「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 345 346 347 348 349 350 351 352 353 .... 368 369 次へ＞- To provide a CMOS image sensor and its manufacturing method, capable of improving light receiving characteristics such as low illuminance characteristics, by implanting impurity ion in the part where the silicon lattice structure of a trench inner wall in an element separation region is damaged, to prevent a photodiode from being damaged, for protecting the surface of a photodiode region.
素子分離領域のトレンチ内壁のシリコン格子構造が損傷された部分に不純物イオンを注入してフォトダイオードが損傷されるのを防止してフォトダイオード領域の表面を保護し、低照度特性などの受光特性を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of forming the element isolation trench, the upper end of the liner 14 composed of the silicon nitride film is exposed by downwardly retreating the top surface of a first embedded insulating film 17 packed in a groove 2a formed into a silicon substrate 1, after the liner 14 is caused to deposit on the internal wall of the groove 2a.
本発明による素子分離溝の形成方法は、シリコン基板１に形成した溝２ａの内壁に窒化シリコン膜ライナー１４を堆積した後、溝２ａの内部に充填した第１の埋め込み絶縁膜１７の上面を下方に後退させ、窒化シリコン膜ライナー１４の上端部を露出させる。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.
最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁 - A return light flux SP1 from a recording surface is inputted to a hologram element 57 which has a diffraction area equal to or smaller than a diameter of an opening matching wavelength of an output light flux obtained at a diffraction objective lens, and a photodetector receives a diffracted light from the diffraction areas of the hologram elements 57a to 57c.
記録面からの戻り光束ＳＰ１は、回折型の対物レンズで得られる出射光束の波長に対応した開口径に対応する径以下の外径を有する回折領域を備えるホログラム素子５７に入射され、ホログラム素子の回折領域５７ａ〜５７ｃからの回折光は光検出器で受光される。 - 特許庁 - To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.
リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁 - This paper is obtained by fixing natural radioactive rare element mineral fine particles containing thorium oxide and its isotope within the range of total amount of 0.1-2 wt.% and having 0.1-1 μm average particle diameter onto fiber surface with a water-soluble polymer and an emulsion type binder and making the fiber into paper.
酸化トリウム及びその同位体を合計０．１〜２重量％の範囲内で含有し、平均粒子径が０．１〜１μｍの範囲内の天然放射性希有元素鉱物微粒子を水溶性ポリマー及びエマルジョン型バインダーにより繊維の表面に定着させ、その繊維を抄紙して得られるものである。 - 特許庁 - The semiconductor device (100) includes an external connecting terminal (2) formed on an active surface of a semiconductor element (1), the pedestal (10a) formed on the external connecting terminal, and the solder ball (7) fixed on the pedestal, wherein the pedestal is provided with a selection plating layer (6).
半導体素子（１）の能動面上に形成される外部接続端子（２）と、前記外部接続端子上に形成される台座（１０ａ）と、前記台座上に固着される半田ボール（７）と、を有する半導体装置（１００）であって、前記台座が選択メッキ層（６）を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - Alternatively, on the active material layer, at least part of a surface of a particle of Mg_2A or LaA_2 and a particle of the element A are coated with a metal material with low forming ability of a lithium compound, as well as a gap is preferably formed between the particles coated with the metal material.
あるいは、活物質層においては、Ｍｇ_2Ａ又はＬａＡ_2の粒子及び元素Ａの粒子の表面の少なくとも一部が、リチウム化合物の形成能の低い金属材料で被覆されているとともに、該金属材料で被覆された該粒子どうしの間に空隙が形成されていることが好ましい。 - 特許庁 - The surface conduction type electron emission element is manufactured in such a way that a photocatalyst material film 6 is formed on an electron emission part forming thin film 3, an electron emission part 2 is formed by foaming treatment, and an activation process for depositing carbon films in an electron emission part 2 under the existence of oxygen gas while light is irradiated is applied.
電子放出部形成用薄膜３上に光触媒材料膜６を形成し、フォーミング処理により電子放出部２を形成した後、光照射しながら酸素ガスの存在下で電子放出部２にカーボン膜を堆積する活性化工程を行って表面伝導型電子放出素子を製造する。 - 特許庁 - The check valve 19 comprises a bulkhead 20 with the valve holes 21, and a platelike valve element 26 movable between a valve closing position where it butts on a substantially overall region of a wall surface of the bulkhead 20 to close the valve holes 21 and a valve opening position where it separates from the bulkhead 20 to open the valve holes 21.
逆止弁１９は、弁孔２１を有する隔壁２０と、隔壁２０の壁面のほぼ全域に亘って当接することで弁孔２１を閉塞する閉弁位置と、隔壁２０から離間することで弁孔２１を開放する開弁位置との間で移動する板状の弁体２６とを備えている。 - 特許庁 - There is produced as a result of reaction AlN, a nitride on a main surface of a sapphire substrate by heating the sapphire substrate to at least 1,300°C or higher, under the atmosphere of mixed gas which takes nitrogen gas containing gas as a chief component with oxidative oxygen element containing gas such as water (water vapor gas) or O_2 gas.
窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分（水蒸気ガス）あるいはＯ_2ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも１３００℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるＡｌＮを反応生成させる。 - 特許庁 - A recess, such as a hole and a microchannel, is formed on the surface of the crystal substrate 20 in the SOI substrate thus obtained, machining required as a DNA chip and a micro fluidics chip is performed, and a silicon semiconductor element for analyzing and evaluating the sample adhered to and held by the recess is formed on the SOI layer 12.
このようにして得られたＳＯＩ基板の石英基板２０の表面にホールやマイクロ流路などの凹部を形成してＤＮＡチップやマイクロフルイディスクチップとして必要な加工を施し、ＳＯＩ層１２にはこの凹部に付着・保持された試料を分析・評価するためのシリコン半導体素子を形成する。 - 特許庁 - A pressing force of the cleaning parts to the imaging element surface is applied/released linked with operations of moving mechanisms of the driving part.
撮像素子表面に沿って移動可能に支持された清掃部１６，１７と、清掃部１６，１７を片持ち式に支持して移動させる移動機構１２，１３，３０を有し、撮像素子のいずれか一辺側に偏倚して配置された駆動部とを含み、駆動部の移動機構の動作に連動して、清掃部の撮像素子表面に対する押し圧力が付加・解除される。 - 特許庁 - To improve the insertability of resin into an insulating layer section directly under a heat spreader, in a resin-sealed semiconductor device transfer mold wherein a power semiconductor chip and a heat spreader are respectively bonded to lead frame 1st die pad front and rear surfaces and an active element chip is bonded to a 2nd die pad front surface.
リードフレームの第１ダイパッドの表面及び裏面にそれぞれ電力用半導体チップ及びヒートスプレッダが接合され、第２ダイパッドの表面に能動体素子チップが接合された樹脂パッケージ型半導体装置のトランスファーモールドにおいて、ヒートスプレッダ直下の絶縁層部への樹脂の注入性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a resin-packaged type semiconductor device wherein a semiconductor element mounted to a die pad and a lead is connected by a bonding wire and they are packaged by a mold resin and wherein the surface diffusion of a base metal is suppressed in an inner lead and the adhesion between the mold resin and the inner lead is ensured to easily prevent peeling of resin.
ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。 - 特許庁 - The quantum cascade laser element 1 is composed of a laminate 11 which is formed in a stripe shape along a predetermined direction on one major surface of a substrate 10, insulating layers 15 which are formed on both sides of the laminate 11, an insulating layer 16 and a metallic layer 17 which are formed in sequence on the laminate 11 and the insulating layers 15.
量子カスケードレーザ素子１は、基板１０の一方の主面上に、積層体１１が所定方向に沿ってストライプ状に形成され、この積層体１１の両側部に絶縁層１５が形成され、これら積層体１１および絶縁層１５の上に絶縁層１６および金属層１７が順に形成されている。 - 特許庁 - The plurality of connecting elements 13 are molded with conductive resins 12 having a volume resistivity of 1×10-2 Ωcm or less and the plurality of connecting elements 13 are mutually insulated, and both ends of the each connecting element 13 are protruded 0.05 mm-0.5 mm from both surface and back of the base sheet 5.
そして、複数の接続子１３を１×１０^-2Ω・cm以下の体積抵抗率を有する導電性樹脂１２を用いて成形するとともに、この複数の接続子１３を相互に絶縁し、各接続子１３の両端部を基材シート５の表裏両面からそれぞれ０．０５mm〜０．５mm突出させる。 - 特許庁 - A semiconductor memory device is equipped with active regions 2 and the STI region 3 which are formed on the main surface of a semiconductor substrate 1; and the capacitor element 11 which includes a lower electrode 7, a capacitor insulating film 9 formed of insulating metal oxide, and an upper electrode 10 as overlapping with the active regions 2 and the STI region 3 in a vertical direction.
半導体基板１の主表面に形成された活性領域２およびＳＴＩ領域３と、活性領域２およびＳＴＩ領域３と上下でオーバーラップ部を有する、下部電極７、絶縁性金属酸化物からなる容量絶縁膜９、および上部電極１０を含む容量素子１１を備える。 - 特許庁 - This sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film comprises a vacuum tank for maintaining the film deposition pressure, a vacuum pump for evacuating the vacuum tank, a power source for performing the sputtering, a gas introduction system required for the sputtering, a bias power source for applying the bias to a substrate, and an introduction unit for applying the bias to a predetermined part of the film surface.
成膜圧力を保持する為の真空槽、真空槽を排気する為の真空ポンプ、スパッタリングを行う為の電源、スパッタリングに必要なガス導入システム、基板にバイアスを印加させる為のバイアス電源、膜表面の特定部分にバイアスを印加する為の導入部で構成される圧電素子膜製造スパッタリング装置。 - 特許庁 - The original plate for the planographic printing plate is characterized by sequentially disposing an interlayer containing a compound which contains a metal element with two or more valences and a photosensitive layer containing an infrared ray absorbent, a radical generator and a radical polymerizable compound on an aluminum support which has a roughened surface with an anodic oxidation coating film formed thereon.
粗面化し陽極酸化被膜を形成したアルミニウム支持体上に、２価以上の金属元素を含む化合物を含有する中間層、赤外線吸収剤、ラジカル発生剤及びラジカル重合性化合物を含有する感光層を順次設けてなることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁 - Accordingly, it is possible to prevent that water content in the atmosphere is diffused into a GaN substrate 11 and a nitride semiconductor laminate 20 through the resonator end surfaces 16, 17, and water content is diffused as evaporated from the front surface of the stem, cap, and nitride semiconductor laser element 10 themselves of the nitride semiconductor laser device.
これにより、共振器端面１６、１７を通じてＧａＮ基板１１および窒化物半導体積層体２０に雰囲気中の水分ならびに窒化物半導体レーザ装置のステム、キャップおよび窒化物半導体レーザ素子１０自体の表面から蒸発してくる水分が拡散するのを防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a method for preparation of a lot of titanium oxide nano rods easily than a conventional method, and to provide a method for stably forming the nano rods directly on an electrode of an electric element, and to provide titanium oxide nano rods having a homogeneous large surface area, applicable to a dye sensitized solar battery, a sensor, photocatalyst or the like.
多量の酸化チタンナノロッドを既存の方法より容易に製造する方法を提供し、ナノロッドを直接電気素子の電極上に安定に形成する方法を提供し、さらに、均一で大きな表面積を有し、染料感応型太陽電池、センサ、光触媒などに利用できる酸化チタンナノロッドを提供する。 - 特許庁 - A surface mount crystal vibrator is composed of a ceramic package 1 which is in a rectangular parallelepiped shape on the whole and has a recessed storage part 1a having an opening on the top, a rectangular crystal diaphragm 2 which is a piezoelectric vibrating element put in the package, and a metallic lid which is bonded with the opening part of the package.
表面実装型水晶振動子は、全体として直方体形状で、上部が開口した凹形の収納部１ａを有するセラミックパッケージ１と、当該パッケージの中に収納される圧電振動素子である矩形水晶振動板２と、パッケージの開口部に接合される金属フタとからなる。 - 特許庁 - To provide a forming die production method which enables lead time reduction and cost saving in the production of a forming die material, the response to enhancement of the forming surface accuracy as a forming die, the securement of the comprehensive accuracy of the forming die and also enables to quickly, inexpensively provide a high-quality, high-performance optical element.
成形型素材の製造リードタイム及びコストを抑えて、更には、成形用型としての成形面精度の高精度化への対応と併せ成形型の総合的な精度確保が可能な成形用型の製造方法を提供して、高品質・高性能の光学素子を素早く廉価に提供できるようにする。 - 特許庁 - Either one of the anode and cathode of the semiconductor laser element 5 is connected to the wiring pattern 2c of the flexible wiring board 2 abutted to the upper surface 1a of the base 1, and the wiring pattern 2c is electrically connected to the base 1 through an opening 7 provided on the part to be abutted to the base 1 of the insulating layer 2b.
半導体レーザ素子５のアノードまたはカソードの何れかは、基台１の上面１ａに当接されたフレキシブル配線基板２の配線パターン２ｃに接続されており、配線パターン２ｃは、絶縁層２ｂの基台１に当接する部位に設けられた開口部７を介して、基台１に電気的に接続されている。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a mounting board with a semiconductor element mounted on one of its surfaces, a heat dissipation member provided on the other surface of the mounting board, and a fixing member for holding the mounting board in contact with the outer peripheral upper end of the board to fix the position of the board with respect to the heat dissipation member.
一方面に半導体素子を実装した実装基板と、前記実装基板の他方面に配置される放熱部材と、前記実装基板の外周上端部と当接して該実装基板を狭持し、前記放熱部材に対する該実装基板の位置を固定する傾斜面を有する固定部材と、を備える。 - 特許庁 - To provide an imaging part of an electronic endoscope which does not generate the degradation or damages or the like of an imaging surface when heated inside an autoclave device or the like even when it is the imaging part of the electronic endoscope structured such that a solid-state imaging element unit of an independently tightly sealed structure is attached to the rear end part of an objective optical system unit.
単独で密閉された構造の固体撮像素子ユニットが対物光学系ユニットの後端部に取り付けられた構造の電子内視鏡の撮像部であっても、オートクレーブ装置内で加熱されたとき等に撮像面の劣化、破損等が発生しない電子内視鏡の撮像部を提供すること。 - 特許庁 - An LED substrate 100 where multiple LEDs are 2-dimensionally arrayed on its surface, a base 112, a Peltier element 114, and a heat-sink fin 116 are integrally constituted by an energizing force of a compression spring 126, with the heat-sink fin 116 so provided to contact a light source case 88.
表面に多数のＬＥＤ（発光ダイオード）が２次元に配置されて構成されたＬＥＤ基板１００、ベース１１２、ペルチエ素子１１４、及び放熱フィン１１６を圧縮バネ１２６の付勢力によって一体構成すると共に、放熱フィン１１６を光源筐体８８に接触するように配置する。 - 特許庁 - A substrate 21, a first electrode 22 formed on the substrate 21, heat sink layers 25 formed on the surface of the first electrode 22 and contact holes 255 in the heat sink layers 25 are provided, and in the contact holes 255, organic light emitting layers 23 are contacted to the first electrode 22 to configure a light emitting element between second electrodes 24 formed above the first electrode 22.
基板２１と、前記基板上に形成された第１電極２２、第１電極の表面に形成された放熱層２５を設け、さらに前記放熱層内にコンタクトホールを設けて該コンタクトホールに於いて有機発光層２３が第１電極に接してその上の第２電極２４との間で発光素子を構成する。 - 特許庁 - In order to solve the problem, several kinds of conductors of different thicknesses composed of (copper and different kinds of metal plating other than copper) are arranged on the flat same base material surface inside a pattern area for loading the component element and the printed wiring board is attained having the three-dimensional solid circuit in the shape of two or more steps.
課題を解決するため、平坦な同一基材面に（銅＋銅以外の異種金属めっき）からなる厚みの異なる数種類の導体を部品素子を搭載するパターンエリア内に配置し、複数段の階段状となる三次元的な立体回路を有するプリント配線基板とするものである。 - 特許庁 - The exhaust pipe for an internal combustion engine includes a metal tube 5 enclosing a passage 6 through which an exhaust gas from the internal combustion engine passes, and a ceramic film 10 covering the metal tube from the outside, the ceramic film 10 contains no more than about 0.5 mass% of a metallic element which is dominantly present in a surface of the metal tube 5.
本発明による内燃機関用排気管は、内燃機関からの排気ガスが通過する通路６を囲む金属管５と、金属管５の外側を覆っており、金属管５の表面に主として含まれる金属元素の含有率が０．５質量％以下であるセラミックス膜１０とを備えている。 - 特許庁 - A microlithography projection optical system 101 includes a plurality of elements which are arranged so as to form an image of radiation light from an object plane 103 to an image plane 102, where at least one of these elements is a reflecting element which is located in a path of radiation light ad has a rotational asymmetrical surface.
放射光を物体平面１０３から像平面１０２に結像するように配列された複数の素子を含み、これらの複数の素子のうちの少なくとも１つは放射光の経路内に位置する回転非対称面を有する反射素子であるマイクロリソグラフィ投影光学系１０１を特徴とする。 - 特許庁 - The corrosion detection element of the steel material in concrete includes the sensor wiring 26 made of a metal arranged on an insulating substrate 20, electrodes 24 and 28 which keeps the sensor wiring 26 connected and are connected to external wiring, and a protective film 38 having the same composition as the protective film on the surface of the steel material in concrete 12 to cover the sensor wiring 26.
絶縁基板２０上に配線された金属製のセンサ配線２６と、センサ配線２６が接続されているとともに外部の配線につながれた電極２４，２８と、コンクリート１２中の鋼材表面の保護皮膜と同様の組成でセンサ配線２６を被覆した保護皮膜３８とを備える。 - 特許庁 - Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.
そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁 - To provide a screen quality enhancing element capable of forming a film contributing to improvement of color purity and contrast by absorbing reflected light caused by external light using an optical interference function in a state of maintaining sufficient screen quality by adhering to a surface of a transparent base material and preventing deterioration of picture resolution.
透明基材の表面上に密着し、画像解像度の低下を防止し、充分な画面品位を保持した状態で、外光による反射光を光学干渉機能を利用して吸収し、色純度向上、コントラスト向上に寄与する膜を形成できる画面品位向上エレメントを提供する。 - 特許庁 - Shape change detecting means (74, 75) detecting various changes of the shape in the exposed surface part of the fastener elements are arranged above the fastener chain (SC) traveling while guided by the guide members (70, 71, 71a, 71b) to detect the change of shape resulting from the defective attachment of the fastener element by the detecting means (74, 75).
前記ファスナーエレメントの露出表面部分における各種の形態変化を検出する形態変化検出手段(74,75) を、前記案内部材(70,71,71a,71b) に案内されて走行する前記ファスナーチェーン(SC)の上方に配し、前記検出手段(74,75) によってファスナーエレメントの取付不良による形態変化検出する。 - 特許庁 - A heating roller 18 out of the heating roller 18 and a pressure roller 19, which are paired is equipped with a resistance heating element 71 in the inside, and a transfer material carrying a toner image is fed and held between a pair of rollers 18 and 19 so as to heat, melt and fix the toner image on the surface of the transfer material in this fixing machine.
対をなす加熱ローラ１８と加圧ローラ１９のうち一方の加熱ローラ１８の内部に抵抗発熱体７１を備え、トナー像を担持した転写材を搬送して一対のローラ１８、１９間に挟むことによってトナー像を加熱溶融して転写材表面に定着させる定着装置である。 - 特許庁 - At least one power semiconductor element (4) is connected to a metal layer (3) by using a layer composed of a carbon minute tube (6) extended substantially perpendicular to a substrate surface, and/or a substrate (2) is connected to a base plate (1) or a cooling body (1) by using a layer composed of carbon minute tubes (5, 8).
少なくとも１つのパワー半導体素子（４）が、基板面に対して実質的に垂直に延びる炭素微小管（６）から成る層を用い、金属層（３）と接続されている、及び／又は、基板（２）が炭素微小管（５、８）から成る層を用い、ベースプレート（１）又は冷却体（１）と接続されていること。 - 特許庁 - Since a cavity 20 has an opening 11 on a side surface 15 of a ceramic package 10 of a direction different from a position where an electrode pad 4 is provided; the integrated circuit element 5 can be housed near the opening 11 while ensuring the size of the electrode pad 4, comparing a case where it is housed in a closed cavity.
キャビティ部２０が、電極パッド４が設けられた位置とは異なる方向のセラミックパッケージ１０の側面１５に、開口部１１を有しているので、閉じたキャビティ部に収容する場合と比較して、電極パッド４の大きさを確保しつつ、開口部１１近傍まで集積回路素子５を収容できる。 - 特許庁 - In an organic EL element including a protection layer covering an organic layer pinched at least between electrodes, the protection layer is laminated and composed of silicon atom not containing oxygen atom, nitrogen atom, and fluorine atom, while the content of the fluorine contained in the layer is made to be 0.1% to 1.0% in the outermost surface layer.
少なくとも電極間にはさまれた有機層を覆う保護層を含む有機ＥＬ素子において、前記保護層が積層された酸素原子を含まないケイ素原子、窒素原子、水素原子及びフッ素原子からなり、前記フッ素の層中含有量が最表面層で０．０１％から１．０％とする。 - 特許庁 - Specifically, focal distances f11, f12... f33 of the nine optical lenses L11, L12... L33 are set to be random values, and the interval of the optical lenses L11, L12... L33 along a direction parallel to the surface of the solid-state imaging element 5 becomes an amount that is random for each pair of adjacent optical lenses.
具体的には、９個の光学レンズＬ１１、Ｌ１２・・Ｌ３３の焦点距離ｆ１１、ｆ１２・・ｆ３３がランダムな値になるように設定されており、各光学レンズＬ１１、Ｌ１２・・Ｌ３３同士の固体撮像素子５の面に平行な方向に沿った間隔が、隣接する光学レンズの組毎にランダムな量になっている。 - 特許庁 - In the chip type laminated balun element, two or more sets of λ/4 coupled strip lines mutually electromagnetically coupled are embedded in a dielectric chip in such a manner as overlapped in a vertical direction to the mounting surface of the chip, and one end of the strip line positioned within the dielectric chip and an external electrode are connected by a lead line.
相互に電磁結合しているλ／４結合ストリップラインの組が２組以上、誘電体チップ中で実装面に対して垂直方向に重畳した状態で埋設され、誘電体チップ内に位置するストリップライン端と外部電極との間が引出しラインで繋がれているチップ型積層バラン素子である。 - 特許庁 - A pinion introduction hole 51 to which a pinion 32 can be inserted is provided on a ceiling 41E for covering an electronic element installation surface of a driver circuit board 34, the pinion 32 fixed to an output shaft 31A of a stepping motor 31 is easily guided into a circuit chamber 41A, and the stepping motor 31 can be easily fixed to a base member 41.
ドライバ回路基板34の電子素子設置面を覆う天井部41E に、ピニオン32が挿通可能なピニオン導入孔51を設け、ステッピングモーター31の出力軸31A に固定された状態のピニオン32を回路室41A の内部に容易に入れられるようにし、ステッピングモーター31をベース部材41に容易に固定できるようにする。 - 特許庁 - An electronic component 1 comprises: a metal substrate 2 on a surface of which an insulation altered layer 12 is formed; at least one cut part 10, over the whole width of which the insulation altered layer 12 is formed in the thickness direction, disposed in the circumference of the metal substrate 2; and an electronic element 3 mounted on the metal substrate 2.
本発明の電子部品１は、表面に絶縁性変質層１２が形成された金属基板２と、金属基板２の周縁に配置され、厚み方向の全幅にわたり絶縁性変質層１２が形成された少なくとも１つの切断部１０と、金属基板２上に実装された電子素子３を有する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, a buried insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, an active region 30 formed on the buried insulating film 2, a partial separation insulating film 4 buried selectively in the surface layer part in the active region 30, and a diode element formed in the active region 30.
半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された埋込み絶縁膜２と、埋込み絶縁膜２上に形成された活性領域３０と、活性領域３０の表層部分に選択的に埋込まれた部分分離絶縁膜４と、活性領域３０に形成されたダイオード素子とを備える。 - 特許庁 - To improve external quantum efficiency by forming protrusions and recesses in a translucent conductive layer provided on the surface of a light emitting element composed of a nitride semiconductor, and taking out the light emitted from a light emitting layer effectively with no attenuation by preventing repetition of total reflection on the semiconductor laminate portion in a substrate.
窒化物半導体からなる発光素子の表面に設けられる透光性導電層に凹凸を形成することにより、発光層で発光した光が半導体積層部と基板内で全反射を繰り返して減衰させないで光を有効に取りだし、外部量子効率を向上させる。 - 特許庁 - In a vacuum sealing device for airtightly sealing a hollow part 2 formed by joining a lid 10 having an optical element 11 and a package having a diamond touch surface 4 mounted with the device 3 in a vacuum state, a deformation restraining member for restraining deformation of the lid 10 is arranged in the hollow part 2.
光学素子１１を有するリッド１０と、デバイス３が実装されるダイアタッチ面4を有するパッケージと、を接合することによって形成される中空部２を、真空状態で気密封止する真空封止装置において中空部２内にリッド１０が変形することを抑制する変形抑制部材を配設する。 - 特許庁 - A light-receiving element 70 is composed of a PDSOI transistor (MOS transistor) in which a gate electrode 72 is formed on the surface of a p-type silicon layer 15 used as a channel body via a gate insulation film 71, and a source diffusion layer 73 and a drain diffusion layer 74 are formed to a depth reaching the insulation film 14.
受光素子７０は、ｐ型シリコン層１５をチャネルボディとして、その表面にゲート絶縁膜７１を介してゲート電極７２が形成され、絶縁膜１４に達する深さにソース拡散層７３およびドレイン拡散層７４が形成された、ＰＤＳＯＩトランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）により構成されている。 - 特許庁 - A bump electrode 12 of the semiconductor element 10 being connected with the input surface 20a corresponds to a conductive part 22 formed on the through hole group 20d, the conductive member 21 and in an area covering the through hole group 20d, and the bump electrode 12 is connected while entering partially into the plurality of through holes 20c.
入力面２０ａに接続される半導体素子１０のバンプ電極１２は、貫通孔群２０ｄ、導電性部材２１、及び貫通孔群２０ｄを覆う領域に形成された導電部２２に対応し、複数の貫通孔２０ｃのそれぞれの内部にバンプ電極１２の一部が入り込むように接続される。 - 特許庁 - By this arrangement, even when the disposable ampoule has not been opened, and sealing during the unsealing process is ensured in the aerosol forming apparatus (e.g., on a needle), the internal surface of the collar 15 can be engaged with a sealing element (e.g., an O ring surrounding the needle, or a seal edge).
この配置は、エアロゾル生成装置における（例えば針上での）使い捨てアンプルの開封プロセス中に、使い捨てアンプルがまだ開けられておらず開封プロセス中のシールが確保されている場合でも、カラー１５の内表面がシール要素（例えば針を取り囲むＯリング又はシールエッジ）と係合可能である。 - 特許庁
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