「surface element」を含む例文一覧(18429)
＜前へ 1 2 .... 355 356 357 358 359 360 361 362 363 .... 368 369 次へ＞- The method of manufacturing a surface heat source includes: a step of providing a carbon nanotube structure; a step in which a first electrode and a second electrode are installed with an interval, and are electrically connected to a carbon nanotube structure; and a step in which a precursor of a substrate is provided, and the precursor of the substrate and the carbon nanotube structure are combined to form a heating element.
本発明の面熱源の製造方法は、カーボンナノチューブ構造体を提供するステップと、第一電極及び第二電極を、間隔を置いて設置し、カーボンナノチューブ構造体と電気的に接続させるステップと、基体の前駆体を提供し、該基体の前駆体と前記カーボンナノチューブ構造体とを複合し、加熱素子を形成するステップと、を含む。 - 特許庁 - For instance, when an element isolation insulating film is formed, a silicon nitride film (CMP stopper film) 8 is formed on the recessed face of a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged surface) 7, and then a process where a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged layer) 7 in a disused region is polished is provided.
例えば、素子分離用絶縁膜を形成する際に、酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７の特定の凹面に窒化ケイ素膜（ＣＭＰ用ストッパ膜）８を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の酸化シリコン層（絶縁層であり、凹凸面を備えている層）７を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁 - There is provided a ceramic package using the improved lid 31 for improving the structure of the lid 31 covering the upper surface of a package substrate and transferring the heat via the lid 31 in place of realizing transfer of heat by forming a via hole to radiate the heat generated during operation of a chip type element such as a SAW filter.
本発明はＳＡＷフィルターのようなチップ型素子の動作時に発生する熱を放出するためにバイアホールを形成して熱伝導を図る代わりに、パッケージ基板の上部面に被せるリード３１の構造を改善させ、リード３１を通して熱伝導を行う改善されたリード３１を用いるセラミックパッケージを提供する。 - 特許庁 - This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.
表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部１８を有する電子線放出素子１０を用意する工程と、電圧を印加して錐体部１８から電子線１９を放出させて、電子線感応性のレジスト層２２を暴露する工程と、レジスト層２２の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.
一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁 - In the evaluation method for the optical characteristics of the optical compensation element using a liquid crystal molecular material, the surface of an optical compensation layer is observed by a polarization microscope, the dimension of each granular domain formed by differences between the axial orientations of liquid crystal molecules are evaluated, and the dimension of the domains has a diameter of 5 μm or less.
液晶性分子材料を用いた光学補償素子の光学特性の評価方法において、偏光顕微鏡により光学補償層の表面を観察し、液晶性分子の軸方位の違いにより形成された粒状のドメインの大きさを評価し、該ドメインの大きさが直径５μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The cathode of the organic electroluminescent element has a two-layered structure constituting of a cathode lower layer 13-1 and a cathode upper layer 13-2, and in order that the cathode lower layer 13-1 is not exposed to the surface, the cathode upper layer 13-2 is film-formed so that the whole including its upper face and peripheral face is covered.
本発明の有機電界発光素子の陰極は、陰極下層１３−１及び陰極上層１３−２から成る２層積層構造を有しており、陰極上層１３−２は陰極下層１３−１が表面に露出しないように、その上面及び周縁面を含む全体を被覆するように成膜されている。 - 特許庁 - The manufacturing method has an exhaust process of placing a to-be-treated material in a reaction tube to exhaust and a reduction process of introducing vapor of an organometallic compound and vapor of a reducing agent into the reaction tube and causing particulates containing the metal element from the organometallic compound to be supported on the surface of the to-be-treated material.
反応管内に被処理材を設置し、前記反応管内を排気する排気工程と、前記反応管内に有機金属化合物の蒸気及び還元剤の蒸気を導入し、前記被処理材の表面に前記有機金属化合物に含まれる金属元素を含む微粒子を担持させる還元工程とを備えた微粒子担持材料の製造方法。 - 特許庁 - A method for forming the barrier film by subjecting the Si surface to passivation by the atom-like hydrogen can perform a barrier effect by an extremely thin film for enabling space-saving, as compared with a method for forming the barrier film according to a conventional metal film or the like, and can provide an effect of reducing cost in association with no use of a metal element.
本発明のＳｉ表面を原子状水素により不動態化することによるバリア膜の形成法は，従来の金属膜などによるバリア膜の形成法と比較して，省スペース化を可能にする極めて薄い膜によりバリア効果を発揮でき，且つ金属元素を使用しないことに伴うコストの低減化をもたらす効果がある。 - 特許庁 - The gas sensor element 1 comprises: oxygen ion conductive solid electrolytic body 11; the electrode 12 of objective gas side provided on either surface of the solid electrolytic body 11; the electrode of reference gas side 13 formed on the other side of the solid electrolytic body 11; and the porous layer 2 for covering the electrode of objective gas side 12, and also making permeate the measurement gas.
酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と、固体電解質体１１の一方の面に設けた被測定ガス側電極１２と、固体電解質体１１の他方の面に形成した基準ガス側電極１３と、被測定ガス側電極１２を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質層２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁 - A semiconductor module 100 having a power semiconductor element chip and radiation metal plates disposed on both sides of the chip is mounted on a heat sink 110, and a pressure holder 112 presses the radiation metal plate at the opposite side of the module 100 to thereby press the radiation metal plate at the heat sink side of the module 100 to the heat sink 100 surface.
電力用半導体素子チップを挟んで金属放熱板が両面に配設されてなる半導体モジュール１００がヒートシンク１１０上に載置され、付勢保持部材１１２が半導体モジュール１００の反ヒートシンク側の金属放熱板を付勢して半導体モジュール１００のヒートシンク側の金属放熱板をヒートシンク１１０の表面に押しつける。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser efficiently dissipating a heat generated in a ridgy waveguide to the outside, increasing an upper-limit temperature capable of ensuring the basic characteristics and reliability of an element, and enabling a stable operation under a high-temperature state in an insulating film coating the surface of the semiconductor laser such as the ridgy waveguide and a manufacturing method for the semiconductor laser.
リッジ状導波路などの半導体レーザ表面を皮膜する絶縁膜において、リッジ状導波路内で発した熱を外部に効率良く放出し、素子の基本特性および信頼性を保証できる上限温度を引き上げ、高温状態下における安定動作を可能とする半導体レーザとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A MONOS element 71 comprises a first gate insulating film 111 so formed on a main surface 1f as to be positioned above an n-type well region 2n, a first gate electrode 51 provided on the first gate insulating film 111, and a pair of p-type impurity regions 33 and 36 constituted of a p-type impurity region.
ＭＯＮＯＳ素子７１は、ｎ型ウェル領域２ｎ上に位置するように主表面１ｆ上に形成された第１のゲート絶縁膜１１１と、第１のゲート絶縁膜１１１上に設けられた第１のゲート電極５１と、ｐ型不純物領域により構成される１対のｐ型不純物領域３３および３６とを含む。 - 特許庁 - To provide with a relatively simple process a semiconductor device that ensures airtightness of a semiconductor chip, avoids the adhesion of a resin to an element formation surface, and avoids the increase in manufacturing cost, and its manufacturing method in a junction reinforcement method that can be applied to the semiconductor device for handling a high-frequency signal ranging from a microwave band to a millimeter wave band.
マイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号を取り扱う半導体装置に適用することができる接合部補強方法であって、半導体チップの気密性が確保され、素子形成面への樹脂の付着を回避でき、かつ比較的簡単な工程で製造コストの上昇を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.
半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁 - The insulative films 40, 42 having thermal conductivity lower than thermal conductivity of a combustion chamber base material and a heat capacity per unit volume lower than the heat capacity per unit volume of the combustion chamber base material, wherein each element forming the combustion chamber 26 is set as a combustion chamber base material, are formed on a wall surface facing to a combustion chamber 26 of the internal combustion engine 10.
内燃機関１０は、燃焼室２６を構成する各要素を燃焼室母材として、燃焼室母材の熱伝導率よりも低い熱伝導率と、燃焼室母材の単位体積当り熱容量よりも低い単位体積当り熱容量とを有する断熱膜４０，４２が燃焼室２６に面する壁面に形成される。 - 特許庁 - An overcoat ink mainly comprising an optical-curing acryl monomer 80-100% for the monomer solid part ratio is plotted and filled in the thickness step part (recess part) on the ink forming layer and the partition part surface by a piezo element inkjet head, coating flattening on the transparent insulation substrate is readily performed, and the color filter with an overcoat can be manufactured.
インク形成層と仕切部表面での厚み段差部（凹部）に、モノマー固形分比率８０〜１００％の光硬化タイプのアクリルモノマーを主成分としたオーバーコートインクを、ピエゾ素子インクジェットヘッドにより、選択的に描画充填し、容易に透明絶縁基板上の被膜平坦化をおこない、オーバーコート付きカラーフィルタを作製できる工法にした。 - 特許庁 - A conductive polymer layer 15, composed of polypyrrole, a carbon layer and a conductor layer 16 composed of silver coating material layer are laminated in order and is formed on a dielectric oxide coating film 14 which is formed on the surface of a capacitor element part 11 of a roughened aluminum foil, separated from an anode extraction part 13 by a forbidden band 12 formed of silicon.
シリコンにより形成された禁止帯１２により陽極引き出し部１３と区分された粗面化されたアルミ箔のコンデンサ素子部１１の表面に形成された誘電体酸化皮膜１４の上に、ポリピロールよりなる導電性高分子層１５、カーボン層および銀塗料層よりなる導電体層１６を順次積層形成するようにしたものである。 - 特許庁 - This optical pickup device converges luminous flux from a light source 11 on an information recording surface 17a through an objective lens 16, wherein an optical element 20 constituted of a resin sheet 21 having a light transmission property is arranged curving in an optical path between a light source and the objective lens as an adjusting means for astigmatic correction.
この光ピックアップ装置は、光源１１からの光束を対物レンズ１６を介して情報記録面１７ａに集光するものであり、光透過性の樹脂シート２１から構成された光学素子２０が非点収差補正の調整手段として光源から対物レンズとの間の光路中に湾曲して配置されている。 - 特許庁 - The depolarization element is composed by arranging a plurality of structural bodies 12 which shows structural double refraction in a plane so that the optical axes are directed to different directions on one and the same plane by providing two kinds of media having different refractive indices alternately in a stripe at a period shorter than light wavelength on the outer surface layer part of a transparent substrate.
透明性の基板の表層部に光の波長よりも短い周期で屈折率の異なる２種類の媒質を交互にストライプ状に設けることにより構造性複屈折を呈するようにした複数の構造物１２をその光学軸が同一面内の異なる方向に向くように平面状に配置して構成する。 - 特許庁 - The electrooptical device provided with a element substrate 1 having a pixel electrode 3, is characterized in that the pixel electrode 3 is made of a highly electrically conductive metal with ruggedness; a transparent electrically conductive layer 5 is arranged on the surface of the highly electrically conductive metal; and the transparent electrically conductive layer has a 100-500 Å thickness.
画素電極３を有する素子基板１を備えた電気光学装置において、前記画素電極３は凹凸を有する高導電性金属からなり、前記高導電性金属の表面には透明導電体層５が配置されてなり、前記透明導電体層は１００〜５００オングストロームの膜厚を有することを特徴とする。 - 特許庁 - In this integrated type photovoltaic element, that divides a plurality of photovoltaic elements formed on the same substrate 101, and is connected in series for integration, the division grooves 104, 106, and 108 for dividing the plurality of photovoltaic elements are formed along the direction of a pull mark, generated by rolling on the surface of the substrate.
同一の基板１０１上に形成された複数の光起電力素子を分割し、直列接続して集積化される集積型光起電力素子において、複数の光起電力素子を分割するための分割溝１０４、１０６、１０８が、基板表面に圧延により生じる引き目の方向に沿って形成されている。 - 特許庁 - In a semiconductor chip 21 provided with an element substrate 22, an integrated circuit 23 formed on the top surface of the substrate 22, and electrode terminals 24 for outside connection extended toward the ends of the substrate 22 from the integrated circuit 23, the electrode terminals 24 are formed at narrow pitches in a plane on the surfaces of the ends of the substrate 22.
素子基板２２と、この素子基板２２の上面に形成される集積回路部２３と、この集積回路部２３から前記素子基板２２の端部に向けて延びる外部接続用の電極端子２４とを備えた半導体チップ２１において、前記電極端子２４を素子基板２２の端部の表面に狭いピッチ幅で平面形成した。 - 特許庁 - The method of manufacturing the element 15 having a transition metal or a thin film 11 made of the alloy thereof formed on a resin substrate 12, has a step (corresponding to a third step in Fig.2) wherein a precursor of the resin substrate 12 is heated and pressurized by a molding mold including a first molding mold 10 having the thin film 11 formed on a molded surface.
樹脂基材１２上に遷移金属又はその合金からなる薄膜１１が形成された素子１５の製造方法において、樹脂基材１２の前駆体を、成型面に薄膜１１が形成された第１成型型１０を含む成型型で加熱及び加圧する工程（図２では第３工程に相当）を有するものとする。 - 特許庁 - The chip-shaped moisture-detecting element is equipped with a moisture-sensing film where a conductive particle is dispersed in a specific hygroscope macromolecule such as the polymer of polyetheramine having at least two amino groups, an epoxy compound having at least two epoxy groups and ether connection, and water-soluble nylon between a pair of electrodes, and is mounted onto the surface of a circuit board.
特定の吸湿性高分子（例えば、２個以上のアミノ基を有するポリエーテルアミンと、２個以上のエポキシ基を有し、さらに、エーテル結合を有するエポキシ化合物と、水溶性ナイロンとの重合物）に導電性粒子を分散させた感湿膜を、一対の電極間に有し、回路基板に表面実装して用いられるチップ状感湿素子。 - 特許庁 - To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.
ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁 - In a process of feeding V material gas containing a nitrogen element and group III material gas formed of a compound containing Ga and halogen to the surface of a substrate, a group V/III ratio specified by the ratio of the feed flow rate of the group III material gas to that of the group V material gas is set at 0.1 to below 10.
窒素元素を含むＶ族原料ガスと、Ｇａおよびハロゲンを含む化合物からなるＩＩＩ族原料ガスとを基板表面に供給する工程において、ＩＩＩ族原料ガスの供給流量に対するＶ族原料ガスの供給流量の比により規定されるＶ／ＩＩＩ比を、０．１以上１０未満とする。 - 特許庁 - Among laser light beams emitted from the junction surface 6A by a semiconductor laser 6 in this optical pickup device, an unnecessary light component 8 having a larger radiation angle but smaller light intensity than a signal light 17 incident on the signal diffraction grating 5 of a hologram element 13 is converged on two focuses P1, P2 by stray light prevention hologram pattern sections 11, 12.
この光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ６がその接合面６Ａから出射するレーザ光のうち、ホログラム素子１３の信号用回折格子５に入射する信号光１７よりも放射角が大きく光強度が小さな不要光８を、迷光防止用ホログラムパターン部１１，１２でもって２つの焦点Ｐ１，Ｐ２に集光させる。 - 特許庁 - The method comprises: condensing and irradiating pulse laser beams from beneath of a solution with an objective lens 5 of a microscope, thereby generating plasma emission at the upper portion of the solution surface; and condensing the emission spectrum with an objective lens 9 at the upper portion of the solution and measuring it with a spectrometer 12, thereby analyzing a metallic element contained in the solution.
顕微鏡を使用して溶液の下からパルスレーザー光線を対物レンズ５で集光して照射ことより、溶液表面上部でプラズマ発光が発生する、その発光スペクトルを溶液上部の対物レンズ９で集光して分光装置１２で測定して、溶液に含まれる金属元素を分析することを特徴とする。 - 特許庁 - The projection optical system K projects a luminous flux from the picture display element P displaying an original picture to the projection surface S inclined to the central principal ray A which is the principal ray of the luminous flux reaching the center of the final image forming picture from the center of the original picture.
原画を表示する画像表示素子Ｐからの光束を、原画の中心から最終結像画像の中心に至る光束の主光線である中心主光線Ａに対して傾斜した被投射面Ｓに投射する投射光学系Ｋにおいて、曲率を有する複数の反射面Ｒ１〜Ｒ６を設け、かつ以下の条件式を満たすようにする。 - 特許庁 - In a COF tape carrier being employed in a semiconductor device of COF structure, a dummy interconnect line 16 of metallization material is provided on the surface in a resist opening 4 for mounting a semiconductor element thus forming a structure of irregularities extending, respectively, in the directions oblique to the side of the resist opening 4.
ＣＯＦ構造の半導体装置に用いられるＣＯＦテープキャリアにおいて、半導体素子搭載のためのレジスト開口部４内の表面に、金属配線材からなるダミー配線１６を設けることによって、レジスト開口部４の辺の方向に対してそれぞれ斜め方向に延びた凹部および凸部からなる凹凸構造を形成する。 - 特許庁 - To provide a substrate production method, a method for producing a photonic crystal element and a method for producing a photonic crystal structure, excellent in productivity, material selectivity, latitude of designing a rugged surface, cost and wavelength selectivity, and to improve optical characteristics of a photonic crystal structure and to minimize the size.
生産性、材料選択性、凹凸面の設計の自由度、コストおよび波長選択性に優れた基板生成方法、フォトニック結晶素子の生成方法、フォトニック結晶構造の生成方法を提供することを課題とし、さらには、フォトニック結晶構造の光学特性の向上および形状の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁 - In the light emitting diode element comprising the light emitting diode chip and the cover layer formed on the surface, the cover layer is provided with an antireflection function to light emitted from the light emitting diode chip, the thickness is ≤50 μm and the absolute value of the temperature coefficient of a refractive index is ≤15×10^-6/°C.
本発明の発光ダイオード素子は、発光ダイオードチップと、その表面に形成された被覆層とを備えた発光ダイオード素子において、被覆層は、発光ダイオードチップから出射された光に対する反射防止機能を備え、厚さが５０μｍ以下であり、かつ、屈折率の温度係数の絶対値が１５×１０^-6／℃以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The pattern 5 is made by copper; i.e., a shape corresponding to the pattern 5 is printed onto the surface of the base 3 using catalytic element containing liquid, and metal component containing liquid including copper is brought into contact with the place where the printing is done to separate out the copper by an electroless plating method.
パターン５は、銅によって形成されたもので、パラジウム化合物を含有する触媒成分含有液を用いて、パターン５に相当する形状の印刷を基体３の表面に施すとともに、当該印刷が施された箇所に銅を含有する金属成分含有液を接触させて、無電解めっき法にて銅を析出させることによって形成されている。 - 特許庁 - This image display device comprises a transparent substrate 1, diffraction elements 11 and 12 arranged on one surface 2 thereof, a space modulation device 13 for image display arranged in the position opposite to the transparent substrate 1 side of the diffraction element 1 and a light reflection infiltration preventive part 50 disposed in part or the whole of the end face of the transparent substrate 1.
画像表示装置は、透明基板１と、その一方の面２に配置された回折素子１１および１２と、回折素子１１の透明基板１側と反対の位置に配置された画像表示用空間変調装置１３と、透明基板１の端面の一部または全部に設けられた光の反射侵入防止部５０とから構成される。 - 特許庁 - The circuit arrangement 10 comprises an enclosure 12 having an opening at the upper surface section, a semiconductor element 13A for emitting or receiving light while being built into the enclosure 12, and a lid section 15 that is made of a material for transmitting light and blocks the opening.
本形態の回路装置１０は、上面部に開口部を有する筐体１２と、筐体１２に内蔵されて光の発光もしくは受光を行う半導体素子１３Ａと、光を透過させる材料から成り開口部を塞ぐ蓋部１５とを具備し、開口部の周辺部に凹部２５を設け、凹部２５に蓋部１５の厚み部分を収納させる構成と成っている。 - 特許庁 - To provide a filter element which is designed for filtering a fluid to be used in a prime mover or gears and equipped with a first filter medium arranged in a circular fashion to allow the fluid to perpendicularly run into the peripheral surface of the first filter medium during filtering inside an incorporated filter device and permeate through the first filter medium.
本発明は、原動機又は歯車装置に使用される流体を濾過するフィルタエレメントであって、円筒状に配設された第１濾材を含み、組み付けられたフィルタ装置内での濾過の際、前記流体が前記第１濾材の周面に垂直に当たった後、該第１濾材を浸透して通過するように構成されたフィルタエレメントに関する。 - 特許庁 - A laminated piezoelectric/electrostrictive element 1 is provided, comprising: a columnar laminate 10 formed by alternately laminating a plurality of piezoelectric/electrostrictive layer 14 and internal electrode layers 18 and 19; and a pair of external electrodes 28 and 29 provided on a peripheral surface of the columnar laminate 10 to which each of the internal electrode layers 18 and 19 having the same polarity is connected.
圧電／電歪層１４と内部電極層１８，１９とが、交互に、複数、積層をされてなる柱状積層体１０と、その柱状積層体１０の周面に設けられ、内部電極層１８，１９のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の外部電極２８，２９と、を有する積層型圧電／電歪素子１である。 - 特許庁 - The improved system for identifying defects in the complex structure can include a reflection surface, a dispersive element, and a plurality of and/or movable light sources and/or a camera for capturing the most accurate image for processing even at a curved region or a region having an external form, or at any region of the complex structure.
複合構造内の欠陥を識別するための改良されたシステムは、たとえ湾曲したまたは外形をつけられた領域でも、複合構造のどの領域でも最も正確な画像を捕捉しかつ処理できるようにするために、反射面、分散要素、ならびに複数および／または可動の光源および／またはカメラを含み得る。 - 特許庁 - In this valve element 27 of which a surface 37 is closely kept into contact with or separated from a projecting end 29 of a circulation port 28 from which the fluid flows out, for opening and closing the circulation port, a plurality of projecting parts 50 of the uniform shape are formed on at least a part kept into contact with the projecting end 29 of the circulation port.
流体が流通口２８から流れ出る流通口突端２９に表面３７が圧接または離反して、流通口を閉動作または開動作する弁体２７において、上記表面３７には、少なくとも流通口突端２９に接触する箇所に同一形状の凸部５０が複数形成されたものである。 - 特許庁 - This under-filling adhesive film to be adhered to the joining surface of a bump-having semiconductor element or flexible print board to be joined by an ultrasonic joining method is characterized by having a thickness of 0.4 to 1.1 times the height of the bump, tensile elastic modulus of 0.01 to 3 GPa after cured, and a glass transition temperature (Tg) of ≤250°C.
超音波接合法によって接合されるバンプ付き半導体素子又はフレキシブルプリント基板の接合面に接着されるアンダーフィル接着フィルムであって、前記バンプの高さの０．４〜１．１倍の厚みを有し、硬化後の引張り弾性率が０．０１〜３ＧＰａ、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５０℃以下のアンダーフィル接着フィルムとする。 - 特許庁 - To provide a separation membrane support which is made of filament nonwoven fabric composed of thermoplastic continuous filaments and being excellent in rigidity and surface smoothness, and has an excellent membrane-forming property and mechanical strength when supporting a separation membrane, such as a microfiltration membrane, an ultrafiltration membrane, a nanofiltration membrane, a reverse osmosis membrane, and the like, and a separation membrane and a fluid separation element using the separation membrane support.
熱可塑性連続フィラメントより構成され、剛性と表面平滑性に優れる長繊維不織布からなり、精密ろ過膜、限外ろ過膜、ナノろ過膜、逆浸透膜等の分離膜を支持する際に優れた製膜性および機械的強度を有する分離膜支持体並びにそれを用いた分離膜及び流体分離素子を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor element mounting substrate 10, a low-thermal expansion substrate 50 is sandwiched between an interlayer resin layer 14U on the top surface and an interlayer resin layer 14D on the underside, and a conductor circuit 26 of an organic substrate 30 and a first conductor circuit 80 of the low-thermal expansion substrate 50 are connected via a via conductor 22 formed on the interlayer resin layer 14U.
半導体素子実装基板１０は、低熱膨張基板５０を上面側の層間樹脂層１４Ｕと下面側の層間樹脂層１４Ｄとで挟持し、有機基板３０の導体回路２６と低熱膨張基板５０の第１導体回路８０とを層間樹脂層１４Ｕに形成されたビア導体２２で接続する。 - 特許庁 - Steel frame members 2 formed to collect steel materials for in-plane bending reinforcement are disposed continuously in the direction of a height at the end position of the reinforced concrete earthquake-resisting wall 1a on a flat surface to enlarge a stress center distance in the direction of an arrow Y determining the resisting force to the bending moment and reduce a scale as a resisting element to the bending moment.
平面上、鉄筋コンクリート造耐震壁1aの端部位置に、面内曲げ補強のための鋼材を集約させた形の鉄骨部材２を高さ方向に連続させて配置し、曲げモーメントに対する抵抗力を決めるＹ方向の応力中心間距離を拡大すると共に、曲げモーメントに対する抵抗要素としての規模を縮小する。 - 特許庁 - The optical element 20 on a surface of which minute rugged part 21a below a visible ray wavelength is formed is molded integrally with the frame by supplying a resin material 23 into a molding die in a state where a frame 10 manufactured in advance is arranged in a cavity C of the molding die 3 to constitute the frame incorporated type optical part 1.
本発明に係るフレーム一体型光学部品１は、あらかじめ製造したフレーム１０を成形型３のキャビティＣ内に配置した状態で樹脂材料２３を供給することにより、表面に可視光線の波長以下の微細凹凸部２１ａを形成した光学素子２０を、前記フレームと一体的に成形した構成としてある。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.
この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a solar cell module having such a structure, the solar cell module is formed by a roll lamination method, that is, by thermally press-fitting the uppermost surface member, the lowermost rear member and the sealing material to the photovoltaic element aggregate.
周縁部に角部を有していない光起電力素子集合体が最表面部材と最裏面部材の間に封止材を介してなる太陽電池モジュールの製造方法においては、太陽電池モジュールがロールラミネーション方式により、光起電力素子に最表面部材、最裏面部材及び封止材を熱圧着することで太陽電池モジュールを形成する。 - 特許庁 - This is a ceramic heater in which a heating element is formed on the surface or inside the disc shape ceramic substrate and support pins for holding the heated object are provided on the substrate in a state of protrusion from the ceramic substrate.
円板形状のセラミック基板の表面または内部に発熱体が形成され、前記セラミック基板には、被加熱物を保持するための支持ピンが上記セラミック基板の表面から突出した状態で設けられたセラミックヒータであって、前記支持ピンの数ｎと、前記セラミック基板の半径ｒ（ｍｍ）とは、下記の（１）式の関係を満たすことを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor element comprises sequentially the steps of forming a gate electrode having a metal silicide layer on a semiconductor wafer, decreasing crystal grain region on the surface of the metal silicide layer exposing at least its part, forming a spacer consisting of an oxide film on the side wall of the gate electrode.
半導体基板上に金属シリサイド層を有するゲート電極を形成する工程と、少なくとも一部が露出する前記金属シリサイド層表面の結晶粒界を減少させる工程と、前記ゲート電極の側壁に酸化膜からなるスペーサを形成する工程と、を順次含むことを特徴とする半導体素子の製造方法である。 - 特許庁 - In the process for manufacturing a flexographic printing plate from the photosensitive element, the photopolymerizable layer is imagewise exposed to actinic radiation to form polymerized portions and unpolymerized portions in the layer and processing for removing the unpolymerized portions is carried out to form a relief surface suitable for printing.
一方、その感光性エレメントからフレキソ印刷版を作製する方法としては、光重合性層を化学線にイメージに従って露光してその層中に重合した部分と重合していない部分を形成し、重合していない部分を除去する処理をし、印刷に適したレリーフ表面を形成することを含む方法を提供する。 - 特許庁
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