「thin layer method」を含む例文一覧(2066)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 41 42 次へ＞- To provide a method for manufacturing a piezoelectric/ferroelectric thin-film device, capable of having the degrees of freedom for selecting substrate material and eliminating residue of the peel-off layer to a structure without bringing about a damage at the structure.
基板材料の選択に自由度を持たせることが可能で、構成体へのダメージが生じず、構成体への剥離層の残存がない圧電・強誘電体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a solar cell for suppressing the generation of the bending of a substrate, and for forming a BSF (Back Surface Field) layer whose thickness is effective even when the thickness of the substrate is thin.
基板の厚さが薄くても、基板の反りの発生を抑えるとともに有効な厚さのＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層の形成できる太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁 - The VCSEL 102 is formed, for instance, by a method wherein it is first built on a semiconductor substrate with an etching stop layer 104 in between and then the semiconductor substrate is removed by etching, and is extremely thin.
このＶＣＳＥＬ１０２は、例えば半導体基板上にエッチングストップ層１０４を介して形成した後、エッチングにより半導体基板を除去したものであり、極めて薄く形成されている。 - 特許庁 - To provide a soldering method of Pb-less solder which improves a joint strength with a pattern composed of Pb-less solder and Cu or Cu alloy, even if the thickness of an Ni plating layer is thin.
Ｎｉめっき層の厚さが薄くてもＰｂレス半田とＣｕ又はＣｕ合金からなるパターンとの接合強度を向上させることができるＰｂレス半田の半田付け方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect.
ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁 - A segregation/refinement technique, such as electrophoresis or thin-layer chromatography, can be employed for a mixed protein sample by using the method to obtain a two-dimensional image showing a high spatial resolution (up to 1 μm).
これを用いて空間分解能の高い（〜１μｍ）二次元イメージ像を得ることで、混合蛋白質試料において、電気泳動法や薄層クロマトグラフィーなどの分離精製手法を用いることが出来る。 - 特許庁 - To provide a circuit forming method for resonance tag 4 which a conductive foil circuit for abnormality sensing composed of the thin conductive foil layer of 0.03 to 1.00 μm, for example, can be easily and inexpensively formed.
例えば、０．０３〜１．００μｍの薄い導電箔層よりなる異常感知用の導電箔回路を簡単かつ低廉に成形することができる共振タグの回路形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a CIGS-based chalcopyrite-type thin-film solar cell containing Al that can improve controllability of a band structure of a CIGS-system light absorbing layer, and to provide a method of manufacturing the same.
ＣＩＧＳ系光吸収層のバンド構造の制御性を向上させることができるＡｌを含むＣＩＧＳ系カルコパイライト型薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a piezoelectric element that can appropriately control the crystal orientation in a lead zirconate titanate (PZT) piezoelectric thin-film layer without using a substrate or electrode made of special materials.
特殊な材料からなる基板及び電極を用いることなく、ＰＺＴ圧電薄膜層の結晶配向の制御を適切に行うことが可能な圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a tape for wafer processing that has good sensor recognition properties, and also has good productivity and testing accuracy, even if an adhesive layer is thin (≤10 μm), and to provide a method of manufacturing the same.
接着剤層が薄い（１０μｍ以下）場合であっても、センサ認識性が良好であり、生産性や検査精度が良好であるウエハ加工用テープ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - As a method for forming the auxiliary layer 6, the fiber ribbon 1 is coated with resin having an adhesive property and a curing property for fixing, or a thin plate is adhered to the fiber ribbon 1.
補助層６を形成する方法としては、接着性及び硬化性を有する樹脂を光ファイバテープ心線１に塗布して固着させたり、薄板を光ファイバテープ心線１に接着する方法がある。 - 特許庁 - To provide a polyester resin sheet being an amorphous polyester resin sheet having a metal thin film layer formed thereon by a hot press transfer method, prevented from closely adhering to a metal plated sheet at the time of hot pressing and having good appearance.
熱プレス転写法にて金属薄膜層が形成された非晶性ポリエステル樹脂シートであって、熱プレス時に金属メッキ板への密着がなく良好な外観をもったものを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor device with high productivity, which is capable of easily forming a polycrystalline semiconductor film functioning as an active layer without increasing a base protective film in thickness.
下地保護膜を厚くすることなく、能動層として機能する多結晶半導体膜を簡易に形成することができ、生産性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a confocal scanning transmission type electron microscope device and a three-dimensional tomographic observation method such that atom arrays of a thin-layer sample at different depths are observed through one image.
共焦点走査透過型電子顕微鏡装置及び３次元断層像観察方法に関し、薄層状試料における異なった深さにおける原子配列を一画像で観察可能にする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of insulation wire equipped with an insulation layer of enough insulation performance, thin but excellent in heat resistance, and an insulation wire obtained by it.
充分な絶縁性能を有し、かつ可及的に厚みが小さく、さらに耐熱性にも優れる絶縁層を備える絶縁電線を製造する方法、それによって得られた絶縁電線を提供する。 - 特許庁 - To speed up film formation for obtaining good film quality at manufacturing a silicon group thin-film photoelectric transfer layer comprising crystalline on a low-cost substrate at a low temperature by means of plasma CVD method.
安価な基板上に結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層をプラズマCVD法によって低温で製造する際に成膜速度を向上させ、良好な膜質を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a display device having a thin-film transistor, which prevents the deterioration of a transistor characteristic due to contamination elements diffused inside a gate insulating layer, and also to provide a manufacturing method of the display device.
ゲート絶縁層内に拡散する汚染元素によってトランジスタ特性が低下するのを防止した薄膜トランジスタを有する表示装置、および、その製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This multi-layer insulation film is manufactured by laminating a plurality of insulation films formed by injecting intermittently material used for thin film forming using a chemical vapor growth method.
この多層絶縁膜は、化学的気相成長法を用いて、薄膜形成に用いられる材料が断続的に噴射されることにより形成される複数の絶縁膜を積層することによって製造される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a thin portion of an oxide film is prevented from being formed at an edge of an active region when a surface layer portion of the active region is thermally oxidized.
活性領域の表層部を熱酸化したときに、活性領域の縁に酸化膜の薄い部分が発生することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method and apparatus for fabricating the flat panel display element include patterning a thin film of the flat panel display element by utilizing a soft mold formed with a repulsion layer having high repulsive force to an etch-resist on the surface.
本発明の平板表示素子の製造方法及び装置は、エッチレジストとの反発力が大きい反発層が表面に形成されたソフトモールドを利用して平板表示素子の薄膜をパターニングする。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a thin-film solar cell module with high efficiency by reducing an unnecessary current pass at the exposed surface of a semiconductor, which is removed at the same time of scribing a second electrode layer.
第２電極層のスクライブと同時に除去される半導体の露出面での不要な電流パスを低減して、効率の高い薄膜太陽電池モジュールを製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure of a solar cell module and a manufacturing method of the structure, which can manufacture a photoelectric conversion device with a sufficient yield even if the film thickness of a semiconductor layer constituting a solar cell is very thin.
太陽電池セルを構成する半導体層の膜厚が極薄膜であっても、光電変換装置を歩留良く製造可能な、太陽電池モジュールの構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device, wherein warping can be prevented which may occur when a supporting layer is formed on a piezoelectric substrate after the piezoelectric substrate is made thin.
圧電基板を薄くした後に圧電基板に支持層を形成すると生じる反りを防止することができる弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子を提供する。 - 特許庁 - By using the manufacturing method for effectively reducing the roughness on the polysilicon surface, bumps that are generated on the polysilicon layer due to recrystallization is planarized, and the reliability in the thin-film transistor is improved.
本方法によれば、ポリシリコン表面の粗さを効果的に減少させるために、再結晶によりポリシリコン層上に生じるバンプを平面化し、薄膜トランジスタの信頼性を増大させる。 - 特許庁 - Further, since the porous films are made directly on the distribution board by a film-forming method, film thickness of the diffusion electrode layer can be freely controlled, fuel battery cells can be made thin, and therefore, a whole device can be made compact.
また、成膜法により多孔質膜を直接配流板上に形成するため拡散電極層の膜厚を自在に制御でき、燃料電池セルを薄肉化でき、装置全体を小型化できる。 - 特許庁 - To film-deposit a thin film for a magnetic recording medium, having superior step coverage and corrosion resistance/wear resistance by an FCVA (filtered cathodic vacuum arc) method even on a magnetic recording layer on which comparatively large surface ruggedness is formed.
比較的大きい表面凹凸が形成される磁気記録層上であっても、ＦＣＶＡ法により、ステップカバレッジ、および、耐食性・耐摩耗性に優れた磁気記録媒体用薄膜を成膜できる。 - 特許庁 - To provide an electroless plating method for reinforcing a thin film part in a seed layer, surely filling copper or the like into fine recesses having a high aspect ratio, and further improving flatness of a plated film to improve the throughput.
シード層の薄肉部を補強したり、高アスペクト比の微細窪みの内部に銅等を確実に埋め込むことができ、更にはめっき膜の平坦度を向上させてスループットを向上できるようにする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin-film element, which controls the width of the (lower) layer of a reverse side of a stacking direction in a layered structure formed on the element forming surface of a substrate.
基板の素子形成面に形成された積層構造にあって積層される方向とは逆側の（下部の）層の幅をより小さく制御することが可能な薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a composite body and multilayered component by which defective lamination (delamination) can be suppressed in a multilayered body of thin layer green sheets, and hence the reliability of a wiring board can be improved.
薄層グリーンシートの積層体における積層不良（デラミネーション）を抑制し、配線基板の信頼性を向上させることが可能な複合体と積層部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an inspection method of a semiconductor substrate capable of detecting foreign matters on the surface of a semiconductor having a plurality of layers, wherein the layer positioned on the surface of the semiconductor substrate is formed into a thin film, and to provide its inspection device.
表面に位置する層を薄膜化した複数の層を有する半導体基板の表面の異物を検出できる半導体基板の検査方法及び検査装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin coated-handrail material adhered to an outer peripheral face of an annular thin steel pipe, and coated with a resin of two-layer structure, and to provide an extrusion molding method of the handrail material.
円形断面の薄肉鋼管の外周面に接着して２層構造の樹脂を被覆して成る樹脂被覆手摺材と、これを製造する押出し成形方法の技術分野を提供する。 - 特許庁 - Fluorocarbon is used as an LB material for properly coating prepared matter, using an LB method, in a single layer or thin multiple layers, preferably 1 to 50 separated layers.
調製された物体を、コーティングのためのＬＢ−法を使い、単層又は薄い多層、好ましくは１ないし５０個の個別層、で適切にコーティングするためのＬＢ−材料としてフルオロカーボンを用いる。 - 特許庁 - A refractive index measuring sensor 21 is manufactured by forming a metal thin layer, on a surface of the optical fiber with a core (optical fiber core) exposed by a chemical, by a vacuum evaporation method.
屈折率測定用センサー２１は、薬品によりコア（光ファイバーコア）を露出させた光ファイバーの表面上に真空蒸着法により金属薄膜層を形成することにより作製されている。 - 特許庁 - To provide a colored composition high in color purity, affording a high extinction coefficient when made into a form of thin layer, and excellent in color fastness (light resistance, in particular), and to provide a color filter and a method for producing the same.
色純度が高く、薄層化した場合に高い吸光係数が得られると共に、堅牢性（特に耐光性）に優れた着色組成物並びにカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a bonding device and a method, wherein thin film-formed substrates can be accurately bonded together with an ultrathin adhesive layer 10 μm or less in thickness with high productivity and high yield at a low cost without producing any air bubbles or voids.
超極薄１０μｍ以下の接着層において、安気泡、ボイドがなく高精度な接合を安価で高生産性、高歩留まりを実現する接合装置と接合方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a versatile method for manufacturing an integrated circuit by a flexible film formed by an extremely thin stress reducing dielectric material such as silicon dioxide and silicon nitride and a semiconductor layer.
二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。 - 特許庁 - The thin-film transistor and its manufacturing method are provided including a nano wire aligned in the horizontal direction to a substrate from the side opposite to source/drain electrodes 41, 42 as a transistor channel layer 38.
半導体チャネル層３８として、ソース／ドレイン電極４１、４２の対向する側面から基板に対して水平方向に整列されたナノワイヤーを含む薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a capacitor, its manufacturing method, a filter using it and a dielectric thin film using it for improving the adhesiveness of a dielectric layer and a lower electrode while increasing an electrostatic capacity.
静電容量の増大を図りつつ、誘電体層と下部電極との密着性の向上が図られたキャパシタ及びその製法、それを用いたフィルタ、それに用いる誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁 - A source/drain layer 24 made of a polycrystalline semiconductor thin film containing impurities is formed on a substrate 21 by a reactive thermal CVD method which utilizes reaction energy of a plurality of different gases.
複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、不純物を含有する多結晶性の半導体薄膜からなるソース・ドレイン層２４を基板２１上に形成する。 - 特許庁 - A method and structure of increasing the area of a trench and a flat integrated circuit capacitor and the capacitance use silicon nodules 105 adhered to a seed layer 20 comprising a thin dielectric.
トレンチと平坦な集積回路キャパシタとの面積およびキャパシタンスを増大させる方法および構造は、薄い誘電体よりなるシード層２０に付着されるシリコン・ノジュール１０５を用いている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing sheet resistance or junction leak current from increasing even when silicifying a silicon germanium layer by means of a thin nickel film.
薄いニッケル膜を用いてシリコンゲルマニウム層をシリサイド化する場合であっても、シート抵抗の上昇や接合リーク電流の増加を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The examination method of equol for examining the presence of equol in the isoflavonoid-containing specimen comprises an analyzing process for analyzing the specimen by nomal phase thin-layer chromatography (normal phase TLC).
エクオールの検査方法は、イソフラボノイドを含む試料中にエクオールが存在するか否かを検査する方法であり、試料を順相薄層クロマトグラフィ（順相ＴＬＣ）にて分析する分析工程からなる。 - 特許庁 - To provide a thin-film capacitor provided with a dielectric layer made of dielectric substance with a high permittivity that is crystallized on a substrate through infrared light annealing, a multilayer mounting board, and its manufacturing method.
基板上に赤外光アニーリングにより結晶化された、高誘電率の誘電体物質からなる誘電体層を備えた薄膜コンデンサ、多層実装基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a head gimbal assembly including a single layer thin-film piezoelectric actuator for suppressing characteristic reduction caused by variance or reversal of a piezoelectric polarizing direction.
圧電分極の方向がばらついたり反転したりすることに起因する特性低下を抑制することが可能な単層型の薄膜圧電アクチュエータを備えるヘッドジンバルアセンブリの製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, related to an MOS field effect transistor comprising a gate sidewall structure, a source/drain diffusion layer is formed very thin to suppress short- channel effect.
ゲート側壁構造を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、ソース−ドレイン拡散層を極めて浅く形成しショートチャネル効果を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a thin film solar battery for preventing deterioration of insulating resistance of a cell separation part or short circuit caused by generation of metal residue of a back surface electrode layer in cell separation, and manufacturing a thin film solar battery with excellent power generation efficiency and yield.
セル分離時における裏面電極層の金属残渣の発生に起因したセル分離部の絶縁抵抗の低下や短絡の発生を防止して発電効率および歩留まりに優れた薄膜太陽電池を製造することができる薄膜太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical information recording medium having a sticking process for placing and sticking a thin film on and to the surface of a laminated body consisting of a recording layer and the like so that the surface of the laminated body is not damaged when the thin film is stuck to the surface of the laminated body.
薄膜フィルムを貼り合わせる際に記録層等の積層体表面にキズをつけないようにして、前記薄膜フィルムを前記積層体の表面に載置して貼り合わせる貼り合わせ工程を有する光情報記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a rare earth permanent magnet thin film enabling mass-production at low cost of a high performance and small micro device with high processing accuracy, using a high performance permanent magnet thin film laminated with a high melting point metal layer, such as Ta, and a R-T-B based permanent magnet.
Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of forming a thin-film semiconductor layer having improved properties on a substrate surface in which flatness is maintained appropriately regardless of a substrate configuration, and capable of obtaining a semiconductor device in which an element having improved characteristics is provided on an extremely thin plastic substrate.
基板構成によらずに平坦性が良好に維持された下地面上に膜質の良好な薄膜半導体層を形成することができ、ごく薄いプラスチック基板上に特性の良好な素子を設けた半導体装置を得ることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a BSRO (barium-containing strontium ruthenate) electrode favorable for a lower electrode layer of PZT (lead zirconate titanate) thin film, a method of manufacturing the same, a piezoelectric element equipped with the same, an ink jet recording head equipped with the piezoelectric element, and a thin film capacitor.
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系の薄膜の下部電極層として有望な、ＢＳＲＯ（バリウム含有ルテニウム酸ストロンチウム）電極、該電極の製造方法ならびに該電極を備えた、圧電体素子、この圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドおよび薄膜キャパシタを提供する。 - 特許庁
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