「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 344 345 346 347 348 349 350 351 352 .... 368 369 次へ＞- This invention relates to a reflective base photographic element including a base including a biaxially oriented polymer sheet having a micro void layer whose upper surface has L* of at least 93.5 and an image forming layer whose exposure range is 125 nsec to 0.5 sec when the loss of the shoulder of status A reflection density as the function of cyan recording is ≤8%.
本発明は、上部表面のＬ^* が少なくとも93.5であるミクロボイド化二軸配向ポリマーシートを含む支持体と、シアン記録の関数としてのステータスＡ反射濃度の肩部の損失が８％以下である場合の露光域が 125ナノ秒〜 0.5秒である像形成層とを含んでなる反射型ベース写真要素に関する。 - 特許庁 - To provide a hard and strong silicone resin base material which can be used for substrates and packages of an optical element and an electrical device including a light-emitting diode and is compatible with a lead free reflow and can perform a precise forming without any shrinkage and is not yellowed and deteriorated with light and heat and can perform surface treatment such as plating.
発光ダイオードを始めとする光学素子や電気素子の基板やパッケージに用いることができ、鉛フリーリフローに耐え、ひけを生じることなく精密な成形ができ、光や熱で黄変したり劣化したりせず、メッキなどの表面加工を施すことができ、硬くて丈夫なシリコーン樹脂基材を提供する。 - 特許庁 - The conductive layer 3 forms a pair of lead electrodes 31, 32 of the light emitting device 50 separated from each other on the insulating layer 21, and the reflective layer 22 is formed other than at least of an area for placing the light emitting element 5 and exposes lead parts 31c, 32c of lead electrodes 31, 32 to a surface.
導電層３は絶縁層２１上で互いに離間した、発光装置５０の一対のリード電極３１，３２を形成し、反射層２２は、少なくとも発光素子５の載置領域を空けて形成されて、リード電極３１，３２のリード部３１ｃ，３２ｃを表面に露出させていることを特徴とする。 - 特許庁 - The paper sheet detector 10 involves: forming a cylindrical drum 20 rotated by kept into contact with the paper sheet 60 by using a light-transmissive body; fixing and installing an optical element section 30 to and in the drum 20; and interposing a filter 40 transmitting specific light to the peripheral surface of the drum 20.
この発明の紙葉類検出装置１０では、紙葉類６０に接して回動する円筒形のドラム２０を透光体により形成するとともに、このドラム２０内に光学素子部３０を固定設置し、このドラム２０の周面に特定の光を透過させるフィルター４０を配設するようにした。 - 特許庁 - In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer and a conductive layer are alternately laminated for mutual bonding, the clearance between the piezoelectric substrate layer and the conductive layer is formed, and the region of the clearance should be 10% or smaller of the entire area of the conductive layer, when the surface of the conductive layer is seen in a plan view.
圧電体層と導体層とを交互に積層し、相互に接着された積層型圧電素子であって、前記圧電体層と導体層との間に隙間が形成されてなり、前記導体層面を平面視したときに、その隙間の領域は、前記導体層の全面積の１０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The imaging module 1 includes an imaging apparatus 10 comprising an imaging element 12 and lenses 14, 15 and 16; and a cover member 2 with a photographing opening 3 formed, and which protects front faces of the lenses 14, 15 and 16 of the imaging apparatus 10, wherein a crimp face 4a is formed on the surrounding outer surface of the opening 3 of the cover member 2.
撮像素子１２及びレンズ１４，１５，１６を備える撮像装置１０と、撮影用の開口３が形成されており、撮像装置１０のレンズ１４，１５，１６の前面を保護するカバー部材２とを含む撮像モジュール１であって、カバー部材２の開口３の周囲外表面にしぼ面４ａを設けた。 - 特許庁 - The electric furnace is provided with the furnace wall, a linear body with both end parts in the axial direction respectively embedded in the furnace wall and a center part projected from an inner surface of the furnace wall, continuously folded in a zigzag shape or a wave shape vertically, and the heating element inserted in the projecting part of the linear body.
本発明の電気炉は、炉壁と、この炉壁内にその軸方向両端部を夫々埋め込み中央部を炉壁内面から突出せしめた、ジグザグ状や波状に上下に連続して折り曲げられた線状体と、上記線状体の上記突出部分内に挿入せしめた発熱体とよりなることを特徴とする。 - 特許庁 - With pair of conductors led out from the solar cell element in the panel 4 connected electrically to the connection terminal, an internal angle corner comprising the main body housing 22 and alignment housing 39 hits the outside surface at the corner of the panel 4, so that the connector 20 is fitted to the corner of the panel 4.
パネル部４内の太陽電池素子から引出された一対の導体が被接続端子に電気的に接続された状態で、本体ハウジング部２２と位置決めハウジング部３９とで構成される入隅コーナ部をパネル部４のコーナ部外側面に当接させることにより、コネクタ２０がパネル部４のコーナ部に取付けられる。 - 特許庁 - The projection image quality securing members such as the optical filter 21 and the shading mask 33 for giving prescribed quality to the image of a subject projected by an objective optical system 3 on the imaging surface of the solid imaging element 11 are disposed inside a portion air-tightly enclosed by a package housing 13 and cover glass 14.
対物光学系３により固体撮像素子１１の撮像面に投影される被写体の像に所定の品質を付与するための光学フィルタ２１や遮光マスク２２等のような投影像品質確保部材を、パッケージハウジング１３とカバーガラス１４とで気密に囲まれた部分内に配置した。 - 特許庁 - The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.
この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁 - The light source device 1 is provided with a mounting board 2 having a plate-shaped first metal layer 23 mounted on its upper surface and composed of a metal material and at least one light emitting device 4 which is mounted on an upper face side of the mounting board 2 so as to contact the first metal layer 23 and has a light emitting element.
光源装置１は、板状をなし、その上面に形成され、金属材料で構成された第１の金属層２３を有する搭載基板２と、搭載基板２の上面側に第１の金属層２３と接触するように搭載され、発光素子を有する少なくとも１つの発光装置４とを備えている。 - 特許庁 - In the transparent electrode of a power generation element for generating power by making the light from the transparent electrode side incident on a power generating film, bonded tightly to a transparent electrode film, and the transparent electrode film bonded tightly to the power generating film is set as an irregular surface of such a structure as an aggregate of irregular structures.
透明電極膜と発電膜が密着し、透明電極側から該発電膜に光を入射させて、発電をする発電素子の透明電極において、前記発電膜と密着する透明電極膜の面が、凹凸面であって、該凹凸面の表面の構造が、滑らかな凹面状の構造の集合体とする。 - 特許庁 - In the photoelectric converting element, a concavo-convex structure is formed on an interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer and the interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer has a specific surface area which is 1.5 to 10 times larger than that of an interface between the transparent conductive layer and the organic semiconductor layer A.
また、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Ａとの界面に対して、有機半導体層Ａと光電変換層との界面が１.５〜１０倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 - 特許庁 - To improve the beam quality of a converted beam obtained after wavelength conversion and to bond a coat substrate to an optical waveguide substrate, in a wavelength conversion element for forming a wavelength conversion part in a ridge type optical waveguide of an optical waveguide substrate and bonding the coat substrate to the surface of the optical waveguide substrate.
光導波路基板のリッジ型光導波路中に波長変換部を形成し、光導波路基板の表面に被覆基板を接着するタイプの波長変換素子において、波長変換後の変換光のビーム品質を向上させると同時に、被覆基板を光導波路基板に接着可能とする。 - 特許庁 - A piezoelectric element piece used for this application has a water-repellent treated film formed by a spray or dipping method using a fluoride paint, or formed by a reduced or atmospheric pressure plasma processing method using a gas containing fluorine or fluorine compound so as to surround an adhesive surface fixed to a plug.
プラグに固定される接着面を囲むように、フッ化物系塗料をスプレー法またはディッピング法により撥水処理膜が形成、あるいは、フッ素またはフッ素化合物を含んだガスを用いて減圧プラズマ処理法または大気圧プラズマ処理法により撥水処理膜が形成された圧電素子片を用いる。 - 特許庁 - This element 30 has a substrate 21 consisting of material having an electro-optic effect, a Mach-Zehnder type waveguide 27 formed on the main surface of this substrate 21, a signal electrode 24 and grounding electrodes 25-1 and 25-2 for controlling the light waves guided in this optical waveguide.
本発明の光導波路素子３０は、電気光学効果を有する材料からなる基板２１と、この基板の主面に形成されたマッハツエンダー型光導波路２７と、この光導波路中を導波する光波を制御するための信号電極２４及び接地電極２５−１及び２５−２とを具える。 - 特許庁 - At the same time, an abutting part 24 abutted to the outer peripheral edge of the introduction port side end face in the filter element 14 is provided on the inner side of the filter case 11, and the abutting state of the sealing member 16 and the sealing surface 23 is to be kept by the abutting part 24 in a state that air flow of an engine is not formed.
これとともに、フィルタエレメント１４の導入口側端面の外周縁に当接される当接部２４をフィルタケース１１の内側に設け、エンジンのエア流が形成されていない状態でシール部材１６とシール面２３との当接状態を当接部２４により保持するようにした。 - 特許庁 - A magnetic toner comprising a magnetic material containing an element except for Fe and a binder resin containing a vinyl resin having a carboxyl group and a vinyl resin having an epoxy group is used in combination with an image forming device equipped with a photoreceptor having a surface layer containing fluorocarbon resin particles dispersed in a polymer having an allylate structure.
Ｆｅ以外の元素を含む磁性体と、カルボキシル基含有ビニル樹脂及びエポキシ基含有ビニル樹脂を含む結着樹脂とからなる磁性トナーを、ありレート構造を有する重合体にフッ素系樹脂粒子を分散させた表面層を有する感光体を備えた画像形成装置に組み合わせて用いる。 - 特許庁 - Each pixel processing module has a circuit for interpolating the polygon rendering data, and a circuit for generating "s/q" and "t/q, " reading texture data from the corresponding storage module through the secondary memory using the texture address corresponding to the "s/q" and "t/q, " and mapping the texture data on the surface of the graphic element of the display data.
各ピクセル処理モジュールが、ポリゴンレンダリングデータを補間する回路と、「ｓ／ｑ」および「ｔ／ｑ」を生成してこれらに応じたテクスチャアドレスを用いて２次メモリを介して対応する記憶モジュールからテクスチャデータを読み出し、表示データの図形要素の表面へのテクスチャデータの張り付け処理を行う回路とを有する。 - 特許庁 - A frame-like frame body 7 having liquid-repellent properties is formed around the outer-periphery surface of a flat sealing substrate 6 that opposes a flat element substrate 1; a moisture-absorbing material solution is applied to the inside of the flat sealing substrate 6 surrounded by the frame body 7; and a layer 8 containing a moisture absorbing substance is formed by curing.
平板素子基板１と対向する平板封止基板６の外周面を周回して撥液性を有する枠状の枠体７を形成し、この枠体７で囲まれた平板封止基板６の内側に吸湿材溶液を塗布し、硬化して吸湿性物質を含む層８を形成する。 - 特許庁 - To provide a vibrator that can improve the degree of the adhesion of a joining surface by using a small number of part items by suppressing a mechanical loss generated when vibration is excited to the vibrator, in the mechanical join and the electric connection of an electromechanical energy conversion element and a conduction component, and to provide a vibration wave drive unit.
電気−機械エネルギ変換素子と導通部品の機械的結合及び電気的接続において、振動子に振動を励起した時の機械的損失を少なくし、結合面の密着度合いを良好にすることを少ない部品点数で可能にした振動子及び振動波駆動装置を提供する。 - 特許庁 - A spiral-form membrane element 1 is constituted by superposing separation membranes on both faces of a permeating liquid flow passage material and bonding three sides so as to form an envelope-like membrane, mounting an opening part of the envelope-like membrane on a water collection pipe 5 and winding the membrane together with a raw liquid flow passage material on an outer peripheral surface of the water collecting pipe 5.
スパイラル状膜要素１は、透過液流路材の両面に分離膜を重ね合わせて、３辺を接着することにより封筒状膜を形成し、その封筒状膜の開口部を集水管５に取り付け、原液流路材とともに集水管５の外周面にスパイラル状に巻回することにより構成される。 - 特許庁 - A contact face of a specified switch 22a of which the distance from the semiconductor element 30 in a surface direction of the substrate is within a prescribed range with the protruding part 42a protruded toward this has a smaller area compared with the contact face of an unspecified switch 22b except the specified switch 22a with the protruding part 42b protruded toward this.
基板２０の面方向における半導体素子３０からの距離が所定範囲内にある特定スイッチ２２ａとこれに向けて突出する突起部４２ａとの接触面が、特定スイッチ２２ａ以外の非特定スイッチ２２ｂとこれに向けて突出する突起部４２ｂとの接触面に比べて面積が小さい。 - 特許庁 - The hollow elongate port adapter is inserted through the port into the fluid passway such that, (i) the furthest end of the insertion side is flush with or slightly recessed under the inner surface of the compression manifold, (ii) the flange is seated on the port, and (iii) the elastomeric sealing element forms a substantially aseptic water-tight seal within the fluid passway.
中空延長ポートアダプタが、（ｉ）挿入端部の最遠位端が圧縮マニホルドの内側表面と面一であるか、僅かに引っ込んでおり、（ｉｉ）フランジがポート上に着座し、（ｉｉｉ）エラストマー状シール要素が流体通路内に無菌性水密シールを形成するように、ポートから流体通路に挿入されている。 - 特許庁 - To overcome the disadvantages of a massage machine such as the lost-motion massage and lost-motion padding above the shoulder position, and operator's impossibility of reaching the position of a user's shoulder by adapting the amount of projection of an operating element from the backrest surface and the position in the shoulder length direction to the shape of the back of a user.
マッサージ機において、施療子の背当面からの突出量や肩幅方向における位置を、使用者の背の形状に適合させることが可能となり、また、肩位置より上のところで空揉みや空叩きをしたり、施療子が使用者の肩位置まで到達しない等の不具合を解消できるようにする。 - 特許庁 - An upper surface of an operating panel part 18 having an operating button part 28 and a display window 33 is covered with a panel sheet 20, and within the operating panel part 18, a control device 30 having a switch 31 provided at a position corresponding to the operating button part 28 and a display element 32 provided at a position corresponding to the display window 33 is arranged.
操作ボタン部２８と表示窓３３とを有する操作パネル部１８の上面をパネルシート２０により覆い、操作パネル部１８の内方に操作ボタン部２８に対応した位置に設けたスイッチ３１と表示窓３３に対応した位置に設けた表示素子３２とを有する制御装置３０を配する。 - 特許庁 - A detecting element 21 of the hydrogen sensor is made up in the form like a round rod and composed of a porous layer 27, inner electrodes 29, 30, a solid electrolyte layer 28, outer electrodes 31, 32, a gas diffusion layer 33 and a fine layer 34, which are formed on the outer circumference side of a heater section 22 by using a curved surface printing method or the like.
水素センサの検出素子２１は、ヒータ部２２の外周側に曲面印刷等の手段を用いて形成された多孔質層２７、内側電極２９，３０、固体電解質層２８、外側電極３１，３２、ガス拡散層３３および緻密層３４からなり、全体として円形のロッド状をなす構造とする。 - 特許庁 - To provide an electrochromic mirror having no incomplete erasing, even when coloring is continued for a long time, and which has superior responsiveness, regardless of the size of element and hardly generating initial coloring deviation, even when a reflection conductive substrate having a surface resistance value lower than that of a transparent conductive substrate is used.
長時間着色を継続した場合でも消え残りが発生することなく、また素子の大きさにかかわらず応答性に優れ、さらに透明導電性基板に比べて表面抵抗値の低い反射性導電性基板を使用した場合でも着色初期の偏りが生じにくいエレクトロクロミックミラーを提供する。 - 特許庁 - A flat display device includes a plurality of scanning lines Y, a plurality of signal lines X, a plurality of display pixels PX located at cross positions of the scanning lines Y and the signal lines X and including a surface conduction type electron emission element, a video processing circuit 4, a scanning line driver 3, and a signal line driver 2.
平面表示装置は複数の走査線Ｙと、複数の信号線Ｘと、これら走査線Ｙおよび信号線Ｘとの交差位置に配置され表面伝導型電子放出素子を含む複数の表示画素ＰＸと、映像処理回路４と、走査線ドライバ３と、信号線ドライバ２とを備える。 - 特許庁 - A circuit module, which includes at least one application specific integrated circuit (ASIC) 504 and a plurality of vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) array module 520, is formed by using a standard ceramic or organic multi-chip module (MCM) package substrate 500 , thereby, the element of a high density, having a foot print is attained.
少なくとも１つの特定用途向け集積回路（ASIC）504及び複数の垂直共振器型面発光レーザ（VCSEL）アレイモジュール520を含む回路モジュールが、標準的なセラミック又は有機マルチチップモジュール（MCM）パッケージ基板500を使用して形成され、その結果として小さなフットプリントを有する高密度の素子が得られる。 - 特許庁 - When a mode related to an optical axis adjusting function is commanded by a mode changeover switch 18, the control circuit 21 controls the drive of the shift lens 13 via the shift lens drive circuit 23 so as to uniformize pixel variations per unit time on an image surface of the image pickup element 15 irrelevant to a focal distance of the zoom lens 12.
制御回路２１は、モード切替スイッチ１８によって光軸調整機能に係るモードが指示された場合、ズームレンズ１２の焦点距離に関わらず撮像素子１５の像面上における単位時間当りの画素変化量が一定になるように、シフトレンズ駆動回路２３を介してシフトレンズ１３の駆動制御を行う。 - 特許庁 - In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.
本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁 - At least the molding face 1a of the die for an optical element is subjected to ion implantation with argon ions 10 progressing in the direction at 70° to 110° angle θ from the tangential plane (A) in the center of the molding face 1a to form a film having minute crystal grains on the surface of the molding die face 1a.
光学素子成形用型の少なくとも成形面１ａに対し、この成形面１ａの中心における接平面Ａとのなす角度θが７０°〜１１０°である方向から進行するアルゴンイオン１０によってイオン注入を施こし、成形面１ａの表面に微細な結晶粒が存在する膜を形成する。 - 特許庁 - The piezoelectric element formed on the surface of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 has a multilayered structure provided with a piezoelectric layer 31 consisting of an upper layer piezoelectric material 34 and a lower layer piezoelectric material 35 which are alternately laminated, and electrode layers 36, 37, 35 for generating an electric field to be applied to the layer 31.
圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備えた多層構造とする。 - 特許庁 - In order to attain the purpose, the substrate for an EL element is structured so as to have a substrate, a first electrode layer formed on the substrate in a patterned form, a light emitting part formed on the first electrode layer, and a protective layer formed so as to cover the surface of the light emitting part.
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするＥＬ素子形成用基板を提供する。 - 特許庁 - Moreover, a gate oxide film 13 is formed on the surface of the layer 3 between the regions 9 and 10, a polysilicon layer 14 is formed on the film 13 and an insulated-gate transistor, which uses the region 9 as its source region and uses the region 10 as its drain region, is formed in the one element region.
また、Ｐ^+ ベース領域９、Ｐ^+ 過剰キャリア除去用領域１０の間のＮ^- 層３の表面にゲート酸化膜１３が形成され、その上にポリシリコン層１４が形成されて、Ｐ^+ ベース領域９をソース領域としＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０をドレイン領域とする絶縁ゲート型トランジスタが形成されている。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor device including an optical element that does not degrade transmission of a light due to discoloration of a light-receiving surface even in the optical semiconductor device receiving high-density output light with high energy such as blue-violet laser or the like and that can be easily manufactured at low cost, and to provide its manufacturing method.
青紫色レーザなどの、高エネルギーで高密度の出力の光を受光する光半導体装置でも、受光面が変色して光の透過率を低下させることなく、また、容易に製造することができて安価に得られる受光素子を有する光半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The magnetoresistive element 1 includes a structure in which an insulating layer 15 is laminated on a magnetization fixed layer 14 and a free magnetic layer 16 is laminated on the insulating layer 15, the magnetization fixed layer 14 having an oxygen-bonding layer having a thickness of two oxygen atoms or less, formed on its upper surface.
磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 - 特許庁 - The optical device controls the phase difference due to polarization direction of incident light in a scale equal to or below wavelength by utilizing structural birefringent effect locally caused by nearly periodical rugged structure, wherein the height or depth of the rugged structure is not uniform in surface of the optical element.
波長以下のスケールの、局所的にみてほぼ周期的な凹凸構造によって生じる構造性複屈折効果を用いて、入射光の偏光方向による位相差を制御する光学素子であって、前記凹凸構造の高さ又は深さが素子の面内において一様でないことを特徴とする光学素子。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.
基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁 - The surface-mounting temperature sensing element 1a has a first terminal electrode 3 and a second terminal electrode 4 formed to the sides of a glass epoxy substrate 2 and the thermistor 7a in which one terminal is connected to the first terminal electrode 3 while the other terminal is connected to the second terminal electrode 4 through a resistor 6a.
表面実装型温度検出素子１ａは、ガラスエポキシ基板２の辺部に形成される第１の端子電極３及び第２の端子電極４と、一方の端子が第１の端子電極３に接続されるとともに、他方の端子が抵抗６ａを介して第２の端子電極４に接続されるサーミスタ７ａを有する。 - 特許庁 - In the semiconductor device in which the thin film (106) containing the metal oxide is formed on a semiconductor element, the thin film (106) is an aggregate of crystal particles formed of the metal oxide, and each of the crystal particles is bonded to an adjacent one of each at a part of its surface.
半導体デバイスは、半導体素子上に、金属酸化物を含む薄膜(106)が形成されてなる半導体デバイスであって、薄膜(106)は、金属酸化物よりなる複数の結晶粒子(106a)の集合体であり、複数の結晶粒子(106a)の各々は、表面の一部において、隣接する結晶粒子と結合している。 - 特許庁 - Aluminum pad electrodes are provided on a semiconductor element, metal electrodes are formed thereon, a photosensitive thermosetting resin layer is provided, the resin layer on the metal electrodes is removed through a mask and in an exposure-developing process, and an anisotropically conductive resin layer is formed on the metal electrodes surfaces and the photosensitive thermosetting resin layer surface.
半導体素子上にアルミパッド電極を設けさらにこの上に金属電極を形成した上に、感光性熱硬化性樹脂層を設け、マスクと露光現像工程とによって金属電極上の樹脂層が除去し、金属電極表面と感光性熱硬化性樹脂表面に異方導電性樹脂層を形成する。 - 特許庁 - The ferroelectric memory element 1A is configured in a way that there are stacked an organic ferroelectric layer 12 made of an organic ferroelectric, and an organic semiconductor layer 13 made of an organic semiconductor on at least one surface of the organic ferroelectric layer 12 between first and second electrodes 11, 14 facing each other.
本発明に係る強誘電体記憶素子１Ａは、互いに対向する第１及び第２電極１１、１４間に、有機強誘電体から成る有機強誘電体層１２と該有機強誘電体層１２の少なくとも一方面に有機半導体から成る有機半導体層１３とが積層されている構造である。 - 特許庁 - The piezoelectric element of the present invention includes a substrate having a pair of opposed main surfaces, a lower electrode layer disposed on one main surface of the substrate, a piezoelectric layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the piezoelectric layer, the lower electrode layer being made of nickel acid lanthanum-based ceramics.
本発明の圧電体素子は、一対の対向する主面を有する基板と、その基板の一方の主面上に配置した下部電極層と、その下部電極層上に配置した圧電体層と、その圧電体層上に配置した上部電極層とを有しており、下部電極層はニッケル酸ランタン系セラミックスからなる。 - 特許庁 - To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.
エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁 - Each organic EL element 11 has laminated structure formed by laminating an anode 29, a light emitting organic EL luminescent layer 30, and a transparent cathode 31 in order on the one surface 15a of the first substrate 15, and a common transparent electrode 33 of the cathode 31 is a common layer of all organic EL elements.
各有機ＥＬ素子１１は、第一基板１５の一方の面１５ａにアノード電極２９、発光する有機ＥＬ発光層３０、透明なカソード電極３１が順に積層された積層構造となっており、カソード電極３１の共通透明電極３３は全ての有機ＥＬ素子１１の共通層となっている。 - 特許庁 - The first and the second electrode pads 3a, 5a each includes a part having substantially the same shape as that of the corresponding back electrode 23 or the corresponding surface electrode 25, and four projecting parts projecting outward by a distance D_1 from a location corresponding to four corners of the part along a diagonal line of the semiconductor element 20.
第１および第２電極パッド３ａ、５ａは、対応する裏面または表面電極２３、２５と実質的に同一の形状を有する部分と、該部分の四隅に相当する位置から半導体素子２０の対角線に沿って外向きに距離Ｄ_１だけ突出した４つの突出部分とからなっている。 - 特許庁 - Further, the semiconductor package has a semiconductor element mounted on the interposer, and the method of manufacturing the interposer includes a step of forming the conductor pattern on a metal foil of the prepreg formed by bonding the metal foil to the one surface by etching and a step of forming the coating layer so as to cover at least the part of the conductor pattern.
また、半導体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載しており、インターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - Accordingly, the exposure preventive films 122 in minute film coupling structure are formed between the sidewall insulating films 120 and the insulator buried in films 130 so that any exposing trenches of the surface of the semiconductor substrate 100 may not be formed between the active region wherein the gate electrodes 162 are formed and the trench element isolating region.
従って、膜の結合構造が緻密な露出防止膜１２２を側壁絶縁膜１２０と絶縁物埋込層１３０との間に形成することにより、ゲート電極１６２が形成される活性領域とトレンチ素子分離領域との間に半導体基板１００の表面を露出する溝が形成されないようにする。 - 特許庁
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