「surface element」を含む例文一覧(18429)

<前へ 1 2 .... 334 335 336 337 338 339 340 341 342 .... 368 369 次へ>
  • In formation of an irregular structure on a light take-out surface of a semiconductor light emitting element by a self-organized film, an electrode forming part is protected with a protection film to reduce a part where the irregular structure cannot be formed due to the thickness of an electrode part, and an electrode is finally formed.
    半導体発光素子の光取り出し表面へ自己組織化膜により凹凸構造を形成する際に、電極部分の厚さに起因する凹凸構造が形成できない部分を減少するため、電極形成部分を保護膜により保護し、最後に電極を形成する。 - 特許庁
  • A method for manufacturing the capacitive element comprises the steps of forming a trench on the surface of a base, forming a separate insulation film 2 in the trench, and forming a lower electrode 23 in the bottom of a recess provided at an opposite side to the base, a dielectric layer 24 on the lower electrode and an upper electrode 25 on the dielectric layer.
    基体の表面にトレンチを形成、トレンチ内に分離絶縁膜2を形成し、前記基体と反対側に設けた凹部の底部上に下部電極23を、前記下部電極上に誘電体層24を、前記誘電体層上に上部電極25を、それぞれ形成する。 - 特許庁
  • In an optical pickup device which condenses a laser beam projected from a light source on a disk surface of an optical disk through a collimator lens and an objective lens, a liquid crystal element 6 which corrects spherical aberration of outgoing light from the objective lens 8 is provided in front of the collimator lens 4 when viewed from light sources 1a and 1b.
    光源から投射されたレーザ光をコリメータレンズ、対物レンズを介して光ディスクのディスク面に集光させる光ピックアップ装置において、光源1a,1bからみてコリメータレンズ4の手前に、対物レンズ8からの出射光の球面収差を補正する液晶素子6を設ける。 - 特許庁
  • A rolling element 21 movable with respect to the lower rail 11 is arranged in a pair in the longitudinal direction in the upper rail 12, and a shoe 22 having an upper slide-contact part 22b to be brought into slide-contact with an under surface of the lower rail hook part 11e, is arranged for preventing upward rattling of the upper rail 12.
    アッパレール12にはロアレール11に対する移動を可能とする転動体21が前後方向に一対設けられるとともに、アッパレール12の上方へのがたつきを抑えるべくロアレールフック部11eの下面に摺接する上方摺接部22bを有したシュー22が設けられる。 - 特許庁
  • The tank 3 is assembled with the lower tank 21 of a radiator 4 in a steeply inclined state and is inserted into the opening 26 of the lower tank 21 with its heating element 2 attaching surface downside so that the vapor flowing-out port 17 which is opened in the tank 21 is directed obliquely upward.
    この冷媒槽3は、放熱器4の下部タンク21に対し大きく傾斜して組付けられ、且つ下部タンク21内に開口する蒸気流出口17が斜め上方を向くように、発熱体2の取付け面を下向きにして下部タンク21の開口部26に挿入されている。 - 特許庁
  • A thermal conductor 8 is provided in a region except a mounting part of a semiconductor element 1b packaged on a surface of a substrate 3b of a semiconductor device 102 mounted on the uppermost stage among a plurality of stacked stages, and a heat sink 10 is thermally coupled to the substrate 3b via the thermal conductor 8 to dissipate heat.
    複数段積層した最上段に搭載した半導体装置102の基板3bの表面に実装された半導体素子1bの搭載部を除外した領域に熱伝導体8を設け、この熱伝導体8を介して放熱板10を基板3bに熱結合して放熱する。 - 特許庁
  • A driving mechanism 50 for driving a pin 40 for inclining a valve element 30 is constituted of: a grip 51 turnably provided along an outer peripheral surface of the casing; and a cam part 52 formed on an inner peripheral part of the grip 51 and radially inwardly moving the pin 40 accompanying with turning of the grip 51.
    弁体30を傾動させるためのピン40を駆動する駆動機構50を、ケーシングの外周面に沿って回動可能に設けられたグリップ51と、グリップ51の内周部に形成され、グリップ51の回動に伴ってピン40を径方向内側に移動させるカム部52とにより構成する。 - 特許庁
  • A disc-like valve element 14 which changes the passage area of an exhaust passage 12, is rotated around a valve shaft 13 so that it is inclined by a predetermined angle at a state totally closed so as to ensure small gaps 31 between swingable end parts 14a, 14b and the inner wall surface of the exhaust passage 12.
    排気通路12の通路面積を絞る円板状の弁体14は、バルブシャフト13を中心に回動し、全閉状態のときには、所定角度傾斜した姿勢となって、その揺動端部14a,14bと排気通路12内壁面との間に、微小な間隙31が確保される。 - 特許庁
  • In this manufacturing method, a pad oxide film 9 and a SiN film 10 are stacked on a silicon substrate 1, an element isolation groove (STI) 6 is formed, an embedded oxide film 8 is stacked in STI 6 and on the surface of the silicon substrate 1, and a corrosion-resistant layer (polysilicon layer) 12 covering the whole face is formed.
    シリコン基板1上にパッド酸化膜9、SiN膜10を積層し、素子分離用溝(STI)6を形成した後、STI6内およびシリコン基板1表面に埋め込み酸化膜8を堆積させ、さらに全面を被覆する耐腐食層(ポリシリコン層)12を形成する。 - 特許庁
  • When the cock member 15 is positioned at the fitting position, an end face 15d of the cock member 15 is protruded above a tip end surface of a plug 4A, and the cock member 15 is spaced apart to a downstream side of the gas outlet hole 4b with respect to the auxiliary valve element 13 positioned at a closed position.
    栓部材15が嵌合位置に位置しているとき、栓部材15の端面15dがプラグ部4Aの先端面より上方へ突出させるとともに、閉位置に位置している副弁体13に対し栓部材15をガス流出孔4bの下流側へ離間させる。 - 特許庁
  • An organic electroluminescence element is configured 89 that a first electrode film 2 and film formation preventive layers 3a and 3b are formed on a board 1 and an organic light emission layer 4 and a second electrode film 5 are laminated one over another on that surface area of the first electrode film 2 where no film formation preventive layer is provided.
    基板1上に、第1の電極膜2と、成膜防止層3a,3bとが形成され、第1の電極膜2上の成膜防止層3a,3b非形成面に有機発光層4及び第2の電極膜5が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁
  • In the optical element, a fine undulation structure with a pitch shorter than the wavelength band of an objective light is formed in a surface through which the objective light is transmitted and an identification pattern region having the fine undulation structure formed differently from the other region is disposed at a part of a fine undulation structure formed region.
    対象光が透過する面内に前記対象光の波長帯よりも小さなピッチにて微細起伏構造が形成され、微細起伏構造の形成領域の一部に微細起伏構造の形成状態が他の領域に比べ相違する識別パターン領域が配されている。 - 特許庁
  • On the surface of the wafer 20 where an element 21 is formed, an aluminum alloy film 23 of 5 μm as a source electrode and a polyimide film 24 of 10 μm as a protection film are formed for reinforcement and at the outer circumference of the wafer, a polyimide film 25 which is taller than any other part is formed for a stopper.
    ウエハ20における素子21を形成した面に、ソース電極として5μmのアルミ合金膜23、および、保護膜として10μmのポリイミド膜24を補強用に形成するとともに、ウエハ外周部に、他の部位よりも高いポリイミド膜25をストッパ用に形成する。 - 特許庁
  • The capacitor element 10 is formed by laminating, in the thickness direction, a plurality of sheets of the resin thin film 14 where metal layers 12, 12' are formed on the surface and the metal layers 12, 12' on the resin thin film 14 are alternately connected electrically to one of the right and left external electrodes.
    コンデンサ素子10は、金属層12、12’が表面に形成された樹脂薄膜体14を複数層厚み方向に積層してなり、各樹脂薄膜体14上の各金属層12、12’は厚み方向に互い違いに左右いずれか一方の外部電極に電気的に接続されている。 - 特許庁
  • Disclosed is a stabilizer for a fastening body comprising conducting fastening working after making a polymer of an unsaturated linear hydrocarbon having carbon number 4 as an active ingredient adhere to at least either one of a screw element, a washer a screwing part of screw of a fastened body or a washer-contact surface of bolt members or the like.
    炭素数4の不飽和鎖状炭化水素の重合体を有効成分としてこれを、ボルト部材等のねじ部品、座金、被締結体のねじ螺合部又は座面の少なくともいずれか一つに付着させた後、締付け作業する締付体締付け力安定化剤。 - 特許庁
  • The microlithography projection optical system (101) includes a plurality of elements arranged to image radiation from an object plane (103) to an image plane (102), at least one of the elements being a reflective element that has a rotationally asymmetric surface positioned in a path of the radiation.
    放射光を物体平面(103)から像平面(102)に結像するように配列された複数の素子を含み、これらの複数の素子のうちの少なくとも1つは放射光の経路内に位置する回転非対称面を有する反射素子であるマイクロリソグラフィ投影光学系(101)とする。 - 特許庁
  • A means for supplying the coating material into a spray nozzle consists of utilizing the vibration of a piezoelectric element or consists of scanning a spray nozzle in a manner that only the angle of the nozzle is changed while the difference between the level of the center of the nozzle and that of the liquid surface in the coating material storage section is kept constant.
    また、スプレーノズルへ塗料を供給する手段として圧電素子の振動を利用する方法を用いるかまたはスプレーノズル中心と塗料貯蔵部液面との高低差を一定に保ちながらノズルの角度だけを変化させてスプレーノズルを走査することにより塗布する。 - 特許庁
  • Also, a display region HR can be illuminated by the light emitted from the light-emitting element 300 disposed at each opening KB, in such a way that regions having almost the same length W as a surface region in the Y direction and having predetermined intervals L in X direction form one illuminated region.
    また、開口部KB毎に配置した発光素子300の発光光によって、Y方向が面領域とほぼ同じ長さWで、X方向が所定の間隔Lを有する領域を、一つの照明領域として表示領域HRを照明することができる。 - 特許庁
  • An anisotropic material 13 is applied to the surface of the mounting part 1a, and metal bumps 12a formed on the bottom part of the semiconductor element 12 are electrically connected to the corresponding wiring conductors 4 through the conductive particles 13b uniformly dispersed in a binder 13a of the anisotropic material 13.
    載置部1a上には異方性導電材13が塗布され、半導体素子12の底面部に設けられる金属バンプ12aと配線導体4との間が異方性導電材13の接着材13a中に均一に分散された導電粒子13bを介して導通接続される。 - 特許庁
  • The carrier for developing the electrostatic latent image is characterized by being provided with a core material, and a resin coating layer which covers the core material, and that the maximum increased amount of content of iron element to all elements by etching becomes ≥0.0025 atm%/second and ≤0.025 atm%/second when the surface is etched for 240 seconds.
    芯材と、該芯材を被覆する樹脂被覆層と、を有し、表面を240秒エッチングした際に、エッチングによる全元素に対する鉄元素の含有量の最大増加量が、0.0025atm%/秒以上0.025atm%/秒以下となることを特徴とする静電潜像現像用キャリア。 - 特許庁
  • Moreover, the semiconductor epitaxial wafer is a semiconductor epitaxial wafer for light-receiving element for receiving electromagnetic waves of a wavelength of 1.8 μm or longer and 3.0 μm or shorter, and the centerline mean roughness Ra measured in the range of a length of 50 to 200 μm on the uppermost surface of the epitaxial layer of the semiconductor epitaxial wafer is 6 nm or lower.
    また、半導体エピタキシャルウェハは、波長が1.8μm以上3.0μm以下の電磁波を受信する受光素子用の半導体エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル層の最表面で、長さ50〜200μmの範囲において測定した中心線平均粗さRaが6nm以下である。 - 特許庁
  • In this rolling bearing comprising at least an inner ring 2, an outer ring 4, the ball-cage 7 made out of a synthetic resin, and a rolling element 5, the ball-cage 7 made out of a synthetic resin is composed of a resin composition applying a polyamide resin as a base resin, and has a humidity-proof coating on its surface.
    少なくとも内輪2、外輪4、合成樹脂製保持器7及び転動体5を備える転がり軸受において、前記合成樹脂製保持器7がポリアミド樹脂をベース樹脂とする樹脂組成物からなり、かつ表面に防湿被膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing the semiconductor device, the side face of the distal end of the electrode 34 is exposed together with the distal end face, by polishing the distal end of the electrode 34 projected from the rear surface 10b of a semiconductor board 10 with a polishing cloth 93 supported through an elastic element 92.
    弾性体92を介して支持した研磨布93により、半導体基板10の裏面10bから突出した電極34の先端部を研磨することにより、電極34の先端面とともに電極34の先端部における側面を露出させる。 - 特許庁
  • In order to increase durability and the quality of scattered radiation attenuation, a grid 3 with a comb-shaped element 12 is constructed for the purposes of absorbing electromagnetic radiation and forming the grid so that a comb-shaped lamella 11 extends alongside the surface of an associated comb-shaped base part supporting the comb-shaped lamella 11.
    耐久性と散乱放射減衰の質を増大させるため、くし形ラメラ(11)がそのくし形ラメラ(11)を支える関連くし形基部面を横に延在するように、電磁放射を吸収し、かつ、グリッドを形成することを目的とする、くし形要素(12)のあるグリッド(3)を構築する。 - 特許庁
  • In the cathode 24, composit material with carbonaceous material is contained compressed while applying shearing force in at least one part of the surface of base material containing at least one type of the group 14 element compounds except carbon and the capacitance and the cycling property are improved.
    負極24は、炭素を除く14族元素のうちの少なくとも1種を含む基礎材料の表面の少なくとも一部に、圧縮しつつせん断力を加えて、炭素質材料を複合化した複合化材料を含んでおり、容量およびサイクル特性が改善されている。 - 特許庁
  • To provide a field emission type electron source element, an electron gun and a cathode-ray tube device each capable of generating an electron beam having small distortion on a display surface and capable of keeping a stable electron emission characteristic regardless of the length of a driving period, and to provide a manufacturing method for a cathode-ray tube.
    表示面における電子ビームの歪みが小さく、駆動時間の長短に関わらず安定した電子出射特性を維持できる電界放出型電子源素子、および電子銃、および陰極線管装置、および陰極線管の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Further, a reflector 16, having a reflection surface 16a formed so as to surround a light-emitting chip 14a in a nearly cylindrical shape, is provided between the light-emitting element 12 and the translucent member 14 so that its front end aperture 16c contacts the rear end face 14b of the translucent member 14.
    また、発光素子12と透光部材14との間には、発光チップ14aを略筒状に囲むように形成された反射面16aを有するリフレクタ16を、その前端開口部16cを透光部材14の後端面14bに当接させるようにして設ける。 - 特許庁
  • To provide a forming die for glass forming which is stable even at a high temperature as a formed die material, is free of roughcasting surfaces and has good die parting properties in order to obtain the glass forming, such as an optical glass element and a glass substrate for magnetic recording media having high shape accuracy and surface characteristics.
    高い形状精度と表面性を持つ光学ガラス素子、磁気記録媒体用のガラス基板などのガラス成形体をプレス成形で得るために、成形型材料として高温で安定であり、成形面の肌荒れ、剥離がなく、離型性が良いガラス成形体の成形型を提供する。 - 特許庁
  • To provide a light-emitting element in which current diffusing layers can be formed efficiently despite the layers being formed on both main surface sides of an AlGaInP light-emitting layer section, and which can suppress the deterioration of the current diffusing layers caused by the thermal diffusion of the dopant profile of the light-emitting layer.
    AlGaInP発光層部の両主表面側に電流拡散層が形成されているにもかかわらず、電流拡散層を効率よく形成でき、また、電流拡散層を発光層部のドーパントプロファイルの熱拡散による劣化も抑制できる発光素子を提供する。 - 特許庁
  • On the surface of a chip thermistor element 2, a first terminal electrode 3, a second terminal electrode 4, and a third terminal electrode 5 formed in high resistance state as compared with the first terminal electrode 3 and the second terminal electrode 4 and capable of being bonded to solder material are provided directly.
    チップ状のサーミスタ素体2の表面に、第1の端子電極3と、第2の端子電極4と、第1の端子電極3及び第2の端子電極4よりも高抵抗状態で形成されかつハンダ材と接合可能な第3の端子電極5と、が直接設けられている。 - 特許庁
  • The electron source substrate manufacturing apparatus injects a solution containing a fine metal particle material for forming a conductive thin film between multiple pairs of element electrodes 2, 3 on a substrate 14 with an injection head to form a group of surface conduction type electron emitters by the conductive thin films.
    電子源基板製造装置において、基板14上の複数対の各素子電極2,3間に導電性薄膜を形成するための金属微粒子材料を含有する溶液を噴射ヘッドにより噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁
  • To provide a receptacle system surface mount type light receiving module sufficiently securing tolerance even for a light receiving element such as an ADP with a small light receiving diameter and without causing problems on reliability and manufacturing yield caused by light receiving module assembly precision.
    受光径の小さなAPDなどの受光素子に対しても十分なトレランスを確保することができ、受光モジュール組立精度に起因して生ずる信頼性及び製造歩留り上の問題を生ずることのないレセプタクル式表面実装型受光モジュールを提供する。 - 特許庁
  • In the airbag 20, at a continuity part 25 where the upper expansion part 23 and the lower expansion part 24 are continuous, a valve element 60 comprising a surface member 61 having flexibility to restrict move of gas is installed on a retainer 40 in which an inflator 30 is inserted.
    エアバッグ20の内部であって、上側膨張部23及び下側膨張部24とが連通する連通部25に、可撓性を有する面状部材61から成る、ガスの移動を抑制する弁体60が、インフレータ30を内部に挿入されたリテーナ40に取付けられている。 - 特許庁
  • A high melting-point metal silicide film missing detecting element comprises a polycrystalline silicon film pattern 110 where an n+ type region 116ab and a p+ type region 116ba are connected alternately, and a titanium silicide film pattern 126A provided in self-aligning manner on the upper surface of the polycrystalline silicon film pattern 110.
    高融点金属シリサイド膜欠落検出素子は、n^+ 型領域116abとp^+ 型領域116baとが交互に接続された多結晶シリコン膜パターン110と、多結晶シリコン膜パターン110上面に自己整合的に設けられたチタン・シリサイド膜パターン126Aとからなる。 - 特許庁
  • A p+ type semiconductor region 13p2 is isolated from an n+ type semiconductor region 13n2 by an element isolating groove 6, and a cobalt silicide film 15 is formed on the surface of a gate electrode 10, p+ type semiconductor regions 13p1 and 13p2, and n+ type semiconductor regions 13n1-13n3.
    p^+型半導体領域13p2とn^+型半導体領域13n2とを素子分離溝6によって隔て、ゲート電極10の表面、p^+型半導体領域13p1,13p2の表面、およびn^+型半導体領域13n1〜13n3の表面にコバルトシリサイド膜15を形成する。 - 特許庁
  • Thereafter, the element formation side is bonded with a holding substrate with an adhesive or the like, the back surface of a silicon monocrystalline substrate is ground/polished, etching is executed and then stopped at an etching stop layer, formed before growing the epitaxial layer, and a trench tip is exposed.
    その後素子形成側を接着剤等で保持基板と接着する等して、しかる後にシリコン単結晶基板の裏面を研削・研磨の後、エッチングを行ってエピタキシャル層を成長させる前に形成したエッチングストップ層でエッチングを停止してトレンチ先端を露出させる。 - 特許庁
  • The magnetic recording element is provided with a main magnetic pole 32 for applying a magnetic field in a direction roughly vertical to the medium surface, a sub-magnetic pole 36 for absorbing a part of the magnetic field applied from the main magnetic pole 32, and an insulating film 35 disposed between the main magnetic pole 32 and the sub-magnetic pole 36.
    磁気記録素子は、媒体表面に対して略垂直方向に磁界を与える主磁極32と、主磁極32から与えられた磁界の一部を吸収する副磁極36と、主磁極32と副磁極36との間に配置される絶縁膜35とを備える。 - 特許庁
  • The case 4 is adhered to a base 10 having external electrodes 13, 14, the metallic plate 3 is connected to the external electrode 13 with conductive paste 15 with elasticity and a surface electrode 2a of the piezoelectric element 2 is connected to the external electrode 14 with conductive paste 16 with elasticity.
    外部電極13,14を有する基板10上にケース4を接着し、金属板3を外部電極13に対して弾性を持つ導電ペースト15で接続し、圧電素子2の表面電極2aを外部電極14に対して弾性を持つ導電ペースト16で接続する。 - 特許庁
  • The liquid crystal device is constituted such that spacers 15 are arranged on only a display region 90A where a TFT element or the like is not formed on a substrate 10 between substrates 10, 20 holding a liquid crystal layer 50 and a relatively flat surface is disposed and the spacing between the substrates 10, 20 is retained via the spacer 15.
    液晶層50を挟持する基板10,20間において、基板10上にTFT素子等が形成されず、比較的平坦な面を備える表示領域90Aにのみペーサー15を配設し、このスペーサー15を介して基板10,20間の間隔を保持する構成とする。 - 特許庁
  • In this image sensor module wherein a frame of the lens holder with a lens attached to a hollow frame is mounted on a circuit board having an image pickup element, a groove is provided in a portion of an adhesion surface on a circuit board of the frame, and an adhesive filled in the groove fixes the frame onto the circuit board.
    中空の枠体にレンズを取り付けたレンズホルダの枠体を撮像素子を具えた配線基板に搭載したイメージセンサモジュールにおいて、枠体の配線基板との接着面の一部に溝を具え、その溝に充填された接着剤によって枠体が配線基板に固定される。 - 特許庁
  • The light emitting element body A has the light emitting part 2 which is formed of an n-type GaN layer 2a and a p-type GaN layer 2b on one surface of a substrate 1 of sapphire and electrodes 3a and 3b which are respectively formed on the n-type GaN layer 2a and the p-type GaN layer 2b.
    発光素子本体Aは、サファイア基板からなる基板1の一表面側にn形GaN層2aとp形GaN層2bとからなる発光部2が形成され、n形GaN層2aおよびp形GaN層2bそれぞれに電極3a,3bが形成されている。 - 特許庁
  • A pixel electrode 23 provided on an inner surface of at least one of a pair of substrates 22 at least one of which is transparent and having at least one liquid crystal display layer (active element) 25 is provided, a display layer is formed between the substrates 22 and a spacer (structural supporting body) 12 is provided in the display layer.
    少なくとも一方が透明である一対の基板22の少なくとも一方の内面に設けられて少なくとも1つの液晶層(能動素子)25を有する画素電極23を設け、基板22間に表示層を形成し、表示層内にスペーサ(構造支持体)12を設ける。 - 特許庁
  • When the insulation layer 13 is solidified, lower surface of the LED element 12 and the bumps 12a and 12b are secured by the insulation layer 13 and since the pressing force does not act on the bumps 12a and 12b when the sealing member 14 is sealed by press, the bumps 12a and 12b can be prevented from deformation.
    絶縁層13が固化すると、LED素子12の下面及びバンプ12a,12bが絶縁層13によって固定され、封止部材14が加圧プレスによって封止されても、その加圧力はバンプ12a,12bに及ばず、バンプ12a,12bに変形等が生じるのを防止できる。 - 特許庁
  • Also the forward scattering film layers in the reflective liquid crystal display element especially comprise the forward scattering films having the angular ranges of scattering asymmetric with respect to the film normal laminated so as to make the respective projected directions of the center angle directions of the angular ranges of scattering toward the film surface mutually different.
    また、この反射型表示素子における前方散乱フィルム層は特に、散乱角度範囲がフィルム法線に対して非対称である前方散乱フィルムを、散乱角度範囲の中心角度方向のフィルム面への射影方向が異なるように積層した構成にされている。 - 特許庁
  • Then the cavity 4 is provided with a couple of support sections 5a, 5b to support both ends of the paper-tablet shaped surface acoustic wave element 3 in its longitudinal direction, and a joining projection 6 consisting of an elastic sheet 62 in its cross direction is provided on the bottom face between a couple of the support sections 5a, 5b.
    そしてキャビティー部4は、前記短冊状の弾性表面波素子3の長手方向両端部を保持する一対の保持部5a、5bを設けるとともに、該一対の保持部5a、5b間の底面に、弾力性シート62を厚み方向に介在させて成る接合用突出部6を設けた。 - 特許庁
  • In an on-vehicle antenna 100, two antenna elements 110, 120, operating at the same frequency band, and a passive element 130 are mounted on a substrate 140, and a substrate bottom plate 150 disposed on a bottom surface of the substrate 140 is separated from a common bottom plate 10 and is connected with the common bottom plate 10 only through connection parts 160.
    車載アンテナ100は、同じ周波数帯で動作する2つのアンテナ素子110、120と無給電素子130とを基板140上に搭載し、基板140の底面に配置された基板用地板150を共通地板10から離して接続部160だけで接続している。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device is provided with a rear frame having a bottom surface and side surfaces, a reflection plate, a backlight unit, an intermediate frame, a liquid crystal display element and a radiation sheet which are provided on the rear frame and a front frame made of metal bonded to the rear frame by a bonding means so as to sandwich these from an upper side.
    底面と側面を有するリアフレームと、該リアフレームの上に設置される反射板、バックライトユニット、中間フレーム、液晶表示素子および放熱シートと、これらを上から挟むように締結手段により前記リアフレームと締結される金属製フロントフレームを備える液晶表示装置。 - 特許庁
  • To provide a method for producing an R-T-B-based sintered magnet which suppresses a heavy rare-earth element RH from diffusing in the inner part of a main phase particle even in a surface layer region of a sintered magnet body and improves H_cJ without substantially reducing B_r, and to provide a production apparatus used for the method.
    焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素RHが主相粒内部に拡散することを抑制し、B_rを実質的に低下させずにH_cJを向上させたR−T−B系焼結磁石を製造する方法及びそれに用いる製造装置を提供する。 - 特許庁
  • The thermocouple is manufactured by connecting and integrating a protective body 2, comprising corrosion resistant ceramic or glass whose average thermal expansion coefficient at 20-600°C is 12×10^-6/°C or smaller, with the surface of a thermocouple element wire 1 comprising a metal whose difference with the average thermal expansion coefficient is within 3×10^-6/°C.
    20〜600℃の平均熱膨張率が12×10^−6/℃以下である耐食性セラミックス又はガラスよりなる保護体2を、当該平均熱膨張率との差が3×10^−6/℃以内である金属よりなる熱電対素線1の表面に接合させて一体化した熱電対を作る。 - 特許庁
  • A toilet 1 comprises a turn trap 3 connected to a discharge port for stored water 7 fitted into the bowl surface 6 of the closet 1 and vertically rotatable in the discharge of the stored water 7, and a heater element 8 for heating the stored water 7 is built in the bellows part 13 of the turn trap 3.
    便器(1)があって、この便器(1)のボウル面(6)内にはられた溜め水(7)の排出口(2)に繋がり、かつ、同溜め水(7)の排出の際に上下方向に回転可能なターントラップ(3)を設け、このターントラップ(3)の蛇腹部(13)に同溜め水(7)を温めるヒーター体(8)が内蔵された。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 334 335 336 337 338 339 340 341 342 .... 368 369 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.