「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 338 339 340 341 342 343 344 345 346 .... 368 369 次へ＞- A magnetoresistive element 10 includes a fixed layer 15 having magnetic anisotropy perpendicular to a film surface and a fixed magnetization, a recording layer 17 having a stacked structure formed by alternately stacking magnetic layers and nonmagnetic layers, magnetic anisotropy perpendicular to a film surface, and a variable magnetization, and an intermediate layer 16 provided between the fixed layer 15 and the recording layer 17, and containing a nonmagnetic material.
磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が固定された固定層１５と、磁性層と非磁性層とが交互に積層された積層構造からなり、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、かつ磁化方向が変化可能である記録層１７と、固定層１５と記録層１７との間に設けられ、かつ非磁性材料からなる中間層１６とを具備する。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 1 comprises an active layer 5 for emitting light by injecting carriers, an electrode 10 formed on a light radiating surface 9, a photonic crystal area existing on other region than just beneath the electrode 10 for diffracting light generated in the active layer 5 and emitting light in the vertical direction to the light radiating surface 9a, and a light emitting area just beneath the electrode 10.
半導体レーザ素子１は、キャリアの注入により光を発光する活性層５と、光放出面９ａに形成された電極１０と、電極１０の垂直真下以外に存在し、活性層５で発生した光を回折させるとともに光放出面９ａに対して垂直な方向に光を発するフォトニック結晶領域と、電極１０の垂直真下に存在する発光領域とを備えている。 - 特許庁 - A multiple structure liquid crystal optical element is configured such that a plurality of liquid crystal elements are mutually laminated with liquid crystal encapsulated between a substrate with a segment electrode formed on the inside surface and a substrate with a common electrode formed on the inside surface, and the substrate with the segment electrode formed and the substrate with the common electrode formed are processed thin in a prescribed thickness in a state of the liquid crystal being encapsulated.
多重構造液晶光学素子は、内側面上にセグメント電極が形成された基板と内側面上にコモン電極が形成された基板との間に液晶が封入された液晶素子が複数個互いに積層されて構成されており、セグメント電極が形成された基板とコモン電極が形成された基板とは、液晶が封入された状態で所定厚さに薄く加工されている。 - 特許庁 - The substrate 6 is a printed substrate made of an epoxy resin, an anode mounting portion 4 and a cathode mounting portion 5 made of a copper base material are provided on the mounting surface for the capacitor element laminate 20, and an external anode terminal 7 or an external cathode terminal 8 formed on the mounting surface of the solid electrolytic capacitor 22 is electrically connected through anode vias 2 or cathode vias 3 penetrating through the epoxy resin.
その基板６は、エポキシ樹脂からなるプリント基板であり、コンデンサ素子積層体２０の搭載面には銅母材からなる陽極搭載部４及び陰極搭載部５が備えられており、エポキシ樹脂の内部を貫通する陽極ビア２又は陰極ビア３を介して固体電解コンデンサ２２の実装面にある外部陽極端子７又は外部陰極端子８を電気的に接続している。 - 特許庁 - On the surface of a translucent board of the organic EL element, an inorganic porous solid thin film arrayed in parallel with the board surface or equipped with a periodic porous structure including layered, column-shaped holes is formed, and by making an incident angle into an interface with an air layer, reflection at the interface with the air layer is prevented to improve the luminous efficiency.
有機ＥＬ素子の透光性基板表面に、前記基板表面に平行となるように配向せしめられたあるいは層状の円柱状の空孔を含む周期的ポーラス構造を具備してなる無機多孔質固体薄膜を形成し、空気層との界面への入射角を大きくすることにより、空気層との界面での反射を防止し、発光効率を高めるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁 - A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate.
ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。 - 特許庁 - The electronic control module includes: a package disposed on the ceramic substrate and having a semiconductor element covered with a resin; a lead frame expanded in a single direction or an opposite direction outside the package; and a conductor pattern formed on a surface of the ceramic substrate; wherein the lead frame is electrically mounted on the ceramic substrate via solder and only a space portion from an upper surface of the lead frame to the ceramic substrate is sealed with a resin.
当該電子制御モジュールは、セラミック基板上に配置され半導体素子を樹脂で覆ったパッケージと、パッケージの外側の単一方向、もしくは、対向方向に伸展したリードフレームと、セラミック基板の表面に形成された導体パターンと、を備え、リードフレームは、セラミック基板とはんだを介して電気的に装着され、リードフレームの上面から、セラミック基板までの空間部のみが樹脂で封止される。 - 特許庁 - Surface 7c side of the scattering prevention sheet 7 that is installed by integral lamination on the translucent substrate 6 of the EL element A in order to prevent substrate pieces from scattering when the breakage occurs in this translucent substrate 6 is formed by equipping a plurality of recessed parts 11 and protruded parts 12 geometrically aligned so that the light H transmitted from the translucent substrate 6 side is emitted from the surface 7c to outside.
ＥＬ素子Ａの透光性基板６に一体に積層して設けられ、この透光性基板６に破損が生じた際に基板片が飛散することを防止するための飛散防止シート７の表面７ｃ側を、透光性基板６側から透過した光Ｈを表面７ｃから外側に出射させるように、幾何学的に配列した複数の凹部１１と凸部１２を備えて形成する。 - 特許庁 - The image sensor includes a substrate, a visible imaging sensor provided on a light irradiating surface side of the substrate for converting the visible light into an electric signal, an infrared imaging sensor provided oppositely to the visible imaging sensor across the substrate for converting the infrared light into an electric signal, and a condensing element provided on the light irradiating surface side of the visible imaging sensor for condensing the visible light and transmitting the infrared light.
基板と、前記基板の光照射面側に設けられ、可視光を電気信号に変換する可視撮像センサと、前記基板を挟んで前記可視撮像センサと対向する位置に設けられ、赤外光を電気信号に変換する赤外撮像センサと、前記可視撮像センサの光照射面側に設けられ、前記可視光を集光し、前記赤外光を透過する集光素子と、を備える撮像素子。 - 特許庁 - The piezoelectric element 100 includes a substrate 10, a first conductive layer 20 provided on the substrate 10, the piezoelectric layer 30 covering an upper part and a side part of the first conductive layer 20, the buffer layer 40 provided on an upper surface 32 of the piezoelectric layer 30 and provided along an edge of the upper surface 32, and the second conductive layer 50 for covering at least the buffer layer 40 and the piezoelectric layer 30.
本発明にかかる圧電素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に設けられた第１導電層２０と、第１導電層２０の上方および側方を覆う圧電体層３０と、圧電体層３０の上面３２に設けられ、上面３２の端に沿って設けられた緩和層４０と、少なくとも緩和層４０、および圧電体層３０を覆う第２導電層５０と、を含む。 - 特許庁 - In the base of the package for electronic component holding an electronic component element, a bottom surface of the base is rectangular when viewed in plane, at least a pair of almost L-shaped terminal electrodes to be bonded with an external circuit board with a conductive bonding material are formed, and each of the almost L-shaped terminal electrodes is disposed along the base bottom surface in close proximity to or in contact with its long and short sides.
電子部品素子を保持する電子部品用パッケージのベースにおいて、前記ベース底面は平面視矩形とされ、外部の回路基板と導電性接合材を用いて接合する少なくとも一対の略Ｌ字形状の端子電極が形成されており、当該略Ｌ字形状の各端子電極はベース底面の長辺と短辺に対して近接あるいは接した状態で沿って配置した。 - 特許庁 - The polarization conversion element is constituted of a transparent member having a polarized light separating surface for separating light emitted from a light source into two polarized lights having different polarization directions and a reflection surface for reflecting one of polarized lights among the polarized light beams and the λ/2 phase difference film for rotating one of light among the polarized light beams, and the transparent member contains magnesium oxide.
光源からの光を偏光方向が異なる２種類の偏光光に分離する偏光分離面と該偏光光の何れか１種類の偏光光を反射する反射面とを有する透明部材と、該偏光光の何れか１種類の光を回転させるλ／２位相差膜とで構成される偏光変換素子であって、前記透明部材は酸化マグネシウムを含むように構成する。 - 特許庁 - The surface treatment method of the micromass measuring sensor using a quartz vibrator constituted by forming a metal film on the surface of a quartz substrate is composed of a process (S101) for coating a micromass measuring sensor element with a photoresist protective film and a process (S102) for irradiating the photoresist protective film with light to cure the same.
上記の目的を達成する為に本発明は、水晶基板の表面に金属膜を形成して成る水晶振動子を用いた微少質量測定用センサの表面処理方法において、微少質量測定用センサ素子の表面にフォトレジスト保護膜を塗布する工程（Ｓ１０１）と、光を照射してフォトレジスト保護膜を硬化する工程（Ｓ１０２）とによりなることを特徴として課題を解決する。 - 特許庁 - Pad electrodes 32 and 36 to which bonding wire is connected are provided on the front surface of the imaging semiconductor 20 and the front surface of the signal processing semiconductor chip 22, respectively and the pad electrodes 36 are provided adjacently to an area where the imaging part of the solid-state image pickup element 30 is arranged, when the chip 20 and the chip 22 are laminated.
撮像用半導体チップ２０の表面及び信号処理用半導体チップ２２の表面にはボンディングワイヤが接続されるパッド電極３２，３６がそれぞれ設けられ、撮像用半導体チップ２０と信号処理用半導体チップ２２とが積層された際に、固体撮像素子３０の撮像部が配置された領域に隣接してパッド電極３６が設けられている固体撮像装置によって上記課題を解決できる。 - 特許庁 - The production method of the probe element is characterized in that it contains a first step for preparing a stage having a main surface and one or more recesses, and a second step for forming, on the main surface, a first photoresist layer which is formed by laminating two or more dry photoresist films and has a projection penetrating the first photoresist layer in the thickness direction to reach the recess.
プローブ要素の製造方法は、主面を有すると共に該主面に１以上の凹所を有する基台を準備する第１のステップと、フィルム状をした２以上の乾燥ホトレジストを重ねた第１のホトレジスト層であって当該第１のホトレジスト層をこれの厚さ方向に貫通して前記凹所に達する突起部を有する第１のホトレジスト層を前記主面に形成する第２のステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A projection type image display device for projecting light emitted from an image forming element 120 to a projection surface 200 by the focusing projection optical system 140 and displaying an image, is provided with a photodetecting means 300 for receiving the light from the projection surface and an automatic focusing control means 160 for controlling the focusing of the projection optical system based on the output signal from the photodetecting means.
画像形成素子１２０からの光を、焦点調節が可能な投射光学系１４０により被投射面２００に投射して画像を表示する投射型画像表示装置において、被投射面からの光を受光する受光検出手段３００と、この受光検出手段からの出力信号に基づいて投射光学系の焦点調節制御を行う自動焦点制御手段１６０とを設ける。 - 特許庁 - The separator 3 for the fuel cell is manufactured by nitriding the surface 10a of a substrate 10, comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni and Mo, and is equipped with a nitride layer 11 having cubic system crystal structure formed in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 is equipped with a plane part 14 having fine texture.
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面１０ａを窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に形成された立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は、微細なテクスチャを有する平板部１４を備える。 - 特許庁 - In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.
一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁 - In this charged amount evaluation element for evaluating quantitatively the charged amount on the surface of the workpiece in a conductive thin film forming device, at least the surface thereof is constituted of counter electrodes provided on an insulating substrate and a wiring part for connecting each electrode, and an insulating protection film having an opening part is formed on the counter electrodes.
本発明は、導電性薄膜成膜装置内における被加工物表面の帯電量を定量的に評価する帯電量評価素子であって、少なくとも表面が絶縁性の基体に設けられたと対向電極と当該電極間を接続する配線部とから構成され、対向電極上に開口部を有する絶縁性保護膜を形成したことを特徴とする帯電量評価素子に関する。 - 特許庁 - The tip 12a of the projected section is brought into contact with a light emitting surface of the organic electroluminescent element via the adhesive layer 25, and arithmetic means roughness Ra of the surface of the projected section is 0.01-0.5 μm.
光取り出しフィルムと有機エレクトロルミネセンス素子２０を含む面発光体３０において、該光取り出しフィルムは、無機粒子を含有し、かつ少なくとも片面に複数の凸部１２を有し、該凸部の先端部１２ａが有機エレクトロルミネセンス素子の出射面に接着層２５を介して接している構造であり、該凸部表面の算術平均粗さＲａが０．０１μｍ〜０．５μｍであることを特徴とする面発光体。 - 特許庁 - The diffractive optical element 4 has a first diffraction grating pattern formed to control the distribution of light in a predetermined first direction on an incident surface 41 for ultraviolet rays and a second diffraction grating pattern formed to control the distribution of light in a second direction orthogonal to the first direction on an outgoing surface 42 for ultraviolet rays such that ultraviolet rays radiated to the irradiation object 5 are shaped in a spot.
上記回折光学素子４は、照射対象５に照射される紫外線の形状がスポット状になるように、紫外線の入射面４１に、予め決められた第１の方向の配光を制御する第１の回折格子パターンが形成され、紫外線の出射面４２に、第１の方向と直交する第２の方向の配光を制御する第２の回折格子パターンが形成されている。 - 特許庁 - The stain-resistant film comprises a substrate and an organic-inorganic composite layer having a crosslinking structure formed by hydrolysis and condensation polymerization of an alkoxide of an element selected from Si, Ti, Zr and Al in a graft polymer layer composed of a graft polymer chain directly bonded to the surface of the substrate and is obtained by subjecting the surface of the organic-inorganic composite layer to water-repellent and oil-repellent treatment.
本発明の防汚性フィルムは、支持体と、該支持体表面に直接結合したグラフトポリマー鎖からなるグラフトポリマー層中に、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシドの加水分解及び縮重合により形成された架橋構造を含んでなる有機−無機複合層と、を備え、該有機−無機複合層表面に撥水撥油処理を施してなることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a laminated element for polishing, which can be used in a polishing pad capable of high speed polishing for giving high uniformity particularly in the case of low pressure polishing, and to solve the problem that in a conventional polishing pad having a polishing layer laminated on a cushion layer, scratches are easily formed on the surface of a workpiece when the surface of a comparatively soft material is polished.
従来の、クッション層の上に研磨層を積層した研磨パッドの、比較的柔らかい材料の表面を研磨した場合に、被加工物表面にスクラッチが入りやすいという問題を解決するためのもので、その目的とするところは、特に低圧で研磨する場合においても、均一性の高い高速研磨が実現可能な研磨パッドに用いられる研磨用積層体を提供すること。 - 特許庁 - In a continuously variable transmission rolling element with a rolling surface (input disk 5, output disk 9, power roller 10), the rolling surface down to at least 1 mm depth has a high speed steel composition containing 5 to 10 vol.% hard particles of diameters less than or equal to 10 μm and other parts have alloy steel composition containing 0.20 to 0.35 wt.% carbon.
転動面をそなえた無段変速機の転動体（入力ディスク５，出力ディスク９，パワーローラー１０）において、少なくとも転動面はその表面から少なくとも深さ１ｍｍまでの部分を直径１０μｍ以下の硬質粒子を５〜１０体積％含有する高速度鋼組成からなるものにすると共に、その他の部分を炭素含有量が０．２０〜０．３５重量％である合金鋼組成からなるものとした。 - 特許庁 - The flexible wiring board 103 comprises a substrate 1032, and a conductor 1031 provided on one surface of the substrate 1032 and having one end forming an electrical joint 111 to a recording element board 101 having an opening for ejecting recording liquid wherein the electrical joint 111 and the edge contiguous to the electrical joint 111 on the other surface of the substrate 1032 are sealed with sealant 109, 110.
フレキシブル配線基板１０３は、基材１０３２と、基材１０３２の一方の面に設けられ、一方の端部が、記録液を吐出する吐出口を備える記録素子基板１０１との電気接続部１１１を形成する導電体１０３１とを有し、電気接続部１１１、および、基材１０３２の他方の面の電気接続部１１１に隣接する縁部が、封止剤１０９，１１０によって封止されている。 - 特許庁 - The nitride semiconductor laser element is provided with electric contacts provided at the outside of a pair of grooves on the surface of an upper electrode layer to effect electric connection with an external source, and a thickness from the surface of the upper electrode layer at the electric contacts to the nitride semiconductor growth layer is thicker than that from the upper electrode layer immediately above a ridge to the nitride semiconductor growth layer.
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、上部電極層表面の一対の溝より外側に設けられた外部との電気的な接続を行うための電気的接続点を有し、電気的接続点における上部電極層の表面から窒化物半導体成長層までの厚さが、リッジ部直上おける上部電極層から窒化物半導体成長層までの厚さよりも、厚いことを特徴とする。 - 特許庁 - This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.
窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁 - An armor section 28 is formed by heating a heat-curing type liquid insulating resin 23 such as an epoxy resin containing a granular curing agent 30 for curing, and the particle size of the granular curing agent 30 is equal to or less than the diameter of an inscribed sphere that inscribed a surface tension section 29 formed by the surface tension of the liquid insulating resin 23 between an element body 21 and a coil 25.
外装部２８は粒状硬化剤３０を含有したエポキシ樹脂等の加熱硬化型の液状絶縁樹脂２３に熱を加えて硬化させて形成しており、粒状硬化剤３０の粒径は、素体２１と巻線２５との間で液状絶縁樹脂２３の表面張力によって形成される表面張力部２９に内接する内接球の直径以下の大きさとした構成である。 - 特許庁 - An optical compensation layer formed of a material capable of reducing the reflectance to external light is formed on each of the top layer for covering a top protective layer 136 and the organic electroluminescent diode part E of an upper light emitting organic electroluminescent element, whereby the reflectances of the top protective layer surface and the electrode surface of the organic electroluminescent diode located in positions for mainly reflecting the external light can be simultaneously reduced.
上部発光方式有機電界発光素子のトップ保護層１３６を覆う最上部層と有機電界発光ダイオード部Ｅに各々外部光に対する反射率を低下させることができる物質からなる光学的補償層を形成することによって、外部光が主に反射される位置であるトップ保護層表面と有機電界発光ダイオード電極表面の反射率を同時に低めるものである。 - 特許庁 - An optical communication module contains an active optical element provided with the first optical waveguide surrounded by a clad consisting of a linear body and a curved end in which a light travels, and a plane waveguide element provided with the second optical waveguide surrounded by a clad with a light incoming to an inside through an end surface of an input side with a light outgoing from the curved end of the first optical waveguide.
本発明による光通信モジュールは、直線形状の胴体部と曲線形状の曲線端部とからなる光が進行するクラッドに囲まれた第１光導波路を備える能動型光素子と、第１光導波路の曲線端部から出射された光が入力側端面を通じて内部に入射されるクラッドに囲まれた第２光導波路を備える平面導波路素子と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the LED mounting substrate 1a in which the LED element 20 is mounted on the printed circuit board 10a applied with a white solder resist 12, pads 13 connected to terminals 23 of the LED element are formed on the printed circuit board and a white resin 30 containing a white pigment is applied on the surface of the printed circuit board so as to cover the wiring region between terminal and the pads.
白色のソルダーレジスト１２が塗布されたプリント配線板１０ａ上にＬＥＤ素子２０が実装されたＬＥＤ実装基板１ａであって、前記プリント配線板には、ＬＥＤ素子の端子２３と接続されるパッド１３が形成され、前記端子と前記パッドとの配線領域を覆うように前記プリント配線板の表面に白色顔料を含んだ白色樹脂３０が塗布されているＬＥＤ実装基板としている。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect element that can prevent a reduction in MR ratio to keep performance as a magnetoresistance effect element high even when an oxide layer is formed as an outermost surface layer of a protection layer in an oxidation step inevitably included in a manufacturing process by laminating a mask material used for microfabrication double without specially altering the manufacturing step of microfabrication of dry etching carried out under a vacuum.
真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor device packaged while including a semiconductor, a noise shielding layer SDa or a noise shielding layer consisting of a meshed conductive layer is formed in a predetermined region of the upper layer of a first semiconductor chip 12 including an active element to cover the entire surface of that region, and a second semiconductor chip 16 including an active element is stacked on the upper layer of the noise shielding layer SDa.
半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子を含む第１半導体チップ１２の上層の所定の領域に、例えばこの領域を全面に被覆するノイズ遮蔽層ＳＤａあるいはメッシュ状導電層からなるノイズ遮蔽層などのノイズ遮蔽層が形成されており、このノイズ遮蔽層ＳＤａの上層に、能動素子を含む第２半導体チップ１６が積層されている構成とする。 - 特許庁 - The semiconductor device 101 includes: a plurality of first conductive guard ring layers 2 surrounding the element region 51, annularly formed, and diffused in the depth direction in the terminal region 52; first interlayer dielectrics 3 formed to be embedded in the substrate 1 between the adjacent guard ring layers 2; and second interlayer dielectrics 11 formed on the surface of the substrate 1 from the element region 51 to the terminal region 52.
半導体装置１０１は、終端領域５２に素子領域５１を囲む環状に形成されると共に深さ方向に拡散した第１導電型の複数のガードリング層２と、隣接するガードリング層２の間において基板１に埋め込まれるように設けられた第１層間絶縁膜３と、素子領域５１から終端領域５２に亘って基板１の表面に設けられた第２層間絶縁膜１１とを備える。 - 特許庁 - Alternatively, a method for manufacturing a power storage device includes steps of: forming an amorphous silicon film on the current collector; adding a catalyst element for accelerating crystallization of amorphous silicon on the surface of the amorphous silicon film; forming the crystalline silicon film by crystallizing the amorphous silicon film by heating the amorphous silicon film where the catalyst element is added; and using the crystalline silicon film as a negative electrode active material layer.
あるいは、集電体上に、非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜の表面に、前記非晶質珪素の結晶化を促進する触媒元素を添加し、前記触媒元素が添加された非晶質珪素膜を加熱することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜を負極活物質層として用いる蓄電装置の作製方法に関する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor layer includes: a first precursor layer-fabricating step of fabricating a first precursor layer containing a metal element; a second precursor layer-fabricating step of forming a second precursor layer by coating a chalcogen element-containing organic compound on a surface of the first precursor layer; and a semiconductor layer-fabricating step of fabricating the semiconductor layer including a metal chalcogen compound semiconductor by heating the second precursor layer.
半導体層の製造方法は、金属元素を含む第１の前駆体層を作製する第１の前駆体層作製工程と、第１の前駆体層の表面にカルコゲン元素含有有機化合物を塗布して第２の前駆体層を形成する第２の前駆体層作製工程と、第２の前駆体層を加熱して金属カルコゲン化合物半導体を含む半導体層を作製する半導体層作製工程と、を具備する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor layer includes the processes of: fabricating a precursor layer by coating a surface of a substrate with a solution for semiconductor layer formation including a metal element, a chalcogen element-containing organic compound, a first Lewis-base organic compound, and a second Lewis-base organic compound having a different structure from the first Lewis-base organic compound; and fabricating the semiconductor layer 3 by heat-treating the precursor layer.
半導体層の製造方法は、金属元素と、カルコゲン元素含有有機化合物と、第１のルイス塩基性有機化合物と、前記第１のルイス塩基性有機化合物とは異なる構造の第２のルイス塩基性有機化合物と、を具備する半導体層形成用溶液を基板の表面に塗布して前駆体層を作製する工程と、前記前駆体層を熱処理して半導体層３を作製する工程と、を具備する。 - 特許庁 - In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen.
アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。 - 特許庁 - Before machining a bar block which has rows of magnetic-head elements and pairs of electrode terminals connected to them on the element forming side, an anisotropic conductive film(ACF) is stuck on the element forming surface, and a conductive metal with projections formed in a position facing the pairs of electrode terminals are bonded through the ACF to short- circuit them.
素子形成面上に複数の磁気ヘッド素子及びこれら複数の磁気ヘッド素子にそれぞれ電気的に接続された複数対の電極端子が列状に並ぶバーブロックの加工を行う前に、素子形成面上に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼り付け、複数対の電極端子に対向する位置にそれぞれ突起が形成された導電性金属部材をＡＣＦ上からボンディングして複数対の電極端子を短絡させておく。 - 特許庁 - The metallic element of the underlying conductor comprises at least one of Ni, and Ni alloy, and the ratio of the metallic element existing in the surface of the underlying conductor specified in the following formula (1) is 50 atomic % or more and 100 atomic % or less.
複数の誘電体層と複数の内部導体が交互に積層された積層体と、積層体の表面に設けられた下地導体と、該下地導体の上に設けられた金属層とを含む、内部導体と電気的に接続される外部導体を備え、下地導体の金属成分はＮｉ、Ｎｉ合金のうち少なくとも１つを含み、下記の式（１）で規定される下地導体の表面に存在する金属成分の割合が５０原子％以上１００原子％以下である。 - 特許庁 - To provide a curable resin composition for column spacers having excellent adhesion to a substrate surface as well as high sensitivity to light irradiation, and capable of forming column spacers which can effectively suppress the occurrence of color unevenness due to failure by gravity without causing low-temperature foaming in a liquid crystal display element produced, and to provide column spacers formed using the curable resin composition for column spacers and a liquid crystal display element.
光照射に対する高い感度を有するとともに、基板表面に対する優れた密着性を有し、更に、製造する液晶表示素子に低温発泡を生ずることなく、重力不良による色ムラの発生を効果的に抑制できるカラムスペーサを形成することができるカラムスペーサ用硬化性樹脂組成物、該カラムスペーサ硬化性樹脂組成物を用いてなるカラムスペーサ及び液晶表示素子を提供する。 - 特許庁 - The particle includes a spherical ferromagnetic metal nucleus composed of an eutectic alloy of a composition including an eutectic point composition of one or more metallic elements selected from the element group consisting of iron, nickel and cobalt, and carbon, and a shell composed of the carbon precipitated from a liquid droplet containing a ferromagnetic metal element and carbon coating the entire surface of the spherical ferromagnetic metallic shell.
鉄、ニッケル、コバルトからなる元素群から選ばれた１種以上の金属元素と炭素との共晶点組成を含む組成の共晶合金からなる球状の強磁性金属核と、上記球状強磁性金属核の表面の全面を被覆する該強磁性金属元素と炭素とを含有する液滴から析出した炭素からなる殻とを具備することを特徴とする炭素被覆形強磁性金属球形粒子。 - 特許庁 - In this reflectance measuring device, the first photodetection intensity when measuring light is reflected by interposing the inspection surface of the optical element in an optical path through which the measuring light arrives at a photodetection means, and the second photodetection intensity when the inspection surface is not interposed, are measured, and the reflectance of the inspection surface is measured by comparison between the first photodetection intensity and the second photodetection intensity.
測定光が光検出手段に到達する光路中に、光学素子の被検面を介在させて前記測定光を反射させた場合の第１の光検出強度と、前記被検面を介在させない場合の第２の光検出強度を計測し、前記第１の光検出強度と前記第２の光検出強度との対比により前記被検面の反射率を測定する反射率測定装置であって、前記被検面の曲率による前記反射率の測定値誤差を予め測定することにより前記反射率を補正する。 - 特許庁 - In the surface light source element, the projection tips on the outgoing- light control plate 4 and the outgoing-light surface of the light guide 3 are optically in close contact with each other through an optically transparent layer, and a light-diffusing layer 5 is placed on the outgoing-light surface of the outgoing-light control plate 4.
上記の課題は、光源２と、リフレクタ８と、リフレクタ８で反射された光源２からの光が少なくとも一つの端面１から入射される導光体３と、出射面からの光を出射面の正面方向に向かわせるための複数の凸部が導光体３と対向する面に設けられた出射光制御板４を備え、該出射光制御板４の凸部先端と導光体３の出射面とが光学的に透明な層を介して密着してなる面光源素子において、該出射光制御板４の出射面に光拡散層５が配されている面光源素子により解決される。 - 特許庁 - Specially, in a vacuum state, the compound semiconductor is heated to a specified temperature and irradiated with an antimony molecular beam and an antisurfactant molecular beam to stick the antisurfactant on the compound semiconductor surface, and then the compound semiconductor surface where the antisurfactant sticks is irradiated with an antimony molecular beam and a molecular beam of an element other than antimony constituting antimony-based quantum dots to grow and form antimony-based quantum dots.
とくに、真空状態において、化合物半導体を所定温度に加温し、アンチモン分子線およびアンチサーファクタント分子線を照射して、化合物半導体表面上にアンチサーファクタントを付着させ、次いで、アンチサーファクタントが付着した化合物半導体表面上に、アンチモン分子線およびアンチモン系量子ドットを構成するアンチモン以外の元素の分子線を照射してアンチモン系量子ドットを成長させて形成する。 - 特許庁 - The element 20 for controlling total reflecting condition of light includes a translucent substrate 32 having a principal surface, a first film 34 made of elastomer formed on the principal surface, a magnetic material layer 36 formed with magnetic particles scattered evenly on the first film 34, a second film 38 made of elastomer formed on the magnetic material layer 36, and a grating 40 press-fixed from above the second film 38.
光の全反射条件制御素子２０は、主表面を有する透光性の基体３２と、主表面上に形成されたエラストマーからなる第１の膜体３４と、第１の膜体３４上に一様に散布された磁性体の粒子により形成された磁性体層３６と、磁性体層３６上に形成されたエラストマーからなる第２の膜体３８と、第２の膜体３８上から圧着された格子体４０とを含む。 - 特許庁 - The substrate for loading the optical semiconductor element includes an insulating layer and a plurality of wiring circuits formed on its surface, a base substrate having at least one opening for forming an external connection terminal which extends to the wiring circuit through the insulating layer, and an optically reflected member disposed on the surface of the base substrate to form at least one recess as a loading region for optical semiconductor device.
絶縁層と該絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、上記絶縁層を貫通し上記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板、及び上記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材を備えることを特徴とする光半導体素子搭載用基板を提供する。 - 特許庁 - The light-emitting element is provided with a first electrode and a second electrode set in opposition, at least either being transparent or translucent, and a light-emitting layer pinched between the first electrode and the second electrode structured of light emitter particle powder including light emitter particles with the surface coated with a hole transport material and with conductive nanoparticles carried on the surface of the hole transport material.
発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された発光層であって、発光体粒子の表面が正孔輸送材料で被覆され、該正孔輸送材料の表面に導電性ナノ粒子が担持された発光体粒子を含む発光体粒子粉末で構成された、発光層と、を備える。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a silicon single crystal wafer that simply and effectively reduces minute waviness in a nanotopography region existing on the surface of a general (mirror surface-polishing) silicon wafer, reduces the manifestation of film thickness irregularity of a thin film by the CMP polishing treatment, and has improved nanotopography flatness where reduction in performance in the CMP process is not induced when performing the STI device element separation method.
ＳＴＩデバイス素子分離手法を実施するに際し、一般のミラー（鏡面研磨）シリコンウエハ表面に存在するナノトポグラフィー領域の微小うねりを簡易に、かつ、有効に減少させ、前記ＣＭＰ研磨処理により形成する薄膜の膜厚ムラの発現を減少させ、ＣＭＰ工程におけるパフォーマンス低下を誘引することがないナノトポグラフィー平坦性が改善されたシリコン単結晶ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The surface acoustic wave element chip 10 to solve the task above provided with an exciting electrode 14 located on one principal side of a piezoelectric substrate 12 is characterized in adopting a raw substrate of the class C or below stipulated in the JIS standards for the raw substrate for manufacturing the piezoelectric substrate 12 to suppress a displacement of vibration excited on the surface of the piezoelectric substrate 12 within a range which the exciting electrode 14 withstands.
上記課題を解決するための弾性表面波素子片は、圧電基板１２の一主面に励振電極１４を設けた弾性表面波素子片１０であって、前記圧電基板１２の表面に励起される振動の変位を前記励振電極１４が耐え得る範囲に抑えるために、前記圧電基板１２を製造するための素板として、ＪＩＳ規格に定める等級Ｃ以下のものを採用したこをと特徴とする。 - 特許庁
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