「surface element」を含む例文一覧(18429)

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  • This element has the fusible conductor 13 which is arranged on an insulating base substrate 11 connected to an electric power supply route of an equipment protected and fused by prescribed abnormal electric power, the flux 19 coated on the fusible conductor 13 surface, and an insulating cover member 14 which covers the fusible conductor 13 and is mounted on the base substrate 11.
    絶縁性のベース基板１１上に配置され、保護対象機器の電力供給経路に接続されて所定の異常電力により溶断する可溶導体１３と、可溶導体１３表面に塗布されたフラックス１９と、可溶導体１３を覆ってベース基板１１に取り付けられた絶縁カバー部材１４とを有する。 - 特許庁
  • A rotary cleaning element 27 provided with a cleaning member 27a on the outer peripheral surface of a shaft 27b is freely rotationally contained within a suction chamber 9 by causing a rotating shaft part 27c projecting integrally from each end face of the shaft 27b to be inserted into the shaft holding part 29a of each bearing 29 held against a nozzle case 28.
    軸体２７ｂの外周面に掃除部材２７ａが設けられた回転掃除体２７を、軸体２７ｂの両端面からそれぞれ一体に突設された回転軸部２７ｃをノズルケース２８に保持された各軸受２９の軸保持部２９ａに各々挿入することにより、吸い込み室９内に回転自在に収納する。 - 特許庁
  • The titanium dioxide membrane is formed by applying an in-water dispersed titanium oxide sol containing chlorine ion of 50-10,000 ppm in terms of chlorine element or an in-water dispersed titanium oxide sol containing dispersed brookite-type titanium oxide particles of which the average particle diameter is 0.5 μm or smaller and the specific surface area is 20 m^2/g or larger, to a substrate.
    塩素イオンを塩素元素として５０〜１０，０００ｐｐｍ含有させた水分散酸化チタンゾル、又は平均粒子径が０．５μｍ以下で比表面積が２０ｍ^2 ／ｇ以上のブルーカイト型酸化チタン粒子が分散した水分散酸化チタンゾルを基材に塗布して酸化チタン薄膜を形成する。 - 特許庁
  • On the top surface of a 1st thin film electrode 2 of a capacity element constituted by forming the 1st thin film electrode 2 and a 2nd thin film electrode 3 on both the main surfaces of a dielectric plate 1 whose specific permittivity is 20 or larger, a resin insulating film 4 whose specific permittivity is 5 or less and an inductor pattern 5 formed of a thin film are laminated one after another.
    比誘電率が２０以上の誘電体板１の両主面に第一の薄膜電極２と第二の薄膜電極３を形成して成る容量素子の第一の薄膜電極２の表面に、比誘電率が５以下の樹脂絶縁層４と薄膜から成るインダクタパターン５とが順次積層されて成る。 - 特許庁
  • Then, the respective electroconductive connectors 10 are constituted of a current-carrying pin 11 slide movement capably inserted in the thickness direction of the supporting frame 1, and an elastic electric conduction contact element 13 that is contacted to the end part of the current-carrying pin 11 and that makes the tip part of the current-carrying pin 11 protrude out of the surface of the supporting frame 1.
    そして、各導電接続子１０を、支持フレーム１の厚さ方向にスライド可能に挿入される導電ピン１１と、絶縁フィルム６に支持され、導電ピン１１の末端部に接触して導電ピン１１の先端部を支持フレーム１の表面から突出させる弾性の導電接点素子１３とから構成する。 - 特許庁
  • An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes.
    素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。 - 特許庁
  • The planar magnetic element comprises a planar coil formed on the surface of a first ferrite magnetic film, a second ferrite magnetic film formed thereon, and an external electrode in conducting state with the planar coil where one of the first or second ferrite magnetic film is formed by bonding ferrite magnetic powder through resin binder.
    第１のフェライト磁性膜の面上に平面コイルを有し、その上に第２のフェライト磁性膜が形成され、前記平面コイルと導通している外部電極を有する平面磁気素子であって、前記第１、第２のフェライト磁性膜の一方又は双方がフェライト磁性粉を樹脂バインダで固着してなるフェライト磁性膜とした。 - 特許庁
  • This optical module contains a platform 10 wherein a conducting layer 16 is formed on one surface on which a penetrating hole 12 into which an optical fiber can be inserted is formed, and an optical element 20 which is so mounted on the platform 10 that an optical part 22 faces the inside of the penetrating hole 12 and electrically connected with the conducting layer 16.
    光モジュールは、光ファイバ３０を挿入できる貫通穴１２が開口する一方の面に導電層１６が形成されたプラットフォーム１０と、光学的部分２２を貫通穴１２内に向けてプラットフォーム１０に搭載されて導電層１６に電気的に接続された光素子２０と、を含む。 - 特許庁
  • A light transmitting member 5 is arranged on an optical path between a light source 4 and a scale 9, or on an optical path between the scale 9 and a photodetector 6, and a stray light reducing function element is formed, on a surface of the light transmitting member 5, to reduce at least the stray light not contributing to generation of an encoder signal.
    光源４とスケール９との間の光路上、又はスケール９と光検出器６との間の光路上に配置に光透過部材５を配置し、この光透過部材５の表面にエンコーダ信号の発生に寄与しない迷光を少なくとも低減する迷光低減機能要素を形成する。 - 特許庁
  • A space is formed between the outside of a tip part 110b of the element 110 under a downward surface 80a of a rubbery elastic member 80 inside the outside enclosing part 11b formed by extending a portion a little to the lower end of an outer cylinder electrode, and a penetration part 18 for bubble discharge is formed on the side wall of the outside enclosing part 11b.
    外筒電極の下端寄り部位を延設してなる外側包囲部１１ｂの内側であってゴム状弾性部材８０の下向き面８０ａの下方に、素子１１０の先端部１１０ｂの外側との間に空間が形成されるもので、外側包囲部１１ｂの側壁に気泡排気用の貫通部１８を形成する。 - 特許庁
  • The solid electrolytic capacitor includes a capacitor element including: an anode body; a dielectric coating film deposited on a surface of the anode body; a conductive polymer layer deposited on the dielectric coating film; and a mixture layer deposited on the conductive polymer layer and containing a conductive matrix and carbon nanotubes, the anode body, the dielectric coating film, the conductive polymer layer and the mixture layer being deposited in sequence.
    陽極体と、陽極体の表面に形成される誘電体皮膜と、誘電体皮膜上に形成される導電性高分子層と、導電性高分子層上に形成され、導電性マトリクスおよびカーボンナノチューブを含む混合層と、が順次積層されたコンデンサ素子を備える固体電解コンデンサに関する。 - 特許庁
  • In a large-scale integrated chip 10, an active element or the like is formed in a state of a semiconductor wafer, then the inner wirings 19 are formed of a material containing the copper as a main component; thereafter a surface protective film (passivation film) 24 is formed; and an opening corresponding to a region of an external connection electrode 14 is provided by using a suitable etching technique.
    ＬＳＩチップ１０は、半導体ウエファの状態で、能動素子等が形成された後、銅を主成分とした材料で内部配線１９が行われ、その後表面保護膜（パシベーション膜）２４が形成され、適当なエッチング技術を用いて、外部接続用電極１４の領域に対応する開口部が設けられる。 - 特許庁
  • A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate.
    一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。 - 特許庁
  • A probe use electrode pad 17 used for an inspection terminal is placed at a surrounding part at the outside of an area formed by bonding electrode pads 16 and wiring electrodes 15 of the surface acoustic wave filter element precursors 1a and in a dicing area surrounded by each area line 19 and removed by dicing.
    検査用端子として使用するプローブ用電極パッド１７を弾性表面波フィルタ素子前駆体１ａのボンディング用電極パッド１６、引き回し電極１５にて形成される領域２２外の周辺部に、かつ、各領域線１９にて囲まれたダイシングにより削除されるダイシング領域内に配置する。 - 特許庁
  • The distribution of the arriving amount of the gas discharged from the resist at the surface of the optical element at the lowermost position of the projection optical system is roughly uniformized, by making an inert gas flow toward the opening 184 from the opening 183 and toward the opening 183 from the opening 184 after a prescribed time interval.
    開口部１８３から開口部１８４に向けて不活性ガスを流し、所定の間隔をあけて開口部１８４から開口部１８３に向けて不活性ガスを流すことにより、レジスト放出ガスが投影光学系の最下端にある光学素子の表面に到達する到達量の分布を略均一にする。 - 特許庁
  • The probe device which tests electric characteristics of a semiconductor element region formed on a wafer includes a wafer driving stage on which the wafer is placed, a probe card provided with a plurality of probe needles electrically connected to an electrode part formed in the semiconductor element region, and a test head in which the probe card is installed, the test head being movable in a direction perpendicular to the wafer surface.
    ウエハに形成された半導体素子領域における電気的な特性の試験を行うプローブ装置において、前記ウエハが設置されるウエハ駆動ステージと、前記半導体素子領域に形成された電極部と電気的に接続されるプローブ針が複数設けられたプローブカードと、前記プローブカードが設置されるテストヘッドと、を有し、前記テストヘッドは、前記ウエハ面に対し垂直方向に移動させることができるものであることを特徴とするプローブ装置により上記課題を解決する。 - 特許庁
  • In the photoelectric conversion element containing a polymer electrolyte 2, a metal layer 1, and dye molecules, the photoelectric conversion element contains at least one kind selected from a group of quinones, alloxazines, and ferrocenes, the metal layer is in contact with the polymer electrolyte and formed on the surface and/or the inside of the polymer electrolyte, and the dye molecules are adsorbed to the metal layer.
    高分子電解質２、金属層１、及び、色素分子を含む光電変換素子であって、前記光電変換素子が、キノン類、アロキサジン類、及び、フェロセン類からなる群より選択される少なくとも１種を含有し、前記金属層が、前記高分子電解質と接し、かつ、前記金属層が、前記高分子電解質の表面及び／又は内部に形成されたものであり、前記色素分子が、前記金属層に吸着するものであることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁
  • The surface light source is constituted by a first holographic optical element recorded with the first coherent light constituted by uniform parallel beam fluxes or convergent beam fluxes or divergent beam fluxes not having phases and amplitude locally varying within the wave front and phase information and amplitude information relating to a first reference light and an optical system for reconstruction illumination light for irradiating the first holographic optical element with reconstruction illumination light.
    波面内で局所的に異なる位相、振幅をもたない一様な平行光線束ないしは収束光線束もしくは拡散光線束によって構成された第１のコヒーレント光と、第１の参照光とについての位相情報および振幅情報が記録された第１のホログラフィック光学素子と、該第１のホログラフィック光学素子に再生照明光を照射するための再生照明光用光学系とを有する照明用光学系によって面光源を構成する。 - 特許庁
  • This manufacturing method of a solar cell element which forms a region having an other conductivity on one main surface side of a semiconductor substrate 1 having one conductivity, and forms an antireglection film 2 and bakes electrode material together on the other main surface side of this semiconductor substrate 1 and the antireflection film 2 for forming an electrode.
    一導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、反射防止膜を形成し、この半導体基板の他の主面側と前記反射防止膜に電極材料を焼き付けて形成する太陽電池素子の製造方法において、前記反射防止膜と一主面側の電極材料との間に電極材料中のガラスフリットの成分と親和性の高い酸化膜を介在させて前記電極材料を焼き付けるようにした。 - 特許庁
  • The display element has: a bacteria cellulose supporting body composed of bacteria cellulose the pore volume of which is 0.4 mL/g or more; a display electrode formed on one surface of the bacteria cellulose supporting body; a counter electrode formed on the other surface of the bacteria cellulose supporting body; and a coloring material reversibly changing color by electrolyte contained in the bacteria cellulose supporting body and oxidation reduction reaction.
    細孔容積が０．４ｍＬ／ｇ以上のバクテリアセルロースからなるバクテリアセルロース支持体と、バクテリアセルロース支持体の一方の面に形成された表示電極と、バクテリアセルロース支持体の他方の面に形成された対向電極と、バクテリアセルロース支持体内に含まれる電解質及び酸化還元反応により可逆的に色変化をさせることが可能な発色性材料を有することを特徴とする表示素子を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁
  • The organic electroluminescent display device is provided which includes the color filter for the organic electroluminescent display device having an inorganic transparent substrate, a coloring layer formed on the inorganic transparent substrate, an adhesive layer formed on the coloring layer, and a reinforcing layer arranged on the adhesive layer and having transparency; and an organic electroluminescent element arranged on a surface located opposite to the coloring layer-side surface of the inorganic transparent substrate.
    本発明は無機透明基板、上記無機透明基板上に形成された調色層、上記調色層上に形成された接着剤層、および上記接着剤層上に配置された透明性を有する補強層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置用カラーフィルタと、上記無機透明基板の調色層側表面とは反対側の表面に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。 - 特許庁
  • The organic EL element comprises a substrate having a first electrode, a surface of the substrate on which a hydrophilic/hydrophobic region can be formed by granting energy thereto, at least one organic compound layer containing an organic luminous layer, provided on the hydrophilic region after forming the hydrophilic region on the first electrode by granting the energy to the surface in an imaging manner, and a second electrode provided on the organic compound layer.
    第１の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられたエネルギー付与により新／疎水性領域を形成し得る表面と、該表面に画像様にエネルギー付与を行って、前記第１の電極上に親水性領域を形成させた後、該親水性領域上に設けられた有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層と、該有機化合物層上に設けられた第２の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁
  • The optical element to be transferred on its optical surface, a plurality of surface projections or recessions formed on a molding die 10' utilizing a performance of an amorphous alloy MG, wherein, even the distances between the projections and recessions are needed to be arranged by intervals of several tens to several hundreds nm, the transfer forming can be easily performed without necessity of mechanical working.
    非晶質合金ＭＧの特性を利用して、光学素子成形用金型１０’により成形される光学素子の光学面に複数の突起またはくぼみが転写形成されるように、光学面転写面には、対応したくぼみまたは突起が形成されている場合に、たとえ突起又はくぼみが数十乃至数百ナノメートルの間隔で配置しなくてはならないものであっても、機械加工を必要とすることなく、転写成形により容易に形成することができる。 - 特許庁
  • A two-dimensional or three-dimensional Poisson equation to handle a plane or a curved surface is given as a dominating equation to an area inside the anode and/or the cathode, and these are discrete by a boundary element method or a finite element method, and the current density i and the electric potential distribution ϕin the system are calculated through the simultaneous operation.
    アノード１１、及び／又はカソード１２の抵抗が無視できない系での電解めっきにおいて、めっき液１３を含む領域に対しては３次元ラプラス方程式を支配方程式として与え、これを境界要素法で離散化し、アノード、及び／又はカソード内部の領域に対しては、平面または曲面を扱う２次元又は３次元のポアソン方程式を支配方程式として与え、これらを境界要素法または有限要素法で離散化し、それらを連立させ、系内の電流密度ｉおよび電位分布φを算出する。 - 特許庁
  • This integrated surface plasmon resonance sensor can sequentially analyze the presence of occurrence of biochemical reactions in plural samples while relatively moving a transparent substrate and a silicon substrate by entering a laser beam emitted from the minute optical element into the transparent substrate through a diffraction grating and by detecting the intensity of reflected light emitted from the transparent substrate through another diffraction grating adjacent to the diffraction grating by the minute optical element.
    本発明の集積型表面プラズモン共鳴センサは、微細光学素子から出射されるレーザ光を回折格子を介して透明基板内に入射させると共に金属薄膜の試料搭載領域に照射し、回折格子に隣接する他の回折格子を介して透明基板から出射される反射光の強度を微細光学素子で検出することにより、透明基板とシリコン基板とを相対移動させながら、複数の試料における生化学反応の発生の有無を順次分析できる。 - 特許庁
  • To materialize a protecting film which does not decompose an underlying organic layer by heat with improved adhesion property with the underlying organic layer, for an organic EL element having a structure composed of an organic layers including organic luminous materials arranged between opposing electrodes, and the protecting film covering the outer surface of the structure.
    互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を含む有機層を配置してなる構造体と、この構造体の外表面を被覆する保護膜とを備える有機ＥＬ素子において、成膜時に下地の有機層を熱分解させることなく且つ下地の有機層との密着性を向上させた保護膜を実現する。 - 特許庁
  • In the semiconductor laser element which has a substrate, a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer, in this order, the upper clad layer is a ridge stripe shape extending in the direction of a resonator, and a p-type electrode is formed in the upper surface of the ridge stripe.
    本発明では、基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
  • In the solid polyelectrolyte membrane-catalyst metal composite electrode, catalyst layers are formed, on both faces of the solid polyelectrolyte membrane, which contain the catalyst metal deposited by reduction of ions of the catalyst metal, and on the surface of the catalyst layer serving as the anode, element is carried which is equal to the catalyst metal or more likely to be oxidized than the catalyst metal.
    固体高分子電解質膜の両面に、触媒金属のイオンの還元により析出した触媒金属を含む触媒層が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面に、触媒金属と同等であるか又はそれよりも酸化されやすい元素が担持されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極である。 - 特許庁
  • The stock for the electric resistance element is produced by preparing a composition containing 20 to 60% nickel and <5% iron, and the balance cobalt, subjecting the ingot obtained by melting and casting the composition to hot working, removing its surface and subjecting the hot worked body to cold working and heat treatment.
    電気抵抗素子用素材は、ニッケルを２０質量％以上６０質量％以下、鉄を５質量％未満含み、残部がコバルトを含む組成物を準備し、この組成物を溶解、鋳造して得られた鋳塊を熱間加工して表面を除去し、この熱間加工体に冷間加工と熱処理を施すことによって製造される。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.
    半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the magnesium workpiece includes anodizing a magnesium substrate 1 made of magnesium or a magnesium alloy, in the electrolytic solution which is a sodium metasilicate solution containing an additive having a sulfonate group, to form a protective coating of the anodic oxide film containing at least one element of carbon and sulfur therein, on the surface of the magnesium substrate.
    マグネシウム製またはマグネシウム合金製からなるマグネシウム基材１をメタけい酸ナトリウム溶液にスルホン酸基を有する添加剤を加えた電解液中で陽極酸化を行い、このマグネシウム基材の表面に炭素および硫黄の少なくとも一方を皮膜中に含有する陽極酸化皮膜よりなる保護膜を形成する方法からなる。 - 特許庁
  • Signal wiring of a surface layer only which does not go through a via hole is realized by making spacing between conductors of bus wiring in adjacent two directional coupling elements and spacing between signaling terminals in connector equal, and using the directional coupling element with spacing of signalling terminal shorter than the spacing between signaling terminals of the connector.
    隣り合う２つの方向性結合素子におけるバス配線用の配線間間隔とコネクタにおける信号用端子間間隔を等しくし、かつコネクタの信号用端子間間隔よりも短い信号端子の間隔を持つ方向性結合素子を使用することにより、ビアホールを介さない表面層のみの信号配線が実現される。 - 特許庁
  • This polyolefin foam comprises a resin composition layer, on at least one part of a surface thereof, that contains a polymeric compound hard to be charged with static electricity, a mineral containing a rate element and at least one of either tormarine or far-infrared radiating ceramic, and discharges the minus ion and at the same time radiates far-infrared.
    ポリオレフィン発泡体の表面の少なくとも1部に、静電気に帯電しにくい高分子化合物、並びに希有元素類を含む鉱物、及び少なくともトルマリン若しくは遠赤外線放射セラミックスのいずれか一方を含有し、マイナスイオンを放出すると同時に遠赤外線を放射する樹脂組成物の層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁
  • In the electrochemical element having a first electrode 12 and a second electrode 13 laminated through an insulating layer 11, at least one of the first and second electrodes has a current collector sheet 15, 18 and a graphite layer 16, 17 formed on the surface thereof and the graphite layer contains a conductive material other than graphite.
    絶縁層１１を介して、第一の電極１２と、第二の電極１３が積層された電気化学素子であって、第一の電極および第二の電極の少なくとも一方が、集電体シート１５、１８と、その表面に形成された黒鉛層１６、１７を備え、黒鉛層が黒鉛以外の導電性材料を含んだことを特徴とする電気化学素子。 - 特許庁
  • The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.
    上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁
  • The driving mechanism 100 has a moving member 80 which can move in a Y direction being in parallel to the light receiving surface of the imaging element and a cam member 90 provided at the moving member 80 and selectively positions and holds the prism unit 30 at a 1st position suitable for imaging within a 1st distance range and a 2nd position suitable for imaging within a 2nd distance range.
    駆動機構１００は、撮像素子の受光面と平行なＹ方向に移動可能な移動部材８０と、移動部材８０に設けられたカム部材９０を有し、プリズムユニット３０を、第１の距離範囲での撮像に適した第１の位置と、第２の距離範囲での撮像に適した第２の位置とに選択的に位置決め保持する。 - 特許庁
  • With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.
    この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁
  • The semiconductor light emitting element 10 has the columnar crystal structure 13 having an n-type layer 13a, a light emitting layer 13b, and a p-type layer 13c laminated in order on a substrate 11, and the columnar crystal structure 13 is smaller in diameter atop than nearby the substrate 11, and has an insulating film 14 covering a surface of the columnar crystal structure 13.
    半導体発光素子１０は、基板１１上にｎ型層１３ａ、発光層１３ｂ、ｐ型層１３ｃの順番で積層された柱状結晶構造体１３を有し、柱状結晶構造体１３は、基板１１近傍より先端の径が細く、かつ柱状結晶構造体１３の表面を覆う絶縁膜１４を有してなる。 - 特許庁
  • A surface acoustic wave device S is constituted, in such a way that exciting electrodes 12 and 13 formed of a material which transmits Reyleigh wave made to propagate through a substrate at a slower speed than the substrate 11 does are arranged on the substrate 11 composed of a single oxide crystal having a langasite type single crystal structure and containing at least lanthanum, gallium, and a VA-group element (for example, niobium or tantalum).
    ランガサイト型結晶構造を有し、少なくともランタン，ガリウム，及びＶＡ族元素（例えばニオブやタンタル）を含有する酸化物単結晶から成る基板１１上に、基板１１を伝搬させるレイリー波の速度より遅く伝搬する材料で形成した励振電極１２，１３を配設した弾性表面波装置Ｓとする。 - 特許庁
  • An external electrode 5 comprises: a lower layer external electrode 5a including glass having a content of an alkaline earth metal within a range of 37 to 45 mol%, which is formed on a surface of a ceramic element body; and an upper layer external electrode 5b including a glass having a content of SiO_2 within a range of 50 to 55 mol%, which is formed on the lower layer external electrode.
    外部電極５が、セラミック素体の表面に形成された、アルカリ土類金属の含有率が３７〜４５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む下層外部電極５ａと、下層外部電極上に形成された、ＳｉＯ_2の含有率が５０〜５５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む上層外部電極５ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁
  • The surrounding of the piezoelectric element 1 in the cross direction is enclosed with an insulation material 2, a surface electrode 3 is formed on both sides, the lead wires 7 of the ultrasonic probe are connected on the insulation material 2 so that the electrodes and the lead wires of the ultrasonic wave probe do not affect the acoustic characteristic and a large vibration effective diameter can be realized.
    圧電素子１の幅方向の周囲を絶縁材料２で包み、その両面に表面電極３を形成し、絶縁材料２上より前記超音波探触子のリード線７を接続することにより、超音波探触子の電極およびリード線が音響特性に影響を与えず、振動有効径を大きくとることを実現できる。 - 特許庁
  • An ultrasonic transducer 12 of the ultrasonic probe 2 is provided with the laminated piezoelectric element having piezoelectric bodies 30a to 30e, a laminated structure 34, where surface and back electrodes 31 and 32 and inner electrodes 33a to 33d are laminated alternately and side electrodes 36a and 36b formed on both confronted sides 35a and 35b of the laminated structure 34.
    超音波プローブ２の超音波トランスデューサ１２は、圧電体３０ａ〜３０ｅと、表面、裏面電極３１、３２、および内部電極３３ａ〜３３ｄとが交互に積層された積層構造体３４と、積層構造体３４の対向する両側面３５ａ、３５ｂに形成された側面電極３６ａ、３６ｂとを有する積層型圧電素子からなる。 - 特許庁
  • In the absorptive article having an absorption element 50 comprising the assembly of the filaments 52 whose toe is split, highly absorptive polymer particles 54 held in the inside and a holding sheet 80 provided on the back surface side of the filament assemblies 52, a sheet composed by mixing and integrating staples and the highly absorptive polymer particles is used as the holding sheet 80.
    トウを開繊したフィラメント５２，５２…の集合体と、その内部に保持された高吸収性ポリマー粒子５４と、フィラメント集合体５２，５２…の裏面側に設けられた保持シート８０とを有する吸収要素５０を備えた吸収性物品において、保持シート８０としてステープル及び高吸収性ポリマー粒子を混合し集積してなるシートを用いる。 - 特許庁
  • Firstly, multiple PN joints are formed on a semiconductor substrate below a winding belt-like conductive film that makes up an inductance element, and an extension of a depletion layer can be expanded by applying reverse bias voltage to the PN joints even if the concentration of impurities on the substrate surface is high, thus depleting the layer completely.
    第１は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、複数のＰＮ接合を形成し、そのＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加することで、基板表面の不純物濃度が高くても、その空乏層の延びを大きくすることができ、完全に空乏化させることが可能になる。 - 特許庁
  • To prevent the occurrence of a short-circuiting defect between lead terminal electrodes by spreading a conductive adhesive by a surface tension when connecting the exposed connection part of a lead terminal provided on the inner bottom of a case and the electrode of an electronic component element by the conductive adhesive since an interval between the electrodes of the electronic component becomes narrow with the miniaturization of the electronic component.
    電子部品の小型化にともない、電子部品の電極の間隔が狭まり、ケースの内底面に設けたリード端子の露出接続部と電子部品素子の電極を導電性接着剤で接続する際、導電性接着剤が表面張力により広がり、リード端子電極間で短絡不良が発生するのを防止する。 - 特許庁
  • The airtight terminal for optical semiconductor device is provided with an iron or iron alloy base having a through hole bonded with an insulated lead through insulating glass, and a copper or copper alloy heat sink having a part for mounting a semiconductor element on one side thereof, and the heat sink is bonded to a bottomed recess opening to the upper surface side of the base.
    鉄又は鉄合金よりなるベースに設けた貫通孔に絶縁ガラスを介して絶縁リードを絶縁して固着したベースと、銅又は銅合金よりなり、一方の面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載部を形成したヒートシンクとを備え、ベース上面側に設けた開口部を有した有底凹部にヒートシンクが固着する。 - 特許庁
  • The cathode active material is provided with complex oxide particles, a coating layer fitted at least to a part of the complex oxide particles and made of oxide containing at least one coating element out of lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing zinc (Zn).
    正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁
  • In the production method of the photoelectric conversion element at least having a conductive support body and a layer of semiconductor fine particles sensitized by coloring matter, the semiconductor fine particles are dipped in an absorbent liquid composed of at least organic salt, dye and a solvent to have the dye absorbed on its surface.
    少なくとも導電性支持体と色素によって増感された半導体微粒子の層とを有する光電変換素子の作成方法であって、少なくとも有機塩基、色素、溶媒から成る吸着液に半導体微粒子を浸漬して半導体微粒子の表面に色素を吸着させる事を特徴とする光電変換素子の作成方法。 - 特許庁
  • In the surface roughened resin coating wire rod coated with a composite resin composition containing a polyolefin series resin and a thermotropic liquid crystal polymer on the metal element wire through a binder, the composite resin film has an arithmetic mean roughness (Ra) of JIS B0601 is 9 μms or more and the maximum roughness (Rmax) of 13 μm or more.
    ポリオレフィン系樹脂とサーモトロピック液晶ポリマーとを含有する複合樹脂組成物を、バインダを介して金属素線上に被覆している粗面化樹脂被覆線材であって、複合樹脂皮膜がＪＩＳ Ｂ０６０１に規定される算術平均粗さ（Ｒａ）が９μｍ以上であって、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が１３μｍ以上に粗面化されている。 - 特許庁
  • The sensor system for bearing devices has a rolling bearing device having an ultrasonic sensor 15 for detecting the strength of reflection waves by receiving ultrasonic waves reflected by the contacting section between a raceway surface 10 of a fixing member and a rolling element 5 as reflection waves and for transmitting measurement data on the detected strength of the reflection waves.
    固定部材の軌道面１０と転動体５との当接部分で反射された超音波を反射波として受信することにより、反射波の強度を検出し、検出した反射波の強度に関する測定データを送信する超音波センサ１５とを備えた転がり軸受装置を有する軸受装置用センサシステムである。 - 特許庁
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