「surface type」を含む例文一覧(14065)
＜前へ 1 2 .... 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .... 281 282 次へ＞- The non-photosensitive layer formed on the surface by performing exposure from the back side may be removed by using a negative-type photoresist.
ネガ型フォトレジストを用い、背面側から露光して表面に形成した非感光層を除去しても良い。 - 特許庁 - An n^+-type 3rd semiconductor layer 14 is formed on a part of the surface layer part of the 2nd semiconductor layer 13.
第２の半導体層１３の表層部の一部にＮ^＋型の第３の半導体層１４が設けられている。 - 特許庁 - To provide a copper tube for a cross fin tube type heat exchanger having superior surface quality and insertability.
優れた表面品質を有し、挿入性に優れたクロスフィンチューブ型熱交換器用銅管を提供すること。 - 特許庁 - The dust cup 5b consists of rein (polymer alloy type resin) whose surface specific resistance is smaller than 10^10 Ω/cm^2.
ダストカップ５ｂを、表面固有抵抗が１０^１０Ω／ｃｍ^２未満の樹脂（ポリマーアロイ型樹脂）で構成する。 - 特許庁 - To provide a waveguide type optical multiplexer-demultiplexer which can uniformize the temperature distribution on the surface of a waveguide element.
導波路素子表面の温度分布を均一にすることができる導波路型光合分波器を提供する。 - 特許庁 - CUTTING TOOL MADE OF SURFACE-COATED CERMET, WITH THICK α-TYPE ALUMINUM OXIDE LAYER ACHIEVING EXCELLENT ANTI-CHIPPING PERFORMANCE
厚膜化α型酸化アルミニウム層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具 - 特許庁 - The mounting click member 2 is a resin made and roughly plate type member projected from a molding surface 1a of a wheel cover 1.
取付け爪部材２は、ホイールカバー１の造形面１ａから突設する樹脂製且つ略板状の部材である。 - 特許庁 - Thereafter, a p-type second gate layer 7 is formed on the surface of the channel layer 6 by an ion implanting method.
その後、このチャネル層６の表面にイオン注入法によってＰ型の第２のゲート層７を形成する。 - 特許庁 - To form an ohmic electrode of low contact resistance on the surface of a p-type nitride semiconductor processed by dry etching.
ドライエッチングで加工したｐ型の窒化物半導体の表面に低コンタクト抵抗のオーミック電極を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor layer 12 is formed of an n-type semiconductor and is laminated on the front surface of the semiconductor substrate 11.
半導体層１２は、Ｎ型の半導体からなり、半導体基板１１の表面上に積層されている。 - 特許庁 - In the reflective and volume phase type HOE, half value width of diffraction wavelength is different depending on an area in the surface.
反射型で体積位相型のＨＯＥは、面内の領域によって回折波長の半値幅が異なる。 - 特許庁 - The n-type cladding layer 12 is formed on the principal surface 11a of the group III-V compound semiconductor substrate.
ｎ型クラッド層１２は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面１１ａ上に形成される。 - 特許庁 - A p-type floating region 13 is arranged on the wafer surface between the n+ emitter region 6 and the trench 16.
また、ｎ^+エミッタ領域６とトレンチ１６との間のウェハ表面にｐ型フローティング領域１３を備える。 - 特許庁 - The p-type clad layer 54 is arranged between the active layer 18 and the top surface 52t of the semiconductor mesa 52.
ｐ型クラッド層５４は、活性層１８と半導体メサ５２の頂面５２ｔとの間に配置されている。 - 特許庁 - An N^+-type source region 9 is formed on a surface layer portion of the epitaxial layer 3 along the trench 6.
また、エピタキシャル層３の表層部には、Ｎ^+型のソース領域９がトレンチ６に沿って形成されている。 - 特許庁 - The adhesive sheet comprises a substrate and an energy ray curing type adhesive layer formed on the surface of the substrate.
粘着シートは、基材と、基材の表面上に形成されたエネルギー線硬化型粘着剤層とを含む。 - 特許庁 - To improve antenna characteristics by reducing surface waves radiated from a substrate terminal of an antenna incorporated type module substrate.
アンテナ一体型モジュール基板の基板端から放射される表面波を低減し、アンテナ特性を向上する。 - 特許庁 - A control circuit 60 discriminates the type of the liquid surface sensor connected to the liquid level measuring apparatus 100.
制御回路６０は、液面レベル計測装置１００に接続されている液面センサの種類を識別する。 - 特許庁 - This invention relates to a surface discharge type plasma screen in which discharge electrodes are coated with a dielectric layer.
本発明は、放電電極が誘電体層で被覆されている面放電型のプラズマスクリーンに関するものである。 - 特許庁 - A pair of source/drain regions 4, having a second conductivity type, are formed on the front surface of the semiconductor substrate.
第２導電型を有する１対のソース／ドレイン領域４が半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁 - To achieve a small-sized gyro utilizing an elastic surface wave while preventing energy leakage as in a flat-type gyro.
平面型ジャイロのようなエネルギーの漏洩を防ぎつつ、弾性表面波を利用した小型のジャイロを実現する。 - 特許庁 - To provide a device for protecting molten steel surface for preventing oxidation of molten steel in a twin-roll type sheet steel continuous casting.
双ドラム式薄帯連続鋳造における溶鋼の酸化防止のための湯面保護装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an outer surface development type air bag device for an airbag to surely develop along a development intended area.
エアバッグが確実に展開予定領域に沿って展開する外面展開型エアバッグ装置を提供する。 - 特許庁 - To obtain the surface mounting type crystal vibrator which is adaptive to subminiature size and can be made at a low cost.
超小型化に対応するとともに、低コスト化が可能になる表面実装型水晶振動子を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface-mounted type crystal vibrator which is improved in moldability of a resin mold and durability of the resin.
樹脂モールドの成型性、及び耐久性を向上させた表面実装型水晶振動子を提供する。 - 特許庁 - To provide a contact-type sensor suitable for detecting a subject such as a fingertip directly in contact with the surface.
表面に直接接した指先等の被検体を検知するのに適した接触型センサを提供すること。 - 特許庁 - To obtain a dielectric separation type semiconductor device for improving a breakdown voltage without losing RESURF (Reduced SURface Field) effect.
ＲＥＳＵＲＦ効果を損なうことなく耐圧を向上させた誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁 - A node electrode 22 of a trench capacitor is buried and formed in a surface part of, e.g. a P-type silicon substrate 11.
たとえば、Ｐ型シリコン基板１１の表面部にトレンチキャパシタのノード電極２２を埋め込み形成する。 - 特許庁 - In addition, an anode electrode 16 is located so as to contact with the second surface 12B of the n-type layer 12.
さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 - 特許庁 - To enable a sound image of a center location to be located in a center location as a function of a flat surface stereo type speaker.
平面形状ステレオ型スピーカの機能として、中心位置での音像が中心位置に定位可能とする。 - 特許庁 - The pachinko game machine 1 of the blade object type is provided with a center accessory device 6 arranged at the center of a game board surface.
羽根物タイプのパチンコ機１は、遊技盤面の中央に配置されたセンター役物装置６を有している。 - 特許庁 - A sucking surface of the suction jig 10 is constituted of a flat plate type porous plate 20 and a sealing member 22.
吸着ジグ１０の吸着面は平板状の多孔質プレート２０とシール部材２２で構成されている。 - 特許庁 - This method for restoring the gloss of the floor surface coating material disposed on the floor material surface is characterized in that the floor surface coating material is the photo-curing type resin coating film and the floor surface coating material is polished by rotating a pad for polishing and baking and using a polishing agent on the surface coating material.
床材表面に設けられた床面被覆物の光沢復元を行う方法であって、床面被覆物が光硬化型樹脂塗膜であり、床面被覆物上で艶出し・焼付け用のパッドを回転させ、研磨剤を使用して研磨を行うことを特徴とする。 - 特許庁 - The grating pattern 2 of the diffraction type condensing film 1 includes a first surface forming an angle α with respect to a normal, a second surface forming an angle β with respect to the normal, and a third surface forming an angle δ with respect to the second surface to form a second apex and resulting from inclining the second surface by an angle γ.
回折型集光フィルム１の備える格子パターン２は、法線と角αをなす第一の面と、法線と角βをなす第二の面と、前記第二の面と角δをなして第二の頂部を形成する、前記第二の面が角γだけ傾いた第三の面と、を備えている。 - 特許庁 - In the respective light guide plates 13A and 13C, at least one end surface is an incident surface 13a, one of a pair of surfaces facing each other is an emission surface 13b for emitting light entered from the incident surface, and the other of the pair of surfaces is a transmission type reflecting surface 13c.
各導光板１３Ａ，１３Ｃは、少なくとも一つの端面が入射面１３ａであり、互いに対向する一対の面の一方は入射面から入射した光が出射される出射面１３ｂであり、かつ一対の面の他方が透過型反射面１３ｃである。 - 特許庁 - A Pachinko game machine 1 is provided with an opening/closing type front surface frame 5 on the front surface side of its main body, the front surface frame 5 covers a game board from the front side, and a game area 12 is visible from the front surface side through an opening window 30 formed large at the center of the front surface frame 5.
パチンコ機１は、その本体の前面側に開閉式の前面枠５を有しており、この前面枠５は遊技盤をその手前側から覆っているが、中央に大きく形成された開口窓３０を通じて前面側から遊技領域１２が視認可能となっている。 - 特許庁 - An upper surface of the base portion of a yoke member corresponding to at least lower surface of a moving path 16 is formed of a metal material among the lower surface of a turn table and the upper surface of base portion of yoke member forming a moving path 16 and a mound type projection 31 is also formed at the lower surface of this moving path 16.
移動路１６を形成しているターンテーブル部の下面及びヨーク部材の基部上面のうち、少なくとも移動路１６の下面に相当するヨーク部材の基部上面を金属により形成すると共に、この移動路１６の下面に山状の凸部３１を形成している。 - 特許庁 - In Fig. 15, showing the actuator of a magnetic disk, when nine surfaces except a servo surface 52 among ten recording surfaces in total are used as the parallel recording type of two surfaces in one set, one surface is odd, and this surface is used as an alternative surface, when one surface of one set of two surfaces has a defect.
磁気ディスクのアクチュエータを示す図１５において、合計１０面の記録面のうち、サーボ面５２を除く残り９面を、２面１組のパラレル記録形とすると、１面が半端となるが、これを、２面１組の中の１面が欠陥をもつとき、その代替として使用する。 - 特許庁 - To provide a solventless type paste for surface coating preventing surface flaws without sticking even in contact of a coated sealed surface with an opponent material surface (metal) at high temperatures over a long period in a sealing packing having a surface part composed of an expanded graphite sheet and coated with the paste.
表面部が膨張黒鉛シートで構成されるシールパッキンをペーストで被覆するものにおいて、被覆したシール面が相手材面（金属）と高温で長時間接触しても付着せず、かつ表面のキズを防止することが可能な表面被覆用無溶剤型ペーストを提供する。 - 特許庁 - In the diode, a semiconductor substrate and one surface are set to (111) crystal surface, an angle being formed by the horizontal surface of one surface of the semiconductor substrate and a surface where the pn junction between p- and n+-type semiconductor regions is exposed is set to 75 degrees or more and less than 90 degrees.
半導体基体と一方表面は（１１１）結晶面であって、その半導体基体の一方表面の水平面と、ｐ型半導体領域とｎ^+ 型半導体領域とのｐｎ接合が露出する面とのなす角が、７５度以上，９０度未満であるダイオード。 - 特許庁 - In this fireplace 1 including a fire resisting glass surface 10 at a part of the front surface, an ondol type underfloor heating gallery 8 in a bottom opening part 5, the cooking top plate 15 is arranged on the upper surface with a chimney 14 arranged thereon, and heat insulating louver parts 17 are arranged on both side surface and the back surface.
前面の一部に耐火ガラス面１０を備える暖炉１において、底面開口部５にオンドル式床下暖房坑道８を備えると共に、上面に調理天板１５を配して煙突１４を配すると共に、両側面と背面には遮熱ガラリ部１７を配する。 - 特許庁 - The surfaces of an n-type region 5 consisting of the n-type semiconductor 2 and a p-type region 7 consisting of the p-type semiconductor are polished into flat surfaces, and then a thermal oxide film 9 serving as a field oxide film is formed to complete a surface side element structure 10 of a MOSFET.
ｎ型半導体２よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域７の表面を研磨して平坦にした後、フィールド酸化膜となる熱酸化膜９を形成し、ＭＯＳＦＥＴの表面側の素子構造１０を形成する。 - 特許庁 - An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on the light-receiving surface of an n-type single-crystal silicon board 1, and a transparent conductive film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3, thus constituting a photoelectric converter 101.
ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上にｉ型非晶質シリコン層２およびｐ型非晶質シリコン層３が形成され、ｐ型非晶質シリコン層３上に透明導電膜４が形成されて、光電変換部１０１が構成される。 - 特許庁 - The p-type thermoelectric element board 3 and the n-type thermoelectric element board 4 are made by bonding a plurality of roughly bar-shaped p-type thermoelectric element members 6 and n-type thermoelectric element members 7 to the surface of insulating substrates 5 so that they may be parallel with each other.
略棒状のＰ型の熱電素子部材６及びＮ型の熱電素子部材７を、複数本のものがそれぞれ平行となるよう絶縁性基板５の表面に接着してＰ型熱電素子基板３及びＮ型熱電素子基板４を形成する。 - 特許庁 - A first conductivity type semiconductor layer 1 has a front side which is a light-receiving surface, and a second conductivity type semiconductor layer 2 is disposed on a back side of the first conductivity type semiconductor layer 1, forming a p-n junction with the first conductivity type semiconductor layer 1.
第１導電型半導体層１は、表面が受光面となっており、第２導電型半導体層２は、第１導電型半導体層１の裏面側に設けられ、第１導電型半導体層１との間でｐｎ接合を構成している。 - 特許庁 - An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.
本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁 - A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.
Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁 - An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.
ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁 - Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.
次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁 - Since a p-type base layer 3 is formed by diffusion on the entire surface of an element portion above a p-type epitaxial layer becoming a p-type pillar layer and then it is divided when a trench 5' is formed and left on the p-type pillar layer 2, diffusion hardly take place in the lateral direction.
ｐ型ベース層３は、ｐ型ピラー層となるｐ型エピタキシャル層上の素子部全面に拡散により形成させ、その後トレンチ５’の形成時に分断されてｐ型ピラー層２の上に残った層として形成されるため、横方向に殆ど拡散されない。 - 特許庁
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