「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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複数のビット線ＢＬの上層には複数のビット線保護用配線ＳＨＤが形成され、複数のビット線ＢＬの各々と複数のビット線保護用配線ＳＨＤの各々とは平面視で重なる領域を含む。 - 特許庁 - With a gas guiding pipe 4 protruding into a reactive pipe comprising a quartz pipe 41, a cylindrical silica porous layer 6 whose upper part is closed is so provided as to cover a gas guiding port 42 at the tip end part of the quartz pipe 41.
反応管内に突入されるガス導入管４を石英管４１により構成し、この石英管４１の先端部のガス導入口４２を覆うように、上部が塞がれた筒状のシリカ多孔質層６を設ける。 - 特許庁 - The pointing device is formed to be a circular compact type so that it can be naturally held in a palm, and an upper layer circular cover part 11 and a pressure sensor mechanism 31 are operated in the palm to control the cursor operation and the click operation on a display.
ポインティングデバイス装置を円形コンパクト型にすることで自然に無理なく手のひらで保持でき、そのまま上層円蓋部11と圧力センサー機構31を操作することでディスプレイ上のカーソル動作とクリック動作を制御する。 - 特許庁 - To prevent large effects on distillation performance even if liquid drift is generated in each head when a filling layer constituted by filling a regular filling material of a crude argon tower is divided into two portions which are an upper head and a lower head.
粗アルゴン塔の規則充填物が充填されてなる充填層が上部ベッドと下部ベッドとに二分割された場合において、各ベッドに液偏流が生じても蒸留性能に大きな影響を与えないようにする。 - 特許庁 - In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching.
その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 - 特許庁 - This permeable facility is provided by arranging the permeable column in a bottom part of a tank so that rainwater stored in an upper permeation tank can permeate up to permeable soil under a clay layer, when arranging the permeable facility on the soil of clay quality.
粘土質の土壌に浸透施設を設けるときに、上部浸透槽中に貯留した雨水などが粘土層下の浸透土壌まで浸透できるように槽の底部に前記浸透性柱を設けた浸透施設である。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a constitution where the Ni plating layer 20 of the semiconductor chip is bonded to solder 6b, a void 25 is provided in the Al electrode 19 at a position on th upper side of the contact hole 18.
このような構成の半導体チップのＮｉメッキ層２０と半田６ｂとを接合した半導体装置において、Ａｌ電極１９のうち、コンタクトホール１８の上側に位置する部位に、空孔２５を設けた構造とする。 - 特許庁 - The plastered wall structure 20 is formed by sticking a lath board material 6 on a wall backing material 4 and coating the lath board material 6 with mortar or the like from the upper section of the lath board material 6, and has a plastered-wall material layer 8 using the lath board material 6 as a reinforcing material.
塗り壁構造２０は、壁下地材４上にラス網板材６を張り付け、このラス網板材６にその上からモルタル等を塗り付けて形成され、ラス網板材６を補強材にした塗り壁材層８を有する。 - 特許庁 - When the nitride semiconductor light emitting diode 10 is viewed from the upper surface, outline of the nitride semiconductor layer N does not have a linear portion which makes an angle in the range of 80-100° with the longitudinal direction of the protrusion/recess structure.
この窒化物半導体発光ダイオード素子１０を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの外郭線は、前記凹凸構造の長手方向との間で８０度〜１００度の範囲内の角度をなす直線部分を有していない。 - 特許庁 - Namely, the organic EL panel 10 is constituted as the transparent panel laminated with the cover glass 1, anode 11, luminous organic layer 12, cathode 13, sealing agent 14 and end-sealing substrate 15 successively from the upper part toward the low part on Figure.
即ち、有機ＥＬパネル１０は、図面上方から下方に向かって、カバーガラス１、陽極１１、発光性有機層１２、陰極１３、封止剤１４及び封止基板１５が順に積層された透明パネルとして構成されている。 - 特許庁 - By the rotation of a rotary brush 41 installed on the downstream in the conveying direction of the vibrating roller 34, the light materials to be treated, which have been floated in the upper layer on the conveyer belt 31, is discharged from the conveyer belt 31 while scratched up by the brush hair 48.
また、振動ローラ34の搬送方向下流側に設けた回転ブラシ41の回転により、搬送ベルト31上で上層に浮かされた軽量被処理物を、そのブラシ毛48によって掻き上げて搬送ベルト31上から排出する。 - 特許庁 - In this organic EL element in which an organic layer is disposed between a lower electrode and an upper electrode on a substrate, there is an extraneous material on the lower electrode, and an insulating material is disposed only in a gap part between the extraneous material and the lower electrode.
基板上にある下部電極と上部電極との間に有機層が配置されてなる有機ＥＬ素子において、下部電極上に異物があり、前記異物と下部電極との隙間部分のみに絶縁物が配置されている。 - 特許庁 - In a process of forming the electrode layer 120, by the contact of a closed face 242A of the shutoff member 242 with the upper wall face 222A of the ejecting hole 222 in the retaining groove 241, shut off is made between the flow passage 221 and the ejecting hole 222.
電極層１２０を形成する工程では、保持溝２４１内で遮断部材２４２の閉鎖面２４２Ａを吐出孔２２２の上壁面２２２Ａに接触させて流路２２１と吐出孔２２２との間を遮断する。 - 特許庁 - The card material 2 of a card 1 having a magnetic recording layer or an IC module 4 is constituted of over sheets 2a, 2a' and core sheets 2b, 2b' and fire retardant coating films 6, 6' are laminated to at least the upper and rear surfaces of the card base material.
磁気記録層やＩＣモジュール４を有するカード１のカード基材２をオーバーシート２ａ、２ａ’、コアシート２ｂ、２ｂ’で構成し、表裏に難燃性塗膜６、および６’を、少なくとも一方に積層して課題を解決した。 - 特許庁 - In this case, a plurality of thin layer dividing grooves 112 are provided on the upper blades 111 of a first cutting-off portion 110 such that electrically conductive layers 12 to be stuck to the thread-like burrs produced by the blades can be divided at a required interval.
このとき、刃物によって生じる糸バリに付着する電気伝導性層１２を一定の間隔で分断可能なように、第１の切断部１１０の上刃１１１に、複数の薄膜分断溝１１２を設けた。 - 特許庁 - To solve the problem of being difficult to perform loading operation, since a grain bag of an upper layer stage part has lifting force and pushing-in force to the innermost side in a storage in the form of performing work of loading the grain bag in a stage-stacking form in an insulated van by input operation.
保冷庫に穀粒袋を段積形態に積込む作業を、人力操作によって行う形態では、上層段部の穀粒袋は、持上力と、庫内奥側への押込力を有するため、積込操作が行い難い。 - 特許庁 - The liquid crystal display is particularly set higher in the value (i.e. white voltage) (Vw) of the normal data voltage, with respect to the highest gradation of the luminance than the upper limit value (V_B) of a region (B) of the voltage value, where the bending alignment of the liquid crystal layer breaks down.
本発明による液晶表示装置は特に、輝度の最高階調に対する正規データ電圧の値（すなわちホワイト電圧）（Vw）を、液晶層のベンド配向が壊れる電圧値の領域（B）の上限値（V_B）より高く設定する。 - 特許庁 - This floor panel 10, in which a conductive layer 24 is provided on at least either of upper and lower surfaces of a base plate 22, and a side surface thereof, is arranged in such a manner that an underfloor space S is formed between the floor panel 10 and a floor surface of a skeleton 16.
基板２２の上面及び下面の少なくとも一方の面と側面とに導電層２４が設けられたフロアパネル１０が、躯体１６床面との間に床下空間Ｓを形成するように配置されている。 - 特許庁 - A pile hole 6 for the cast-in-place concrete pile of the lower pile is excavated down to the prescribed setting depth of a support layer continuously with the removal of sediment inside a steel pipe sheet pile so as to have almost the same diameter as the inner diameter of the steel pipe sheet pile 5 of the upper pile.
下部杭の場所打ちコンクリート杭の杭孔６を、上部杭の鋼管矢板５の内径とほぼ同径で鋼管矢板５の内部の土砂除去と連続して支持層の所定根入れ深さまで掘削する。 - 特許庁 - In this case, the intake tower 10 is provided with both an opening part 11 to take penetrated water from the filter layer A at the lower end part and a water guiding pipe 19 to connect the intake tower 10 to a well 17 arranged on the ground 16 at the upper end part.
該取水塔１０は下端部に該濾過層Ａからの浸透水を取水する開口部１１を設け、上端部は該取水塔１０と陸上１６に設置される井戸１７とを接続する導水管１９を設ける。 - 特許庁 - The terminal connection table is arranged in the circuit diagram in the upper layer, and the selected terminals and connection destinations to be connected to those terminals are wired so that the connection relations of the specific terminals can be listed.
前記上位階層の回路図にこの端子接続表を配置して、前記選択された端子と、該端子に接続される各接続先とを配線することによって、特定の端子における接続関係が一覧可能となる。 - 特許庁 - An outer peripheral excessive region removing process of removing the outer peripheral excessive region (10) of an upper layer-side wafer (4) of the laminated wafer (2) is carried out and then the cutting is carried out thereafter along a division slated line of a main region (8).
積層ウェーハ（２）における上層側ウェーハ（４）の外周余剰領域（１０）を除去する外周余剰領域除去工程を遂行し、しかる後に、主領域（８）の分割予定ラインに沿って切削を遂行する。 - 特許庁 - The optical recording medium has transparent protective films adjacent to the upper and lower parts of a phase change recording layer which reversibly changes between crystalline and amorphous phases.
結晶、非晶質の可逆変化を行う相変化記録層の上部及び下部に隣接して透明保護膜を有し、該保護層のうちの少なくとも一方がＳｉＣとＳｉＯ２の混合体である光記録媒体を主要な構成とする。 - 特許庁 - To mount a high-density coil on a stator core by preventing winding collapse of a wire at coil transition to the next upper layer or air gap occurrence within a slot, in a stator for a rotary electric machine where a roughly rectangular wire is wound concentratedly around a split core.
分割コアに略角線を集中巻した回転電機用ステータにおいて、コイルの層上がり時に発生する電線の巻き崩れやスロット内の空隙の発生を防止し、高密度なコイルをステータコアに実装する。 - 特許庁 - The design printed areas 28a-28c of the upper half 24 are coated with the design protective layer 30 on the surface of which projecting and recessing parts are formed with glass beads 31 by coating the disign printed areas with the coating film of coating material in which the grass beads 31 are contained.
この上ハーフ２４の意匠印刷領域２８ａ〜２８ｃを、ガラスビーズ３１が含有された塗料の塗膜で被覆することによりガラスビーズ３１によって表面に凹凸が形成される意匠保護層３０で被覆する。 - 特許庁 - In addition, in order to carry out selective extraction of the specific layer, the method and the device are provided to subtract the information on the state of the upper part of the pattern from the image information or the shape information in which the plurality of layers are expressed.
また、特定層の選択的な抽出を行うために、上記複数層が表現された画像情報、或いは形状情報から、パターン上部の形状に関する情報を差し引く方法、及び装置を提供する。 - 特許庁 - The simulation device changes an output port block having a configuration for delivering the data to the block outside the subsystem block and inside the upper layer system, among the block group, into a variable writing block recording the value into the prescribed memory area (S240, 245).
また、上記ブロック群の内、サブシステムブロック外であって上層システム内のブロックにデータを引き渡す構成にされた出力ポートブロックを、所定のメモリ領域に値を記録する変数書込ブロックに変更する（Ｓ２４０，２４５）。 - 特許庁 - By doing so, since the tapered inclination spreading from the bottom part 18 toward the upper part 19 is make to decrease at the etching part 16 of the metal layer 12, fine pitch patterning can be easily realized.
このようにしてパターンを形成すれば、金属層１２のエッチング部分１６における、底部１８から上部１９に向かって広がるテーパ状の傾斜を小さくして、ファインピッチでのパターン化を容易に実現することができる。 - 特許庁 - The outer peripheral-side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.
絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁 - Interconnects 10 are formed on the upper layer of an interlayer insulating film 9 that covers MISFETs Q1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and dummy interconnects 11 are arranged in regions where the interconnects 10 has a wide distance from each other.
半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁 - In the interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b), there is formed upper layer wiring comprising a barrier metal film 106 (or 106a and 106b) and a copper-containing metal film 111 (or 111a and 111b).
この層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）中にバリアメタル膜１０６（または１０６ａおよび１０６ｂ）および銅含有金属膜１１１（または１１１ａおよび１１１ｂ）からなる上層配線を形成する。 - 特許庁 - Then, after a magnetic film 17a' for formation of an upper pole chip is formed so as to cover the photoresist pattern 31 and the recording gap layer 9, the film is applied to anisotropic etching to form a side wall on the side end face of the photoresist pattern 31.
次に、フォトレジストパターン３１および記録ギャップ層９を覆うようにして上部ポールチップ形成用磁性膜１７ａ′を形成したのち、異方性エッチングを施し、フォトレジストパターン３１の側端面にサイドウォールを形成する。 - 特許庁 - The formation of an upper electrode 42 is performed by transforming a liquid 2 containing fine metallic particles into a metallic film through heat treatment after the liquid 2 is applied directly to the surface of a piezoelectric layer 40 in a pattern by means of an ink-jet head 101.
上部電極４２の形成を、インクジェットヘッド１０１により金属微粒子を含有する液体２を圧電体層４０の上に直接パターン塗布した後、熱処理を施して液体２を金属膜に変換することで行なう。 - 特許庁 - The printed circuit board 4 is supported while sandwiched between the circuit board upper surface support portion 34 formed on the cover 32 and the projection portion 51 formed on the conductor plate 5 to ground the ground layer 42 through the conductor plate 5.
そして、プリント配線板４が、カバー３２に形成された配線板上面支持部３４と、導体板５に形成された突出部５１とにより挟まれて支持されることによって、グランド層４２が導体板５を介して接地されている。 - 特許庁 - An insulating film 106 is formed so as to cover a part of the upper face of the piezoelectric body thin-film 105, one of side faces of the piezoelectric body thin-film 105, and one of side faces of the lower electrode layer 104 in the same flat face as the side faces.
圧電体薄膜１０５の上面の一部と、圧電体薄膜１０５の側面の一つと、その側面と同じ平面内の下部電極層１０４の側面の一つと、を覆うように絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁 - The top face of the heating component 100 is adhered to the lower face 20b of the upper layer circuit board 2 with a conductive adhesive 6.
一方、下層回路基板１に対して層間接続部材３により所定高さの位置には上層回路基板２を配置し、発熱部品１００の天面を上層回路基板２の下面２０ｂに導電性接着剤６で接着する。 - 特許庁 - Plasma treatment is executed to a substrate 2, wherein a positive electrode 31 corresponding to a pixel and a section 21 divided by a bank 20 are formed CF_4 to make an upper surface 20c and a side face 20d of an organic substance bank layer 20b that repels liquid.
画素に対応する陽極３１と、バンク２０によって仕切られた区画２１とが形成されている基板２に対してＣＦ_４プラズマ処理を行い、有機物バンク層２０ｂの上面２０ｃおよび側面２０ｄを撥液化する。 - 特許庁 - A tunnel insulating film and a charge film are formed on a silicon substrate 11, and two or more elements separating and insulating films 12 are formed to mark off the upper layer of the silicon substrate 11 as semiconductor parts 13 that extend in the direction of a memory string.
シリコン基板１１上にトンネル絶縁膜及びチャージ膜を形成し、複数の素子分離絶縁膜１２を形成して、シリコン基板１１の上層部分をメモリストリング方向に延びる半導体部分１３に区画する。 - 特許庁 - On a wafer 11 comprising a silicon carbide substrate and a silicon carbide layer, an upper electrode 6 is arranged side by side nearly along a direction Y which is one of cleavage directions and a direction X which is tilted from the cleavage direction by at least 5°.
炭化珪素基板と炭化珪素層とを含むウェハ１１の上に、上部電極６を、劈開方向のうちの１つである方向Ｙと、劈開方向からの傾きが５度より大きい方向Ｘとにほぼ沿うように並置する。 - 特許庁 - This dial is provided with a light emitting member 11, a light translucent color member 36 arranged in an upper side of the light emitting member 11, and a thin metal layer 15 having light translucency provided in a lower face of the light translucent color member 36.
発光部材１１と、この発光部材１１の上側に配置される光透過性カラー部材３６と、この光透過性カラー部材３６の下面に設けられた光透過性を有する薄膜金属層１５とを備えた。 - 特許庁 - At removing of an insulating coat layer 82, under such condition as a gap S is formed between a first side surface 801 of a conduction part 84 and an upper surface 211 of a load receiving part 21, a square rod 8 is pressed against a dice 2 by a pusher 3.
絶縁被膜層８２を除去するに当たっては、導通部８４の第１側面８０１と荷重受部２１の上面２１１との間に隙間Ｓを形成した状態で、プッシャー３によって角線８をダイス２に押さえ込む。 - 特許庁 - The source electrode 7 and the drain electrode 8 are formed of copper and a barrier metal layer 9 is provided only in a region on the lower surface of the source electrode 7 and the drain electrode 8 located above the upper surface of the ohmic contact layers 6.
そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 - 特許庁 - It includes lower electrodes (21a, 22a) of which at least a surface layer section is formed of amorphous or microcrystal metal, an dielectric film (23a) arranged on the lower electrodes, and an upper electrode (24a) arranged on the dielectric film.
この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 - 特許庁 - When the semiconductor chip plane is observed from the upper part of the main surface of the semiconductor chip, the first re-wiring layer is extended to the outside of the relevant area exceeding the contour line of that area from the plane area of the semiconductor chip.
半導体チップの主表面の上方から半導体チップを平面的に見たときに、第１再配線層は半導体チップの平面的領域内からその領域の輪郭線を越えた当該領域外へと延在している。 - 特許庁 - The method for forming the bump-forming sheet comprises steps of forming a multilayer heat resistant sheet by interposing an adhesive layer between an upper heat resistant sheet and a lower heat resistant sheet, and forming the bottomed holes through the heat resistant sheets by means of a laser irradiation device.
また本発明のバンプ形成用シートの製造方法は、上側耐熱シートと下側耐熱シートの間に粘着層を挟んで多層構成の耐熱シートとし、該耐熱シートにレーザー照射装置で有底穴を刻設する。 - 特許庁 - The semiconductor element changes an electronic resistance between the first electrode and the second electrode by forming a conductivity bridge reversibly between the upper end of the first electrode and the second electrode in the resistance change layer.
半導体素子は、抵抗変化層内において、第１電極の上端と第２電極の間に導電性架橋を可逆的に形成することにより第１電極と前記第２電極の間の電子抵抗を変化させる。 - 特許庁 - At least one water soluble metal salt making an aqueous solution neutral or acidic selected from an aluminum salt, a magnesium salt, a potassium salt and a zinc salt is added to the upper most ink receiving layer.
最表層のインク受理層中に、アルミニウム塩、マグネシウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩及び亜鉛塩から選択される、水溶液が中性又は酸性となる水溶性金属塩を少なくとも１種含有する事を特徴とする。 - 特許庁 - A first capacitor 140 is built-in this multilayer wiring structure, so that opposing areas of a first lower electrode 141 and a first upper electrode 142 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become a prescribed area.
第１コンデンサ１４０は、その多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第１下部電極１４１と第１上部電極１４２との対向面積が所定面積となるように形成されている。 - 特許庁 - On the upper part of each piezoelement C-F, a metal film 19 is placed in a facing position via an insulating layer and in a planar view the metal film 19 is formed in a size projecting outside of the facing piezoelements C-F.
各ピエゾ素子Ｃ〜Ｆの上方には絶縁層を介して個別に金属膜１９が対向配置されており、平面視にて、各金属膜１９は、対向するピエゾ素子Ｃ〜Ｆよりも外方向にはみ出す大きさで形成されている。 - 特許庁 - This hose is a floating hose having a sinking preventive mechanism on which closed cell belt-like sponges 1, 2 are wound around on a base hose in a plural number of layers with no clearance and the outermost layer upper surfaces of the belt type sponges 1, 2 are covered with outer surface rubber.
浮力材として独立気泡の帯状スポンジ１、２がベースホース上に隙間なく複数層巻回され、該帯状スポンジの最外層上面を外面ゴムで被覆してなる、沈下防止機構を有するフローティングホースである。 - 特許庁
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