「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 106 107 108 109 110 111 112 113 114 .... 221 222 次へ＞- To suppress fluctuation of the capacitance value of a capacitance element by coating the upper surface of the element with a polysilicon layer for diffusing emitter.
容量素子の誘電体薄膜の上部をエミッタ拡散用のポリシリコン層で被覆することにより、容量値のばらつきを抑える。 - 特許庁 - At the upper part of the terminal electrode 2, the passivation layer 4 and the protecting film 5 are removed, and a recess 45 is formed on the terminal electrode 2.
端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。 - 特許庁 - Then, the laminated resist pattern 110 is used for patterning the film to be patterned before the plane area of the upper-layer resist pattern 112 is increased.
次に、積層レジストパターン１１０を用いて被パターニング膜をパターニングした後、上層レジストパターン１１２の平面積を増大させる。 - 特許庁 - To surely prevent a tin whisker from forming on an upper layer which is made of tin or a lead-free tin alloy and is formed on a plated underlayer of nickel.
ニッケルの下地メッキ法において、上層のスズ又は鉛フリーのスズ合金皮膜でのスズホイスカーの発生を一層確実化する。 - 特許庁 - Subsequently the polarizing plate 5A and an adhesive layer 6A arranged on its upper surface are heated by heating the hot plate 21 to about 50-60°C.
次に、ホットプレート２１を５０〜６０℃程度に加熱し、偏光板５Ａおよびその上面に設けられた接着剤層６Ａを加熱する。 - 特許庁 - The matte pattern 4 or the upper topcoat layer 31 is desirably constituted of a curable resin compounded with a reactive release agent.
また、艶消模様４や上塗トップコート層３１は、反応型離型剤を配合した硬化型樹脂から構成することが望ましい。 - 特許庁 - The conductors 4 have plane bottoms 4a, and are connected electrically through a wiring layer 5 formed on an upper side substrate surface 2b.
凹型導体４は平面状底部４ａを有し、かつ上側基板面２ｂに形成された配線層５で電気的に接続されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for high breakdown voltages for preventing element separation breakdown voltages from decreasing when applying a high voltage to upper-layer wiring.
上層配線に高電圧を印加する際に、素子分離耐圧を低下させない高耐圧用の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A second light shield layer 2 for restricting the light entering the noise removing circuit 11 is further provided on the upper part of the noise removing circuit 11.
ノイズ除去回路１１の上部に、ノイズ除去回路１１への光の入射を制限する第２の遮光層２を更に設ける。 - 特許庁 - To provide a laser-trimmable capacitor which can be structured to improve the adhesion strength between an organic resin-made dielectric layer and an upper electrode.
有機樹脂からなる誘電体層と上側電極との付着強度を向上することができるレーザートリマブルコンデンサを提供する。 - 特許庁 - A gate is formed proximately to an upper surface of the semiconductor layer and at least partially between the source and drain regions.
半導体層の上部表面の近傍に、かつ少なくとも部分的にソース領域とドレイン領域の間にゲートが形成される。 - 特許庁 - In addition, cavities 71 and 72 are formed in the portions of the upper-layer materials overlaying the via holes 61 and 62 and their vicinities.
また，上層材は，貫通ビア６１，６２の上に配置される部分およびその周辺部分にキャビティ７１，７２が形成されている。 - 特許庁 - The alloy layers W2b and W2c for reinforcement are formed in order so as to cover an upper surface and a side surface of the conductor layer W2a.
導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｗ２ａ，Ｗ２ｂが順に形成されている。 - 特許庁 - When the upper surface of the ZnO substrate 1 is a Zn surface (0001), a flatter InN crystal layer 2 can be obtained.
また、ＺｎＯ基板１の上面がＺｎ面（０００１）である場合には、より平坦なＩｎＮ結晶層２を得ることができる。 - 特許庁 - To properly perform cutting work by a laser by forming an insulating film on the upper layer of a fuse wiring for element separation with correct thickness.
素子分離用ヒューズ配線の上層における絶縁膜を正確な膜厚に形成でき、レーザによる切断作業を適正に行う。 - 特許庁 - The upper cap 25 is formed by press working, and a plating layer is formed on the outer side face 253 contacting a boundary face of the lubricating oil.
上キャップ２５はプレス加工により形成されており、潤滑油の界面が接する外側面２５３にはメッキ層が形成されている。 - 特許庁 - Under etching condition of high selectivity to a silicon nitride film, an upper layer of a silicon oxide film 14 is etched with sufficient overetching amount.
そして、対シリコン窒化膜高選択性のエッチング条件で、シリコン酸化膜１４上層を充分なオーバーエッチ量によりエッチングする。 - 特許庁 - An upper layer film having a secondary electron generation efficiency higher than that of a deposited resist is formed on the resist and then irradiated with an electron beam.
成膜されたレジストの上に、レジストより２次電子発生効率の高い上層膜を成膜し、その後、電子線を照射する。 - 特許庁 - In one embodiment, the word line 222 may be formed of a polycrystalline silicon in upper portion of a dielectric layer formed on the transistor.
一実施例において、トランジスタ上に形成した誘電体層の上部にある多結晶シリコンで、ワード線222を形成してもよい。 - 特許庁 - The, the positioning of the upper sub-magnetic pole 31 with respect to the lower sub-magnetic pole end layer 32 is easily realized.
したがって、下部副磁極端層３２に対する上部副磁極３１の位置決めは比較的に簡単に実現されることができる。 - 特許庁 - A frame-like metallization layer 6 surrounding a recess 1a for containing a light emitting element 4 is fixed onto the upper surface of the ceramic basic body 1.
セラミック基体１の上面に、発光素子４が収容される凹部１ａを取り囲む枠状メタライズ層６が被着されている。 - 特許庁 - The distances from the surface of a passivation film to the taps are made nearly equal to that between the surface of the passivation film and upper-layer wiring.
ここで、パッシベーション膜の表面からタップまでの距離は、パッシベーション膜の表面から上層配線までの距離とほぼ等しくする。 - 特許庁 - The insulating layer 15 is provided on an upper surface of the adhesion-improving film 14b in the periphery of the adhesion-improving film 14a.
密着力向上膜１４ａの周囲における密着力向上膜１４ｂの上面には絶縁層１５が設けられている。 - 特許庁 - Temperature sensing is formed in the same layer with a gate line and includes a lower film, formed of aluminum and an upper film formed of molybdenum.
また、温度感知線はゲート線と同一層に形成されており、アルミニウムからなる下部膜とモリブデンからなる上部膜とを含む。 - 特許庁 - By forming a first polycrystalline semiconductor film 3 on a semiconductor substrate 1, an amorphous semiconductor film 4 is formed on its upper layer.
半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その上層にアモルファス半導体膜４を形成する。 - 特許庁 - In order to solve this, a constitution for forming a contact hole exposing the drain electrode at the upper part of the active layer is proposed.
これを解決するために、本発明はドレイン電極をあらわすコンタクトホールをアクティブ層上部に形成する構成を提案する。 - 特許庁 - The semiconductor laser device has a laser structure capable of reducing the contact resistance between the upper electrode and the semiconductor layer in a semiconductor laser.
本発明は半導体レーザにおいて上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減可能なレーザ構造を提案する。 - 特許庁 - An upper portion of the GaN layer 13 is in a projecting mesa section 13a, and a Schottky electrode 15 is formed on the mesa section 13a.
ＧａＮ層１３の上部は，突出したメサ部１３ａとなっており、メサ部１３ａ上にショットキー電極１５が形成されている。 - 特許庁 - A TCNQ layer 12 is formed to coat the upper section of the n-type silicon board 11 and the p-type impurity doping region 11a.
ｎ型シリコン基板１１上及びｐ型不純物ドープ領域１１ａを覆うように、ＴＣＮＱ層１２が形成されている。 - 特許庁 - A photoresist 10 is used as an etching mask, to perform etching on an interlayer insulating film 9 for exposing the upper surface of a metal silicide layer 8.
フォトレジスト１０をエッチングマスクとして用いて、金属シリサイド層８の上面が露出するまで層間絶縁膜９をエッチングする。 - 特許庁 - The drift layer 14 has, on at least the upper portion thereof, highly-resistive regions 14a whose one part is selectively formed to have a high resistance.
ドリフト層１４は、少なくとも上部にその一部が選択的に高抵抗化された高抵抗領域１４ａを有している。 - 特許庁 - By this method, prior to formation of a dielectric layer, a thin amorphous region is formed on the upper surface of the silicon base material.
本発明の方法によれば、誘電体層の形成に先立って、薄いアモルファス領域がシリコン基材の上表面で形成される。 - 特許庁 - To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode.
ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に，基板にオーミック接続する配線又は電極を形成する。 - 特許庁 - One surface of the plate 10 is provided with an adhesive layer 12 and is bonded to the upper surfaces of the LSI packages 13.
このとき、前記プレート１０の一方の面には粘着剤層１２を設け、ＬＳＩパッケージ１３の上面に接合するようにする。 - 特許庁 - The inside of an ink tank 12 serves as an ink chamber for housing the ink 14, and an air layer occupies an upper part of the ink chamber 13.
インクタンク１２の内部はインク１４を収容するインク室１３となっており、インク室１３の上部は空気層が占めている。 - 特許庁 - In this semiconductor device, a lower DBR mirror 2 and a quantum well active layer 3 are formed on the upper surface of an n-GaAs substrate 1.
この半導体装置は、ｎ−ＧａＡｓ基板１の上面に、下部ＤＢＲミラー２および量子井戸活性層３を形成する。 - 特許庁 - Electrolytic plating is applied to form wiring 11 inside the base metal layer 9 in the opening 8 of the upper insulation film 7.
次に、電解メッキにより、上層絶縁膜７の開口部８内における下地金属層９の内部に配線１１を形成する。 - 特許庁 - A built-up layer B1 formed by alternately laminating insulating layers 11 and 12, and conductor layers C1 and C2 is formed on the upper surface of the board 3.
変換基板３の上面に、絶縁層Ｉ1 ，Ｉ2 と導体層Ｃ1 ，Ｃ2 とを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 を形成する。 - 特許庁 - An n-type impurity region 6 is formed in an upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4.
埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内にｎ型の不純物領域６が形成されている。 - 特許庁 - The power supply interconnections 101, 102 for the macro cell and the upper layer power supply interconnections 111-114 are mutually connected at their crossing point.
マクロセル用電源配線１０１、１０２と上層電源配線１１１〜１１４は、両者が交差する箇所で互いに接続される。 - 特許庁 - To suppress advance of siliciding of the other gate electrode at the time of forming a silicide film of an upper layer electrode film in a post-process.
上層電極膜のシリサイド膜を後工程で形成する際に、他のゲート電極のシリサイド化の進行を抑制できるようにする。 - 特許庁 - The rib material extends below a bottom surface from a level not higher than a top surface (10') of the upper layer (4') and not lower than the bottom surface.
リブ材は、上層（４’）の頂面（１０’）より高くはなくその底面より低くはないレベルから底面の下方へ伸びている。 - 特許庁 - An anode electrode 2, the organic EL layer 3, a cathode electrode 4, and an inorganic protection film 5 are formed on the upper surface of a transparent board 1.
透明基板１の上面にはアノード電極２、有機ＥＬ層３、カソード電極４および無機保護膜５が設けられている。 - 特許庁 - Aerosol containing particles of piezoelectric materials and carrier gas is sprayed onto the upper surface of the diaphragm 30 to form a piezoelectric layer 31.
そして、振動板３０の上面に、圧電材料の粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルを吹き付けて、圧電層３１を形成する。 - 特許庁 - Consequently, when the upper clad layer 16 is formed, Be and Se which have specifically high reactivity never come into contact with each other.
これにより、上部クラッド層１６を形成するに際して、特定的に反応性の高いＢｅとＳｅとが互いに接することがない。 - 特許庁 - Then the film 50 is baked and a positive upper-layer photoresist film 52 having high light transmittance is formed on the film 50.
下層フォトレジスト膜をベーキングし、更に下層フォトレジスト膜上に光透過率の高いポジ型の上層フォトレジスト膜５２を成膜する。 - 特許庁 - An upper metal wiring 9 is formed inside the contact hole 6 and the trench 8 so as to be electrically connected to the conductive layer 2.
そして、コンタクトホール６内及びトレンチ８内には、導電層２と電気的に接続する上層金属配線９が形成されている。 - 特許庁 - A gate structure 4c of MIS transistors is formed on an upper surface 1a of a semiconductor substrate 1 in a semiconductor layer 80.
半導体層８０における半導体基板１の上面１ａ上には、ＭＩＳトランジスタのゲート構造４ｃが形成されている。 - 特許庁 - To obtain a cellulose acylate film excellent in adhesiveness to the upper layer of the film without using a chlorine-based organic solvent such as methylene cloride.
メチレンクロリドのような塩素系溶剤系有機溶剤を使用せずに、上層との密着性に優れたセルロースアシレートフイルムを得る。 - 特許庁 - The water pump 124 supplies a pressurized water from an introduction tube 113 of the airtight container 102 to an upper surface of the gas diffusion layer substrate 106.
水ポンプ１２４は密閉容器１０２の導入管１１３からガス拡散層基材１０６の上面に加圧水を供給する。 - 特許庁
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