「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 359 360 361 362 363 364 365 366 367 368 369 次へ＞- The diffraction optical element 201 has a relief pattern formed on a surface of thereof, wherein a fine periodic structure 203 having a pitch shorter than the minimum wavelength of working wavelengths is formed on the relief pattern 202, and by changing parameters such as pitch, width and height (or depth) of the fine periodic structure 203, the wavelength dependency of effective refractive index in the fine periodic structure 203 is adjusted.
本発明は、表面にレリーフパターンが形成されている回折光学素子２０１において、前記レリーフパターン２０２上に、使用する波長の最小波長よりも短いピッチを有する微細周期構造２０３を形成し、該微細周期構造２０３のピッチ、幅、高さ（または深さ）などのパラメータを変えることにより微細周期構造２０３における有効屈折率の波長依存性を調整する。 - 特許庁 - The thermosensitive lithographic printing original plate comprises a thermosensitive layer containing at least one component selected from the group consisting of thermoplastic polymer fine particles, thermosetting polymer fine particles, polymer fine particles having a heat reactive functional group and a microcapsule containing a compound having a heat reactive functional group on a surface of a compound of at least one metal element selected from the groups 4A to 6A of the periodic table.
周期律表の４Ａ族から６Ａ族から選択される少なくとも１つの金属元素の化合物の表面上に、熱可塑性ポリマー微粒子、熱硬化性ポリマー微粒子、熱反応性官能基を有するポリマー微粒子、及び熱反応性官能基を有する化合物を内包するマイクロカプセルから選ばれた少なくとも一つの成分を含有する感熱層を有する感熱性平版印刷用原板。 - 特許庁 - The titled method comprises steps of providing a sensor element 30 having at least one outlet 36 for a fluid 52, the outlet 26 being positioned in the region of a standard position of the surface section 32, letting the fluid 52 flow from the outlet 36 and determining a proper parameter for a quantity of the fluid 52 flowing from the outlet 36.
この方法は、ｉ） 流体（５２）用の少なくとも１つの流出口（３６）を有するセンサ素子（３０）を設け、前記流出口（３６）を前記表面部分（３２）の基準位置領域に配置する工程と、ｉｉ） 前記流体（５２）を前記流出口（３６）から流出させる工程と、ｉｉｉ） 前記流出口（３６）から流出する前記流体（５２）の量に固有のパラメータを決定する工程とを含む。 - 特許庁 - This polyester film for the antireflection film provided at least on one side with an easy adhesion layer containing an organic compound having a metal element and having the reflectance of the easy adhesion layer surface against an arbitray wavelength within a range of 350 to 800 nm is ≥4.0%, and the antireflection film characterized by that antireflection function is given on the easy adhesion layer side, are provided.
少なくとも片面に易接着層を有するポリエステルフィルムであり、当該易接着層は、金属元素を有する有機化合物を含有し、波長３５０〜８００ｎｍの任意の波長に対する前記易接着層表面の反射率が４．０％以上であることを特徴とする反射防止フィルム用ポリエステルフィルム、および前記易接着層側に反射防止機能を付与したことを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁 - The photoelectric conversion element 1 comprises a porous photoelectrode 2 including a semiconductor where colorant is adsorbed, a solid or solidified charge transport layer 3 arranged in contact with the photoelectrode 2 and including an ion liquid and high specific surface active carbon, a first electrode 4 electrically connected with the photoelectrode 2, and a second electrode 5 electrically connected with the charge transport layer 3.
光電変換素子１は、色素が吸着された半導体を含む多孔質状の光電極２と、該光電極２に接して配置され、イオン液体および高比表面積活性炭を含む固体状または擬固体状の電荷輸送層３と、前記光電極２に電気的に接続される第１の電極４と、前記電荷輸送層３に電気的に接続される第２の電極５とを含む。 - 特許庁 - To more enhance the reproducibility of a test by effectively eliminating an unstable element like friction resistance when dropping a holding part for holding a test object while corresponding even to a test large in dropping height without bringing about the scaling-up of a tester, in a drop tester for performing a drop impact test by dropping the test object on a landing surface in a free fall state.
試験対象物を自由落下状態で落下させて着地面に衝突させることで落下衝撃試験を行う落下試験装置について、試験対象物を保持した保持部の落下時における摩擦抵抗のような不安定要素を有効に解消して試験の再現性をより高めることを可能とし、また装置の大型化を招かずに落下高さの高い試験にも対応することを可能とする。 - 特許庁 - To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.
本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁 - A coating layer containing a catalyst component containing either one of titanium oxide and vanadium oxide, titanium oxide, vanadium oxide and molybdenum oxide, titanium oxide, vanadium oxide and tungsten oxide and titanium oxide, vanadium oxide, molybdenum oxide and tungsten oxide and a sulfate radical is provided on the surface of an exhaust gas denitration catalyst lowered in its activity by the adhesion of an alkali metal or alkaline earth metal element.
アルカリ金属またはアルカリ土類金属元素の付着によって活性の低下した排煙脱硝触媒表面に、チタン酸化物とバナジウム酸化物、チタン酸化物とバナジウム酸化物とモリブデン酸化物、チタン酸化物とバナジウム酸化物とタングステン酸化物、チタン酸化物とバナジウム酸化物とモリブデン酸化物とタングステン酸化物、のいずれかを含む触媒成分と硫酸根とを含有する被覆層を設ける。 - 特許庁 - In a substrate 1 for mounting a light-emitting element having a substrate body 2, a silver reflective layer 6 formed on the substrate body 2 and based on silver or a silver alloy, and a protective layer containing glass formed to cover the entire surface of the silver reflective layer 6, the protective layer 7 contains an alumina based filler, and the glass composing the protective layer 7 contains silver in diffused state.
基板本体２と、基板本体２に形成された銀または銀合金を主体とする銀反射層６と、銀反射層６の全面を覆うように形成されたガラスを含む保護層を有する発光素子搭載用基板１であって、保護層７がアルミナ系フィラーを含有しており、かつ保護層７を構成するガラス中に銀が拡散された状態で含有されている発光素子搭載用基板１である。 - 特許庁 - The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.
基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁 - A photographic element provided includes a substrate with a polypropylene coating on each of the 1st and 2nd side faces, at least one silver halide emulsion layer laminated on the 1st side face of the substrate and an antistatic layer laminated on the 2nd side face of the substrate and containing a conductive agent, colloidal silica and a polymer film forming binder having ≥200 g peeling strength on the surface of the polypropylene.
本発明は、第１側面および第２側面にポリプロピレンコーティングを有する支持体、前記支持体の第１側面に重ねられている少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層、並びに上記支持体の第２側面に重ねられている、伝導剤、コロイド状シリカ、およびポリプロピレン表面での剥離強さが 200ｇ以上である高分子フィルム形成性バインダー、を含む帯電防止層、を含んでなる写真要素である。 - 特許庁 - The method for analyzing the depth direction element distribution of a sample consists of a process subjecting the surface of a sample to precise cross-sectional processing by converged ion beam 2', a process for measuring fine particles 3 generated from the cross section 17 obtained by the precise cross-sectional processing and a process for processing the measured value as a function of the depth direction scanning position of the converged ion beam.
収束イオンビーム（２’）により試料表面を精密断面加工する工程と、前記精密断面加工により得られた断面（１７）から発生する微粒子（３）を測定する工程と、前記測定によって得た値を前記収束イオンビームの深さ方向走査位置の関数として処理する工程と、を具備することを特徴とする、試料の深さ方向元素分布分析を行う方法。 - 特許庁 - This electron emitting element manufacturing device is provided with a holder container 101 for holding a processed substrate 10 having a pair of electrodes 12 and a conductive thin film 13 provided between the pair of electrodes in a surface thereof, a power source 103 for applying voltage between the pair of electrodes of the processed substrate to supply the current to the conductive thin film, and an inductor 109 provided between the power source and the electrodes.
表面に一対の電極１２と一対の電極間に設けられた導電性薄膜１３とを有する被処理基板１０を保持する保持容器１０１と、被処理基板の一対の電極間に電圧を印加して導電性薄膜に電流を供給する電源１０３と、電源と電極との間に設けられたインダクタ１０９と、を備えた電子放出素子の製造装置である。 - 特許庁 - The conductive member for electrophotography is characterized in that the conductive elastic body consisting mainly of the polymer having the halogen group is formed on the outer periphery of the conductive base, the conductive elastic body contains an inorganic compound containing a metal element of ≤30 g in solution of a chloride, the inorganic compound is subjected to hydrophobic processing and the conductive elastic body is cross-linked higher on the outermost surface than the inside.
導電性支持体の外周にハロゲン基を有するポリマーを主体とした導電性弾性体を形成し、その導電性弾性体に塩化物の溶解度が３０ｇ以下である金属元素を含む無機化合物を含有し、その無機化合物が疎水化処理されており、かつ、その導電性弾性体の最表面が内部に比べ高架橋化されていることを特徴とする電子写真用導電性部材。 - 特許庁 - This photocatalytic material is constituted so that F ion is diffused to the surface of the TiO2 crystal preferentially by implanting the ion of F being a nonmetallic element into the TiO2 crystal while the amount of F ion to be implanted per unit area and the depth of F ion to be implanted are adjusted by controlling the implantation energy of F ion to the TiO2 crystal and then annealing the F ion-implanted TiO2 crystal.
酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶に非金属元素のフッ素（Ｆ）イオンを注入する際に、酸化チタン（ＴｉＯ_2）結晶へのＦイオンの注入エネルギーを制御してＦイオンの単位面積あたりの注入量及び注入深さを調整した後に、Ｆイオン注入後の酸化チタン結晶を焼鈍処理することによりＦイオンを結晶表面へ優先的に拡散させた光触媒材料。 - 特許庁 - The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.
金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - At least one of wall elements 11-15 in the oven partition wall having the storage chamber at least partially partitioned by a plurality of wall elements 11-15, has infrared ray transmitting property or has a region transmitting infrared rays, and a reflecting element 30 reflecting infrared rays is disposed in a region on an outer surface 17, opposite the storage chamber, of each of the wall elements 11-15.
少なくとも部分的に複数の壁エレメント１１〜１５によって画成された収容室を備えたオーブン隔壁であって、壁エレメン１１〜１５のうちの少なくとも１つが、赤外線に対して透過性であるか、又は赤外線に対して透過性の領域を有している形式のものにおいて、壁エレメント１１〜１５の、収容室とは反対側の外面１７の領域に、赤外線を反射する反射エレメント３０が配置されている。 - 特許庁 - The organic EL element is composed of a backside substrate 10, an organic electroluminescent part 12 formed by successively laminating a first electrode, an organic film, and a second electrode on the backside substrate, and a front side substrate, on an inner surface of which a porous oxide layer containing porous silica and metal compound is formed, sealing an inside space housing the organic electroluminescent part therein by jointing with the backside substrate.
背面基板１０と、前記背面基板の一面に、第１電極、有機膜、及び第２電極の順に積層されてなる有機電界発光部１２と、前記背面基板と結合して前記有機電界発光部が収容された内部空間を密封する、内面に多孔性シリカと金属化合物とを含む多孔性酸化物層が形成された前面基板と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子及びその製造方法。 - 特許庁 - This displaying element has a hollow cell oppositely arranging transparent electrodes 53 and 54 laminating liquid crystal orienting films 55 and 56 subjected to rubbing treatment onto the surface and having substrates 51 and 52 supporting the transparent electrode, a mixture 59 packed in the hollow cell and containing low-molecular liquid crystal 60 and minute solid 61 smaller than the gap 51 between the above electrodes and a voltage applying means 58 applying voltage between the above electrodes.
ラビング処理を施した液晶配向膜５５、５６を表面に積層した透明電極５３、５４が対向配置し、かつ前記透明電極を支持する基板５１、５２が透明である中空セルと、前記中空セルに充填された、低分子液晶６０と厚さが前記電極間ギャップ５７よりも小さい微小固体６１を含有する混合物５９と、前記電極間に電圧を印加する電圧印加手段５８とを具備する表示素子。 - 特許庁 - This probe manufacturing method comprises a process for heating a metal raw material under vacuum or inert gas atmosphere, a process for working the metal raw material into a needle body after the heating, a process for removing the impurity on the needle body surface by heating the needle body under reducing atmosphere, and a process for removing a reducing element adsorbed or diffused in the needle body after removing the impurity.
金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱することにより、針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法である。 - 特許庁 - The optical waveguide element having a substrate 10 with electrooptic effect and an optical waveguide 11 formed on the substrate has a GRIN lens 20 for optically coupling the optical waveguide 11 and an optical fiber 22, and a flank of the GRIN lens is arranged opposite to a flank 2 of the substrate where an end of the optical waveguide is positioned and an end surface of the GRIN lens is arranged opposite to the optical fiber.
電気光学効果を有する基板１０と、該基板上に形成された光導波路１１とを有する光導波路素子において、該光導波路１１と光ファイバ２２とを光学的に結合するためのＧＲＩＮレンズ２０を有し、該ＧＲＩＮレンズの側面を該光導波路の端部が位置する基板の側面２に対向して配置すると共に、該ＧＲＩＮレンズの端面を該光ファイバに対向して配置したことを特徴とする。 - 特許庁 - The electron discharging element consisting of a carbon group material formed on a substrate with gaps is composed of a catalyst layer which is a catalyst for the above carbon group material formed on the substrate with gaps, the carbon group material formed on the catalyst layer and an insulating thin membrane formed to be embedded in the gaps of the carbon group material, and at least an upper surface of the carbon group material is exposed.
基板上に間隙を有して形成される炭素系材料を有する電子放出素子であって、前記基板上に間隙を有して形成された前記炭素系材料の触媒となる触媒層と、該触媒層上に形成された該炭素系材料と、該炭素系材料の間隙を埋めるように形成された絶縁性薄膜を有し、該炭素系材料の少なくとも上表面が露出していることを特徴とする電子放出素子である。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flat panel detector for obtaining a phosphor layer having a high emission amount by highly accurately forming the phosphor layer on the surface of a photodetector panel without generating local peeling on the interface of a photodetector panel (support) and the phosphor layer, and thereby highly accurately receiving/measuring light converted by the phosphor layer with a photoelectric conversion element.
光検出器パネル（支持体）と蛍光体層との界面に局所的な剥離さえも生じることなく、光検出器パネル表面に蛍光体層を高精度に形成することを可能にし、これにより、蛍光体層で変換された光を光電変換素子によって高精度に受光／測定することができ、しかも、発行量が高い蛍光体層を得ることができる平面放射線画像検出器の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - When this method for producing a surface conduction-type electron emitting element comprises the formation of an electron emitting part through (A) partially imparting a metal composition including an electron emitting material to substrate and (B) heating and baking of the substrate imparted with the metal composition, the metal composition is the one including water as a main ingredient and at least two kinds of metal complexes mutually different in their ligands.
電子放出材料を含む金属組成物を基板に部分的に付与する工程と前記の金属組成物を付与された基板を加熱焼成する工程とを経て電子放出部を形成する表面伝導型電子放出素子の製造方法において、前記の金属組成物に、水を主成分とし配位子の異なる金属錯体を２種以上含有する金属組成物を用いる電子放出素子の製造方法。 - 特許庁 - A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.
高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the molded article from thermoplastic resin includes a first introducing step for introducing the thermoplastic resin in the form of molten resin into a mold for molding the molded article, a second introducing step for introducing supercritical fluid in which an organometallic complex is dissolved into the mold, and a step of solidifying the molten resin, while arranging the metal element on the surface of the molded article.
熱可塑性樹脂から成形品を製造する方法であって、前記成形品を成形するための成形部に、前記熱可塑性樹脂を溶融樹脂として導入する第１の導入工程と、前記成形部に、有機金属錯体が溶解した超臨界流体を導入する第２の導入工程と、前記溶融樹脂を固化し、金属元素を前記成形品の表面に配置させる工程とを有することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁 - This voltage-driven type power element is equipped with cell blocks 8, provided on the top surface of a semiconductor substrate 2, and provided with gate pads 9 by the cell blocks 8, and provided with main emitter electrodes 10 by cell blocks 8, and equipped with subordinate emitter electrodes 11 constituting current mirrors with the master emitter electrodes 10 provided by the cell blocks 8.
本発明の電圧駆動型パワー素子は、半導体基板２の表面に設けられた複数のセルブロック８を備え、これら複数のセルブロック８毎にそれぞれ複数のゲートパッド９を設け、前記複数のセルブロック８毎にそれぞれ複数の主エミッタ電極１０を設け、そして、前記複数のセルブロック８毎にそれぞれ設けられ前記複数の主エミッタ電極１０とカレントミラーを構成する複数の従エミッタ電極１１を備えて構成されたものである。 - 特許庁 - A semiconductor element and a manufacturing method thereof comprise a first electrode made of a silicon material, a stabilizing film which hydrophilizes a surface of the first electrode and readily forms a dielectric film, the dielectric film formed by supplying reactants in order, and a second electrode which is formed on the dielectric film and is larger in work function than the first electrode made of the silicon material.
シリコン系物質で構成された第１電極と、前記第１電極の表面を親水性化させて誘電体膜の形成を容易にする安定化膜と、反応物を順次供給して形成された前記誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された、前記シリコン系物質で構成された第１電極より仕事関数が大きい第２電極とを含んで成ることを特徴とする半導体素子およびその製造方法。 - 特許庁 - It is possible to markedly improve the activity of a photocatalytic reaction for reducing a redox medium and simultaneously producing oxygen by subjecting a visible-light-responsive photocatalyst, such as a tungsten compound, for forming oxygen from water in the presence of a reversible redox medium to a surface treatment with a solution containing at least one element M selected from the group consisting of an alkali metal, an alkali earth metal, silver, and nickel.
可逆的なレドックス媒体の存在下、水から酸素を生成するための、タングステン化合物等の可視光応答性光触媒に対し、アルカリ金属、アルカリ土類金属、銀及びニッケルからなる群のうち、少なくとも１つの元素Ｍを含む溶液によって表面改質処理を行うことで、レドックス媒体を還元し、それと同時に酸素を製造する光触媒反応の活性を大きく向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a sheet for a solar cell sealing material which has excellent non-colored transparency, weatherability and flexibility, and which has, in particular, excellent thermal decomposition properties and is therefore easily removed by thermal decomposition, which allows a solar cell element and a surface transparent substrate to be taken out from a used solar cell module inexpensively and in a state of reduced impurities and which has excellent recycle properties.
本発明は、無色透明性、耐候性、柔軟性に優れ、とりわけ優れた熱分解性を有することで、熱分解により太陽電池用封止材シートを容易に除去可能であり、使用後の太陽電池モジュールから太陽電池素子と表面透明基板を低コストでかつ不純物の少ない状態で取り出すことができる、リサイクル性に極めて優れた太陽電池封止材用シートを提供することを課題とする。 - 特許庁 - The composition for a resin-bonded magnet has a surface, on which a coating containing a composite metal phosphate of iron phosphate and rare earth metal phosphate is formed, and contains a magnetic powder comprising an iron-based magnetic alloy, including a rare earth element and a thermoplastic resin or a thermosetting resin as the resin binder, and depending on the composition, a tetraalkoxysilane compound is blended by integral blending.
リン酸鉄と希土類金属リン酸塩の複合金属リン酸塩を含む被膜が表面に形成された希土類元素を含む鉄系磁石合金からなる磁石粉末と、樹脂バインダーとして熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を含有した樹脂結合型磁石用組成物において、さらに、テトラアルコキシシラン化合物が、インテグラルブレンド法により配合されていることを特徴とする樹脂結合型磁石用組成物などによって提供する。 - 特許庁 - The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed.
本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - This current amplifying element includes: an n-type semiconductor well (n-well) 104 formed on a surface of a semiconductor substrate symmetrically around the center axis to make a plan view circular; a p-type semiconductor region 112 concentrically formed in the n-well; an n-type semiconductor region 112 concentrically formed in the p-type semiconductor region; and a plurality of electrodes for applying a forward bias voltage and a reverse bias voltage.
電流増幅素子は、半導体基板の表面に平面視が円形となるように中心軸の周りに対称に形成されたｎ型半導体ウエル（ｎ−ウエル）１０４、ｎ−ウエル内に同心円状に形成されたｐ型半導体領域１１２、ｐ型半導体領域内に同心円状に形成されたｎ型半導体領域１１２、及び順バイアス電圧と逆バイアス電圧とを印加するための複数の電極を備えている。 - 特許庁 - A field electron emission element with cold cathodes comprises a cathode electrode 11 formed on a supporter 10 and an electron emission portion 15 consisting of a plurality of conic-like electron emission bodies 24, and each electron emission body 24 comprises a conic-like basic portion 22 consisting of insulating material or high resistant material formed on the cathode electrode 11 and a carbon thin film 23 coated on the surface of the basic portion 22.
冷陰極電界電子放出素子は、（Ａ）支持体１０上に設けられたカソード電極１１と、（Ｂ）カソード電極１１上に形成された複数の錐状の電子放出体２４から構成された電子放出部１５から成り、電子放出体２４は、カソード電極１１上に形成された絶縁材料又は高抵抗材料から成る錐状の基部２２、及び、該基部２２の表面を被覆した炭素薄膜２３から構成されている。 - 特許庁 - The article includes: a retardation layer 104 including a liquid material or its polymer or bridge element, and an immobilized mesogen; first and second polarizers facing each other through the retardation layer 104; and a mechanism for moving one of the retardation layer 104 and the first and second polarizers in the direction perpendicular to a normal of a main surface of the retardation layer 104.
本発明によると、液晶物質又はその重合体若しくは架橋体を含み且つメソゲンが固定化された位相差層１０４と、前記位相差層１０４を間に挟んで対向した第１及び第２偏光子と、前記位相差層１０４、前記第１偏光子及び前記第２偏光子の少なくとも１つを前記位相差層１０４の主面の法線と交差する方向に移動可能とする機構とを具備したことを特徴とする物品が提供される。 - 特許庁 - The liquid crystal display element including upper and lower substrates provided so as to be opposed to each other, electrodes and alignment layers successively formed respectively on the substrates, a liquid crystal layer inserted between the alignment layers formed on the two substrate and spacers controlling the interval between the two substrates, is characterized in that coating films consisting of an ion absorbing substance are formed on the surface of the spacers.
お互い対向するように備えられている上下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - Disclosed is the liquid crystal display element equipped with a couple of plastic substrates having electrodes 2 and 21 and alignment films 3 and 31 on one-surface sides of plastic films 1 and 11 and are arranged opposite each other with the alignment films inward and a liquid crystal substance 5 which is charged between the plastic substrates, an electrode of at least one of the plastic substrates being transparent.
プラスチックフィルム１，１１の片面に電極２，２１と配向膜３，３１を有しその配向膜を内側にして対向配置された一対のプラスチック基板と、プラスチック基板間に封入された液晶物質５とを備え、かつプラスチック基板の少なくとも一方の電極が透明である液晶表示素子であって、上記プラスチックフィルムの少なくとも電極側片面に無機薄膜層４，４１が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁 - The air cleaner is equipped with an adsorbing layer 1 for adsorbing a stain component in air containing nitrogen oxide and a heater 3 for heating and desorbing an adsorbed component and an electrochemical element 2 using an oxygen ion conductive solid, which removes oxygen from nitrogen oxide being desorbing gas at the time of heating and desorption to separate nitrogen oxide into nitrogen and oxygen, is provided to a part of the wall surface of the adsorbing layer 1.
窒素酸化物を含む空気中の汚損成分を吸着する吸着層１と吸着した成分を加熱・脱着するためのヒーター３とを備え、加熱・脱着時に脱着ガスである前記窒素酸化物から酸素を除去し窒素と酸素に分離する、酸素イオン導電性固体を用いた電気化学的素子２が前記吸着層１の壁面の一部に備えられていることを特徴とする空気浄化装置。 - 特許庁 - In the display element, porous structure partitioned by a bank resin and containing oxide particles is provided on the outermost surface of the counter electrode, wherein the porous structure and the bank resin are not brought into contact with each other.
表示電極、対向電極、及びそれらの間に挟持された電解液組成物を具備し、かつ、前記電極又は電解液組成物が酸化還元反応により発色と消色をする化合物を含有する表示素子であって、前記対向電極の最表面に、バンク樹脂により区切られた、酸化物粒子を含有する多孔質構造体を有し、当該多孔質構造体と当該バンク樹脂が相互に接していないことを特徴とする表示素子。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent deterioration of element characteristic and reliability which are to be caused by phenomena that a trench filling insulating material which is protruded in a protruding shape is largely hollowed from its side surface, and a trench top corner part of a semiconductor substrate is exposed, in a semiconductor device of a trench insulating type and its manufacturing method.
本発明は、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、トレンチ絶縁型の半導体装置及びその製造方法において、凸形状に突出しているトレンチ充填絶縁物がその側面から大きくえぐられて半導体基板のトレンチトップコーナー部が露出することに起因する素子特性や信頼性の劣化を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The second substrate section 20 is provided with an insulating substrate 21 formed with a cavity section 22 at the portion facing the infrared ray detecting element 14 and formed with connecting holes 23 penetrating at the portions facing the protruded electrodes 16, conductive sections 24 made of a conductive material buried in the connecting holes 23 and electrically connected to the protruded electrodes 16, and a surface electrode 25 electrically connected to the conductive sections 24.
第２の基板部２０は、赤外線検出素子１４に対向する部分に空洞部２２が形成され、突起状電極１６に対向する部分において貫通する接続孔２３が形成された絶縁性基板２１と、接続孔２３に埋め込まれた導電性物質よりなり、突起状電極１６に電気的に接続された導電部２４と、導電部２４に電気的に接続された表面電極２５を有している。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element comprises a GaP substrate having first and second major surfaces, a light emitting layer of InGaAlP based semiconductor provided on the first major surface of the GaP substrate, a contact layer provided on the light emitting layer, an ohmic electrode provided selectively on the contact layer, and a metal layer provided to cover the ohmic electrode and the contact layer on the periphery thereof.
第１及び第２の主面を有するＧａＰ基板と、前記ＧａＰ基板の前記第１の主面上に設けられたＩｎＧａＡｌＰ系半導体からなる発光層と、前記発光層の上に設けられたコンタクト層と、前記コンタクト層の上に選択的に設けられたオーミック電極と、前記オーミック電極及びその周囲の前記コンタクト層を覆うようの設けられた金属層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - The laser crystallization method includes the steps of: forming the amorphous silicon semiconductor film on a substrate; forming a light absorptive agent film by applying a light absorption agent on the surface of the amorphous semiconductor film; and crystallizing the crystal silicon semiconductor film by irradiating a linear laser beam from a semiconductor light-emitting element to the light absorptive agent film and heating the amorphous semiconductor film with the scanning of the linear laser beam.
レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 - 特許庁 - To provide a coated member having a coating layer formed by means of cladding by welding on the surface of a base material by which erosion resistance and wear resistance can be effectively imparted to the coating layer and furthermore corrosion resistance and wear resistance can be imparted with certainty by usefully selecting a constituent element to be alloyed with Ti in a Ti material constituting the coating layer and also to provide its manufacturing method.
基材表面上に肉盛溶接にて形成された被覆層を有する被覆部材において、該被膜層をなすＴｉ系材料のＴｉと合金化させる構成元素を有為に選択することにより、該被膜層に耐侵食性とともに耐磨耗性をも効果的に付与することを可能とし、ひいては耐食性および耐摩耗性をともに有用なものとすることを可能とする被覆部材およびその製造方法を提供することを目的とする - 特許庁 - Each auxiliary device is provided with a strainer 3 opened at the side abutting on the intermediate element J, higher than the mouth part, defining with a space part 7 formed around the mouth part, and having many holes smaller in size than the granular objects forming the filter medium over at least a portion of the surface or the auxiliary device has an opening 9 connected to a porous pipe 11 functioning as a receiver.
各補助装置は、中間要素Ｊに当接する側で開口し、また、前記口部よりも大きい高さを有すると共に、前記口部のまわりに空間部７を画成し、更に、その表面の少なくとも一部分にわたって前記ろ過材料を形成する粒状物の大きさよりも小さい大きさである多数の孔を備えるストレーナ３を有するか、又はレシーバとして機能する多孔パイプ１１が接続される開口９を有する。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18.
半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。 - 特許庁 - The manufacturing method of a microchannel reactor catalyst element, supporting a catalyst on the surface of a metal substrate, comprises the catalyst powder supporting process for supporting the catalyst powder 3 on the surfaces of raw material fluid passages 4 formed in the metal substrate 1, and the compression process for compressing the supported catalyst powder 3 by applying an isotropic pressure to the catalyst powder.
金属基材表面に触媒が担持されてなるマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法であって、原料流体の流路が形成された金属基材１の該流路４表面に触媒粉末３を担持させる触媒粉末担持工程と、担持された触媒粉末３に等方的な圧力を付与することにより該触媒粉末を圧縮する圧縮工程とを備えることを特徴とするマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法。 - 特許庁 - This invention discloses the liquid crystal display module comprising: a liquid crystal display element holding a liquid crystal cell between a pair of polarizing plates; an optical sheet lapped on the back side of this liquid crystal display element; and a surface light source of back-light lapped on the back side of this optical sheet.
本発明は、一対の偏光板間に液晶セルを挟持してなる液晶表示素子と、この液晶表示素子の裏面側に重設される光学シートと、この光学シートの裏面側に重設される面光源のバックライトとを備える方形の液晶表示モジュールであって、上記光学シートが光学的異方性がある樹脂製の基材フィルムを有し、短辺方向を基準として、上記バックライト表面から出射される光線の偏光方向の角度をγ、裏面側偏光板の透過軸方向の角度をδとすると、上記基材フィルムの結晶軸方向の角度が、下記数式（Ｉ）及び数式（II）で計算される数値εを中心とした±５０％範囲内（０．５ε以上１．５ε以下）であることを特徴とする。 - 特許庁 - This slide bearing for supporting a shaft 1 including at least one bearing bush 3 defining the bearing gap 6 with the surface of the shaft 1 and storing the shaft 1, and a means for supplying a lubricant capable of being discharged again from the bearing gap 6 into the bearing gap 6, further comprises at least one restricting element for restricting a lubricant flow passing through the bearing gap 6.
本発明は、シャフト（１）を支承するための滑り軸受であって、シャフト（１）の表面との間に軸受ギャップ（６）を画定するとともにシャフト（１）を収容するための少なくとも１つの軸受ブシュ（３）と、軸受ギャップ（６）から再び排出可能である潤滑剤を軸受ギャップ（６）の中へ供給するための手段とを含むものにおいて、軸受ギャップ（６）を通る潤滑剤流を絞り込むための少なくとも１つの絞り要素を備えていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an annealing method which allows the manufacture of a high-performance liquid crystal or semiconductor element by easily reducing an amount of particles attaching to the surface of a substrate at the time of annealing while preventing problems due to a wet process.
液晶表示装置に使用するガラス等の透明板にポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄膜を形成させた液晶基板、又は半導体製造に使用するシリコン等のウェハ（以下、「基板」という）を密閉可能な容器内に収納し、高温ガスによりアニール処理するアニール装置において、後段のウェット処理による問題を回避しながら、アニール処理時に、基板の表面に付着するパーティクル量を容易に減少させることにより、高性能の液晶・半導体素子を製造できるアニール方法を提供する。 - 特許庁
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