「surface layer」を含む例文一覧(49992)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 999 1000 次へ＞- To provide a fixing device in which an elastically deformable surface layer is formed around a heating member, the fixing device being configured to prevent a contact member disposed in contact with the surface layer from becoming tightly pressed against the elastically deformable surface layer.
加熱部材に弾性変形可能な表面層を形成した定着装置において、前記表面層に接触する接触部材が前記表面層に食い込むのを防止する。 - 特許庁 - An Au surface layer conductor 16 is formed on the surface of a ceramic wafer 11, and this Au surface layer conductor 16 is directly connected to an Ag via conductor 14 of the top layer.
セラミック基板１１の表面にＡｕ系表層導体１６を形成し、このＡｕ系表層導体１６を最上層のＡｇ系ビア導体１４に直接接続する。 - 特許庁 - After forming a surface channel layer 5 formed of 4H or 6H-SiC on the surface of an n^--type drift layer 2, an unnecessary part of the surface channel layer 5 is removed by using a resist 20 as a mask.
ｎ^-型ドリフト層２の表面に４Ｈ又は６Ｈ−ＳｉＣからなる表面チャネル層５を形成したのち、レジスト２０をマスクとして表面チャネル層５の不要部分を除去する。 - 特許庁 - This ultraviolet absorbing film is constituted of a base film 2, a sticking layer 4 laminated on the second surface side of the base film 2 and a protecting layer 3 laminated so that a surface layer is formed on the first surface side of the base film 2.
ベースフィルム２と、ベースフィルム２の裏面側に積層される粘着層４と、ベースフィルム２の表面側に表層を形成するよう積層される保護層３とを備える。 - 特許庁 - The electrode 2 on the side of the gas to be measured has the electrode surface layer 22 arranged on its surface side and the electrode intermediate layer 21 arranged between the electrode surface layer 22 and the solid electrolyte 11.
被測定ガス側電極２は、表面側に配された電極表層２２と、電極表層２２と固体電解質体１１との間に配された電極中間層２１とを有する。 - 特許庁 - An adhesives layer 5 is formed on the reverse surface side of the contact surface with the resin substance 2 in the magnetic layer 3, and further a release paper 6 is stuck on the surface of the adhesives layer 5.
また、磁性層３における樹脂体２との接触面の裏面側に接着剤層５が形成され、さらに接着剤層５の表面に剥離紙６が貼着されている。 - 特許庁 - To provide a fixing device in which an elastically deformable surface layer is formed around a heating member, the fixing device being configured to prevent a contact member disposed in contact with the surface layer from becoming tightly pressed against the surface layer.
加熱部材に弾性変形可能な表面層を形成した定着装置において、前記表面層に接触する接触部材が前記表面層に食い込むのを防止する。 - 特許庁 - A dielectric layer 12, a recording layer 13, a dielectric layer 14, a reflective layer 15, and a protective layer 16 are sequentially stacked on one primary surface of a substrate 11 to manufacture an optical recording medium.
基板１１の一主面に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６を順次積層して光記録媒体を製造する。 - 特許庁 - The security label 10 includes a surface material 14, a first adhesive layer 16, a base material 18, a second adhesive layer 20, an adhesion reducing layer 22, a conductive layer 24 and an adhesive layer 26.
セキュリティラベル１０は、表面材１４、第１の接着層１６、支持材１８、第２の接着層２０、接着力弱化層２２、導体層２４、粘着層２６を含む。 - 特許庁 - The surface of the outer layer 12 may be covered with a protect layer and also it is capable of providing an intermediate layer between the inner layer 11 and the outer layer 12 to improve their adhesion.
外層１２の表面を保護層により覆ってもよく、また、内層１１と外層１との間に中間層を設け、密着性を向上させてもよい。 - 特許庁 - The intrinsic base layer 50 is disposed on the collector layer 3 surrounded by an isolation layer 4, and an N-type impurity layer 30 is formed in a surface portion of the collector layer 3.
真性ベース層５０は、分離層４に囲まれたコレクタ層３上に配置され、コレクタ層３の表面部に、Ｎ型不純物層３０が形成されている。 - 特許庁 - Since a gate electrode is composed of a P-type semiconductor layer and an N-type semiconductor layer, a depletion layer 13 occurs at the junction surface between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.
ゲート電極はＰ型半導体層及びＮ型半導体層からなるので、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層との接合面に、空乏層１３が生じる。 - 特許庁 - Any sand that falls on the upper surface of a third layer 7 passes through that layer and also through the second layer 3 to be retained between the first layer 2 and second layer 3.
第３層の上部表面上に落ちるいかなる砂もその層を通過しそして第２層３も通過して第１層２と第２層３との間に保持される。 - 特許庁 - A wiring groove 7 is formed in the low dielectric layer 4, the high dielectric layer 5, and the protective layer 6, being dug down to the low dielectric layer 4 from the upper surface of the protective layer 6.
低誘電率層４、高誘電率層５および保護層６には、保護層６の上面から低誘電率層４まで掘り下がった配線溝７が形成されている。 - 特許庁 - The glass layer 10 is constituted of a first glass layer 8 at a lower layer side and a second glass layer 9 which is formed at an outer surface side than the first glass layer 8 and contains an antibacterial metal.
ガラス層１０は、下層側の第１ガラス層８と、第１ガラス層８より外面側に形成され、抗菌金属を含む第２ガラス層９とからなる。 - 特許庁 - A gate oxide film 6, a polysilicon layer (first gate layer ) 9, a tungsten silicide layer (second gate layer) 10 and an insulation layer 8 are formed on a surface of a silicon substrate 2.
シリコン基板２の表面上に、ゲート酸化膜６、ポリシリコン層（第１ゲート層）９、タングステンシリサイド層（第２ゲート層）１０および絶縁層８が形成される。 - 特許庁 - On an opening 30A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10, a lower clad layer 22, an active layer 23, an upper clad layer 34, and a contact layer 28 are formed in order.
基板１０表面の絶縁層２０の開口３０Ａ上に、下部クラッド層２２と、活性層２３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層２８とが順に形成されている。 - 特許庁 - A middle refractive index layer 13a, a high refractive index layer 13b and a low refractive index layer 13c are applied and dried on the surface of the layer 12 so as to form an antireflection layer 13.
ハードコート層１２の表面に、中屈折率層１３ａ、高屈折率層１３ｂ、低屈折率層１３ｃを塗布乾燥し反射防止層１３を形成する。 - 特許庁 - In the barrel material 1, a barrier layer 3 and a thermoplastic resin layer 4 are piled up on the back face of a paper layer 2 and a top coating layer 5 is piled up on the surface of the paper layer 2.
胴材１は、紙層２の裏面にバリア層３及び熱可塑性樹脂層４が積層され、紙層２の表面にトップコート層５が積層された構成である。 - 特許庁 - An inner layer (second resin layer) 4 comprising a resin different from the resin constituting the outer layer 2 is bonded to the other surface of the barrier layer 3 by an inside adhesive layer 6.
バリア層３の他方の面には、外層２を構成する樹脂と異なる樹脂からなる内層（第２樹脂層）４を内側接着剤層６によって接着する。 - 特許庁 - The wiring structure is provided with an insulating layer having a wiring groove on the surface, a conductor layer arranged in the wiring groove and a barrier layer between the insulating layer and the conductor layer.
配線構造体は、表面に配線溝を有する絶縁層、配線溝に配設される導体層、及び絶縁層と導体層との間にバリア層を備えている。 - 特許庁 - An auxiliary electrode layer 14 is formed on an organic insulating layer 12, and a function layer 13 is formed over the whole surface on the organic insulating layer 12 and auxiliary electrode layer 14.
有機絶縁層１２上に補助電極層１４を形成した後、有機絶縁層１２及び補助電極層１４上の全面に渡って機能層１３を形成した。 - 特許庁 - It is desirable that the plated layer 12 has a resin coating layer (a coating layer 13, a coating layer using a polyurethane-based resin or the like) on a surface thereof, or that the plated layer 12 is a copper plating layer having a tin plated layer or a nickel plated layer (the coating layer 13) provided on a surface thereof.
また、めっき層１２の表面に樹脂コーティング層（被覆層１３、ポリウレタン系樹脂等を用いたコーティング層）が設けられている、又はめっき層１２が銅めっき層であり、この銅めっき層の表面に錫めっき層又はニッケルめっき層（被覆層１３）が設けられていることが好ましい。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the optical waveguide, a core layer is formed on the surface of an underclad layer and an overclad layer is formed so as to cover the surface of the core layer or no overclad layer is formed, wherein at least one layer of the underclad layer, the core layer and the overclad layer is formed by using a photo-curable resin sheet 2a, 3a, 4a.
アンダークラッド層の表面にコア層を形成し、そのコア層の表面に、オーバークラッド層を被覆形成するかもしくは形成しないで光導波路を製造する方法であって、上記アンダークラッド層，コア層およびオーバークラッド層の少なくとも１層を、光硬化性樹脂シート２ａ，３ａ，４ａを用いて形成する。 - 特許庁 - The surface of the second magnetic layer 14 opposite to the gap layer 9 is flat, and the surface thereof of the gap layer 9 side approaches the first magnetic layer 8 gradually as it is separated more from the medium opposite surface ABS.
第２の磁性層１４のギャップ層９とは反対側の面は平坦になっており、ギャップ層９側の面は媒体対向面ＡＢＳから離れるに従って段階的に第１の磁性層８に近づいている。 - 特許庁 - In this metal surface treatment method, a galvanized layer 36 is formed on the surface of a pulley base metal 10a as a metal layer having the ionization tendency than that of iron, and a titania phosphate compound layer 38 is deposited on the surface of the galvanized layer 36.
プーリ母材１０ａの表面に鉄よりイオン化傾向の小さい金属層として亜鉛メッキ層３６を形成し、亜鉛メッキ層３６の表面にリン酸チタニア化合物層３８を形成する。 - 特許庁 - An adhesive sheet is stuck to the emitting surface of a lenticular display body layer 14, and the emitting surface of the layer 14 and the surface of the layer 12 are stuck through an adhesive layer 13.
レンチキュラー表示体層１４の出射面１４ｃに接着シートが貼り付けられており、レンチキュラー表示体層１４の出射面１４ｃと保護層１２の表面とが接着剤層１３を介して接着されている。 - 特許庁 - The optical body has a first optical layer having a rugged surface, a wavelength selective reflection layer formed over the rugged surface, and a second optical layer formed over the wavelength selective reflection layer so as to smooth out the rugged surface.
光学体は、凹凸面を有する第１の光学層と、凹凸面上に形成される波長選択反射層と、凹凸面を埋めるように波長選択反射層上に形成される第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - An optical body has a first optical layer having a rugged surface, a wavelength selective reflection layer formed over the rugged surface, and a second optical layer formed over the wavelength selective reflection layer so as to bury the rugged surface.
光学体は、凹凸面を有する第１の光学層と、凹凸面上に形成された波長選択反射層と、凹凸面を埋めるように波長選択反射層上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - The light accumulating chip 1 has a cavity portion formed on an inner side surface of a light accumulating material layer 2, a transparent facing layer 3 on an outer side surface, and a white resin layer 4 having a reflecting function on the inner side surface of the light accumulating material layer 2.
蓄光チップ１は蓄光材層２の内側面に空洞部、外側面に透明表皮層３が形成され、蓄光材層２の内側面に反射機能を有する白色樹脂層４が形成されている。 - 特許庁 - The surface protection tape 21 being stuck onto a semiconductor wafer 24 includes a substrate layer 22 and an adhesive layer 23 wherein a cut 25 is formed in the surface of the substrate layer 22 opposite to the surface touching the adhesive layer 23.
半導体ウェハ２４に貼付される表面保護テープ２１は、基材層２２と粘着剤層２３とを含み、基材層２２には、粘着剤層２３と接する側の面と反対側の面に切込部２５が形成される。 - 特許庁 - After a first resin layer and a mask layer are formed on a first surface, a first resin layer removing liquid is supplied from a second surface to remove the first resin layer on a through-hole and a through-hole peripheral part on the first surface.
第一面に第一樹脂層及びマスク層を形成した後、第二面より第一樹脂層除去液を供給して、第一面の貫通孔上及び貫通孔周辺部の第一樹脂層を除去する。 - 特許庁 - The decorative sheet 11 has a two-layer structure and a second layer part 13 below the first layer part 12 of a surface is made to be darker than the first layer part.
前記化粧シート１１を２層構造とし、表面の第１層部分１２よりも下の第２層部分１３のほうを暗色とする。 - 特許庁 - This surface decorative article comprises a resin molded object 2, the luminescent layer 3, a first clear coat layer 4, a printing layer 5 and a second clear coat layer 6.
表面加飾品１は、樹脂成形体２と、発光層３と、第１クリアコート層４と、印刷層５と、第２クリアコート層６とを備える。 - 特許庁 - An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.
ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁 - The photoreceptor 5 is formed by laminating an undercoat layer, a charge generating layer, a charge transfer layer and a surface layer on an aluminum substrate of a diameter 30 mm.
感光体５は、直径３０ｍｍのアルミニウム基体上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層及び表面層を積層する。 - 特許庁 - At first, a black matrix layer 12, a red layer 15, a blue layer 16 and a green layer 17 are formed on one surface 11a of a color filter substrate 11.
まずカラーフィルタ基板１１の一方の面１１ａにブラックマトリックス層１２、レッド層１５、ブルー層１６、およびグリーン層１７を形成する。 - 特許庁 - A hard coat layer, a functional layer, an antireflection layer or the like are formed on the surface of the transparent support 11 opposite to the near-IR ray absorbing layer 12.
透明支持体１１の近赤外線吸収層１２と反対側の面にはハードコート層、機能層、反射防止層等が設けられる。 - 特許庁 - Partial parts of the p-type GaN layer 4 and the active layer 3 are removed, and a transparent electrode layer 5 is formed over the entire surface of the remaining p-type GaN layer 4.
ｐ型GaN層４及び活性層３の一部を除去して残存したｐ型GaN層４の全面に透明電極層５を形成する。 - 特許庁 - The base material plywood layer 10 has a plywood intermediate layer 15 and a plywood surface layer 11 laminated on the upper face of the plywood intermediate layer 15.
基材合板層１０は、合板中間層１５と、合板中間層１５の上面に積層された合板表面層１１とを有する。 - 特許庁 - Next, an interlayer insulating layer 5 is formed so as to cover the main surface of the substrate 1, a cathode electrode layer 2, the emitter layer 3, and the buffer layer 4.
次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。 - 特許庁 - An insulating layer 12, a barrier layer, and a seed layer are formed on a principal surface 111 for a semiconductor substrate 11, and a bump 22 is formed on the seed layer.
半導体基板１１の主面１１１上に、絶縁層１２、バリア層およびシード層を形成し、シード層上にバンプ２２を形成する。 - 特許庁 - The conductor layer 30 is provided on the base insulating layer 2 so as to interpose the plating layer 20 between the main surface E1 and the base insulating layer 2.
導体層３０は、主面Ｅ１とベース絶縁層２との間にめっき層２０が介在するようにベース絶縁層２上に設けられる。 - 特許庁 - The pressure-sensitive adhesive layer 14 is a thin-film layer that has a flat shape similar to that of the base layer 12 and is provided on one surface of the base layer 12.
粘着剤層１４は、基材層１２と同等な平面形状の薄膜層であり、基材層１２の一方の面に設けられている。 - 特許庁 - A seed layer consisting of a titanium-tungsten alloy, ground surface layer, magnetic layer essentially consisting of cobalt, protective layer and lubricant are successively formed on a resin substrate.
樹脂基板上に、チタン・タングステン合金からなるシード層、下地層、コバルトを主成分とする磁性層、保護層、潤滑剤を順次形成する。 - 特許庁 - The molded body is equipped, from the surface side, with the transparent prepreg resin layer, the pattern layer, the thermosetting resin layer and a substrate resin layer, all layers being cured.
成形体としては表面側より、硬化後の、透明プリプレグ樹脂層、模様層、熱硬化性樹脂層、基材樹脂層を備えている。 - 特許庁 - For forming the organic film layer, the hole injection layer and the hole transporting layer of R, G, B pixels are formed on the entire surface as a common layer.
有機膜層を形成する際には、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素の正孔注入層と正孔輸送層を共通層として全面に形成する。 - 特許庁 - Between a lowest ceramic layer 1a and a ceramic layer 1b above the ceramic layer 1a, a metal shielding layer M is formed almost over the entire surface.
最下位のセラミック層１ａとその上部にあるセラミック層１ｂ間には金属シールド層Ｍがほぼ全面に渡って形成されている。 - 特許庁 - A paving bed layer 6 is formed on an upper part of the waste layer 5, and a pavement layer 7 is formed on an upper surface of the paving bed layer 6.
廃棄物層５の上方には舗装下地層６が形成され、さらに舗装下地層６の上面には舗装層７が形成される。 - 特許庁 - A base layer 2 is formed on a surface of an engine 1, and the base layer 2 is covered with the metal foil of a first layer 3 and the metal foil of a second layer 4.
エンジン１の表面に基層２を形成し、この基層２上に第１層３の金属箔及び第２層４の金属箔で覆う。 - 特許庁
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