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＜前へ 1 2 .... 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 次へ＞- In the method for dry etching which by using the metallic film of a high melting point formed through an oxide film on the surface of a substrate 14 arranged in a chamber by introducing reactant gas in the chamber 15 and energizing the reactant gas to generate plasma to generate active species and ions with a regist pattern as a mask, an induction coupled plasma(ICP) is used as a plasma source.
チャンバー１５内に反応性ガスを導入し、その反応性ガスを励起してプラズマを発生させることにより活性種およびイオンを生成し、チャンバー内に配置した基板１４の表面に酸化膜を介して形成された高融点金属薄膜を、レジストパターンをマスクとして用いてドライエッチングする方法において、プラズマ源として、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を用いる。 - 特許庁 - The current of the driving pulse of a high frequency applied in parallel to the plurality of vibrators inside the probe 7 is not detected but the current consumption of the DC output voltage of a variable voltage source 4 for driving the plurality of vibrators is measured, the power consumption is calculated, the temperature is predicted, and control is performed so that the probe surface temperature is settled within the safety standard.
プローブ７内の複数の振動子にパラレルに印加される高周波の駆動パルスの電流を検出するのではなく、複数の振動子を駆動するための可変電圧源４の直流出力電圧の消費電流を測定して消費電力を算出し、温度予測を行ってプローブ表面温度が安全規格内に収まるように制御する。 - 特許庁 - The magnetic tape drive comprises a rotary cylinder 11 having a compound type magnetic head 12 and a hollow section 11a, a photoelectric transducer 20 that is provided on the inner-wall surface of the rotary cylinder 11 surrounding the hollow section 11a and supplies power to the compound type magnetic head 12, and a light source 15 for emitting light L toward the photoelectric transducer 20.
複合型磁気ヘッド１２が配設されているとともに、中空部１１ａを有する回転シリンダ１１と、この中空部１１ａを取り囲む回転シリンダ１１の内壁面に配設されるとともに、前記複合型磁気ヘッド１２に電力を供給する光電変換素子２０と、この光電変換素子２０に向けて光Ｌを照射する光源１５とを備えている。 - 特許庁 - A battery charger comprises: an upper plate 3 having slit-like insertion holes 30 to insert battery packs 90; a main case 2 formed by closing the upper surface openings 20 by the upper plate 3; a DC power source 6 disposed at the bottom of the main case 2 and charging the battery packs 90; and connection terminals 11 to be electrically connected to contact points 91 of the battery packs 90.
充電器は、電池パック９０を挿通するスリット状の挿入穴３０を有する上面プレート３と、上面プレート３で上面開口部２０を閉塞してなる本体ケース２と、本体ケース２の底部に配置されて、電池パック９０を充電する直流電源６と、電池パック９０の接点９１に電気接続される接続端子１１とを備えている。 - 特許庁 - The image forming apparatus provided with: an electrifying member 16 electrifying the surface of an image carrier 15; a power source part 622 applying the specified electrifying bias to the electrifying member; and cleaning means 59 and 621 cleaning the electrifying member 16 at a specified timing, has a control means 600 controlling the electrifying bias based on the cleaned state of the electrifying member 16.
像担持体１５の表面を帯電させる帯電部材１６と、当該帯電部材に所定の帯電バイアスを印加する電源部６２２と、当該帯電部材１６を所定のタイミングでクリーニングするクリーニング手段５９、６２１とを備える画像形成装置において、当該帯電部材１６のクリーニング状況に基いて帯電バイアスを制御する制御手段６００を有する。 - 特許庁 - Upon exposure, the upper face of a mask substrate of the photomask 1 is irradiated with i-line (365 nm wavelength) from a light source 20 such as a high-pressure mercury lamp via an illumination optical system 30; and near-field light permeates near an opening of the light shielding film 2 formed in the photomask 1 to expose a resist layer 11 on the surface of the object placed directly under the opening.
露光に際して、フォトマスク１のマスク基板の上面から、例えば高圧水銀ランプ等の光源２０からｉ線（波長３６５ｎｍ）が照明光学系３０を介して照射され、フォトマスク１に形成された遮光膜２の開口の近傍に近接場光がしみだし、開口の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises: a first-conductive-type base layer; a second-conductive-type base layer provided on the first-conductive-type base layer; gate insulating films; first-conductive-type source layers selectively provided on a surface of the second-conductive-type base layer, adjacent to the gate insulating films; gate electrodes provided inside the gate insulating films in trenches; and main electrodes.
実施形態によれば、半導体装置は、第１導電形ベース層と、第１導電形ベース層の上に設けられた第２導電形ベース層と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に隣接して第２導電形ベース層の表面に選択的に設けられた第１導電形ソース層と、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、主電極とを備えた。 - 特許庁 - The cleaning apparatus includes a conductive cleaning brush 31 which is rotationally driven in contact with the surface of an intermediate transfer belt 100 which is rotationally driven in a direction shown by an arrow A, and a DC power source 36 for applying a bias current on the brush 31, and for scavenging the residue on the belt 10 by the brush 31 which is charged with polarity opposite to that of the toner.
矢印Ａ方向に回転駆動される中間転写ベルト１０の表面に接触した状態で回転駆動される導電性を有するクリーニングブラシ３１と、該ブラシ３１にバイアス電流を印加する直流電源３６を備え、ベルト１０上の残留物をトナーとは逆極性の電荷を注入されたブラシ３１により捕集するクリーニング装置。 - 特許庁 - Thereby, direct incidence of radiation light from the light source in the receiving surface of the detecting device is prevented by a simple constitution, change of the reflection light quantity reflected by an electrode of a pixel in a light transmission state of the liquid crystal display device is detected with high sensitivity and the potential of the common electrode of the liquid crystal display device can be accurately adjusted so that the flicker is minimized.
これにより、簡単な構成で光源から照射光が検出装置の受光面に直接入射するのを防止し、液晶表示装置の透光状態の画素の電極により反射された反射光量の変化を高感度に検出して、フリッカが最小となるように液晶表示装置の共通電極の電位を正確に調整することができる。 - 特許庁 - A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.
ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a process for forming the semiconductor element on a semiconductor substrate, and a process for forming a film on the semiconductor element by CVD treatment using microwave plasma in which a microwave is a plasma source, an electron temperature of plasma is lower than 1.5 eV and an electron density of the plasma is higher than 1×10^11 cm^-3 in the vicinity of a surface of the semiconductor substrate.
半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - The lighting tool for a vehicle with at least one light source arranged inside provided with a lamp room having an opening for light emission is so structured that a lamp cover consisting of a transparent cover main body and a polarizing film set on an inner surface of the cover main body and equipped with a microscopic concavo-convex structure is fitted at the opening for light emission of the lamp room.
内部に少なくとも１灯の光源が配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えた車両用灯具において、ランプ室の光出射用開口に、透明なカバー本体とそのカバー本体の内面に設けられた表面に微細な凹凸構造を備えた偏光フィルムとからなるランプカバーが取り付けられているように構成する。 - 特許庁 - In the liquid crystal device, which is provided with a liquid crystal panel having at least a plurality of scanning electrodes for display, a light guide member lighting the liquid crystal panel and a light source arranged by the light guide member, the light guide member is composed of a light dispersion type liquid crystal panel which has a scanning electrode for lighting and has a projection surface capable of controlling a light projection region.
少なくとも複数の表示用走査電極を有する液晶パネルと、前記液晶パネルを照明する導光部材と、前記導光部材の側方に配設される光源とを有する液晶装置において、前記導光部材は照明用走査電極を有し、光出射領域を制御可能な出射面を有する光分散型液晶パネルよりなる。 - 特許庁 - This display device is comprised of an EL element 60 consisting of anodes 61, cathodes 67, and a light emitting element layer 66 interposed between both electrodes, and TFTs of which the source electrodes 18 are connected with their anodes, and the periphery of the anodes 61 and the whole surface of the TFTs are covered with a flattened insulating film 17 and the exposed anodes 61 are partly connected with the light emitting element layer 66.
陽極６１、陰極６７及び該両電極の間に挟まれた発光素子層６６から成るＥＬ素子６０と、その陽極６１とソース電極１８が接続されたＴＦＴとから成っており、その陽極６１の周囲とＴＦＴの全面を平坦化絶縁膜１７にて覆い、露出した陽極６１の一部は発光素子層６６と接続されている。 - 特許庁 - In a batch system proximity gap aligner 10 for irradiating the surface to be exposed of a work W through a photomask 7 with parallel beams obtained by making light from a light source 2 incident on a collimator lens 4 through a condenser lens 6 and making it the parallel beams, the parallel beams leading to the photomask 7 from the lens 4 is made horizontal and also the photomask 7 is vertically set by a mask supporting means 11.
光源２からの光を集光レンズ６を介してコリメータレンズ４に入射して平行光とし、その平行光をフォトマスク７を介してワークＷの被露光面に照射する一括式プロキシミティギャップ露光機１０において、コリメータレンズ４からフォトマスク７に至る平行光を水平にするとともに、マスク支持手段１１によりフォトマスク７を垂直にセットする。 - 特許庁 - A transistor includes: a gate electrode layer provided over a substrate; a gate insulating film provided over the gate electrode layer; a semiconductor layer which is provided over the gate insulating film and which overlaps the gate electrode layer; a carbide layer provided over and in contact with a surface of the semiconductor layer; and a source electrode layer and a drain electrode layer which are electrically connected to the semiconductor layer.
基板上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、かつゲート電極層と重なる半導体層と、半導体層の表面上に接して設けられた炭化物層と、半導体層と電気的に接続されたソース電極層及びドレイン電極層と、を有するトランジスタを提供する。 - 特許庁 - Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20.
凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。 - 特許庁 - A MOSFET as a semiconductor device includes an SiC wafer of n-type conductivity, a plurality of p bodies 21 of p-type conductivity so formed as to include a first main surface 20A of the SiC wafer, and n^+ source regions 22 of n-type conductivity each of which is formed in a region surrounded by each of the p bodies 21 when viewed planely.
半導体装置であるＭＯＳＦＥＴは、導電型がｎ型であるＳｉＣウェハと、ＳｉＣウェハの第１の主表面２０Ａを含むように形成された導電型がｐ型の複数のｐボディ２１と、平面的に見て複数のｐボディ２１のそれぞれに取り囲まれる領域内に形成された導電型がｎ型のｎ^＋ソース領域２２とを備えている。 - 特許庁 - The plasma light source further includes: a hollow reservoir having an opening closely contacting the back surface of the insulating member 16 and holding a plasma medium in the inside, a gas supplying section 50 for supplying an inert gas into the reservoir, a pressure adjusting device 52 for adjusting the pressure for supplying the inert gas, and a temperature-controllable heater 40 capable of heating and liquefying the plasma medium in the reservoir.
さらに絶縁部材１６の背面に密着する開口を有しプラズマ媒体を内部に保有する中空のリザーバーと、リザーバー内に不活性ガスを供給するガス供給装置５０と、不活性ガスの供給圧力を調整する圧力調整装置５２と、リザーバー内のプラズマ媒体を加熱し液化する温度調整可能な加熱装置４０とを備える。 - 特許庁 - A noncontact ID measuring system combining a glass substrate carrier device and a laser displacement meter conducts measurement while holding a substrate holder which fixes a glass substrate during measurement, and lifting and lowering a line laser light source and applying line laser to the main surface of the glass substrate, thereby preventing fluctuation of the glass substrate as the subject during measurement and resulting lowering of measurement precision.
ガラス基板搬送装置とレーザ変位計とを組み合わせた非接触式のＩＤ計測方式において、測定時にガラス基板を固定する基板ホルダを保持して、ラインレーザ光源を昇降させてガラス基板の主表面にラインレーザを照射して測定することにより、測定時に測定対象であるガラス基板が揺動することにより測定精度が低下することを抑制する。 - 特許庁 - The atmospheric plasma apparatus has: an electrode for treatment disposed at a periphery of a drum electrode so that it faces the drum electrode and is located upstream of a film deposition electrode in the delivery direction of the substrate; a power source for treatment, which applies voltage to the electrode for treatment; and a reactive gas-feeding means that is disposed between the drum electrode and the electrode for treatment and feeds a reactive gas used in the surface treatment.
基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 - 特許庁 - The image forming apparatus 1 is configured by detachably mounting the optical scanner 21 thereon, which exposure-scans a surface to be scanned with an optical beam emitted from a light source.
光源から出射される光ビームによって被走査面上を露光走査する光走査装置２１を着脱可能に装着して成る画像形成装置１において、前記光走査装置２１の光源の一定の光出力に対する動作電流の初期値と現在値及び累積発光時間に基づいて光走査装置２１の残り寿命を算出するＣＰＵ（演算手段）３３を設ける。 - 特許庁 - Vehicle speed control is performed by detecting or presuming a gradient of a road surface in which the own vehicle exists, setting the target vehicle speed when starting from a stop holding state by braking force control according to the elapsed time from the gradient and starting or the elapsed time from driver's gas pedal operation, and controlling a driving device and braking device such as power source to become the target vehicle speed when starting.
自車のいる路面の勾配を検出又は推定し、その勾配と発進からの経過時間又は運転者のアクセル操作からの経過時間とに応じて制動力制御による停車保持状態からの発進時の目標車速を設定し、その発進時に前記目標車速となるように動力源等の駆動装置や制動装置を制御して車速制御を行うこと。 - 特許庁 - The structure 20 is provided with a notched part 25 having an erected surface 20a erected toward an object direction at a part on the side of the image sensor 15 and near the object, in order to prevent the light emitted from the light source 16 from being guided by the light guide type optical member 24 and received by the image sensor 15 without being reflected at the object.
上記構造体２０には、撮像素子１５側でかつ被写体に近い部位に、光源１６から出射された光が被写体で反射することなく上記導光型光学部材２４によって導光されて撮像素子１５に受光されることを防止するために、被写体方向に向かって立設する立設面２０ａを有する切欠き部２５が設けられている。 - 特許庁 - The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.
エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁 - When a metal such as Al or Ag having high light reflection efficiency is used as the material serving as an electron and hole source, even if an area ratio of the metal to the phosphor surface is set to 50%, probability (η) of light finally coming out to the outside attains to about 90% by repetition of reflection-absorption on metal thin films, accordingly there is substantially no problem on luminous efficiency.
電子及び正孔の供給源となる材料として光の反射効率の高いAl、Agなどの金属を使用した場合、蛍光体表面に占める面積比率を５０％としても、金属薄膜において反射・吸収を繰り返すことにより、最終的に外部に出ることが出来た光の確率（η）は約90％となり、発光効率上はほとんど問題がない。 - 特許庁 - A spiral ridge 6 to sequentially feed the tablets introduced into the cylindrical body 5 from the one opened end face 51 toward the other opened end face 52 is provided on the inside peripheral surface of the cylindrical body 5, and a nozzle 7 provided with a plurality of air ejection holes 70 ejecting air from a pressure air source 73 to the tablets is arranged in the internal space of the cylindrical body 5.
筒状体５の内周面には、一方の開放端面５１より筒状体５内へ導入された錠剤を他方の開放端面５２に向けて順送りするための螺旋条６が設けられ、筒状体５の内部空間には、圧力空気源７３からの空気を錠剤に向けて噴射する複数の空気噴射孔７０が開設されたノズル７が配置されている。 - 特許庁 - Further, a plurality of flash memory cells MCn are provided which each include, at a surface part of the p-type well 12, a gate electrode having a floating gate FG which includes neither a source region nor a drain region, and is provided across a tunnel oxide film 21, and a control gate CG which is provided on the floating gate FG across an insulating film 22 to serve as a word line WL.
また、そのｐ型ウェル１２の表面部に、ソース領域およびドレイン領域を有さず、トンネル酸化膜２１を介して設けられた浮遊ゲートＦＧと、この浮遊ゲートＦＧ上に絶縁膜２２を介して設けられたワード線ＷＬとなる制御ゲートＣＧとを有するゲート電極を備える、複数のフラッシュメモリセルＭＣｎを設けてなる構成とされている。 - 特許庁 - A component mounting machine 100 is equipped with: a nozzle 510; a light source 520 which irradiates a substrate with a light linearly extending toward a first direction on the substrate from an obliquely upward direction to the surface of the substrate; an imaging portion 530 which acquires a first image and a second image by imaging the substrate; and a component detection portion 541 which detects the presence or absence of the component in the mounting position of the substrate.
部品実装機１００は、ノズル５１０と、前記基板上で第１の方向に直線的に延びる光を、基板の表面に対して斜め上方向から照射する光源５２０と、基板を撮像して第１及び第２の画像を取得する撮像部５３０と、基板の実装位置における部品の有無を検出する部品検出部５４１とを備える。 - 特許庁 - To be more precise, the semiconductor device includes the SiC substrate, an Si epitaxial layer formed in the surface of the SiC substrate, the Si oxide film formed on the Si epitaxial layer, a gate electrode formed on the Si oxide film, a source region formed in the Si epitaxial layer, and a drain electrode connected to the SiC substrate.
具体的には、本発明に係る半導体デバイスは、ＳｉＣ基板と；前記ＳｉＣ基板の表面に形成されたＳｉエピタキシャル層と；前記Ｓｉエピタキシャル層上に形成されたＳｉ酸化膜と；前記Ｓｉ酸化膜上に形成されたゲート電極と；前記Ｓｉエピタキシャル層内に形成されたソース領域と；前記ＳｉＣ基板に接続されたドレイン電極とを備えている。 - 特許庁 - A multifunctional layer 116 comprising a titanium oxide or a titanium alloy oxide doped with carbon is arranged in at least a part of the surface of the floor 112 and the wall 113 of a toilet room 110 and a toilet space including the toilet room 110 equipped with a toilet bowl 114 inside, and the system is equipped with a light source 117 irradiating the multifunctional layer 116 with visible light or UV light.
内部に便器１１４が設けられたトイレ室１１０及び該トイレ室１１０を含むトイレ空間の床１１２及び壁１１３の少なくとも一部の表面に、炭素ドープされた酸化チタン又はチタン合金酸化物からなる多機能層１１６を設ける一方、前記多機能層１１６に可視光又は紫外光を照射する光源１１７を設ける。 - 特許庁 - The device 1 for restoring the freshness of perishables is such that the whole surface of a casing serving as a food-containing section 2 is formed of the heating element, and the perishables are contained together with water in the food-containing section 2 and heated by the heating element heated by a heat source 3, thus enabling the freshness of the perishables to be restored and maintained.
生鮮食品の鮮度再生装置１は、その食品収容部２を成す筐体の全面が、上記被加熱体で形成され、食品収容部２に生鮮食品を水と共に収容し、熱源３によって加熱された被加熱体によって、収容された生成食品を加熱することにより、生鮮食品の鮮度を再生し、維持することが可能となる。 - 特許庁 - To provide an electron emitting element and its manufacturing method, capable of realizing satisfactory surface flatness of an anodic oxide insulating layer, of realizing enhanced withstand voltage properties, and of stabilizing the trajectories of emitted electrons, and providing an electron source, a photographing device and an image forming device, each using the same and capable of improving the reproducibility (resolution) of information signals to be handled.
陽極酸化絶縁層について表面の平面性を良好にできて耐圧性も向上でき、放出電子の軌道を安定化でき、これを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置について、扱う情報信号の再現性（解像度）を向上できる電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源，撮像装置，画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - The acoustoelectric conversion system 100 comprises a diffraction grating 7; a diaphragm 2 vibrated by sound pressure; a light source 1 for irradiating the diffraction grating with light; and a semiconductor position detection element 3 that converts light diffracted by the diffraction grating to an electric signal, and detects the position of light irradiated on the light reception surface of the semiconductor position detection element.
音響電気変換システム１００は、回折格子７を備え、音圧により振動する振動板２と、回折格子に光を照射する光源１と、回折格子で回折した光を電気信号に変換する半導体位置検出素子３であって、この半導体位置検出素子の受光面に照射される光の位置を検出する半導体位置検出素子とを備えている。 - 特許庁 - The surface light source includes: a substrate having a plurality of divided regions; a plurality of red, green, and blue LEDs arranged on the substrate with a prescribed arrangement structure; and a plurality of LED drive sections including red, green, and blue LED drive circuits for driving the red, green, and blue LEDs, respectively.
上記面光源は、複数個の分割領域を有する基板と、上記基板上に所定の配置構造で配置された複数個の赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、及び上記赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤを各々駆動するための赤色ＬＥＤ駆動回路、緑色ＬＥＤ駆動回路、 青色ＬＥＤ駆動回路を含む複数個のＬＥＤ駆動部を含む。 - 特許庁 - A field-effect transistor 10 includes a source 18s and a drain 18d formed in a surface region of a semiconductor active layer 13 comprising a group III nitride semiconductor, a gate electrode 15 formed on the semiconductor active layer 13 through a gate oxide film 14, and a passivation film 20 formed on the semiconductor active layer 13 between the gate electrode 15 and the drain 18d.
電界効果トランジスタ１０は、III族窒化物半導体から成る半導体活性層１３の表面領域に形成されたソース１８ｓ及びドレイン１８ｄと、半導体活性層１３上にゲート酸化膜１４を介して形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン１８ｄの間の半導体活性層１３上に形成されたパッシべーション膜２０とを備える。 - 特許庁 - The purifying soundproof structure uses a vibrating material 7 for sucking or exhausting the exhaust gas, and similarly constitutes a plate-like and three-dimensional exhaust gas vibrating purifying soundproof structure 1c, by arranging a film-like vibrating material 4 sucking and exhausting the exhaust gas by vibrating itself by surrounding wind pressure, in the whole or a part of its sound source side surface.
排ガスを吸引または排出させるための振動材７を用いた浄化防音構造体は、その音源側表面の全部または一部に、周囲の風圧によってそれ自体が振動することによって排ガスを吸引排出させる膜状の振動材４を配置し、同様に平板形および立体形の排ガス振動浄化防音構造体１ｃ、１ｄが構成される。 - 特許庁 - A photopolymerizable image forming material obtained by forming a photosensitive layer comprising a photopolymerizable composition containing an ethylenically unsaturated compound, a photopolymerization initiator and a polymer binder on the surface of a substrate is exposed with laser, developed and further post-exposed with a mercury lamp as a light source.
支持体表面に、（Ａ）エチレン性不飽和化合物、（Ｂ）光重合開始剤、及び（Ｃ）高分子結合材の各成分を含有する光重合性組成物からなる感光性層が形成された光重合性画像形成材を、レーザー露光した後、現像処理し、更に後露光する画像形成方法であって、その後露光の光源として水銀灯を用いる画像形成方法。 - 特許庁 - To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.
ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This purpose is attained by the reciprocating device having a guide way, a moving base reciprocating by being supported by this guide way and having a driving groove formed on an under surface orthogonally to the guide way, two rotary arms having respectively driving pins fitted in this driving groove, and the driving source for synchronously mutually rotating these two rotary arms in the inverse direction.
ガイドウェイと、このガイドウェイに支持されて往復動し、下面にガイドウェイに直交して形成された駆動溝を有する移動台と、この駆動溝に嵌入する駆動ピンをそれぞれ有する２個の回転アームと、この２個の回転アームを同期して相互に逆方向に回転させる駆動源とを有することを特徴とする往復移動装置によって達成される。 - 特許庁 - The image display device 1 has the image display panel 2, the lighting unit 11 which is irradiated with light emitted by a light source 5 in a surface shape via a light guide plate 4, and a fixing member 5 which fixes the image display panel 2 and lighting unit 11, and the fixing member 5 has sucker portions 5a and 5b suction in a peelable state.
本発明である画像表示装置１は、画像表示パネル２と、光源５が照射した光を導光板４から面照射する照明装置１１と、画像表示パネル２と照明装置１１とを固定する固着部材５とを有して形成されており、その固着部材５が剥離自在に吸着する吸盤部５ａおよび５ｂを有して形成されている。 - 特許庁 - The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.
有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁 - A fluorescent display device is composed of a translucent substrate 101, a plurality of anodes 104 installed on the substrate to 101, phosphor pieces 105 installed thereon in such a way as corresponding to the anodes 104, cathodes 107 positioned separately from the phosphor pieces 105 in such a way as confronting them, and a back light source 140 installed on the back surface of the substrate 101.
蛍光表示装置に透光性基板１０１と、この基板１０１上に配置された複数の陽極１０４と、これらの陽極１０４に対応してその上に配置された蛍光体１０５と、これらの蛍光体１０５と離間しかつ対向配置されたカソード１０７と、前記基板１０１の背面に配置されたバックライト光源１４０とを備える。 - 特許庁 - This surface analyzer is provided with a cantilever having a conductive probe opposed to a sample, an electron beam source for emitting an electron beam to a probe portion of the cantilever, and a spectrometer for collecting a charged particle generated from the sample by the X-ray generated from the probe, and for dispersing it spectrally, and the electron beam is emitted toward a probe opposite face of the cantilever.
試料に対向する導電性探針を有するカンチレバーと、前記カンチレバーの前記探針部分に電子線を照射する電子線源と、前記探針から発生したＸ線により前記試料から発生した荷電粒子を捕集して分光する分光器を備えた表面分析装置であって、前記電子線が前記カンチレバーの探針反対面に照射する表面分析装置。 - 特許庁 - The frame type laser diode is used as a laser light source of an optical pickup device for reading out a signal recorded on an optical disk and has a laser diode chip mounted to a plane where a metallic lead frame is provided, and the laser diode chip 19 is disposed so that a PN junction surface of the laser diode chip 19 is perpendicular to the plane of the lead frame 17.
光ディスクに記録されている信号を読み出す光ピックアップ装置のレーザー光源として使用されるとともに金属製のリードフレームに設けられている平面上にレーザーダイオードチップが搭載されるフレーム型レーザーダイオードであり、レーザーダイオードチップ１９のＰＮ接合面１９Ａをリードフレーム１７の平面に対して垂直になるように配置したことを特徴とする。 - 特許庁 - The center region comprises: a body region 27 formed on the surface of the center region; a contact region 26 formed in the body region 27; a source electrode 36 electrically connected to the contact region 26; and an insulator region 28 formed between the contact region 26 arranged at the furthest terminal side and the terminal region.
中心領域は、中心領域の表面に設けられているボディ領域２７と、そのボディ領域２７内に設けられているコンタクト領域２６と、そのコンタクト領域２６に電気的に接続されているソース電極３６と、最も終端領域側に配置されているコンタクト領域２６と終端領域の間に設けられている絶縁体領域２８を備えている。 - 特許庁 - According to a method for depositing a silicon oxide film on a silicon wafer for epitaxial growth by a CVD method, the silicon oxide film is formed by the CVD method under a reaction gas atmosphere containing chlorine gas in addition to silicon source gas on a silicon wafer prior to the growth of an epitaxial layer on its surface.
エピタキシャル成長用のシリコンウエーハに対してＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を成膜する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハとして表面にエピタキシャル層を成長する前のシリコンウエーハに対して、シリコン原料ガスの他に塩素ガスを含有する反応ガス雰囲気下で、前記ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。 - 特許庁 - In the method for producing a metal having a multiple eutectic structure by melting treatment using a high density energy heat source, the melting treatment is performed in a state in which the surface of a base metal containing componential metals composing the multiple eutectic structure is provided with powder containing the other componential metal composing the multiple eutectic structure not contained in the base metal or while the powder is being fed thereto.
高密度エネルギー熱源を用いた溶融処理で多元共晶組織を有する金属を製造するときにおいて、前記溶融処理は、前記多元共晶組織を構成する成分金属を含む母材表面にその母材に含まれない多元共晶組織を構成する他の成分金属を含む粉体を載置した状態で、又は粉体を供給しながら行われる。 - 特許庁 - A minus generator uses a surface discharge method using an alternating current and a high voltage power source having a pulse waveform, a corona discharge method for impressing a direct current, an alternating current or high voltage having a pulse waveform on a needle electrode or a direct discharge method, and is arranged in the dish dryer to provide the safe dish dryer for maintaining sterilizing capacity over a long period.
交流やパルス波形の高電圧電源を用いた沿面放電方式、および針状電極に直流、交流またはパルス波形の高電圧を印加するコロナ放電方式、または直接放電方式を用いたマイナスイオン発生器を、食器乾燥機内に配設することにより、安全で長期にわたり殺菌能力が持続する食器乾燥機を提供することができる。 - 特許庁 - To provide an insulative magnetic one component toner capable of forming satisfactory images free of various image defects by forming a neat thin layer free of defects etc., having a uniform thickness on the surface of a developer carrier stably for a long period of time from right after turning on a power source and an image forming method by a magnetic one component jumping development method using the same.
電源投入直後から、長期間にわたって安定して、現像剤保持体の表面に、厚みが均一で欠陥等のないきれいな薄層を形成して、様々な画像不良のない良好な画像を形成することができる、絶縁性の磁性１成分トナーと、それを用いた、磁性１成分ジャンピング現像法による画像形成方法とを提供する。 - 特許庁
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