「surface element」を含む例文一覧(18429)
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少なくとも耐熱性繊維と、フィブリル化液晶性高分子繊維とを含有する不織布に、低温プラズマ処理、界面活性剤処理、グラフト処理、スルホン化処理、フッ素処理、水流交絡処理、樹脂コーティング処理から選ばれる少なくともひとつの表面処理が施されていることを特徴とする、キャパシタ等の電気化学素子に用いることができるセパレータ。 - 特許庁 - In the case of a substance permeable composite material based on at least one substance permeable porous carrier containing at least an inorganic component having at least one compound, substantially comprising a metal, a semimetal or at least one group III or VII element, in its single side and inside, a polyelectrolyte layer is provided on the inside surface and/or outside surface of the composite material.
貫通された物質透過性の担体の少なくとも片側およびこの担体の内側に、本質的に金属、半金属または第３主族ないし第７主族の少なくとも１つの元素を有する混合金属からなる少なくとも１つの化合物を有する少なくとも１つの無機成分を含有する、少なくとも１つの貫通された物質透過性の担体を基礎とする物質透過性複合材料の場合に、この複合材料が内側表面上および／または外側表面上にポリ電解質層を有する。 - 特許庁 - A gap of ≥0.2 mm is formed between an exposed main surface of the lid body on the side of the space part and a main surface of the piezoelectric vibrating element which faces the lid body, and the piezoelectric device itself is ≤1.0 mm thick.
容器体内部に形成された空間部内に少なくとも圧電振動素子が搭載されており、容器体の空間部を囲繞する側壁部の頂面には平板状の金属製の蓋体が配置されており、蓋体と側壁部の頂面に設けた導体層とを接合固着し、空間部内の圧電振動素子を気密封止している圧電デバイスにおいて、蓋体の空間部側の露出主面と、圧電振動素子の蓋体に対向する主面との間隔が０．２ｍｍ以上であり、且つ圧電デバイスとしての厚みを１．０ｍｍ以下とした圧電デバイス。 - 特許庁 - By using this method, the substrate is obtained for the discrete element made of a two layer structure having the high concentration impurity diffused layer on one side surface, and the low concentration impurity diffused layer on the other surface of the substrate in which impurities are diffused on both the surfaces of the low concentration impurity semiconductor wafer.
半導体ウエハの両表面に高濃度不純物拡散層を形成する工程と、前記ウエハを厚さ半分の位置で切断し、該切断面を研削および鏡面加工する工程と、前記鏡面加工面に低濃度不純物拡散層を形成する工程とを備えている製造方法を用いて、低濃度不純物半導体ウエハの両面に、不純物が拡散された基板であって、片面が高濃度不純物拡散層、他面が低濃度不純物拡散層である２層構造からなるディスクリート素子用基板を得る。 - 特許庁 - The ceramic heater for oxygen sensor is made of solid electrolyte composed mainly of zirconia ceramics, and used in a state being inserted in a cup shaped detecting element having nearly cylindrical substrate formed with a nearly semi-spherical curved surface at the top end, of which inside and outside a platinum electrode is installed, and has a resistance heating element embedded in a spherical substrate made of mainly alumina (aluminum oxide).
ジルコニアセラミックを主成分とする固体電解質からなり、先端に略半球形状の曲面が形成された略円筒形状の基材の内部及び外部に白金電極が設けられたコップ型の検出素子に挿入した状態で用いられ、主としてアルミナからなる円柱形状の基材中に、抵抗発熱体が埋設されてなる酸素センサー用のセラミックヒーターであって、上記抵抗発熱体の長さｌは、上記酸素センサーの内部電極と外部電極との重複する部分の長さをＬとした際、下記の（１）式で表されることを特徴とするセラミックヒーター。 - 特許庁 - Two screens are formed on the same surface of the substrate by a control means which switches the light emitting condition of the first emitting color by the first light emitting element group and the light emitting condition of the second emitting color by the second light emitting element group.
基板の表面に第１の発光色を形成する第１発光単位部が所定間隔で列と行にてマトリクス状配列をなす第１発光素子群と、第２の発光色を形成する第２発光単位部のそれぞれが第１発光単位部の所定の列と行の中間に位置してマトリクス状配列をなす第２発光素子群を備え、第１発光素子群による第１発光色の発光状態と第２発光素子群による第２発光色の発光状態とに切り替える制御手段によって基板の同一表面上で２画面を形成すること。 - 特許庁 - A planar heating element is formed of a transparent synthetic resin substrate 4, a coexistence layer of a transparent conductive layer 2 of metal nanopowder in random mesh pattern and a transparent flexible polymer urethane resin layer 3 formed on the surface of the synthetic resin substrate 4, and a pair of electrification electrodes 5 formed at the ends of the conductive layer 2.
透明な合成樹脂基板４と、この合成樹脂基板４の表面に金属ナノ粉末をランダムな網目状パターンに形成された透明性を有する導電層２および透明で柔軟性を有する高分子ウレタン系樹脂層３を併存させた層と、上記導電層２の端部に形成された一対の通電電極５とにより面状発熱体を形成する。 - 特許庁 - The element is also provided with an adhesion layer 71 having an opening in the photoelectric converter and covering the charge transmitter and a shielding film 72 formed to cover a whole surface including side walls of the adhesion layer 71.
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層７１と、前記密着層７１の側壁を含む表面全体を覆うように形成された、遮光膜７２とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - This magnetoresistance element comprises a semiconductor magnetoresistive film 2 formed on the surface of a substrate 1, short circuit electrodes 3 and electrical signal pickup electrodes 4 formed on the magnetoresistive film 2, and a moisture resistance film 6 formed to cover the magnetoresistive film 2 and the short circuit electrodes 3, excluding the pickup electrodes 4.
基板１の表面に形成した半導体磁気抵抗膜２と、この半導体磁気抵抗膜２上に形成した短絡電極３及び電気信号取り出し用の電極部４と、この前記電極部４を残して前記半導体磁気抵抗膜２及び短絡電極３を覆うように形成した耐湿膜６を備えたことを特徴とする磁気センサ素子である。 - 特許庁 - A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.
また、第１導電型半導体領域１２の表面に第２導電型半導体領域１３が形成されたセンサ部２を有し、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内に、第２導電型半導体領域１３より小さい面積の第２導電型半導体層６が形成されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - A protective coating, formed on the surface of the element part, is glass having heatresistant temperature, which enables heating up to a temperature capable of preventing adhesion of a PM component contained in an exhaust gas.
流体の流量を測定する素子部と、該素子部の入出力信号を制御する回路部より構成され、加熱温度３５０℃以上，７００℃以下で制御されるガス流量計であって、該素子部の表面に形成されている保護コートが、排気ガス中に含まれるＰＭ成分の付着を防止する温度まで加熱可能な耐熱温度を有するガラスであることを特徴とするガス流量計である。 - 特許庁 - The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.
配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁 - Further, as a frictional and stirring joining method, mutual foils of an aluminium material, or the foil and the lead-out terminal are overlapped, and a rotary element rotating at a high speed is brought into contact with one surface to join by friction heat, thereby preventing the occurrence of a damage or distortion of the foils or lead-out terminal to make a more stable electrical connection.
また、摩擦撹拌接合方法として、アルミニウム材の、箔どうし、または、箔と引出端子を重ね合わせ、一方の表面に高速回転する、回転素子を接触させて摩擦熱で接合させることにより、箔または引出端子の破損や歪の発生を防止し、より安定な電気的導通させることを特徴とする電解コンデンサ電極の接合方法を提供するものである。 - 特許庁 - The solid electrolytic capacitor has a capacitor element 10 having a positive electrode 1 comprising a niobium porous sintered compact from which an positive electrode lead wire 1a is derived, a dielectric layer 2 formed on the surface of the positive electrode 1 and containing a niobium oxide, a conductive high molecular layer 4 formed on the dielectric layer 2, and a negative electrode layer 5 formed on the conductive high molecular layer 4.
固体電解コンデンサは、陽極リード線１ａが導出されたニオブ多孔質焼結体からなる陽極体１と、この陽極体１の表面に形成された酸化ニオブを含む誘電体層２と、誘電体層２の上に形成された導電性高分子層４と、この導電性高分子層４の上に形成された陰極層５と、を有するコンデンサ素子１０を備えている。 - 特許庁 - In this electron emitting element having a field effect transistor(FET) formed on the surface of a semiconductor layer and a conical emitter having a sharpened tip, an emitter forming area 11 is formed into a circular shape or a polygon, and a FET gate electrode 4 and a FET source electrode 9 in the form of a circular ring or a polygonal ring are disposed in the peripheral area of the emitter forming area.
半導体層の表面に形成された電解効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、先端が先鋭化されたコーン型エミッタを有する電子放出素子において、エミッタ形成領域１１を円形または多角形状とし、エミッタ形成領域の周辺に円形環または多角形環型のＦＥＴゲート電極４とＦＥＴソース電極９を配置する。 - 特許庁 - The apparatus comprises an electric heater 11 which includes a heating element 11c laid in a metallic coating material 11a through an electrical insulator 11b, a plate 13 which is integrated to the electric heater 11, and an insulating suppressor 15 prepared between the circumference surface of the coating material 11a and inner wall of a heater holding groove 13b formed on the plate 13.
金属製の外郭部材１１ａ内に電気絶縁物１１ｂを介して発熱体１１ｃが設けられている電気ヒータ１１と、該電気ヒータ１１を一体に固定したプレート１３とを含み、前記外郭部材１１ａの外周面と前記プレート１３に形成したヒータ保持溝１３ｂの内壁面との間に絶縁性の抑制体１５が介在されている。 - 特許庁 - To provide a lead frame which can improve the bonding property of a wire to an inner lead, regarding a lead frame which is provided with a die pad for mounting an IC element, a plurality of inner leads which are arranged surrounding the die pad, and a plurality of outer leads extending from the inner leads, and which can mount IC elements on the surface and the back of the die pad.
本発明は、ＩＣ素子を搭載するダイパッドと、該ダイパッドを包囲する態様で配置した複数のインナーリードと、該インナーリードから伸長する複数のアウターリードとを備え、ダイパッドの表面および裏面に各々ＩＣ素子を搭載するリードフレームを対象とし、インナーリードに対するワイヤのボンディング性を向上させることの可能なリードフレームの提供を課題とする。 - 特許庁 - Since the lower portion of the tubular pressurization chamber 2 is made planar by the surface of a base plate 1, a plurality of tubular pressurization chambers 2 can be made collectively with high density by forming a columnar shape on the base plate 1 by photolithography technology, forming a metal layer 4 and an underlying layer 5 thereon, and forming the piezoelectric element layer 7 further thereon by vacuum deposition.
筒状加圧室２の下部は、ベースプレート１の表面による平面部となっているため、ベースプレート１上にフォトリソグラフィー技術によって柱状型を形成し、その上に金属層４や下地層５を積層し、さらに圧電素子層７を真空成膜等によって積層することによって、複数の筒状加圧室２を高密度に一括して製作することができる。 - 特許庁 - The semiconductor chip 31 includes a semiconductor substrate 2, on which a function device 3 is formed, polymer 32 arranged so as to embed inside of a through hole 4 having an opening on a surface of the semiconductor substrate 2, and bump electrode 14 formed on the polymer 32 and provided at a portion of wiring layers 35 and 34 electrically connected with the function element 3 thereon.
この半導体チップ３１は、機能素子３が形成された半導体基板２と、半導体基板２の一方表面に開口を有する貫通孔４の内部を埋めるように配置されたポリマー３２と、ポリマー３２上に形成され、機能素子３に電気接続された配線層３５と、配線層３４のうちポリマー３２上にある部分に設けられた突起電極１４とを含む。 - 特許庁 - A wash element 18 for washing one or more reusable fluid manipulators comprises: at least one nozzle for connection to a fluid pump to generate a fluid jet; and at least one deflector surface positioned to deflect the fluid jet toward a washing zone 33 for receiving at least a portion of a fluid manipulator 3.
流体噴流を生成する流体ポンプに接続するための少なくとも１つのノズルと、流体マニピュレータ３の少なくとも一部が入る洗浄域３３に向かって流体噴流を偏向するよう位置付けられた少なくとも１つの偏向板表面を含む１または２以上の再利用可能な流体マニピュレータを洗浄するための洗浄要素１８とする。 - 特許庁 - An ore powder layer 12 formed of one or both of tourmaline ore powder and natural radioactive ore powder is made to appear on the surface of the charcoal formed body 11 to manufacture a compound formed body 10, and then the compound formed body 10 is integrated with a heating means 40 composed of a ceramic formed body 41 and an electric resistance heating element 42.
前記炭成型体１１の表面にトルマリン鉱石粉末又は天然放射性鉱石粉末のいずれか一方もしくは両方からなる鉱石粉末層１２を現出させることにより複合成型体１０を製造した後、前記複合成型体１０をセラミック成型体４１と電気抵抗発熱体４２からなる発熱手段４０に一体化する。 - 特許庁 - On the ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting devices where a resistance electric heating element consisting of one or at least two circuits is buried inside the ceramic substrate, a cushioning material is provided on the bottom surface of the ceramic substrate for connecting to the conductive wire, and at the same time the conductive wire is electrically connected to the circuit.
セラミック基板の内部に、１または２以上の回路からなる抵抗発熱体が埋設されてなる半導体製造・検査装置用セラミック基板において、前記セラミック基板の底面に緩衝材が配設されて、前記緩衝材に導電線が接続され、かつ、前記導電線は、前記回路と電気的に接続されてなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。 - 特許庁 - In a laminated piezoelectric element which laminates a plurality of unit laminates 11, formed by alternately laminating ceramic layers 12 and internal electrode layers 21 and 22 and has a ceramic laminate 10 formed, by adhering unit laminates 11 to each other by adhesive layers 3, a surface roughness of the ceramic layers holding the adhesive layer 3 is Rz of 1.5 μm or larger.
セラミック層１２と内部電極層２１，２２とを交互に積層してなるユニット積層体１１を複数積み重ねると共にユニット積層体間１１を接着剤層３により接着してなるセラミック積層体１０を有する積層型圧電体素子において，接着剤層３を挟む上記セラミック層の表面の面粗さは，Ｒｚが１．５μｍ以上である。 - 特許庁 - A hybrid integrated circuit device 10 includes a circuit board 12 in which a hybrid integrated circuit made of a semiconductor element 28A and the like and bonded to a heat spreader 30A is built in an upper surface, a sealing resin 44 for sealing the hybrid integrated circuit by covering the circuit board 12, and a lead 14 which is bonded to a pad of a conductive pattern 20 and extended outside.
本発明の混成集積回路装置１０は、ヒートスプレッダー３０Ａに固着された半導体素子２８Ａ等から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１２と、回路基板１２を被覆して混成集積回路を封止する封止樹脂４４と、導電パターン２０から成るパッドに固着されて外部に延在するリード１４とを有する構成となっている。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the organic thin-film transistor element wherein at least a gate electrode, an insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer are installed on a retaining member, after a process is performed wherein the surface of a region which is in contact with the organic semiconductor layer is subjected to plasma treatment previously, a process for arranging the organic semiconductor layer is included.
支持体上に、少なくともゲート電極、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子の製造方法において、該有機半導体層と接する部位の表面を予めプラズマ処理する工程の後、前記有機半導体層を設ける工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁 - On one wide-width surface 4a between top and reverse surfaces of the belt-like flexible wiring material 4, an output electrode for connection with the electric load 32 is formed, in a region opposed to the electric load and a connection electrode for mounting the circuit element 50 is formed in a region of the flexible wiring material 4, where a conductor is led out of the electric load 32.
帯状のフレキシブル配線材４の表裏のうちの一方の広幅面４ａでは、電気的負荷と対向する領域に、電気的負荷３２と接続するための出力用電極が形成されるとともに、フレキシブル配線材４における電気的負荷３２から導線が引き出されている領域に、回路素子５０を実装するための接続用電極が形成されている。 - 特許庁 - In an organic electroluminescent element display board comprising a plurality of transparent or semitransparent positive electrodes on the surface of a transparent or translucent substrate, partitions made of plural conductive inorganic substance are provided on the above board perpendicularly to the above positive electrodes and in such a way as not being electrically connected with the positive electrodes and, further, the cross section of the barrier ribs is made nearly T-shape.
透明基板または半透明基板表面に複数本の透明または半透明の陽極が形成されてなる有機エレクトロルミネセンス表示素子用基板において、前記陽極に直交し、かつ前記陽極と電気的に接続しないように複数本の導電性の無機物からなる隔壁を前記基板上に設け、かつ前記隔壁の断面を略Ｔ字型とする。 - 特許庁 - This alloy can be produced by heating an amorphous alloy ingot at a prescribed temperature-rise rate and allowing, in a state of supercooled liquid before crystallization, at least one or more elements among boron, carbon, oxygen, nitrogen, and fluorine to penetrate through the surface to precipitate a high melting point compound with an amorphous-alloy-forming element in the inner part of the alloy and resultantly strengthen the alloy.
この合金は、非晶質合金塊を一定昇温速度で加熱し、結晶化する前の過冷却液体状態において、表面よりほう素、炭素、酸素、窒素、ふっ素の少なくとも１種以上を浸透させて非晶質合金を形成する元素との高融点化合物を合金内部に析出させることにより合金を強化することにより製造できる。 - 特許庁 - The compound semiconductor light emitting element 100 includes: an Si-Al substrate 101; protection layers 120 formed on top and bottom surfaces of the Si-Al substrate 101; and a p-type semiconductor layer 104, an active layer 105, and an n-type semiconductor layer 106 which are sequentially stacked on the protection layer 120 formed on the top surface of the Si-Al substrate 101.
、Ｓｉ−Ａｌ合金基板１０１と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面及び下面に設けられた保護層１２０と、このＳｉ−Ａｌ合金基板１０１の上面に設けられた保護層１２０上に順に積層されているｐ型半導体層１０４、活性層１０５及びｎ型半導体層１０６とを含む化合物半導体発光素子１００を提供する。 - 特許庁 - To form a modifying substance not by feeding a material as the original of the modifying substance from an electrode but by bringing the material as the original of the modifying substance mixed into a working soln. into reaction with a carbon element composing the working soln. by discharge and to deposite the modifying substance largely than the quantity of the surface of the material to be treated and to be removed by the discharge.
改質物質の元となる材料を電極から供給するのではなく、加工液中に混入した改質物質の元となる材料と加工液を構成する炭素元素を放電により反応させて改質物質を形成し、被処理材表面が放電により除去加工される以上にその改質物質を被処理面に多く堆積させる。 - 特許庁 - The laminated film is constituted by laminating a reinforcing layer, which contains inorganic particles and a metal oxide including at least one metal element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, In, Sn and Zn and/or a derivative thereof, on at least the single surface of a base layer film and 0.5-20 wt.% of polyethylene glycol is added to the reinforcing layer.
基層フィルムの少なくとも片面に、無機粒子と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物および／またはその誘導体とを含有する補強層が積層されてなり、かつこの補強層にポリエチレングリコールが０．５〜２０重量％含まれている積層フィルムとする。 - 特許庁 - The electroluminescent fiber is formed into a luminous neon tube in which phosphor containing a rare earth element in an alkaline earth aluminate as an activator is formed on the surface layer or between the layers of the fiber, and the neon tube is provided with the electroluminescent fiber in which a plurality of conductors for AC power supply are arranged inside the insulating electric wires coated with the phosphor and the phosphor layer to cover these.
電界発光ファイバーおいて、前記ファイバー表層あるいは層間にアルカリ土類アルミン酸塩に賦活剤として希土類元素を含有する蓄光体を層状に形成する蓄光ネオン管とし、交流電力供給用の複数の導線を蓄光体で被覆してなる絶縁電線の内部に配置された電界発光ファイバーと、それらを被覆する蓄光体層を備えている。 - 特許庁 - This semiconductor laser element comprises an active layer 4 having a window structure in a laser light emitting end face; and a p-type clad layer 5 formed on the surface of the active layer 4 and containing Mg and Zn as impurities, wherein an impurity concentration of Zn contained in the p-type clad layer 5 is larger than the impurity concentration of Mg contained in the p-type clad layer 5.
この半導体レーザ素子は、レーザ光の出射端面部に窓構造を有する活性層４と、活性層４の表面上に形成され、不純物としてＭｇおよびＺｎを含有するｐ型クラッド層５とを備え、ｐ型クラッド層５に含有されるＺｎの不純物濃度は、ｐ型クラッド層５に含有されるＭｇの不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁 - In a conductive roll wherein an innermost layer 2, an intermediate layer 3 and an outermost layer 4 are formed on the outer peripheral surface of a shaft element 1, the innermost layer 2 is formed from a conductive rubber compsn. based on a silicone rubber and containing a surfactant and the electric resistance value of the conductive roll is set to 1×104-2×109 Ω.
軸体１の外周面に、最内層２と、中間層３と、最外層４とがこの順で形成された導電性ロールであって、上記最内層２が、シリコーンゴムを主成分とし、界面活性剤を含有する導電性ゴム組成物によって形成され、かつ上記導電性ロールの電気抵抗値が、１×１０^4 〜２×１０^9 Ωの範囲に設定されている。 - 特許庁 - For the heating element 3, a coating film of tungsten of which the impurity metal content is ≤0.01 weight% is formed on a surface of a base member made of tungsten, by an electron beam vapor deposition method taking tungsten powder of which the impurity metal content is ≤0.01 weight%, as an evaporation source or a chemical vapor deposition method using reduction with hydrogen of tungsten hexafluoride.
発熱体３は、タングステン製の基体の表面に、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステン粉末を蒸発源とした電子ビーム蒸着法又は六フッ化タングステンの水素による還元反応を利用した化学蒸着法により、不純物金属含有量が０．０１重量％以下のタングステンの被覆膜を形成したものである。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which can keep both high adhesion to and high peelability from the substrate even in using the substrate for circuit formation having less surface irregularity, and is excellent in plating resistance, etching resistance and resolution, and to provide a photosensitive element using the composition, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.
表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁 - A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.
第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。 - 特許庁 - An insulating layer 12 constituting the MIM type diode element is an amorphous oxide film formed by anodically oxidizing a surface of a lower electrode 11, the lower electrode 11 is formed with a single layer film of aluminum or an aluminum alloy or a laminated film having either of them as an outermost layer, and the anodically oxidized single layer film of aluminum or an aluminum alloy is formed into an amorphous body.
ＭＩＭ型ダイオード素子を構成する絶縁層１２が下部電極１１の表面を陽極酸化により形成した非晶質な酸化膜であり、下部電極１１をアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜、あるいはそれらの何れかひとつを最表層にもつ積層膜で形成し、陽極酸化されるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜を非晶質体とした。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.
この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁 - The diffractive optical element 1 is constituted by stacking a plurality of diffraction gratings composed of at least two kinds of different materials via at least one air layer 8, wherein only a diffractive grating among the plurality of diffraction gratings in which a variation of the efficiency of diffraction in accordance with a variation of grating height of a grating part in the grating surface is smallest allows the grating height of the grating part to vary.
少なくとも２種類の異なる材料から成る複数の回折格子を少なくとも１つの空気層８を介して積層した回折光学素子１であって、該複数の回折格子のうち、格子面内での格子部の格子高さの変化による回折効率の変化量が最も小さい回折格子だけが、その格子部の格子高さが変化していること。 - 特許庁 - To form efficiently the opening of a second semiconductor layer to acquire the electrical conduction of a first semiconductor side, in the stage that many elements are fixed to a supporting body in a photovoltaic conversion device comprising a globular first semiconductor and a second semiconductor layer covering its surface, and in a method for manufacturing the photovoltaic conversion device equipped with the supporting body having a hole to mount each element.
球状の第１半導体およびその表面を被覆する第２半導体層からなる光電変換素子、並びに各素子を装着する孔を有する支持体を備えた光電変換装置の製造方法において、多数の素子を支持体に固定した段階で、第１半導体側の電気的導通をとるための第２半導体層の開口部を効率的に形成する。 - 特許庁 - In a stacked chip semiconductor device, thickness of sealing resin from the element face of a semiconductor chip can be regulated constantly by the total thickness of a die pad 2 and a thermosetting adhesive sheet 7 because the die pad 2 is exposed, on the side opposite to the sticking face of the thermosetting adhesive sheet 7, in flush with the surface of a sealing resin 6 under resin molded state.
チップ積層した半導体装置において、ダイパッド２は熱可塑性接着シート７の貼付面とは反対側の面が樹脂モールド状態で封止樹脂６表面と同一平面上に露出しているので、ダイパッド厚みと熱可塑性接着シート７の厚みとの総和厚にて半導体チップの素子面からの封止樹脂厚を一定に規制することができる。 - 特許庁 - The enclosed type cell with a power generation element body including a cathode, an anode, and nonaqueous electrolyte stored in a cell can made of metal material, the inside of which is enclosed by a sealing member with a gasket made of resin interposed at an opening of the cell can, has an asphalt layer fitted via a rubber layer on a surface of the gasket made of resin.
上記課題は、正極、負極、非水電解質を含んでなる発電要素体を金属材からなる電池缶に収容し、前記電池缶の開口部には樹脂からなるガスケットを介在させて封口部材にて電池内部を密閉した密閉型電池であって、樹脂からなるガスケットの表面にはゴム層を介してアスファルト層が設けられてなる密閉型電池によって解決される。 - 特許庁 - To provide electronic parts with a high reliability which prevent plating liquid from passing through an external electrode and from penetrating into a ceramic element and prevent humidity in an outside environment from inwardly penetrating, and which don't produce any solder sticking failure and any solder splitting failure resulting from the fact that a glass component deposits on a front surface of the external electrode, and to provide a method of manufacturing the electronic parts.
めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したり、外部環境の湿気が内部に浸入したりすることを防止するとともに、ガラス成分が外部電極の表面に析出して、はんだ付き性不良やはんだ爆ぜ不良を生じたりすることがなく、信頼性の高い電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.
ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁 - A well 10 is formed in an element region by doping impurity ion to a silicon wafer 1 having the surface orientation (100) in the doping depth of 0.5 to 1 μm from the direction inclined by 7° from the vertical axis for the silicon wafer 1, and rotated by 27° from the center of notch or orientation flat when the center of the silicon wafer 1 is set as the rotating axis.
面方位が（１００）であるシリコンウェハ１に対して、シリコンウェハ１に対して垂直な軸から７°傾けた方向であり、かつシリコンウェハ１の中心を回転軸とした場合にノッチ又はオリフラの中心から２７°回転させた方向から、注入深さが０．５〜１μｍとなるように不純物イオンを注入することにより、素子領域にウェル１０を形成する。 - 特許庁 - To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.
水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁 - The detection element comprises a silicon membrane 1 provided with a cantilever beam 11; the superconducting closed circuit 3 formed in a surface or the inside of the cantilever beam 11; a Josephson junction 4 inserted in the closed circuit 3; and a property change detection means for detecting deformation of the cantilever beam 11 on the basis of changes in a maximum superconducting current which can be made to flow through the superconducting closed circuit 3.
検出素子は、片持ち梁１１を備えたシリコン薄膜１と、片持ち梁１１の表面あるいは内部に形成された超伝導体閉回路３と、閉回路３に挿入されたジョセフソン接合４と、片持ち梁１１の変形を、超伝導体閉回路３に流すことができる最大超伝導電流の変化を通じて検出する物性変化検出手段とを有する。 - 特許庁 - In the piezoelectric device where two connection pads 12b and 13b of a piezoelectric resonator element 10 are connected through a connection member and supported on two electrode pads 6 and 6 provided in the recessed portion 3 of a package 2 for surface mounting and where the recess portion 3 is sealed airtight by a lid 4, a metal member 7 containing spherical metal particles and a solvent is used as the connection member.
表面実装用パッケージ２の凹所３内に設けた２つの電極パッド６、６上に圧電振動素子１０の２つの接続パッド１２ｂ、１３ｂを接合部材により接合して支持すると共に、前記凹所３を蓋４により気密封止した圧電デバイスにおいて、接合部材として金属球形粒子と溶剤とから構成される金属部材７を用いるようにした。 - 特許庁 - In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.
この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁
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