「surface source」を含む例文一覧(8325)
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少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供するものである。 - 特許庁 - The sealed nickel hydrogen battery uses the hydrogen storage electrode, and is formed by welding a welding point on the inner surface of a sealing plate 0 and at least one welding point out of welding points of a lead 9 and an upper current collector 2 by passing current between a positive terminal and a negative terminal of the battery from an outside power source after sealing.
また、該水素吸蔵電極を適用し、封口板０の内面とリード８の溶接点およびリード９と上部集電板２の溶接点のうち少なくとも一方の溶接点を、封口後に電池の正極端子と負極端子間に外部電源により通電することにより溶接してなる密閉形ニッケル水素電池。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of rapidly heating the attached solder paste locally and heating the solder paste to a melting point at which the solder paste is melted, using an additional heat source; and forming a temperature gradient across the substrate by cooling a second surface of the pallet and dissipating heat from the substrate, while further rapidly locally heating the attached paste.
更に、付着されたソルダペーストを更に急速に局部的に加熱し、追加熱源を用いて、ソルダペーストを溶融させるのに充分な融点に加熱するステップと、付着されたソルダペーストを更に急速に局部的に加熱しながらパレットの第２の表面を冷却して基板から熱を放散させ基板を横切る温度勾配を形成するステップと、を有する。 - 特許庁 - A semiconductor device has: a source electrode 20, a gate electrode 24, and a drain electrode 22 formed on a nitride semiconductor layer 19; a silicon nitride film 26 formed on the nitride semiconductor layer in a state contacted with it; and an organic insulation film 32 provided in a state contacted with an upper surface of the silicon nitride film between the gate electrode and the drain electrode.
窒化物半導体層１９上に形成されたソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜２６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜３２と、を含む半導体装置。 - 特許庁 - The projection video display device 100 includes: a light source unit 110 constituted of a plurality of solid light sources 111; a DMD 500 modulating light emitted from the plurality of solid light sources 111; and a projection unit 150 projecting light emitted from the DMD 500 on a projection surface.
投写型映像表示装置１００は、投写型映像表示装置１００は、複数の固体光源１１１によって構成される光源ユニット１１０と、複数の固体光源１１１から出射される光を変調するＤＭＤ５００と、ＤＭＤ５００から出射される光を投写面上に投写する投写ユニット１５０とを備える。 - 特許庁 - The method of treating the surfaces of medical instruments which are contaminated with protein associated disease (such as prions) includes a process contacting the surface with a composition containing a source of peroxide ions, such as hydrogen peroxide, at a molar concentration of at least 1.5M peroxide (equivalent to approximately 5% hydrogen peroxide) and preferably, about 2M peroxide (approximately 7% hydrogen peroxide).
タンパク質関連疾患（プリオンなど）で汚染された医療機器の表面を処理する方法は、この表面と過酸化物イオン源を含む組成物（例えば、少なくとも１．５Ｍ過酸化物のモル濃度の過酸化水素（約５％過酸化水素と等価である）および好ましくは、約２Ｍ過酸化物（約７％過酸化水素））とを接触する工程を含む。 - 特許庁 - The shelf vessel 15 in the refrigerator for storing or loading foods is formed by an ultraviolet ray penetrating material, a photocatalyst membrane 16 is provided on a food storage side of the shelf vessel in the refrigerator, and a light source lamp 17 emitting ultraviolet rays on the photocatalyst membrane is arranged on a rear surface side of the photocatalyst membrane in the shelf vessel in the refrigerator.
食品を収納あるいは載置する庫内棚容器15を紫外線透過材料から形成し、この庫内棚容器の食品収納側に光触媒膜16を設けるとともに、庫内棚容器における光触媒膜の裏面側に光触媒膜に紫外線を照射する光源ランプ17を配置することを特徴とする。 - 特許庁 - The display device 11 for the vehicle is equipped with the pointer instrument A, the display means 11 disposed on its front side, a light guide means 14 of guiding light of a light source 12 lighting it up through transmission to the rear surface, the casing 16 containing the light guide means 14 and display means 11 one over the other, and a cover 17 fixed to the casing 16.
車両用表示装置１１は、指針計器Ａと、その前面側に配置された表示手段１１と、これを透過照明する光源１２の光を裏面へ導く導光手段１４と、導光手段１４と表示手段１１とを積層して収納するケーシング１６と、ケーシング１６に固定されるカバー１７とを備える。 - 特許庁 - The surface treatment apparatus is provided with a vacuum vessel (1) housing a work (W), conductors (6, 30, 39, and 40) housed in the vacuum vessel (1), and a power source (11) for plasma generation for supplying the voltage for plasma generation used for generating the plasma within the vacuum vessel (1) to the conductors (6, 30, 39, and 40).
本発明による表面処理装置は，ワーク（Ｗ）を収容する真空容器（１）と，真空容器（１）に収容されている導体（６，３０，３９，４０）と，真空容器（１）内にプラズマを発生するために使用されるプラズマ発生用電圧を前記導体（６，３０，３９，４０）に供給するプラズマ発生用電源（１１）とを備えている。 - 特許庁 - The first electrode 16 of the capacitor 50 is electrically connected to the source region 23a (or the drain region 23b) of the transistor 23 through a first contact plug 13 formed in the semiconductor layer 11, while the first contact plug 13 is electrically insulated from the semiconductor layer 11 by the insulating film 12 formed on the side surface thereof.
キャパシタ５０の第１の電極１６は、半導体層１１内に形成された第１のコンタクトプラグ１３を介して、トランジスタ２３のソース領域２３ａ（またはドレイン領域２３ｂ）に電気的に接続されており、第１のコンタクトプラグ１３は、その側面に形成された絶縁膜１２により、半導体層１１と電気的に絶縁されている。 - 特許庁 - In the ultraviolet sterilization device 10 using an excimer lamp, accommodated in the dielectric container 2 through which ultraviolet light 4 can transmit, as an ultraviolet light source, a cooling fan 7 for controlling the surface temperature of the dielectric container 2 at a certain temperature or lower to maintain the transmission rate of the ultraviolet light is disposed outside a device main body 1.
紫外線光４の透過可能な誘電体容器２に収納されたエキシマランプを紫外線光源とする紫外線消毒装置１０において、誘電体容器２の表面温度を一定温度以下に調整して紫外線透過率を維持するための冷却用ファン７を装置本体１の外部に配置させる構成である。 - 特許庁 - The manufacturing apparatus comprises: a supply source having a supply part which supplies film-forming species of material for forming the retardation film; and a substrate retention member which can be moved while retaining the substrate and moves the surface of a substrate in a first direction within a prescribed region including positions to which the film-forming species from the supply part can be supplied.
製造装置は、位相差フィルムを形成するための材料の成膜種を供給する供給部を有する供給源と、基板を保持しながら移動可能であり、供給部からの成膜種が供給可能な位置を含む所定領域内で基板の表面を第１方向に移動させる基板保持部材とを備える。 - 特許庁 - To provide a UV polarization light source device having excellent polarization characteristics and stability, easily handled in a slim form and using a polarization film containing a substance having a dichroic property in a UV region, wherein polarization UV in a large surface area can be easily formed, light having wide wavelength region can be utilized and a wide range of substances for forming an alignment layer can be selected.
偏光特性、安定性に優れ、大面積での偏光紫外線形成が容易で広い波長域の光を利用でき、従って配向膜形成物質の選択範囲が広く、スリムな形態で取扱いが容易な、紫外領域で二色性を示す物質を含有する偏光フィルムを用いた紫外線偏光光源装置を提供する。 - 特許庁 - In the molecule beam source for depositing an organic thin film, a valve 33 is disposed in a space reaching a molecule-emitting hole 14 to emit molecules of a film deposition material generated from a molecule heating unit 12 side toward a film deposition surface, and heaters 18, 19 to heat the molecules to be emitted out of the film deposition material are provided on the molecule-emitting hole 14 side.
有機物薄膜堆積用分子線源は、分子加熱部１２側から、発生した成膜材料の分子を成膜面へ向けて放出する分子放出口１４に至るまでの間にバルブ３３を配置し、さらに分子放出口１４側に、放出する成膜材料の分子を加熱するヒータ１８、１９を設けたものである。 - 特許庁 - The method for producing a copper nanoparticle comprises: a stage where citric acid is added to a solvent; a stage where a copper source is dissolved into the solvent, so as to produce copper ions; and a stage where a reducing agent is added to the solvent while flowing an inert gas, so as to reduce the copper ions, and a copper nanoparticle containing citric acid on the surface is formed.
本発明の銅ナノ粒子の作製方法は、溶媒にクエン酸を添加する工程と、前記溶媒に銅源を溶解させて銅イオンを生成させる工程と、溶媒中に不活性ガスを流しながら還元剤を加えて、前記銅イオンを還元し、表面にクエン酸を有する銅ナノ粒子を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The static discharger comprises a discharging bar main unit 100 connected to an unshown high voltage source, a plurality of acicular electrodes 101 arranged on a peripheral surface of the discharging bar main unit 100, a static discharger frame (hereinafter referred to as a frame) 103, a mesh 104 provided so as to cover the frame 103.
除電器５４を、図示しない高圧電源に接続された除電バー本体１００と、除電バー本体１００の周面に並べて複数配置された電極針１０１と、除電バー本体１００を保持する除電器フレーム（以下、単にフレームという）１０３とフレーム１０３を覆うように設けられたメッシュ１０４とから構成する。 - 特許庁 - As a result, the high voltage insulator ring 211 as an insulating stand-off is located at the distant end of the support tube system coaxially arranged near an ion source to mechanically support the inside support tube and serve as a high voltage vacuum feedthrough, thus reducing the possibility that vapor reaches the insulating surface of the insulator ring 211 to contaminate and cover it.
この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the spin injection source device performs a step for forming a CaF_2 film 2 by epitaxial growth while the clean surface of the Si substrate 1 is being heated, and a step for forming an Fe_3Si film 5 by a molecular beam epitaxy method for simultaneously applying Si 3 and Fe 4 onto the CaF_2 film 2 at 400°C.
スピン注入源デバイスの製造方法において、Ｓｉ基板１の清浄表面を加熱した状態で、ＣａＦ_2 膜２をエピタキシャル成長により形成する工程と、次に、前記ＣａＦ_2 膜２上に４００℃でＳｉ３とＦｅ４を同時に照射する分子線エピタキシー法によりＦｅ_3 Ｓｉ膜５を形成する工程とを施す。 - 特許庁 - The pellicle film includes, on the surface of a raw material pellicle film 21 at least in an exposure light source side, an ultraviolet light absorbing layer 22 that has an average transmittance of 90% or more to the ultraviolet light with the wavelength region of 350-450 mm, and an average transmittance of 50% or less to the ultraviolet light with the wavelength region of 200-300 nm.
このペリクル膜の特徴は、原料ペリクル膜２１の少なくとも露光光源側の表面に、３５０〜４５０ｎｍの波長域の紫外線に対する平均透過率が９０％以上であると共に、２００〜３００ｎｍの波長域の紫外線に対する平均透過率が５０％以下である紫外線吸収層２２が付与されてなる点にある。 - 特許庁 - The electric heating/warming composite fabric article 10 comprises at least a fabric layer 12 having inner and outer surfaces and an electric heating/warming element 16 formed, e.g. of die cut, conductive textile or plastic sheeting or metal foil, and affixed at the inner surface of the fabric layer and adapted to generate heating/warming when connected to the power source.
電気加熱／加温複合布製品１０は、内面および外面を有する布層１２と、たとえば打ち抜かれた導電織物またはプラスチックシートまたは金属箔から形成され、上記布層の内面に固着され、電源に接続されると加熱／加温を起こすようになされている電気加熱／加温素子１６とを少なくとも備えている。 - 特許庁 - The electron source 10a is constructed of a lower electrode 12, a buffer layer made of amorphous silicon layer formed on the lower electrode 12a, a polycrystalline silicon layer 3 formed on the buffer layer, an intense-field drift layer 6 formed on the polycrystalline silicon layer 3, and a surface electrode 7 formed on the intense-field drift layer.
電子源素子１０ａは、下部電極１２と、下部電極１２ａに形成されたアモルファスシリコン層からなるバッファ層１４と、バッファ層１４上に形成された多結晶シリコン層３と、多結晶シリコン層３上に形成された強電界ドリフト層６と、強電界ドリフト層６上に形成された表面電極７とで構成されている。 - 特許庁 - The flexible radiating pipe 4 made of resin, which partitions a passage S2 for passing a heat generating source 3 against a passage S1 for inserting the fluid pipe in a sealing state, is integrally formed on an inner wall surface 1b of the flexible resin corrugated flexible pipe 1 inserting the flexible fluid pipe 2 along the X direction of a pipe axis.
可撓性の流体管２を挿通する屈曲可能な合成樹脂製の波形可撓管１の内壁面１ｂに、流体管挿通用通路Ｓ１に対して発熱源３を通すための通路Ｓ２を密封状態で区画形成する可撓性の合成樹脂製の放熱管４が管軸芯Ｘ方向に沿って一体的に形成されている。 - 特許庁 - At the initial power supply stage, a halogen lamp 64 is driven by an AC current supplied from a commercial power source 105 through a driver 103, and also, a carbon lamp 65 is driven by a DC current supplied from a capacitor 106, then, the surface temperature of a fixing roll 61 is quickly increased up to a set temperature.
通電初期時には、ハロゲンランプ６４が商用電源１０５からドライバ１０３を介して供給される交流電流により駆動されるとともに、カーボンランプ６５が蓄電装置１０６から供給される直流電流によって駆動されるので、定着ロール６１の表面温度が設定温度まで急速に上昇する。 - 特許庁 - In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode.
コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁 - The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.
該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁 - To provide a photocatalyst coating liquid capable of forming a photocatalyst layer having excellent adhesiveness to a substrate on the substrate and exhibiting high photocatalytic activity by irradiating the photocatalyst layer with a practical light source such as a fluorescent lamp, and a product having a photocatalytic function and provided with the photocatalyst layer on the surface.
基材の表面に光触媒体層を形成したときに、基材との密着性に優れる光触媒体層が得られ、しかも光触媒体層が蛍光灯などの実用光源の照射によって、高い光触媒活性を示す光触媒体コーティング液と、光触媒体層を表面に備える光触媒機能製品を提供する。 - 特許庁 - In the converging method, a linear light source 12 extended along the axial direction of a elliptic cylinder so as to irradiate a reflection surface 111 having at least one of shapes in the peripheral direction of the inner periphery S of the elliptic cylinder with light from one focal position F_1 of the inner periphery S or its vicinity.
本発明に係る集光方法は、楕円筒内周面Ｓの周方向の少なくとも一部の形状を有する反射面１１１に対して、楕円筒内周面Ｓの一方の焦点位置Ｆ１又はその近傍から光を照射するように、前記楕円筒の軸方向に沿って延びるライン光源１２を配置することを特徴とする。 - 特許庁 - The infrared simulation target is used in a firing test or shooting practice of a firearm having the infrared targeting function, and it has a seat 10, a target base 20 having a tabular or hollow solid shape arranged on the seat 10, and a heat source 30 provided with an electric heating element arranged along a surface of the target base 20.
赤外線照準機能を有する火器の発射試験、射撃訓練に用いられる赤外線放射模擬標的であって、台座１０と、台座１０上に配置された板状または空洞立体状を呈する標的ベース２０と、標的ベース２０の表面に沿って配置された電熱体を備えた熱源３０とを有している。 - 特許庁 - A means of neutralizing the excess charge on workpieces, such as semiconductor wafers, that results from ion-implantation processes, wherein the excess positive charge on a small area of the workpiece surface is locally sensed, and in response, an appropriate dose of charge-compensating electrons is delivered from an electron emission source to the area of excess charge on the workpiece.
イオン注入に起因する半導体ウェーハ等のワークピース上の過剰電荷を中和させるための手段であって、ワークピース表面の小さい領域上の過剰な正電荷を局所的に検出し、それに応答して、適切なドーズ量の電荷補償電子を電子放射源からワークピース上の上記過剰電荷領域に付加する。 - 特許庁 - The optical disk apparatus includes: a light source for emitting light; an objective lens for converging the light onto a signal surface of an optical disk; a polarized beam diffraction element for diffracting the light reflected from the optical disk; a photodetector for detecting the light diffracted from the polarized beam diffraction element; and a wavelength plate disposed between the optical disk and the polarized beam diffraction element.
本発明の光ディスク装置は、光を放射する光源、光を光ディスクの信号面に収束させる対物レンズ、光ディスクで反射された光を回折する偏光性光分岐器、偏光性光分岐器によって回折された光を検出する光検出器、及び光ディスクと偏光性光分岐器との間に配置された波長板を備える。 - 特許庁 - A linear light source 24a includes: a substrate 31; a plurality of light emitting elements 40 that are arranged on the substrate 31; a reflecting wall 32 that is provided annularly around the light emitting elements 40 on the substrate 31; and resin 50 that is provided on a side of an inner surface 32J of the reflecting wall 32 and seals the light emitting elements 40.
線状光源２４ａは、基板３１と、基板３１上において配列された複数の発光素子４０と、基板３１上において複数の発光素子４０の周りに環状に設けられた反射壁３２と、反射壁３２の内表面３２Ｊ側に設けられ、複数の発光素子４０を封止する樹脂５０と、を備える。 - 特許庁 - This clamp device is furnished with a driving link 21 to be roughly linearly driven by a driving source, a toggle member 33 having a cam follower 25 free to rotate working by the driving link and moving on a cam raceway surface 28, a driving lever 31 on a clamp arm shaft 30 connected to the toggle member and a clamp arm 44 to be driven by the shaft 30 in a body 2.
ボディ２内に、駆動源によりほぼ直線的に駆動される駆動リンク２１と、該駆動リンクにより動作し、カム軌道面２８上を移動する回転自在のカムフォロア２５を有するトグル部材３３と、該トグル部材に連結されたクランプアーム軸３０上の駆動レバー３１と、該軸３０により駆動されるクランプアーム４４とを備える。 - 特許庁 - Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.
従って、光源１５からの光がサークル状に設けられた光拡散層１６によって拡散反射されて時計ガラス２の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層１６の内周端とベゼル７の内周端とに対応する位置における時計ガラス２の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁 - The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.
本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁 - Detection light 70 emitted from a light source 71 arrives at a water surface 62 through the layer 50 and the window 30, and detected there by a detector 80 as reflected rays 72, and scattering loss of the reflected light 72 at the bottom 34 of the window is significantly reduced by providing the scattering protection layer 50.
光源７１より出射した検出光７０は散乱防止層５０および窓３０を通過してウエーハ表面６２に到達し、そこで反射し反射光線７２として検出器８０で検出されるが、散乱防止層５０を設けたことにより反射光７２の窓下面３４における散乱損失は大幅に低減できる。 - 特許庁 - When performing the in-situ restoration of an underground region contaminated with a cyanide compound by utilizing the activity of micro- organisms, a nutritive substance exclusive of nitrogen source is supplied to the object region to be restored in the state that the ground surface of the region which is to be an object to be restored in the contaminated underground region is covered with a low-air permeable artificial structure.
シアン化合物により汚染された地下領域を微生物の活動を利用して原位置修復する際、該汚染地下領域のうち修復対象とする領域の地表面を通気性の低い人工構造物で覆った状態で、当該修復対象領域に、窒素源を除外した栄養物質を供給することを特徴とする。 - 特許庁 - A plurality of light receiving parts PD1 to PD3 for detection in respective laser beam detection units 12a and 12b performing light quantity detection of a laser beam emitted from a surface-emitting-laser beam source 1, synchronous timing detection in the main-scanning direction and sub scanning position detection, are arranged in a main-scanning direction and in a single substrate IC package.
面発光レーザからなる光源１から出射されるレーザビームの光量検出と、主走査方向の同期タイミング検出と、副走査位置の検出とを行うレーザビーム検出器１２ａ，１２ｂにおける前記各検出用の受光部ＰＤ１〜ＰＤ３を、主走査方向に複数配置し、かつ単一の基板のＩＣパッケージ内に設ける。 - 特許庁 - The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.
ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁 - An electron supply layer 17 consisting of a nitride semiconductor, and an electron transit layer 19 consisting of a nitride semiconductor are laminated, in order, on the (0001) plane of an underlying layer 15 consisting of a nitride semiconductor, and a gate electrode 21, a source electrode 23, and a drain electrode 25 are provided on the surface of the electron transit layer 19 opposite from the electron supply layer 17.
窒化物半導体からなる下地層１５の（０００１）面上に、窒化物半導体からなる電子供給層１７、窒化物半導体からなる電子走行層１９の順に積層され、電子走行層１９における電子供給層１７と反対の面上に、ゲート電極２１、ソース電極２３、及びドレイン電極２５が設けられている。 - 特許庁 - The curved lines C1L, C1R connecting the points constituting the maximum width in right and left direction at each position in front and rear direction of the reflecting surface 14a of a reflector 14 are formed so as to extend inclined upward to the front between the horizontal face including the optical axis Ax and the horizontal face including the center of emission O of the light source 12a.
リフレクタ１４の反射面１４ａの、前後方向の各位置における左右方向の最大幅を構成する点を繋いだ曲線Ｃ１Ｌ、Ｃ１Ｒを、光軸Ａｘを含む水平面と光源１２ａの発光中心Ｏを含む水平面との間において、前方へ向けて上向きに傾斜して延びるように形成する。 - 特許庁 - Spot illumination for illuminating a part of the inspection object domain, by restricting the lighting range of the light source 2 to only domain A which is a part of an emission surface, and entire illumination for illuminating the entire inspection object domain, without restricting the lighting range are executed in due order, each time alignment is performed, and imaging is executed in each illumination by the camera 1.
この位置合わせが行われる都度、光源２の点灯範囲をその出射面の一部にあたるＡ領域のみに限定して、検査対象領域の一部分を照明するスポット照明と、点灯範囲を限定せずに検査対象領域全体を照明する全体照明とを順に実行し、照明毎にカメラ１に撮像を実行させる。 - 特許庁 - To provide a method capable of performing X-ray detection remarkably efficiently with little restriction of position relation between a detector and a sample in comparison with a conventional characteristic X-ray detection method wherein an X-ray detector is installed in front of the sample, namely, on the same side as a beam light source based on the sample surface entered by a primary beam.
試料の前方、すなわち、一次ビームが入射する試料面を基準としてビーム光源と同じ側にＸ線検出器を設置する従来の特性Ｘ線検出法と比較して、検出器と試料の位置関係の制限が少なく、格段に効率よくＸ線検出を行うことができる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - This side brush device for the car wash 10 comprises a controlling device 30 stopping movement of a slide element 13 by controlling a driving source (an air cylinder 15) of the slide element 13, and holding, in the tilting angle state, the side brush 20 contacting with the side surface of the vehicle 1 to be in a constant tilting angle state.
洗車機１０のサイドブラシ装置において、ブラシ傾斜検出センサ３１の検出結果により、スライド体１３の駆動源（エアシリンダ１５）を制御してスライド体１３の移動を停止し、車両１の側面に接触して一定の傾斜角状態にあるサイドブラシ２０を当該傾斜角状態に保持する制御装置３０を有してなるもの。 - 特許庁 - To provide a surface light source device of high quality which does not generate bright line by fixing a film reflector 14 to a light guide plate 11 without overlapping the reflector 14 on an end of the guide plate 11 near the light incident end face 11b side of the plate 11, and snugly positioning accurately the guide plate 11 at the light incident end face 11b side.
フィルムリフレクター１４を導光板１１の光入射端面１１ｂ側の近傍端部にオーバーラップさせることなく、導光板１１に対して固定し、しかも導光板１１の光入射端面１１ｂ側の位置決めをきっちりと精度良く行うことことにより、輝線の発生がない高品質の面光源装置を提供する。 - 特許庁 - The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.
ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁 - The device comprises a light source 14 irradiating a light on a PTP sheet, having a printed part on its surface, cameras 11 and 12 which selectively image infrared light in a reflected light from the PTP sheet, a seal defect deciding program 22 which the seal defect of the PTP sheet is detected, by calculating a photographed data taking by the cameras 11 and 12.
表面に印刷部分の存在するＰＴＰシートに光を照射する光源１４と、ＰＴＰシートから反射する反射光のうち赤外線光を選択的に撮像するカメラ１１，１２と、カメラ１１，１２が撮像した映像データを演算することにより、ＰＴＰシートのシール不良を検出するシール不良判断プログラム２２とを有している。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤200 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition for exposure with F_2 excimer laser light (157 nm) improved in coatability (uniformity of a coated surface), development defects and sensitivity in F_2 exposure.
本発明は、２００ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供すること、具体的には塗布性（塗布面の均一性）、現像欠陥性、及びＦ_2露光時の感度が改良されたＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）露光用のポジ型レジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A source region 2 and drain region 3 are formed apart from each other in a surface layer section of a substrate 1 of a memory cell transistor in a memory cell and a floating gate electrode 7 is arranged through a tunnel insulating film 6 on the substrate 1 and a control gate electrode 9 is arranged through an inter-gate layer insulating film 8 on this electrode 7.
メモリセルでのメモリセルトランジスタにおいて基板１の表層部にソース領域２およびドレイン領域３が離間して形成され、基板１の上にトンネル絶縁膜６を介してフローティングゲート電極７が配置されるとともに、フローティングゲート電極７の上にゲート層間絶縁膜８を介してコントロールゲート電極９が配置されている。 - 特許庁 - The diamond semiconductor of high quality is grown on a diamond substrate by microwave exciting plasma chemical phase synthesis and hydrogen terminal treatment is subsequently applied to the surface of the diamond semiconductor of high quality after growing to form a drain source electrode on the diamond substrate subjected to hydrogen termination treatment.
ダイヤモンド基板上に、マイクロ波励起プラズマ化学気相合成により高品質ダイヤモンド半導体を成長させ、次に成長後の高品質ダイヤモンド半導体表面に水素終端処理を行い、さらに水素終端処理したダイヤモンド半導体上にドレイン・ソース用電極を作製することを特徴とするＩＳＦＥＴからなるｐＨセンサーの製造方法。 - 特許庁 - A reaction solution comprising a surface active substance expressed by formula (3), a silica source, a solgel reaction catalyst and water is prepared to effect sol-gel reaction, the produced solid substance is filtered out and dried into powder, the powder is dispersed and refluxed in an organic solvent with a hydrolysis catalyst added thereto to produce the porous silica.
下記の式（３）で表わされる界面活性物質、シリカ源、ゾルゲル反応触媒および水を含む反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、生じた固体をろ過した後、乾燥して粉末にし、加水分解触媒を加えた有機溶媒中に該粉末を分散させて還流することによって多孔性シリカを製造する。 - 特許庁
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