「therebetween」を含む例文一覧(4056)
＜前へ 1 2 .... 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82- This electrooptical device has data lines, scanning lines, TFTs and pixel electrodes, on a TFT array substrate, and is provided with the holding capacity consisting of first electrodes 71 electrically connected to the TFTs and pixel electrodes, second electrodes 300 disposed facing them, and dielectric films 75 disposed therebetween, wherein an oxidized film 501 is formed by oxidizing all or part of at least one of surfaces of the the first and second electrodes.
ＴＦＴアレイ基板上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極からなる電気光学装置であって、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された第１電極（７１）、これに対向配置された第２電極（３００）、及び、これらの間に配置された誘電体膜（７５）とからなる保持容量とを備えてなり、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方の表面の全部又は一部が酸化された酸化膜（５０１）とを備えている - 特許庁 - The display includes an insulation substrate, a source electrode 50 and a drain electrode 60 disposed on the insulation substrate and distanced from each other and including a channel area interposed therebetween, a wall exposing portions of the source electrode and the drain electrode, and defining an opening area surrounding the channel area, and an organic semiconductor layer covering the channel area, and comprising a first sub layer and a second sub layer having different grain sizes.
本発明による表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されておりチャンネル領域を介して離隔配置されているソース電極およびドレイン電極と；前記ソース電極および前記ドレイン電極を少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を囲んでいる開口領域を定義する隔壁と、前記チャンネル領域を覆っており、結晶粒の大きさが互いに異なる第１サブ層と第２サブ層を有する有機半導体層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - There is provided a soundproof house including wall portions and/or a roof which is of a soundproof structure provided with a plurality of soundproof layers and an air layer interposed therebetween.
壁部及び／又は屋根が、複数の防音層を有し且つ各防音層間に空気層を介在させた防音構造を有する防音ハウスであって、該複数の防音層のうちの１つの防音層をＡ_1とし、それに隣り合う別の防音層をＡ_2とし、防音層Ａ_1と防音層Ａ_2の間の空気層をＢとしたときに、空気層Ｂの厚さ(Ｂ_d)が、周波数２５０Ｈｚにおいて、数式；ΔＳ／（ΔＳ_A1＋ΔＳ_A2）≧０．６［式中、ΔＳは防音層Ａ_1と空気層Ｂと防音層Ａ_2を通過した音の音響透過損失値（ｄＢ）、ΔＳ_A1は防音層Ａ_1のみを通過した音の音響透過損失値（ｄＢ）、ΔＳ_A2は防音層Ａ_2のみを通過した音の音響透過損失値（ｄＢ）を示す。 - 特許庁 - The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.
集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁 - First strain sensors of which gain maximum lines N are 30-60° and second strain sensors of which maximum lines orient to a tire diameter direction line, are alternately attached to a side with equal intervals therebetween, and, to the another side, strain sensors are attached symmetrically.
ゲイン最大線Ｎが３０〜６０°の第１歪センサと、最大線がタイヤ半径方向線に向く第２歪センサを交互等間隔でサイドに取付け、他方側に歪センサを対称位置に取付け、一方側の第１歪センサ出力の総和ΣＶＡ１と、他方側の第１の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＢ１との和（ΣＶＡ１＋ΣＶＢ１）、前記総和ΣＶＡ１、ΣＶＢ１の差（ΣＶＡ１−ΣＶＢ１）、一方側の第２の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＡ２と、他方側の第２の歪センサのセンサ出力の総和ΣＶＢ２との和（ΣＶＡ２＋ΣＶＢ２）を変数とした下記式にて３分力Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚを推定する。 - 特許庁 - The selection part selects two roller pairs having a clearance capable of clamping the double conveyance portion therebetween, and the conveyance control part separates the sheet duplicated on the other sheet therefrom, by differing the conveying speeds each other in the selected roller pairs.
複数のシートを順次搬送路へ給送するシート給送部と、搬送路に沿う所定位置に配置され、シートを挟んで搬送する３以上のローラ対と、シートの一部分に他のシートが重なって給送されたときに重なった部分である重送部分の長さを検知する重送検知部と、３以上のローラ対から２つを選択する選択部と、選択されたローラ対の少なくとも一方の搬送速度を切り替え得る搬送制御部とを備え、前記選択部は、重送部分をその間に挟み得る間隔を有する２つのローラ対を選択し、前記搬送制御部は、選択されたローラ対の互いの搬送速度を違えて前記シートからそれに重なるシートを分離させることを特徴とするシート搬送装置 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
