「thin layer method」を含む例文一覧(2066)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 41 42 次へ＞- This is a manufacturing method of the solid oxide fuel cell in which a thin-film electrolyte layer can be imparted by heating and densifying one face of a porous electrode board to be a foundation of the electrolyte layer, making it a nonporous surface, and fabricating the electrolyte layer afterwards.
電解質層の下地となる多孔質電極基板の一方の面を加熱して緻密化させ孔のない表面とし、その後に電解質層を作製することで、薄膜の電解質層を付与することが可能な固体酸化物型燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method for forming a thin impurity dopeed layer whose characteristics are satisfactory on a silicon cover guide substrate or a semiconductor layer formed on the silicon cover guide substrate whose conductive type is the same as that of the silicon cover guide substrate, and for easily forming an ohmic electrode on the impurity doped layer.
シリコンカーバイド基板上、もしくはシリコンカーバイド基板上に設けられたシリコンカーバイド基板と同じ導電型の半導体層上部に、特性の良い薄い不純物ドープ層を設け、不純物ドープ層の上に、容易にオーミック電極を形成する半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁 - More specifically, the method for manufacturing the thin film dielectric element comprises a step for forming the thin film dielectric of (Ba_1-xSr_x)_aTiO_3(0≤x≤1, 1.0≤a≤1.2) on a conductive electrode layer, and a step for annealing the thin film dielectric thus formed at 600-1,000°C.
具体的には、本願発明は、導電性電極層上に（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ａＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１、１．０≦ａ≦１．２）からなる薄膜誘電体を形成する工程と、形成した前記薄膜誘電体を６００℃を超えて１０００℃以下でアニールする工程と、を含む薄膜誘電体素子の製造方法である。 - 特許庁 - To provide a thin film magnetic head provided with an MR element, in which a sufficient bias magnetic field for domain control can be supplied to a magnetization free layer of an MR laminate, consequently, proper linear response having no noise can be performed, a magnetic disk drive device provided with the thin-film magnetic head, and to provide a manufacturing method for the thin-film magnetic head.
充分な磁区制御用バイアス磁界をＭＲ積層体の磁化自由層に供給することができ、その結果、ノイズのない良好な線形応答が可能なＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスクドライブ装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor that improves driving characteristics and reliability, a method for manufacturing the thin film transistor, and a display device including the thin film transistor by forming a semiconductor layer located over a metal pattern such as a gate electrode or a light shielding member by using polycrystalline silicon that does not include incomplete crystal growth region.
不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film solar cell that has widened effective area of a transparent electrode layer, consequently has increased output and that secures insulation of a second through-hole thereby enabling the fraction defective of manufacture of the thin film solar cell to be decreased, and to provide a method of manufacturing the thin film solar cell.
本発明の目的は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第２の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることが可能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.
プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。 - 特許庁 - The method comprises: a stage wherein a nickel based vacuum thin film 13 is deposited on a substrate 11 based on a physical vapor deposition technique; and a stage wherein the substrate 11 with the vacuum thin film 13 deposited is subjected to substitution gold plating treatment in a substitution gold plating bath to deposit a substitution gold layer 14 on the surface of the vacuum thin film 13.
基板１１上に物理的蒸着技術に基づくニッケル系の真空薄膜１３を形成する工程と、この真空薄膜１３を形成した基板１１を置換金メッキ浴において置換金メッキ処理を施し該真空薄膜１３の表面に置換金層１４を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device capable of keeping an interface between a gate insulation film and a thin-film conductor layer under good conditions free from the influence of formation of a source/drain electrode and thereby having a fine bottom-gate-bottom-contact type thin-film transistor structure with good characteristics.
本発明は、ソース／ドレイン電極の形成に影響されることなくゲート絶縁膜と薄膜半導体層との界面を良好な状態に維持することが可能で、これにより微細でありながらも特性の良好なボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ構成の薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.
基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the thin-film electrode on at least one principal plane of the substrate with insulation properties is characterized by depositing a trace amount of metallic elements on the surface of the substrate during plasma treatment, in a process of manufacturing the thin-film electrode by plasma-treating the surface before forming the thin-film metal electrode layer.
電気絶縁性を有する基板の少なくとも一方の主面に薄膜金属電極層を形成する方法であって、薄膜金属電極層形成前に、基板表面をプラズマ処理する薄膜電極の製造方法において、プラズマ処理を行なう際に、微量の金属元素を基板表面に付着させる。 - 特許庁 - To provide a thin film evaluation method capable of evaluating the thickness and/or the optical constant of a thin film in a sample more accurately with a smaller dispersion than hitherto, even when using a sample wherein the thin film is formed on a transparent polymer film having a layer functioning as an optical film.
光学膜として作用する層を有する透明高分子フィルム上に薄膜が成膜された試料を用いた場合であっても、試料中の薄膜の膜厚および／または光学定数を従来よりも正確かつ少ないばらつきで評価することが可能な薄膜評価方法を提供する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing an organic thin-film solar cell containing an anode and a cathode which are formed to be spaced from each other, a photoelectric conversion layer of an organic thin film provided between the anode and the cathode, and an electron transport layer formed of TiO_x provided between the photoelectric conversion layer and the cathode, the electron transport layer formed of TiO_x is formed by a combustion chemical vapor deposition method.
互いに離間して形成された陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機薄膜の光電変換層と、前記光電変換層と前記陰極との間に設けられたＴｉＯ_xからなる電子輸送層とを有する有機薄膜太陽電池を製造するにあたり、前記ＴｉＯ_xからなる電子輸送層を燃焼化学気相成長法により形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - To provide a driving method for a liquid crystal element performing a display by utilizing selective reflection of a cholesteric liquid crystal phase by which the satisfactory display can be performed even if a liquid crystal layer is thin, in the driving method of .
コレステリック液晶相の選択反射を利用して表示を行う液晶表示素子の駆動方法であって、液晶層がたとえ薄くても良好な表示を行うことができる駆動方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a thin film transistor having a gate insulator layer which is not damaged in electric insulation even by UV exposure and has source/drain electrodes that can be patterned by a printing method utilizing variation in surface wettability.
UV露光でも電気的絶縁性が損なわれず、表面濡れ性の変化を利用して印刷法でソース・ドレイン電極のパターニングが可能なゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method requiring no high-temperature heat treatment, with respect to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit, which couples a semiconductor wafer and a dielectric substrate and forms a semiconductor thin-film layer on the insulating substrate.
半導体ウエハと絶縁基板とを結合させ、絶縁基板に半導体薄膜層を形成する半導体集積回路の製造方法において、高温熱処理を必要としない製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method using an atomic layer deposition method in order to grow an extremely homogeneous thin-film whose surface density is favorable, which has an extremely high purity and whose surface properties are controlled with high precision.
良好な表面密度、極めて高い純度を有し、表面特性を高精度で制御された非常に均一な薄膜を成長するために、原子層堆積法を用いた方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method of forming quantum thin lines of various sizes on a single semiconductor substrate by growing an epitaxial layer in triangular structure having a variety of sizes on the semiconductor substrate by using a selective epitaxial growing method.
選択的エピタキシャル成長法を利用して、半導体基板に多様な大きさを有する三角形構造のエピタキシャル層を成長させることで、単一半導体基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device for easily and efficiently forming a semiconductor chip made into a thin layer, where a trench is formed, from a wafer, and the semiconductor device manufactured by the manufacturing method.
ウエハーから、薄層化されかつトレンチが形成された半導体チップ を容易に効率よく形成する半導体デバイスの製造方法、及びこの製造方法によ り製造された半導体デバイスを提供すること。 - 特許庁 - To form a piezoelectric layer 4, an aerosol deposition method which does not require a sintering process (the method of forming a thin film by spraying an aerosol containing material particles and sticking the particles) is used.
これとともに、圧電層４の形成に、焼成工程を必要としないエアロゾルデポジション法（材料粒子を含むエアロゾルを噴き付けてこの粒子を付着させることにより薄膜を形成する方法）を用いる。 - 特許庁 - The strontium-containing thin film such as a SrTiO_3 film and a (Ba, Sr)TiO_3 film is formed by using bis(propyltetramethylcyclopentadienyl) strontium as an Sr source, with a chemical vapor deposition method or an atomic layer deposition method.
Ｓｒ源として、ビス（プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、ＳｒＴｉＯ<sub>3</sub>または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ<sub>3</sub>膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a thin film manufacturing device capable of suppressing deterioration of a negative electrode collector and an active material layer while intending to enhance productivity, by producing a thin film on a flexible base material with the temperature rise of the base material suppressed, even when the thin film is formed at a high speed, and to provide a thin film manufacturing method using this device.
本発明の目的は、高速で薄膜を形成した場合であっても、基材温度の上昇を抑制した状態で可撓性基材上に薄膜を作製することにより、生産性の向上を図りつつ負極集電体や活物質層の劣化を抑制できる薄膜の製造装置及びこの装置を用いた薄膜の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - This method for producing the thin film like inorganic substrate covered with the metal oxide layer is characterized by drying an aqueous suspension of the thin section like inorganic substrate with the metal oxide particles with a spray dryer and then calcining to form the thin film like inorganic substrate covered with the metal oxide while almost maintaining the shape of the thin section like inorganic substrate.
薄片状無機基質と金属酸化物粒子との水性懸濁液を、スプレードライヤーにて乾燥後焼成することによって、薄片状無機基質の形状をほぼ保ちつつ金属酸化物層で被覆された薄片状無機基質を形成することを特徴とする金属酸化物層で被覆された薄片状無機基質の製造方法により上記課題を解決する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin film transistor and the thin film transistor having high mobility, a low threshold voltage and superior On/Off characteristics, by providing a gate insulating layer composed of a polymer insulating layer and an inorganic layer, and providing a metal oxide semiconductor by performing a semiconductor conversion process for a semiconductor precursor material which can apply with solution.
ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁 - To provide a reflective polarizer comprising a layer of an oxide thin film, particularly, a reflective polarizer which maintains uniformity in film thickness and optical characteristics by constituting an oxide thin film having optical anisotropy of two layers upon forming an anisotropic film and by depositing the second layer film in a direction reversed by approximately 180° with respect to the first layer film, and to provide a method for manufacturing the polarizer.
酸化物薄膜を積層してなる反射偏光子において、異方性膜を作製する際に、光学異方性を有する酸化物薄膜を２層に積層された構成とし、第２層の膜は、第１層の膜に対して、ほぼ１８０°反転した向きから成膜することにより、膜厚と光学特性の均一性が確保された反射偏光子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the optical information recording medium has the sticking process for placing and sticking the thin film on and to the surface of the laminated body while the sticking surface of the thin film is made nearly parallel to the surface on the recording layer side of the laminated body which is formed by successively forming at least a light reflection layer and the recording layer on a substrate.
基板上に少なくとも光反射層および記録層が順次形成された積層体の前記記録層側の表面に対し、薄膜フィルムの貼り合わせ面を略平行にしながら、前記積層体の表面に前記薄膜フィルムを載置して貼り合わせる貼り合わせ工程を有することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁 - The method of forming a thin film on the surface of a workpiece W includes: a depositing step for depositing the deposition material on the surface of the workpiece and forming a deposition material layer 70; and an irradiation step of forming the thin film 72A by irradiating the workpiece where the deposition material layer is formed with electromagnetic waves 74 and heating the deposition material layer.
被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、被処理体の表面に成膜材料を付着させて成膜材料層７０を形成する付着工程と、成膜材料層の形成された被処理体に電磁波７４を照射して成膜材料層を加熱することによって薄膜７２Ａを形成する照射工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a measuring jig, electrical property measuring method, and resonator which can measure electrical properties of thin-layer dielectrics formed on a conductive material with high precision.
導体上に形成された薄層誘電体の電気的物性値を高精度で測定することが可能な測定用治具及び電気的物性値測定法並びに共振器を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing amount measuring method capable of easily and surely measuring the polishing amount of a thin layer formed by patterning on a substrate and of achieving polishing with high accuracy.
基板上にパターニングして形成した薄膜の研磨量を容易にかつ確実に測定することを可能とし、高精度の研磨加工を可能にする研磨量計測方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical communication device having low loss and high reliability by providing a method of forming a reflector which makes an Au thin film layer a reflection surface on an optical medium with high adhesion.
Ａｕ薄膜層を反射面とする反射器を光学媒体に高い付着力で形成する方法を実現して低損失で高い信頼性を有する光通信デバイスを提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method has a process for forming a metal thin film 60 having the thickness of 50 μm or below by sputtering on the surface of a core member 100 or on an intermediate layer forming the medical instrument.
医療用具を構成するコア部材１００の表面または中間層に、スパッタリングにより、厚み５０μｍ以下の金属薄膜６０を形成する工程を有する製造方法。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a light absorbing layer of a thin film solar battery, in which defects can be reduced, surface flatness can be improved, and a film-forming temperature can be reduced.
欠陥の低減ができ、表面の平坦性を向上させることができ、しかも、製膜温度の低温下を可能とした、薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method which hardly causes the breakage (including the chipping) of thin layer sheets near a via when peeling a carrier tape, regardless of the multilayer structure and reduction in thickness of ceramic green sheets.
セラミックグリーンシートの多層化及び薄型化に拘わらず、キャリアテープの剥離時に薄層シートのビア近傍部分の破れ（欠け等も含めて）が生じにくい手法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin-film semiconductor layer, which is able to efficiently activate impurities injected to a source region and a drain region, without using complicated devices.
ソース領域とドレイン領域に注入された不純物の活性化を、複雑な装置を用いることなく、効率良く行うことが可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a ferroelectric capacitor which allows a special antioxidation layer to be not required, to be thin in thickness of an element, and to be simple in its structure, and also provide its manufacturing method, and a ferroelectric memory element.
別途の酸化防止層を必要とせず、素子の厚さを薄くでき、かつ、その構造が簡単な強誘電体キャパシタ、その製造方法および強誘電体メモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a fluorocarbon resin coating method capable of forming a fluorocarbon resin film which is excellent in adhesion to a silicone rubber layer, thin, and excellent in surface smoothness.
シリコーンゴム層とふっ素樹脂膜が優れた接着力をもち、かつ膜厚が薄く表面平滑性の優れたふっ素樹脂膜を形成することができるふっ素樹脂被覆方法の提供。 - 特許庁 - To provide an interface detection method and an interface detector capable of specifying accurately a position of an interface of each layer, when analyzing in depth direction of a thin film laminate.
薄膜積層体の深さ方向分析を行う場合において、各層の界面の位置を正確に特定することが可能な界面検出方法及び界面検出装置を提供すること。 - 特許庁 - To reduce the size of a frame even when one or more layers of thin films constituting a sealing layer is formed by a formation method low in positional accuracy, in a light emitting device.
発光装置において、封止層を構成する１層または複数層の薄膜を位置精度の低い形成方法で形成しても狭額縁化を実現することができるようにする。 - 特許庁 - To provide a woody tape constituted by providing a thin and tough coating layer having flexibility on the surface of continuous veneer and capable of being manufactured simply at a low cost, and its manufacturing method.
連続状突板の表面に薄くて強靭で柔軟性を有するコーティング層を備え、しかも簡単かつ低コストで製造し得る木質テープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This method for manufacturing the easily rupturing laminated material comprises the step to perforate numerous fine holes in a synthetic resin film layer after bonding the synthetic resin film on at least one of the sides of the thin metallic sheet.
金属薄板の少なくとも片面に合成樹脂フィルムを接着した後、該合成樹脂フィルム層に多数の微細孔を穿設する工程を含む易破断ラミネート材の製造方法。 - 特許庁 - To provide an organic thin film transistor element having high production efficiency, which comprises an organic semiconductor layer comprising acenes of large carrier mobility, and to provide a method for manufacturing the transistor element.
生産効率が高く且つキャリア移動度の大きなアセン類を含有する有機半導体層を備えてなる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a CMOS thin-film transistor of which process is simplified by minimizing the residual quantity of a metal catalyst remaining in a semiconductor layer, and by reducing the number of masks.
半導体層に残っている金属触媒の残留量を最少にし、マスク数を減少させて工程を単純化したＣＭＯＳ薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a display device capable of reducing off-state current and light leakage current in a thin film transistor having an LDD layer, and to provide a method of manufacturing the same.
ＬＤＤ層を有する薄膜トランジスタにおけるオフ電流を低減させることと光リーク電流を低減させることが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a terminal processing method for a super-extra-fine coaxial cable by which a thin-film shield is instantaneously melted and vaporized applying a low voltage by a single operation without damaging a dielectric layer.
薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させ得る超極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供すること。 - 特許庁 - A film is formed on the sheet type conductive substrate 1 with the organic thin-film electromotive force layer 2 and upper electrodes 3 by a coating method, and auxiliary electrodes 4 are formed on the upper electrodes 3.
シート状の導電性基材１上に有機薄膜起電力層２と上部電極３とを塗布法により成膜し、この上部電極３上に補助電極４を成膜する。 - 特許庁 - To provide a thin-film transistor for surely preventing fluctuation of oxygen content in a semiconductor layer comprising oxide and characteristic fluctuation due to moisture adsorption, along with its manufacturing method.
酸化物からなる半導体層における酸素含有率の変動や水分吸着に起因する特性変動を確実に防止可能な、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin-film transistor in which a pattern of a semiconductor layer made of an organic semiconductor material can be formed highly finely while suppressing projection at its end.
有機半導体材料からなる半導体層のパターンをその端部での突起の発生を抑制しつつ、高精細に形成することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor element that peel a thin layer including crystal for the semiconductor element from a growth substrate using laser irradiation.
本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a plated material capable of controlling the generation of a whisker and having an extremely thin plated layer of Sn or Sn alloy, and to provide the plated material.
ウィスカの発生を抑制できる、厚さが極めて薄いＳｎまたはＳｎ合金のめっき層を有するめっき材の製造方法、およびそのめっき材を提供することを目的とする。 - 特許庁
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