a magnetic disk medium with few defects by detecting original defects without detecting a groove of a magnetic film and a pattern of unevenness or the like as a defect in an error inspection process of a step for manufacturing the discrete track magnetic disk medium or a bit patterned magnetic disk medium.
ディスクリートトラック磁気ディスク媒体またはビットパターンド磁気ディスク媒体の製造段階のエラー検査工程において、磁性膜の溝、凹凸などのパターンを欠陥として検出することなく本来の欠陥を検出し、欠陥の少ない磁気ディスク媒体を製造する。 - 特許庁 - The film pattern formation method comprises a step S1 of forming banks in compliance with film patterns on a substrate, a process S5 of forming an accepting film having acceptability with respect to a functional liquid in a groove between the banks, and a process S6 of arranging the functional liquid on the accepting film.
本発明の膜パターンの形成方法は、基板上に膜パターンに応じたバンクを形成する工程Ｓ１と、バンク間の溝に、機能液に対して受容性を有する受容膜を設ける工程Ｓ５と、受容膜上に機能液を配置する工程Ｓ６とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - In a box mark area or an alignment mark area, a range from a trench 2 to an active area is etched to form a dummy pattern 7 around the trench 2 and CMP is applied to an insulating film 3 to form a step 8 within the trench 2 where the insulating film 3 is to be buried.
ボックスマーク領域あるいはアライメントマーク領域において、トレンチ２からアクティブ領域にかかる範囲をエッチングすることにより、トレンチ２の周囲にダミーパターン７を形成し、絶縁膜３のＣＭＰを行うことにより、絶縁膜３が埋め込まれるトレンチ２内に段差８を形成する。 - 特許庁 - A main control part not illustrated selects any of drive control patterns A, B and C set respectively for multiple kinds of jackpot expectation values (step S1110) to drive a mobile member in the selected drive control pattern (steps S1120, S1150 and S1180).
図示しない主制御部は、複数種類の大当り期待値の夫々に対して設定されている駆動制御パターンＡ、Ｂ、Ｃの内のいずかを選択し（ステップＳ１１１０）、選択した駆動制御パターンで可動部材の駆動を行う（ステップＳ１１２０、Ｓ１１５０、Ｓ１１８０）。 - 特許庁 - The method comprises a step P204 for exposing one pattern on a plurality of fields on the substrate, in accordance with a predesignated exposure information P204 and steps P206, P208 for measuring the attribute of the fields, to evaluate the deformation of the fields inducted by the heat effect of the exposure processing.
事前指定の露光情報Ｐ２０４に従って基板の複数のフィールド上に１つのパターンを露光する段階Ｐ２０４と、フィールドの属性を測定し、露光処理の熱効果によって誘導されるフィールドの変形を評価する段階Ｐ２０６，Ｐ２０８とを含む。 - 特許庁 - As a result, when an ink layer 26 colored black as an upper layer is formed, the height of a dot pattern can change smoothly in the outer periphery boundary region 36, thus decreasing or removing the step line that can be visually recognized on the surface of the applique 16.
これにより、上位層として黒色に着色されたインク層２６が形成されたとき、外周境界領域３６において、ドットパターンの高さが滑らかに変化することを可能とし、アプリケ１６の表面上における視認可能な段差線を減少あるいは除去することができる。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor device having the resistance element 41 comprising a resistance pattern 17b and a metal silicide layer 40 formed on a surface thereof, the method has a step S5 of designing the resistance element 41 so that contact resistance R_c between the resistance pattern 17b and metal silicide layer 40 is included in a design resistance value R_d of the resistance element 41.
抵抗パターン１７ｂとその表面に形成された金属シリサイド層４０とで構成される抵抗素子４１を備えた半導体装置の製造方法であって、抵抗パターン１７ｂと金属シリサイド層４０との接触抵抗R_cを抵抗素子４１の設計抵抗値R_dに含めて抵抗素子４１を設計するステップＳ５を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device is provided that comprises a step for evaporating a solvent by heating an adhesive and reducing vapor pressure of the solvent in an atmosphere to contact with the adhesive, and a step for forming the junction layer by heating the adhesive, when the adhesive having a resin and the solvent is adhered to a second surface opposed to a first surface on which a circuit pattern of a wafer is formed.
ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁 - The patterning method of a wafer W includes a step for forming an L&S pattern 54A including multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W, and a step for forming an L&S 56A including multiple linear resist patterns 42NA arranged between the multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W so that the line widths of the line patterns 40A and the resist patterns 42NA have a negative correlation.
ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 - 特許庁 - A synchronization circuit 101 detects a specific pattern of a predetermined constant term from an input signal, updates a matching counter, determines it as a synchronized state that the number counted by the matching counter continuously exceeds a predetermined back protection step number, maintains synchronization in a constant term, and continuously maintains the synchronization in the constant term, regardless of detection of the specific pattern, after the determination of the synchronized state.
本願発明の同期確立回路１０１は、予め定められた一定周期の特定パターンを入力信号から検出して一致カウンタを更新し、一致カウンタの計数する数が予め定められた後方保護段数を連続して超えると同期状態と判定して、一定周期の同期を維持し、同期状態と判定した後は、特定パターンの検出に関わらず一定周期の同期を連続して維持することを特徴とする。 - 特許庁 - To rationally manufacture a conveyor belt producing no step at a bonded portion of a film composing the conveyor belt and no fold line of the conveyor belt in manufacturing a tubular conveyor belt on which an electrode pattern is formed to absorb an item to be recorded such as a recording paper sheet and the like by an electrostatic force.
記録用紙等の被記録媒体を静電的な力によって吸着するために電極パターンが形成された管状の搬送ベルトを製造する際に、搬送ベルトを構成するフィルムの接合個所で段差が生じることがなく、また、搬送ベルトに折り目が付くことがなく、搬送ベルトを合理的に製造する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist for near-field exposure having good light efficiency and capable of reducing pattern edge roughness even in the case of a small thickness of an image forming photoresist layer and to provide a photolithography method characterized in including a step for exposing an image forming photoresist layer formed using the photoresist by near-field exposure.
像形成用フォトレジスト層の層厚が小さくても光効率が良く、パターンエッジラフネスが低減できる近接場露光用のポジ型フォトレジストおよびこれを用いて形成した像形成用フォトレジスト層を近接場露光により露光する工程を含むことを特徴とする、光リソグラフィ方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method for the color filter is characterized in that development is performed after exposure and exposure is performed again after forming a pattern in a step for creating the color filter using the negative type colored photosensitive composition containing binder polymer, a photopolymerizable monomer or oligomers, an optical initiator, dye or pigment, and an organic solvent.
バインダーポリマー、光重合性モノマーまたはオリゴマー、光開始剤、染料または顔料、有機溶剤を含有するネガ型着色感光性組成物を用いてカラーフィルターを作成する工程において、露光後現像しパターンを形成した後に再度露光することを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 特許庁 - The method further includes thereafter a step of connecting a wire 11 to a bonding pad 4 formed on a main surface side of the semiconductor chip 1, and forming a parallel flat plate type capacitor C_1 which sandwiches the insulating thin film 9 between the rear surface of the semiconductor chip 1 and the conductor pattern 7a by drawing a conduction from the semiconductor chip 1.
その後、半導体チップ１の主面側に形成されたボンディングパッド４にワイヤ１１を接続して、半導体チップ１からの導通を引き出すことにより、半導体チップ１の裏面と導体パターン７ａとによって絶縁性薄膜９を挟んだ平行平板型のキャパシタＣ_１を形成する。 - 特許庁 - When transferring a mask pattern to a wafer via a projection optical system, first, a prescribed imaging properties of the environmental conditions and the projection optical system with a prescribed timing are measured, and environmental correction coefficients for correcting the variation varied by the environmental conditions of the imaging property are calculated, based on the measured result (step 409).
マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する（ステップ４０９）。 - 特許庁 - An exposure apparatus for projecting an original plate pattern on a substrate to expose the substrate is provided with a layout-determining section (step 213) for determining a shot layout, on the basis of surface profile data showing the surface profile of the substrate to be exposed; and an exposure section for exposing the substrate, in accordance with the shot layout determined by the layout-determining section.
原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置は、露光すべき基板の表面形状を示す表面形状データに基づいてショットレイアウトを決定するレイアウト決定部（ステップ２１３）と、該レイアウト決定部によって決定されたショットレイアウトに従って基板を露光する露光部とを備える。 - 特許庁 - To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.
半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁 - For the connector electrically connecting a plurality of wires to a wiring pattern of the substrate, insulation displacement parts connecting each terminal of the plurality of wires in insulation displacement are made in two steps in a height direction or a horizontal direction, with at least a part of housings containing connector terminals of each step in an overlapped state.
複数の電線を基板の配線パターンに電気的に接続するコネクタにおいて、複数の電線の各端末をそれぞれ圧接接続する圧接接続部を、高さ方向又は水平方向に２段以上にし、各段のコネクタ端子を収容するハウジングの少なくとも一部を重ね合わせる構造とした。 - 特許庁 - In the electrode offset printing step, a mold 89 for electrode formation in which an electrostatic electrode pattern is formed by a process combining an ultraviolet lithography and electroforming is mounted on a roll 87 of an offset printing device 86 to perform offset printing of a photosensitive resin 90 having electric conductivity on a molding 1.
電極オフセット印刷工程では、紫外線リソグラフィと電鋳を組み合わせたプロセスにより静電電極パターンが形成された電極形成用金型８９をオフセット印刷装置８６のロール８７に装着して、導電性を有する感光性樹脂９０を成形品１にオフセット印刷する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can ensure a prescribed necessary thickness and a uniform thickness in any position on a semiconductor substrate regardless of a difference in uneveness of a planar pattern constitution forming a base step, and a semiconductor device using it.
所定の必要十分な厚さを確保することができると共に、その厚さを下地段差を形成している凸部の平面的パターン構成の粗密の違いに因らず半導体基板上のどの位置でも均一なものとすることができる半導体装置の製造方法およびそれによって製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁 - In the case of a probability variable state, specific state performance display is mainly performed in the usual performance pattern displaying in an order from the first step performance mode among a plurality of modes sequentially ordered into a plurality of steps according to the execution of the displaying frequency of a variable display game in a specific state.
確変状態の場合に、特定状態中の変動表示ゲームの表示回数の消化に応じて、複数段階に順番付けられた複数の演出モードのうちの第１段階の演出モードから順番に表示する通常演出パターンによる特定状態演出表示を主に行う。 - 特許庁 - To provide a substrate for a transfer mask, capable of stably manufacturing the mask which does not have faults, without having to break the transfer pattern of an upper single-crystal silicon wafer in a step of manufacturing the mask by using the substrate for the mask, its transfer mask, and to provide a method for manufacturing the same.
転写マスク用基板を用いて転写マスクを製造する工程において、上部単結晶シリコンウェハの転写パターンが破壊されず、欠陥のない転写マスクを安定して製造することを可能とする転写マスク用基板、及びその転写マスク並びにその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The correction function creation step creates the optical condition correction function that corrects a lighting parameter other than an exposure amount to be used in exposure processing onto the first substrate based on exposure coordinates within the first substrate surface on the basis of a substrate in-surface size distribution of a pattern formed on a second substrate.
補正関数作成ステップでは、第１の基板上への露光処理に用いる露光量以外の照明パラメータを前記第１の基板面内の露光座標に基づいて補正する光学条件補正関数を、第２の基板上に形成したパターンの基板面内寸法分布に基づいて作成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a three-dimensional injection molding circuit including a step of performing secondary molding to the surface of a primary molded product other than that on which a circuit is to be formed by using a resin, and eluting the resin in the secondary molding whereby a desired conductor circuit pattern can be formed with high accuracy.
一次成型品の、回路を形成すべき部分以外の表面に、樹脂により二次成型を施し、該二次成型した樹脂を溶出する工程を有する三次元射出成型回路部品の製造方法であって、所望の導体回路パターンを精度良く形成することが可能な方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the printed wiring board includes a wiring pattern forming step of forming a conductor circuit 100 including a plurality of U-shaped conductors 10 and 20 which are arranged so as to be nested while openings 10f and 20f thereof are set in a same direction and providing terminal pads 12 and 22 which are arranged at both ends on each opening side of the conductors 10 and 20, respectively.
コの字状の複数の導体１０，２０を、開口部１０ｆ，２０ｆを同じ方向にして入れ子状に配置した導体回路１００を形成し、前記導体１０，２０のそれぞれの開口部側の両端に配置された端子用パッド１２，２２を設ける配線パターン形成工程を有する。 - 特許庁 - The method comprises forming a masking raw material repelling a lens raw material to be laminated at a next step to a pattern shaped not-laminated part on a transparent or translucent sheet and laminating it, next laminating a transparent or translucent raw material for the lens on the said sheet and drying it to produce the microlens sheet or the lenticular lens sheet.
この発明は、透明又は半透明のシート上に、次工程で積層するレンズ素材をはじくマスク素材をパターン状の無積層部を形成して積層し、次いで前記シート上に透明又は半透明のレンズ素材を積層し、次いで乾燥することにより、マイクロレンズシートやレンチキュラーレンズシートを製造するものである。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of detecting the pressures of the plurality of the positions in the mold after the screw arrives at the position LS4 (or the dwelling starting time TR2) (dwelling step), and feedback controlling the advancing speed of the screw based on a program control system so as to change its maximum value with respect to the lapse time in the preset pattern.
スクリュが保圧開始位置ＬＳ４（または、保圧開始時間ＴＲ２）に到達した後（保圧工程）、金型内の上記複数箇所の圧力を検出し、その最大値が予め設定されたパターンで経過時間に対して変化するように、プログラム制御方式に基づきスクリュの前進速度をフィードバック制御する。 - 特許庁 - The trench substrate includes a base substrate 102; an insulating layer 112 formed on one or both surfaces of the base substrate 102 and having a circuit region therein and having a trench formed in a dummy region of a product edge; and a circuit layer 124 including a circuit pattern and a via formed in the interior of the trench formed in the circuit region by a plating step.
ベース基板１０２、前記ベース基板１０２の一面または両面に積層され、回路領域を含み製品縁部のダミー領域にトレンチが形成された絶縁層１１２、及び前記回路領域に形成されたトレンチの内部にメッキ工程で形成された回路パターン及びビアを含む回路層１２４を含む。 - 特許庁 - On condition that a first special game is finished or a second special game after execution of a second step is finished, a specific game control means 133 transfers the game state from a normal state to a short time state advantageous to the player until the number of times of variation finish of a special pattern amounts to a predetermined number of times.
特定遊技制御手段１３３は、第１特別遊技の終了または第２段階を実行したあとの第２特別遊技の終了を条件に、遊技状態を通常状態より遊技者に有利な状態である時短に、特別図柄の変動終了回数が所定回数に到達するまで移行させる。 - 特許庁 - The number of pixels in the imaginary color is then calculated for all position shift patterns of RGB planes (steps S10-S40), a position shift among the planes is found from a position shift pattern when the number of pixels in the imaginary color becomes minimum, and the position shift (color shift) of RGB image data is corrected based on the position shift (step S50).
そして、ＲＧＢ面の全ての位置ずれのパターンについて虚色の画素数を算出し（ステップＳ１０〜Ｓ４０）、虚色の画素数が最小となるときの位置ずれのパターンから各面間の位置ずれを求め、その位置ずれに基づいてＲＧＢの画像データの位置ずれ（色ずれ）を補正する（ステップＳ５０）。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a photomask with steps, a photomask which is greatly improved in size precision of an auxiliary pattern by coating even a substrate, obtained by forming a shifter-dug step part on a transparent substrate by etching, with photosensitive resin so that the surface is smooth and the film thickness is uniform, or a photomask with a Levenson type phase shift.
段差を持つフォトマスクや、透明基板にエッチングによってシフター掘り込みの段差部を形成した基板にも、表面平滑で、且つ膜厚を均一に感光性樹脂を塗布し、補助パターンの寸法精度を格段に向上させるようにしたフォトマスク、又はレベンソン型の位相シフトのフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The pattern forming method includes exposing and developing a photosensitive resist material 13B to form a patterned layer 15, wherein before a step of applying the photosensitive resist material 13B on a substrate 11, an underlayer 13A comprising the same or another photosensitive resist material is formed on the substrate.
本発明に係るパターン形成方法は、感光性レジスト材料１３Ｂを露光、現像してパターン層１５を形成する方法において、基板１１の上に感光性レジスト材料１３Ｂを塗布する工程の前に、基板の上に同一又は他の感光性レジスト材料からなる下地層１３Ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition excellent in sensitivity in exposure and resolution of a resist pattern after development, less liable to scum in a developing step, having good plating resistance and useful as alkali-developable DFR (dry film resist) for manufacturing substrates for a printed wiring board, for a lead frame and for a semiconductor package.
露光時の感度及び現像後のレジストパターンの解像性に優れるとともに、現像工程におけるスカムの発生が少なく、耐めっき性が良好で、アルカリ現像型プリント回路板用、リ−ドフレ−ム用及び半導体パッケ−ジ用の基板作製用ＤＦＲとして有用な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a negative radiation-sensitive resin composition which can suppress indentation of a resist pattern and resist cracking by plating stress at a plating step and accurately form thick platings, even when descumming (O_2 plasma ashing) treatment is performed as pretreatment for plating, and which is excellent in resolution and adhesion.
メッキ前処理としてデスカム（Ｏ_2プラズマアッシング）処理を行っても、メッキ工程時のメッキ応力によるレジストパターンへの押し込みやレジストのクラックを抑制することができ、厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができるとともに、解像度および密着性などに優れるネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - After a conductive film 135, an oxidizing blocking film 160, and a photoresist film 165 are conformably formed in this order on a substrate where a pattern that comprises a floating gate 120 and an insulating film 121 between gates and has a step is formed, and a photoresist 165P for partially exposing one portion of the oxidizing blocking film 160 is formed.
フローティングゲート１２０とゲート間絶縁膜１２１とから成る段差付きパターンが形成されている基板上に導電膜１３５、酸化ブロッキング膜１６０及びフォトレジスト膜１６５をこの順に整合的に形成した後、酸化ブロッキング膜１６０の一部を露出させるフォトレジスト１６５Ｐを形成する。 - 特許庁 - The component is constituted so that an optical component 3 is mounted below a resin unit 2 and an electrode 4 is pulled out of the side of the resin unit 2 to connect the electrode 4 with a pattern formed on the surface of the substrate 1, and a step 5 for engaging the substrate 1 with the resin unit 2 is formed at one part of the resin unit 2.
樹脂部２の下部に光部品３を装着するとともに、樹脂部２の側部から電極４を引き出して、その電極４を基板１の表面上に形成されているパターンと接合し、その基板１と樹脂部２を係合するための段差部５を樹脂部２の一部に形成するように構成した。 - 特許庁 - In a resist layer RS on a board SB, after the first pattern B is transferred to the left half of a region 1 to be transferred, the board SB is stepped by a half of a pitch P of a step, corresponding to the length X and the first and second patterns A and B are respectively transferred to the left half and right half of the region 1.
基板ＳＢ上のレジスト層ＲＳには、被転写領域１の左半分に第１のパターンＢを転写した後、基板ＳＢを長さＸに対応する１ステップピッチＰの１／２だけステップさせて領域１の左半分及び右半分に第１及び第２のパターンＡ及びＢをそれぞれ転写する。 - 特許庁 - Next, in the step of the character string extraction, the elements of the character string corresponding to each element included in the range of the arrangement are specified, then, with putting each element of the character string on the tops, a partial character string consisting of the elements of the same number as the number of elements of the pattern is extracted.
次に、文字列抽出ステップにおいて、当該接尾辞配列の範囲に含まれる各要素に対応する文字列の要素を特定し、この文字列の各要素を先頭としてこのパターンの要素数と同じ数の要素からなる部分文字列を抽出する文字列抽出ステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide manufacturing steps of a printed circuit board capable of embodying miniaturization of a circuit pattern by improving a resist resolution and fine wiring close contact force, by changing the step in the case of forming a circuit, using a dry resist film on a copper laminate used as a normal printed circuit board.
通常印刷回路基板として用いられる銅積層板にドライフィルムレジストを用いて回路を形成することにおいて、工程変更によりレジスト解像度及び細線密着力を向上させて回路パターンの微細化を具現することができる印刷回路基板の製造工程を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical element without causing any problem of color unevenness even when being used for a compact liquid crystal display of a transflective type for performing a retardation control by a retardation layer in a pattern lamination layer part composed of the retardation layer and a step difference adjustment layer.
位相差層と段差調整層とからなるパターン積層部における該位相差層により位相差制御を可能とする光学素子において、小型の半透過半反射型の液晶表示装置に用いた場合であっても色ムラの問題が生じることがない光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an electrooptical device with which a scattering reflective surface is formed on a surface uneven shape formed by transferring an uneven shape of a pattern, the manufacturing method being characterized in that a displacement of the surface uneven shape is reducible and a manufacturing step is not made complicated.
型による凹凸形状の転写によって形成された表面凹凸形状の上に散乱性反射面を形成する電気光学装置の製造方法において、表面凹凸形状の位置ずれを低減可能で、しかも、製造工程の複雑化を招来しない製造方法を提供する。 - 特許庁 - The pattern formation method includes a step of providing affinity for liquid by means 102 for selectively generating plasma on a liquid-repellent thin film, for example, a semiconductor film, on a substrate having insulating property, for example, a glass substrate, and discharging a drop composition onto the surface having affinity for liquid by drop discharge means 103.
絶縁性を有する基板、例えばガラス基板上に撥液性の薄膜、例えば半導体膜に選択的にプラズマを発生する手段１０２によって親液性にし、前記親液性表面に、液滴吐出手段１０３により液滴組成物を吐出して、パターンを作製する工程を含む。 - 特許庁 - When a plurality of sectioned regions on a wafer are exposed by the step-and-scan system, a processing for enhancing the precision of alignment between a pattern and an object is performed based on the measurements of the encoder systems for every exposure start point where the measurement error of the encoder system caused by acceleration of the wafer stage WST is reduced.
すなわち、ウエハ上の複数の区画領域をステップ・アンド・スキャン方式で露光する際に、ウエハステージＷＳＴ体の加速度に起因するエンコーダシステムの計測誤差が小さくなる露光開始点毎に、エンコーダシステムの計測値に基づいてパターンと物体との位置合わせ精度を向上させるための処理が行なわれる。 - 特許庁 - The presence or absence of a defect in a wiring pattern is confirmed by visual observation, image processing, or the like; defect information on the position, coordinates, size, or the like is confirmed, and the type of the defect is determined; when the defect is detected; and a machining method and machining conditions are set according to the type and state of the defect (step S1).
目視又は画像処理等により配線パターンの欠陥の有無を確認し、欠陥を検出した場合は、その位置、座標及び大きさ等の欠陥情報を確認すると共に欠陥の種類を判定し、欠陥の種類及び状態に応じて加工方法及び加工条件を設定する（ステップＳ１）。 - 特許庁
- 特許庁
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