「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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ＨＤＰＥや同様の材料で形成される上側層には、カーボンブラック粒子や同様の導電性材料が分散されているが、下側層には、こうした導電性粒子を含有していない。 - 特許庁 - To provide an image encoding method requiring no transparent color data by making it possible to encode an upper layer image by an irreversible encoding system under a state where a region rendered transparent can be specified.
透明とする領域を特定可能な状態で、上層画像を非可逆符号化方式で符号化することを可能とし、透明色データを不要とした画像符号化方法を提供すること。 - 特許庁 - In this instance, no dedicated solder ball is required on the connection pad part of the second upper layer wiring 29c for test, therefore, the planar size of the overall device can be downsized.
この場合、テスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にそれ専用の半田ボールを設ける必要がなく、それに応じて、装置全体としての平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁 - To fabricate highly reliable high performance MIM type capacitor elements with a high yield by facilitating machining of a metal layer for upper electrode and a dielectric film, which was difficult in prior art.
ＭＩＭ型容量素子において、従来困難であった上部電極用金属層と誘電体膜との加工を容易にして高性能、高信頼性の容量素子を歩留まりよく製造する。 - 特許庁 - An opening part 1107h obtained by partially removing a near region of a resonator end face in the thickness direction is formed in the p-type cap layer 1107 constituting an upper part of the ridge stripe 1700.
リッジストライプ部１７００の上部を構成するｐ型キャップ層１１０７には、共振器端面近傍領域を厚み方向に部分的に除去した開口部１１０７ｈが形成されている。 - 特許庁 - The upper-layer connection pad 34 for the auxiliary capacitance electrode is connected to the other end part of the relay wiring line 31 (metal film 31c) for the auxiliary capacitance electrode through a contact hole 33 (with excellent ohmic connection).
補助容量電極用上層接続パッド３４は、コンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の他端部に接続されている（オーミック接続良好）。 - 特許庁 - In particular, method and apparatus are provided for cross-bar switches 200, a multiple protocol interface device, a low latency upper communication protocol layer, addressing and remote direct memory access over a massively parallel network.
この方法及び装置では、クロスバースイッチ２００、マルチプロトコルインターフェースデバイス、低レイテンシー上位通信プロトコル層、アドレス指定、及び超並列ネットワークにリモートダイレクト通信アクセスをするために提供されている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a display device having superior mass-productivity and improved long-term reliability by enabling the formation of an upper electrode preventing damage to an organic layer and the display device.
量産性に優れ、かつ有機層へのダメージを防止した上部電極の形成を可能にすることで長期信頼性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁 - A width Tb1 of a pattern 21a of an embedded via mask 1a for forming the via contact is made broader than a width TL1 of the pattern 26 of an upper-layer wiring mask 6.
前記ビアコンタクトを形成するための埋め込みビアマスク１ａのパターン２１ａの幅Ｔ_b1は前記上層配線を形成するための上層配線マスク６のパターン２６の幅Ｔ_L1より広くなっている。 - 特許庁 - The upper layer polycrystalline silicon film 5b is added with carbon at a concentration in a range of 1×10^18 atoms/cm^3 or higher, for example, 2×10^20 to 2×10^21 atoms/cm^3 when forming the film.
上層多結晶シリコン膜５ｂは、成膜時に炭素を１×１０^18ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上例えば２×１０^20〜２×１０^21ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲の濃度で添加される。 - 特許庁 - In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.
機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal device, a method of manufacturing the same, and an electronic device capable of flattening the upper layer side of a depression without performing long time deposition and polishing.
長時間の成膜や研磨を行なわなくても、凹部の上層側を平坦化することのできる液晶装置、該液晶装置の製造方法、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁 - The second common wiring 44b is led out to the upper surface of the piezoelectric layer 42 by means of four second extensions 44b1 and through holes 54 and 55 formed to face a second joint 44b2.
第２共通配線４４ｂは、４つの第２延在部４４ｂ１、及び、第２接続部４４ｂ２と対向するように形成されたスルーホール５４、５５により、圧電層４２の上面に引き出されている。 - 特許庁 - To prevent the adverse effect of alteration occurrence in a protective-film upper-surface-layer during a manufacture of a semiconductor device including a silicon substrate on which the protective-film made of a polyimide or the like is formed.
シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。 - 特許庁 - A first interface unit 31 inputs transmission target data and a trigger relating to cancellation of transmission of the transmission data from a processing unit 30 that performs processing in compliance with a communication protocol of an upper layer.
第１インタフェース部３１は、送信対象データおよび送信対象データの送信のキャンセルに関係するトリガを、上位層の通信プロトコルに従った処理を行う処理部３０から入力する。 - 特許庁 - Upper and lower surfaces of disk-like shapes act as two electrodes in the diode 11, and the electrode of the lower surface is connected to a bottom surface of the recessed part in the supporting electrode 12 via a solder layer 13.
円板形状における上下面が、ダイオード１１における２つの電極となっており、下面の電極は、はんだ層１３を介して支持電極１２における凹部の底面に接続されている。 - 特許庁 - Then, a conductive film 51 is formed on almost entire region of the upper surface of the piezoelectric layer 42 (conductive film forming step) followed by cutting out a common electrode 44 from the conductive film 51 by laser processing (laser processing step).
次に、圧電層４２の上面のほぼ全域に導電膜５１を形成し（導電膜形成工程）、続いて、レーザ加工により、導電膜５１から共通電極４４を切り出す（レーザ加工工程）。 - 特許庁 - The oxide semiconductor layer has a characteristic structure that upper and lower layers in its channel formation region are silicon oxide/nitride films of at least 3 atom% and not more than 30 atom% in nitrogen content.
また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus suppressing decrease in a color component of a toner in an upper most layer when a plurality of toner images stacked on an intermediate transfer body is transferred to a recording medium.
中間転写体上で重ねられた複数のトナー像が記録媒体に転写されたときに最上層となるトナーの色成分の低下が抑制される画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.
また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁 - A light emitting device having a light emitting element mounted on a circuit board has an insulative reflecting layer with metallic luster formed directly on an upper surface of the circuit board which includes an electrode member.
回路基板上に発光素子を実装した発光装置において、前記回路基板の電極部材を含む上面に金属性光沢を有する絶縁性反射層を直接形成するようにした。 - 特許庁 - An upper-stage metal conductor portion 45b constituting the mother substrate connection terminal 45 is formed on the lower-stage metal conductor portion 45a and resin insulating layer 21 to cover an opening edge of the opening 37.
母基板接続端子４５を構成する上段金属導体部４５ｂは、開口部３７の開口縁を覆う状態で下段金属導体部４５ａ及び樹脂絶縁層２１の上に形成されている。 - 特許庁 - The waterproof sheet comprises a joint part which is composed of a mesh woven fabric having a part exposed on the end of the waterproof sheet and having the other parts embedded in the upper or lower part of the end of the rubberized asphalt layer.
前記防水シートは、該防水シートの端部上に一部が露出し、前記ゴム化アスファルト層の端部の上部または下部に他部が埋め込まれたメッシュ状の織布からなる継ぎ手部を含む。 - 特許庁 - Also, the upper end section of the TaN film 30 for composing the bonding layer is recessed to the lower portion than the opening end section of the groove 29, and is completely covered with the Ru film 32a for composing the lower electrode 32.
また、接着層を構成するＴａＮ膜３０の上端部は、溝２９の開孔端部よりも下方にリセスされ、下部電極３２を構成するＲｕ膜３２ａで完全に覆われている。 - 特許庁 - A light reflecting structure 4a comprising an inorganic thin film configured by laminating a plurality of evaporated films so as to reflect near infrared light is deposited on an upper layer of the light absorbing structure 3.
光吸収構造体３の上層には、近赤外光を反射するように複数の蒸着膜を積層して構成した無機薄膜から成る光反射構造体４ａが成膜されている。 - 特許庁 - To provide a method by which a partition component is united with a memory device, and a lamination related to a previously formed cell or an additional memory layer lamination to an upper portion of the previously formed cell and its programming are simplified.
パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。 - 特許庁 - On an upper portion surface to the step 8, a semiconductor light emitting device 1 is mounted via an AuSn solder layer 2 and the electrode of this semiconductor light emitting device 1 is connected with a terminal for the electrode wiring using an Au wire.
段差８の上側面にはAuSn系半田層２を介して半導体発光素子１をマウントし、この半導体発光素子１の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。 - 特許庁 - Also, the opposite portion of the thermohardening resin of the upper-side bonding layer 5 to the rear surface of the semiconductor chip 4 is so hardened as to join the semiconductor chip 4 to the transparent substrate 1 by this hardened portion 5a.
また、上側接着層５の熱硬化性樹脂のうち、半導体チップ４の下面に対応する部分が硬化し、この硬化部分５ａによって半導体チップ４が透明基板１に接合される。 - 特許庁 - Since the joined upper-lower waterproof floor members 1 and 2 have drain gradients, the waterproof floor F having a similar drain gradient can be constructed only by arranging the surface layer material P having a substantially uniform thickness.
接合した上下の防水床部材１，２が排水勾配を持つから、厚みが実質的に均一の表層材Ｐを配置するだけで同様の排水勾配を有する防水床Ｆを構築できる。 - 特許庁 - An information recording layer is formed on at least either of the upper disk substrate 3a and the lower disk substrate 3b within a range between the inner peripheral segment and outer peripheral segment of the disk substrates.
上側ディスク基板３ａおよび下側ディスク基板３ｂの少なくといずれか一方には、ディスク基板の内周部分と外周部分との間の範囲内で情報記録層が形成されている。 - 特許庁 - To enhance junction strength for an upper surface of a columnar type electrode of the surface processing layer, for preventing oxidation to be formed on the surface of the column type electrode in a semiconductor device called a CSP.
ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極の上面に形成される酸化防止用の表面処理層の柱状電極の上面に対する接合強度を強くする。 - 特許庁 - The upper electrode layer 15B is laminated on an underside 13D opposed to the substrate 11 of the sealing member 13, and at the same time, is extended outside from the enclosed space 21 to be formed as an electrode wire.
上部電極層１５Ｂは、封止部材１３の基板１１に対向する下面１３Ｄに積層するとともに、密閉空間２１から外部に延出し、電極線として形成される。 - 特許庁 - A via hole is etched up to the top plate 24A and the metal register 24B using an upper etching stop layer 26 by depositing insulating layers to prevent excessive etching and damage.
絶縁層を堆積させ、過剰なエッチング及び損傷を防止するため、上方エッチング停止層２６を使用してバイアホールをコンデンサの頂部プレート２４Ａ及び金属レジスタ２４Ｂまでエッチングする。 - 特許庁 - Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.
更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁 - A pump 14A is operated to discharge water from a water storage tank 16 from a lava flow forming water supply nozzle 13 to the tank 16 and to flow down along the layer 5 by overflowing from an upper water tank 12.
ポンプ１４Ａを運転して、貯水槽１６の水を溶岩流形成水供給ノズル１３から貯水槽１６に吐出し、上部水槽１２から溢出させて表層部５に沿って流下させる。 - 特許庁 - Window glass 17 having a heat insulating effect is used for the additional window, and opening parts 19b and 19a are respectively arranged on the vertical directional lower side and upper side in the intermediate space layer.
付加窓には遮熱効果を有する窓ガラス１７が用いられ、中空間層にはその鉛直方向下側及び上側にそれぞれ開口部１９ｂ及び１９ａが設けられている。 - 特許庁 - In order to prevent deterioration of an organic EL layer 114 due to moisture, a first inorganic film 120, an organic planarizing film 130, and a second inorganic film 140 are formed on an upper electrode 115.
有機ＥＬ層１１４が水分によって劣化することを防止するために、上部電極１１５の上に第１の無機膜１２０、有機平坦化膜１３０、第２の無機膜１４０が形成されている。 - 特許庁 - When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.
下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁 - To each of the body electrode and the back gate electrode is applied potential for controlling carriers having opposite conductivity to a channel formed on the upper layer of the channel forming region of the field-effect transistor.
前記ボディ電極、前記バックゲート電極の夫々には、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域の上層部に形成されるチャネルと反対導電型のキャリアを制御する電位が印加される。 - 特許庁 - A first input/output electrode 31, a second input/output electrode 33, and first and second control input/output electrodes 35, 37 and 39 are provided at the upper side of the insulating layer provided on the capacity variable part.
容量可変部上に設けられた絶縁層の上側に露出して第１入出力電極31、第２入出力電極33、第１及び第２制御用入出力電極35,37,39が設けられる。 - 特許庁 - A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.
第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁 - When the upper surface of the ZnO substrate 1 is an O surface (000-1), Zn atoms are not diffused to the InN crystal layer 2 side, so that the generation of p-type conduction can be suppressed.
一方、ＺｎＯ基板１の上面がＯ面（０００−１）である場合には、Ｚｎ原子がＩｎＮ結晶層２側には拡散しないため、Ｐ型伝導が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁 - At least one of the wiring layers provided on the pixel region is contacted at its upper side with the interlayer insulating film through an antireflective layer, and is contacted at its lower side directly with the interlayer insulating film.
前記画素領域上に配される少なくとも一層の配線層は、その上部が反射防止膜を介して前記層間絶縁膜と接し、その下部が前記層間絶縁膜に直接接している。 - 特許庁 - Each pixel has the first substrate (24) provided on the upper part of the substrate (20) and a second electrode (28) provided to be opposed to the substrate (20) with a liquid crystal layer (22) including the liquid crystal molecules in-between.
夫々の画素は、基板（２０）の上に設けられた第１の電極（２４）と、液晶分子を含む液晶層（２２）を挟んで基板（２０）に対向して設けられた第２の電極（２８）とを有する。 - 特許庁 - Also, the exit end 51a of the liquid mixture pipeline 51 is immersed in the solvent of an upper layer inside the first liquid storage tank 50, and the air easily flows to the side of the air discharge pipe 52 by the liquid pressure.
また、混合液管路５１の出口端５１ａを第１貯液槽５０内の上層の溶剤中に浸漬させ、その液圧によって空気抜き管５側に一層空気が流れ易くなるようにする。 - 特許庁 - The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.
そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile storage device, capable of preventing a memory cell processed into a columnar shape from being twisted and collapsed in the direction perpendicular to the extending direction of an upper layer wiring.
柱状に加工されたメモリセルの上層配線の延在方向と直交する方向への縒れや倒れを抑制することができる不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Pieces 51 to 59 of the upper layer piece group 5 are made of a transparent material and the pieces 51 to 59 are provided with second opaque parts 51a to 59a for covering at least the dummy patterns.
上層ピース群５の各ピース５１ないし５９を透明材によって形成し、各ピース５１ないし５９に、少なくともダミーの絵柄を目隠しする第２の不透明部５１ａないし５９ａを設ける。 - 特許庁 - To provide a wiring board capable of suppressing peeling of a through conductor, electrically connecting a plurality of wiring conductors on an upper and a lower surfaces of an insulating layer, from an inner side face of a through hole.
絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。 - 特許庁 - In the optical modulation element 5, the magnetization direction of a magnetization reversal layer 53 is reversed by current from electrodes 2 and 3 connected to upper and lower parts of the optical modulation element 5, respectively and thereby an incident light is emitted so that the direction of the light is changed and the light is rotated.
光変調素子５は、上下に接続された電極２，３からの電流で磁化反転層５３の磁化方向を反転させ、入射光を向きを変えて旋光させて出射する。 - 特許庁
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