「surface type」を含む例文一覧(14065)
＜前へ 1 2 .... 50 51 52 53 54 55 56 57 58 .... 281 282 次へ＞- A p-type well region 22 is formed on a substrate 21, and a gate electrode 28, a source region 26, and drain region 27 are formed in the surface of the p-type well region 22 to form an analog type MOSFET element (input transistor) 29.
基板２１上にＰ型ウェル領域２２を形成し、その表面にゲート電極２８、ソース領域２６、及びドレイン領域２７を形成してアナログ型のＭＯＳＦＥＴ素子（入力トランジスタ）２９を形成する。 - 特許庁 - Because both of the n type inversion part 35 and the p+ type electric circuit 36 are formed in the vicinity of the surface layer of the p type frame part 30 in injection of impurity, the smoothness degree is extremely good, and projection and collapse may be neglected.
不純物の注入は、ｎ型の反転部３５及びｐ^+型の電路３６ともｐ型の枠部３０の表層付近に形成されているので、その平滑度は極めて良く、隆起又は陥没は無視して良い。 - 特許庁 - As for the current collecting material for the battery, a lamination wet type nonwoven fabric manufactured by laminating two or more sheets of a wet type fiber web is made as a substrate, and the surface of the fiber constituting the laminated wet type nonwoven fabric is covered with copper.
本発明の電池用集電材は、湿式繊維ウエブを２枚以上積層して製造した積層湿式不織布を基材とし、前記積層湿式不織布構成繊維の表面が銅で被覆されている。 - 特許庁 - An n^+-layer 15 is formed partially on the upper surface of the n-type embedded layer 11 while enclosing the p-type well layer 14 in the n^--layer 12 on the part enclosed by the p-type separation layer 13.
ｎ^+層１５は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｐ型ウェル層１４を取り囲んで、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor laminate 13 includes an n-type drift layer 23, a p-type current block layer 25, and an n-type contact layer 17, and those semiconductor layers 23, 25, and 27 are provided in order on a principal surface 29a of a support base 29.
半導体積層１３は、ｎ型ドリフト層２３、ｐ型電流ブロック層２５及びｎ型コンタクト層１７を含み、これらの半導体層２３、２５、２７は支持基体２９の主面２９ａ上に順に設けられる。 - 特許庁 - An n-type buried layer 108 is formed at a part of a boundary between the p-type semiconductor substrate 106 and the n^--epitaxial layer 110 whereat at least the p-type well 114 is superposed when it is seen from the upper surface thereof.
Ｐ型半導体基体１０６とＮ^−型エピタキシャル層１１０との境界の、上面から見て少なくともＰ型ウェル１１４と重なり合う部分にはＮ型埋め込み層１０８が形成されている。 - 特許庁 - The IGBT has a p^+-type high-concentration drain layer 12 which decides the injection volume of a hole and a p^--type low-concentration drain layer 11 which absorbs the fluctuation of the ground amount of the rear surface of a wafer under an n^+-type buffer layer 13.
本発明のＩＧＢＴは、ｎ^+バッファ層１３の下に、正孔の注入量を決めるｐ^+高濃度ドレイン層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^-低濃度ドレイン層１１を有している。 - 特許庁 - Subsequently, ions are implanted entirely in the backside of the semiconductor wafer 20 where the N+ type region 9 is formed (Fig. 3(a)), and a P+ type region 10 is formed on the surface layer of the N+ type region 9 (Fig. 3(b)).
この後、Ｎ＋型領域９が形成された半導体ウェハ２０の裏面全体にイオン注入を行い（図３（ａ））、Ｎ＋型領域９の表層部にＰ＋型領域１０を形成する（図３（ｂ））。 - 特許庁 - A step of a surface of the first n-type semiconductor spacer layer 23 results from the heavily doped p-type semiconductor mesa 19, so a curvature of an interface between the second DBR 25 and the first n-type semiconductor spacer layer 23 is small.
第１のｎ型半導体スペーサ層２３の表面の段差は、高濃度ｐ型半導体メサ１９に起因するので、第２のＤＢＲ２５と第１のｎ型半導体スペーサ層２３との界面の曲がりは小さい。 - 特許庁 - Furthermore, a heavily doped n type diffusion region 10 is formed on the surface of a region of the lightly doped n type epitaxial layer 3 where the p type well 4 is not formed and connected electrically with a power supply voltage.
更に、前記低濃度ｎ型エピタキシャル層３の前記ｐ型ウェル４が形成されていない領域表面に、高濃度ｎ型拡散領域１０を形成し、これを電源電圧と電気的に接続した。 - 特許庁 - On a silicon substrate 1 formed with an n^--type epitaxial layer 2 on the front surface, a channel region 14 having a p^--conductivity type and an n^+-region 18 having an n^+-conductivity type are stacked in this order.
表面に導電型がＮ^−型のエピタキシャル層２が形成されたシリコン基板１上に、導電型がＰ^−型のチャネル領域１４および導電型がＮ^＋型のＮ^＋領域１８が積層された状態とされる。 - 特許庁 - In the surface of each portion of the p-type base layer 12 which is surrounded by each main trench 25 and each transverse trench 26, each n-type emitter layer 15 is so formed, that each central exposed portion 12a of the p-type base layer 12 is left in each layer 15.
主及び横断トレンチ２５、２６で包囲されたｐ型ベース層１２の各部分の表面において、ｐ型ベース層１２の中心露出部分１２ａを残すようにｎ型エミッタ層１５が形成される。 - 特許庁 - A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.
表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁 - A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.
ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁 - On one surface, a dispersion type Bragg reflector, an n-type confinement layer, an active layer, a p-type confinement layer, a current diffusion layer, an ohmic contact layer with a mesh structure, a transparent conductive oxide layer and a front electrode are formed.
一方の面に分散型ブラッグ反射体、ｎ型閉込め層、活性層、ｐ型閉込め層、電流拡散層、メッシュ構造オーミック・コンタクト層、透明導電性酸化物層、および前面電極を形成する。 - 特許庁 - A surface emitting semiconductor laser device is provided with an n-type reflecting mirror layer 26, a light emitting layer 32, an aluminum containing layer 33, and a p-type reflecting mirror layer 38 stacked on an n-type gallium nitride substrate 24 in this order.
面発光型半導体レーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム基板２４上に順次積層されたｎ型反射鏡層２６、発光層３２、アルミニウム含有層３３、ｐ型反射鏡層３８を備えている。 - 特許庁 - On a bottom of a mesa containing the vicinity of a junction part between a mesa type second emitter layer and second base layer in the vicinity of a surface of the second base layer, an n-type low resistant gate region 5 is provided via a p-type region 7.
第２のベース層の表面近傍の、メサ型の第２エミッタ層と第２のベース層との接合部近傍を含むメサの底部に、ｐ型の領域７を介在させてｎ型の低抵抗ゲート領域５を設ける。 - 特許庁 - A surface region which is not covered by magnetic body cores 41A, 41B of plate type members SP1, SP2 becomes wider.
板状部材ＳＰ１，ＳＰ２の磁性体コア４１Ａ、４１Ｂによって覆われない表面領域が広くなる。 - 特許庁 - COMPUTER NUMERICAL CONTROL TOOTH CUTTING MACHINE TOOL BY MEANS OF FIVE SIMULTANEOUS WORKING SPINDLES FOR SURFACE ENVELOPE TYPE TOROIDAL WORM
面包絡型トロイダルウォーム用の５つの同時作動軸によるコンピュータ数値制御ツースカッティング工作機械 - 特許庁 - To provide a balance operation type surface acoustic wave filter capable of yielding excellent amplitude and phase balance.
良好な振幅バランスおよび位相バランスが得られる平衡動作型弾性表面波フィルタ装置を提供する。 - 特許庁 - A current blocking layer 11 containing an N-type inversion region is formed on a side surface of a ridge-shaped clad layer 9.
リッジ形状のクラッド層９の側面にｎ型反転領域を含む電流阻止層１１を設ける。 - 特許庁 - To directly form a thin type polarizer having a high optical quenching ratio and a low insertion loss on the surface of an optical component.
高消光比でかつ挿入損失の小さい薄型偏光子を光部品の表面に直接形成する。 - 特許庁 - A display device 23 and a transmission type touch panel 22 stacked on the display surface of the display device 23 are provided.
表示デバイス２３と、この表示デバイス２３の表示面上に積層された透過型のタッチパネル２２とを設ける。 - 特許庁 - This both surface structure allows great versality in the type of polishing that can be accomplished using the same pad.
この両面構造は、同じパッドを使用して達成できる研磨のタイプに多大な多様性を提供する。 - 特許庁 - A diffraction optical element 13 is disposed so as to be brought into contact with an emission surface of a transmission type liquid crystal display device 12.
透過型液晶表示装置１２の出射面に接するように、回折光学素子１３を配設する。 - 特許庁 - On the surface of the n-type clad layer 3, with the transposition as the origin, a plurality of pyramid-like active layers 4 are grown.
ｎ型クラッド層３の表面に転位を基点として角錐状の複数の活性層４を成長させる。 - 特許庁 - ROTARY TYPE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR MASS PRODUCTION AND PROCESS FOR FORMING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FILM ON INNER SURFACE OF PLASTIC VESSEL
ロータリー型量産用ＣＶＤ成膜装置及びプラスチック容器内表面へのＣＶＤ膜成膜方法 - 特許庁 - To provide a balanced operation type surface acoustic wave filter device with excellent amplitude balance performance and phase balance performance.
振幅バランス性能および位相バランス性能のよい平衡動作型弾性表面波フィルタ装置を提供する。 - 特許庁 - In this case, the surface resin layer 5 having the pattern is formed of a spray-paint wherein a filler is added to a transparent type resin.
柄付き表面樹脂層５を、透明タイプの樹脂に充填剤を添加したスプレーペイントにより形成する。 - 特許庁 - To highly accurately form a black matrix at a light non-transmission part of a light projection surface of a total reflection type Fresnel lens sheet.
全反射型フレネルレンズシートの光出射面の光非透過部に、ブラックマトリクスを高い精度で形成する。 - 特許庁 - To provide an integrated type surface mounted pointing device for controlling the movement of an object on a display screen.
ディスプレイ・スクリーン上のオブジェクトの動きを制御するための一体化表面実装ポインティング・デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a surface-mounting type electronic circuit unit that is suitable for miniaturization, can be manufactured easily, and is provided with a shielding cover.
小型化に好適で製造の簡単なシールドカバー付き面実装型電子回路ユニットを提供すること。 - 特許庁 - To provide a surface-mounted type piezoelectric oscillator which is adaptive to size reduction and reduces an influence of thermal strain.
小型化に対応すると共に、熱歪みの影響を緩和する表面実装型圧電発振器を提供する。 - 特許庁 - The specific surface area of the β-type nickel oxyhydroxide as measured by the BET method is within a range of 3-50 cm2/g.
また、ベータ型オキシ水酸化ニッケルのＢＥＴ法による比表面積は３〜５０ｃｍ^2 ／ｇの範囲にある。 - 特許庁 - The upper surface of the third buried layer 9 is covered with a semiconductor layer 11 made of n-type InP.
第３埋め込み層９の上面は、ｎ型のＩｎＰからなる半導体層１１により覆われている。 - 特許庁 - A sensor chip 7 is arranged at the center part of the concave type reflection surface 3a on the pedestal 3 and senses the infrared rays.
台座３の凹面型反射面３ａの中心部にはセンサチップ７が配置され、赤外線を感知する。 - 特許庁 - A light-receiving part 43 of p-type single-crystal silicon is formed on the surface layer part 42a of the base substance 42.
基体４２の表層部４２ａには、ｐ型単結晶シリコンからなる受光部４３が形成されている。 - 特許庁 - An insulation mask, turning into a mask for epitaxial growth, is formed in the surface region of an n-type semiconductor substrate 1.
ｎ型半導体基板１の表面領域にエピタキシャル成長のマスクとなる絶縁性マスクを形成する。 - 特許庁 - To improve the surface of the bottom face of the rubber extruded from the rubber extrusion head having a clamp cut type back die.
クランプカット方式のバックダイを有するゴム押出ヘッドにより押出されるゴムの底面の肌を改善する。 - 特許庁 - The surface temperature of coke just below the outlet of the prechamber is measured with a non-contact type optical thermometer 18.
プレチャンバー出口直下のコークスの表面温度を非接触式の光学式温度計１８にて測定する。 - 特許庁 - This hot water circulation type hot water floor heater heats a room from a floor surface by a hot water pipe 3.
温水パイプ３により床面から室内を暖房する温水循環式の温水式床暖房装置である。 - 特許庁 - A flange type part 7 is formed by respectively bending edge parts opposed to each other of a panel plate 6 in the back surface direction.
パネル板６の互いに対向した縁部をそれぞれ裏面方向に屈折してフランジ状部７を形成する。 - 特許庁 - To generate an anatase type titanium oxide-containing thin film on the surface of a titanium-containing base material in a low temperature range.
チタン含有基材表面にアナターゼ型酸化チタン含有薄膜を低温域で生成させることができる。 - 特許庁 - The first well is formed in a first conductivity type region formed in the surface layer region of the top face of the step section.
第１ウェルは、ステップ部の上面の表層領域に形成された第１導電型の領域である。 - 特許庁 - To provide a vertical external resonator type surface emitting laser with modulation capability and a display unit having such a laser.
変調可能な垂直外部共振器型面発光レーザ及びこれを有するディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - This module-type assembly 10 for a glenoid cavity is provided in order to be attached to the surface of a glenoid cavity at a shoulder blade 18.
モジュール型関節窩アセンブリー１０が肩甲骨１８の関節窩表面に取付けるために提供される。 - 特許庁 - A room temperature setting adhesive is spread in a dot type in the central part of an outer peripheral surface 12a of a magnet 12.
磁石１２の外周面１２ａの中央部に、常温硬化型の接着剤を点状に塗布する。 - 特許庁 - NORMAL TEMPERATURE-CURABLE TYPE COATING COMPOSITION AND MOLDED MEMBER PRODUCT FORMED WITH COATED FILM ON ITS SURFACE BY USING THE SAME
水系常温硬化型塗料組成物およびそれを用いて表面に塗膜を形成した成形部材製品 - 特許庁 - A p^+-layer 18 is formed partially in the upper surface of the p-type well layer 14 while enclosing the n^+-layer 17.
ｐ^+層１８は、ｎ^+層１７を取り囲んで、ｐ型ウェル層１４の上面内に部分的に形成されている。 - 特許庁 - In the joint type of shoe string a joint device (3) is provided on the end surface (2) of the shoe string (1) and the joint section (4) is provided with an ornament (5).
靴紐（１）の端面（２）にジョイント具（３）を設けジョイント部（４）に飾具（５）を設けたジョイント式靴紐。 - 特許庁
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