「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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補強用繊維シートに塗着されて該補強用繊維シートを保護する補強用繊維シート保護モルタルであって、水を除いたモルタル固形分全量に対して、５〜20重量％の固形分量のポリマーディスパージョン又は再乳化形粉末樹脂が配合された下層用モルタルと、２重量％以下の固形分量のポリマーディスパージョン又は再乳化形粉末樹脂が配合された上層用モルタルとで、補強用繊維シート保護モルタルを構成したことである。 - 特許庁 - Each copper foil layer is formed at the cut face of the board, which joins to the upper and lower copper foil layer, by using copper through-hole plating, and one sheet of rotating type movement element is fabricated by forming many tub-shaped electrodes made up of three-face copper coil layers radially.
すなわち、円板型絶縁性基板の両面に同一個所に放射状に複数の短冊形の銅箔層を形成し、該短冊型銅箔層の長辺を含んで、両面銅箔層と基板を貫いて短冊状にカットし、上下銅箔層につながる基板のカット面に銅スルーホールメッキで銅箔層を形成して該３面の銅箔層で構成される樋型電極を放射状に多数形成することで、１枚の回転型移動子が製造できる。 - 特許庁 - The electron emission element comprises cathode electrodes formed at the upper part of a substrate; electron emission parts electrically connected to the cathode electrodes; first gate electrodes spaced from the cathode electrodes through an insulating layer; second gate electrodes positioned on the insulating layer formed with the cathode electrodes, with a predetermined distance to the electron emission parts, wherein the same voltage is applied to the first gate electrodes and the second gate electrodes.
基板上部に形成されるカソード電極と，カソード電極に電気的に接続される電子放出部と，カソード電極と絶縁層を介して離隔する第１ゲート電極と，カソード電極が形成される絶縁層上に，電子放出部と所定の距離を有して位置し，第１ゲート電極と同一電圧が印加される第２ゲート電極と，を備え，電子放出部と第２ゲート電極との距離が，数式１の条件を満足することを特徴とする。 - 特許庁 - The electroluminescent device has a pair of electrodes comprising an upper electrode 102 and a lower electrode 108 between which a silicon phosphor layer 106 including a phosphor is formed, where the lower electrode 102 has a nanostructure, in which a plurality of micro-protrusions 104 in the order of nanometers are formed, and the silicon phosphor layer 106 is formed so as to cover the micro-protrusions 104.
本発明の電界発光素子は、下部電極１０２と上部電極１０８とからなる一対の電極を有し、下部電極１０２と上部電極１０８との間に蛍光体を含むシリコン蛍光体層１０６が設けられた電界発光素子であって、下部電極１０２には、ナノメートルオーダーの微小突起１０４が複数設けられたナノ構造を有し、シリコン蛍光体層１０６は、微小突起１０４を覆うように設けられている。 - 特許庁 - The semiconductor integrated device comprises a semiconductor substrate 10 having a semiconductor integrated circuit 22 formed on the surface, pad electrodes 26 arranged around the semiconductor integrated circuit 22 and connected with internal wiring thereof, and an upper supporting substrate 14 bonded to the semiconductor substrate 10 through an acryl resin layer 50 wherein the acryl resin layer 50 extends up to the end part of the pad electrodes 26.
表面上に半導体集積回路２２が形成された半導体基板１０と、半導体集積回路２２の周囲に配置され、半導体集積回路２２の内部配線と接続されたパッド電極２６と、アクリル樹脂層５０を介して半導体基板１０に固着された上部支持基体１４とを備え、アクリル樹脂層５０がパッド電極２６の端部まで延伸して配置されている半導体集積装置によって上記課題を解決できる。 - 特許庁 - A semiconductor device is configured to comprise a plurality of ground metal plates opposed to each other while being formed inside a layer insulating film provided on an upper surface of a semiconductor substrate to extend longitudinally and being connected to a ground potential, and a signal metal plate formed at a position held between the plurality of ground metal plates within the layer insulating film to extend longitudinally and connected to a signal potential.
半導体装置は、半導体基板の上面に設けられた層間絶縁膜の内部に縦方向に延びるように形成され、グランド電位に接続された対向する複数のグランド用金属板部を備えると共に、層間絶縁膜の内部における前記複数のグランド用金属板部で挟まれる位置に縦方向に延びるように形成され、信号電位に接続された信号用金属板部を備えるように構成したものである。 - 特許庁 - The process of forming the upper wiring layer 112 includes a step of depositing a carbon- containing TaN layer 109 on the internal side faces and bottoms of the recessed sections 106 and 107, a step of irradiating the partial surface 109b of the TaN film 9 on the bottoms of the recessed sections 106 and 107 with ions, and a step of depositing copper films 110 and 111 on the TaN film 109.
上部配線層１１２を形成する工程は、絶縁膜の凹部１０６および１０７の内側壁および底面を覆う炭素含有ＴａＮ層１０９を化学的気層成長法によって堆積する工程と、ＴａＮ膜１０９の表面のうち、凹部底面上に位置する部分１０９ｂにイオンを照射する工程と、ＴａＮ膜１０９上に銅１１０および１１１を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane.
シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。 - 特許庁 - A plurality of light shields 32 composed of light shield members 34 made of an electrically driven polymer material deformable with an applied electric field, upper and lower electrodes 35, 36 attached to the upsides and the undersides of the members are mounted at positions away from light receiving regions of photo diodes 16 on an insulation layer 31.
電界が付与されると変形する電気駆動型ポリマー材料で構成された遮光部材３４と、その上下面に取付けられた上部電極３５及び下部電極３６とを備えて構成した複数の遮光体３２を、絶縁層３１上においてフォトダイオード１６の受光領域を避けた位置にした。 - 特許庁 - In the storage shelf 10 of regular size containers, a plurality of box groups 16 in which rectangular boxes 12 having lids are stacked in a multiple layer and integrally fixed are integrally fixed by connecting upper ends of the adjacent box groups 16 by a connection bar 18.
定型容器の格納棚１０は、矩形の有蓋ボックス１２が多段に積層された状態で一体に固定されたボックス集合体１６が、隣接するボックス集合体１６の上端部同士が連結杆１８によって連結されて、複数のボックス集合体１６が一体に固定されてなるものである。 - 特許庁 - At least a part of the surface of an auxiliary capacitor electrode 18a is covered with an insulating film 26 which is partially formed into a thin film; and the surface of the insulating film 26 which is partially formed into a thin film is covered with an auxiliary capacitor upper electrode 18b which is formed by extending a drain electrode D the surface of which comprises a Mo layer 18b_2.
補助容量電極１８ａの表面の少なくとも一部を薄膜化された絶縁膜２６で被覆し、この薄膜化された絶縁膜２６の表面を表面がＭｏ層１８ｂ_２からなるドレイン電極Ｄを延在して形成した補助容量上電極１８ｂで被覆する。 - 特許庁 - At a predetermined position on wiring layers 11c, 11d of a substrate part 11, an LED element 12 provided on the packaging surface of bumps 12a, 12b is mounted, and the gap between the lower surface thereof and the upper surface of the substrate part 11 is filled with an insulating layer 13 made of a silicone material so as to bury the bumps 12a, 12b.
基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁 - In the irradiation of laser beams, the same distance is corrected at a terrace region outside the outer periphery of the SOI layer 10d with the outer periphery as a boundary B so that the distance between the condensing lens 30 and the upper surface of the support substrate 10a is reduced by the amount of correction H as compared with the SOI region in the inside.
このレーザ光の照射に際しては、ＳＯＩ層１０ｄの外周縁を境界Ｂとしてその外側のテラス領域ではその内側のＳＯＩ領域よりも集光レンズ３０と支持基板１０ａの上表面との距離が補正量Ｈだけ縮小されるように同距離を補正する。 - 特許庁 - The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.
Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁 - In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.
前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁 - The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.
圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁 - The laminated piezoelectric ceramic body reduced in the warpage and the deformation occurring in the sintered body is made by forming a paste film 6 on the upper and under surface of a laminated body 4 using a conductive paste to be used for an inner conductor layer 3 and drying and sintering the laminated body 4a covered with the paste film 6.
内部導体層３に用いることができる導体ペーストを用いて、積層体４の上下面にペースト膜６を形成し、そのペースト膜６で覆われた積層体４ａを乾燥して焼結することで、その焼結体に生じる反りと変形とを低減した積層圧電セラミックス体にできる。 - 特許庁 - The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.
このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁 - In a magnetic recording and reproducing apparatus using a perpendicular recording medium having a soft magnetic backing layer, a soft magnetic shield 40 is provided so as to surround upper parts and side planes of magnetic head elements 11, 12, 14, 15, distance between the soft magnetic shield 40 and the medium is made smaller than distance between the soft magnetic shield and the magnetic head element.
軟磁性裏打ち層を有する垂直記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッド素子１１，１２，１４，１５の上部及び側面を取り囲むように軟磁性シールド４０を設け、軟磁性シールド４０と媒体との距離を、軟磁性シールドと磁気ヘッド素子との距離よりも小さくする。 - 特許庁 - The projection 10 is obtained by forming a liquid repelling part 40 with a liquid repelling property to a liquid material and a hydrophilic part 42 the wettability to the liquid material of which is greater than that of the liquid repelling part 40 to an upper face 20a of an insulating layer 20, and thereafter spraying the liquid material to the hydrophilic part 42 and curing the liquid material.
凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 - 特許庁 - To provide a stator of a rotary electric machine which, by reducing the number of insulation sheet layers in a route from the back part of a slot to a insertion part facing on the opening of the slot, can secure a distance from an opening end of the slot to an insertion part facing on the opening end to reduce eddy current loss in a coil on the upper layer side.
スロット奥部から、スロットの開口に臨む挿入部に至るまでの絶縁シートの層数を減らすことで、スロット開口端から、その開口端に臨む挿入部までの距離を確保して上層側コイルの渦電流損を低減させることができる回転電機のステータを提供する。 - 特許庁 - Further, it includes a stage for re-enforcing a diffused bonding coat on the substrate so as to re-enforce to the same thickness as the thickness enforced prior to operation of the engine; and a stage for re-enforcing the upper layer ceramic heat insulation film to the nominal thickness + Δt so as to compensate the part of the base metal substrate removed by Δt.
また、エンジン作動の前に施工されていたのとほぼ同じ厚さまで再施工されるように、拡散ボンディングコートを基体に再施工する段階と、Δｔが除去したベース金属基体の部分を補償するように上層セラミック断熱皮膜を公称厚さｔ＋Δｔまで再施工する段階とを含む。 - 特許庁 - In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.
メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁 - As a result, the drawing plate 25 can prevent the selected product from being accumulated on the drawing plate 25, allows the selected product to pass through the clearance h between the drawing plate 25 and the upper surface of the chaff sieve 12, and capable of making the thickness of the layer constant by dispersing the selected product to improve the material adaptability.
これにより、寄せ板２５は、該寄せ板２５上に選別物が堆積することを防ぐことができると共に、チャフシーブ１２上面との間の隙間ｈから選別物を通過させることができ、選別物を分散させ層厚を一定にすることができて、材料適応性を向上させることができる。 - 特許庁 - A surface emitting type laser array 10 is provided with an intermediate layer 31 including three wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c constituted of AlxGa1-xAs (x=0.95) arranged between a lower DBR30 and a upper DBR32, and grooves 26, 27, and 28 whose depth reaching any wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c is different.
面発光型レーザアレイ１０は、下側ＤＢＲ３０と上側ＤＢＲ３２との間に配設されたAl_xGa_1-xAs（ｘ＝０．９５）からなる３層の波長調整層１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む中間層３１を有し、波長調整層１７ａ，１７ｂ、１７ｃの何れかに届く深さの異なる溝２６、２７、２８を有する。 - 特許庁 - A thermal indirect moxibustion comprises a cylindrical container, which has and encircles a carbonized and shaped moxa 5, an upper tray 7 of a heat-resisting material where the carbonized and shaped moxa 5 is placed, a nutrient component 6, and a lower tray 8 with a plurality of perforations 17 where the nutrient component 6 is placed; and an adhesive layer 10 formed on a bottom 9 of the cylindrical container.
炭化成形艾５と該炭化成形艾５を置く耐熱性材料からなる上棚７と、栄養素成分６と該栄養素成分６を置く複数の小穴17のある下棚８を有し、これらを取り巻く筒状容器と、該筒状容器下端の底面９に接着層10を設けてなる温熱滋養灸。 - 特許庁 - In the pillow 1 equipped with a pillow substrate section 2 and a chip-like foam layer 3 layered in the upper part of this pillow substrate section 2, as for the pillow substrate section 2, a head support recessed part 2A, a side support section 2B around this, and the cervical vertebra support section 2C are formed by combining two or more blocking elements 20 consisting of a soft foam.
枕基体部２と、この枕基体部２の上部に積み重ねられるチップ状フォーム層３とを具えて成る枕１であって、前記枕基体部２は、軟性フォームから成るブロック要素２０が複数組み合わされて頭部支持凹部２Ａと、この周囲のサイドサポート部２Ｂと、頸椎部サポート部２Ｃとが形成される。 - 特許庁 - In an enclosure where an upper surface is covered with transparent glass or double-layer transparent glass and the other surfaces are all surrounded by a heat insulator, a heat reception panel with an air vector having an air hole and at the same time a heat-storing material such as brick are spread for achieving heat-storing effect and at the same time radiation loss is reduced and air is heated.
上面は透明ガラス又は２重透明ガラスで掩い、それ以外の面はすべて保温材で蔽囲された密閉容器内に、空気孔を有する空気ベクターを備えた受熱パネルと共に、レンガ等の蓄熱材を敷き詰め、蓄熱効果を持たせることにより、輻射損失を減らし、暖気する。 - 特許庁 - A concrete block 1 of a fixed size is manufactured in a factory, an elastic member 2 and a sleeper 4 are assembled in a cavity section 3 provided on the upper face of the block 1, then it is transported to an execution site and temporarily arranged and positioned, and the block 1 and a roadbed 11 are bonded together by a mortar layer 10 to form a ballast.
工場内で一定の大きさのコンクリート製ブロック１を製造し、このブロック１の上面に設けた空洞部３に弾性部材２とマクラギ４を組み込んだ後、施工現場に輸送し、仮配置と位置決めをした上で、ブロック１と路盤１１をモルタル層１０で結合し道床を構築する。 - 特許庁 - Namely, if it is necessary to provide the interconnection WL which is orthogonal to the interconnection WU due to the change of the design, the interconnection WR 2 in the upper layer is connected to a redundant via hole VR, thereby providing a structure by the redundant interconnection WR1 and the redundant via hole VR which allows an orthogonal interconnection.
すなわち、設計の変更により、配線ＷＵと直行させる配線ＷＬを設ける必要が生じた場合、冗長ヴィアホールＶＲに対して上層の配線ＷＲ２の結線を行い直行配線を可能とする冗長配線ＷＲ１及び冗長ヴィアホールＶＲによる構造を備える。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.
上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁 - The image sensor includes: a readout circuit formed on a first substrate; wiring electrically connected with the readout circuit and formed on the first substrate; a contact plug including an insulating layer provided on upper part thereof and formed on the wiring; and an image sensing part formed on the contact plug.
前記イメージセンサは、第１基板に形成された読み出し回路と、前記読み出し回路と電気的に接続され、前記第１基板上に形成された配線と、上側の一部に絶縁層を備え、前記配線上に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a piezoelectric vibrator housing package capable of electrically and mechanically excellently connecting an electrode of a piezoelectric vibrator to an upper metallize layer with high positional accuracy even if the piezoelectric vibrator housing package becomes more small-sized and thinner, and a highly reliable piezoelectric device using this piezoelectric vibrator housing package.
圧電振動子収納用パッケージの小型化・薄型化が進んだとしても、圧電振動子の電極を上側メタライズ層に位置精度良く、かつ電気的，機械的に良好に接続することができる圧電振動子収納用パッケージ、およびこの圧電振動子収納用パッケージを用いた高信頼性の圧電装置を提供すること。 - 特許庁 - The upper electrode comprises a saturation polarization forming electrode 22 for forming a domain saturated and polarized in a specified direction, a writing electrode 24 arranged apart from the saturation polarization forming electrode 22, and a reading electrode 26 arranged apart from the writing electrode 24 in a specified region of the ferroelectric layer 12.
上部電極は、強誘電体層１２の所定領域に、所定の方向に飽和分極したドメインを形成するための飽和分極形成電極２２と、飽和分極形成電極２２と離れて配置される書込み電極２４と、書込み電極２４と離れて配置される読出し電極２６と、を含む。 - 特許庁 - On the resin layer 109, a second insulating film 110 composed of an inorganic material is formed and on the second insulating film 110 and the mesa structure 120, an upper contact electrode 111 having an electrode opening 111a for exposing part of the top surface of the mesa structure 120 is formed.
樹脂層１０９の上には無機材料からなる第２の絶縁膜１１０が形成され、該第２の絶縁膜１１０及びメサ構造体１２０の上には、該メサ構造体１２０の上面の一部を露出する電極開口部１１１ａを有する上部コンタクト電極１１１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of at least reducing warpage of a substrate by suppressing a temperature change on upper and lower surfaces of the substrate due to heat generation in using the semiconductor device, and accordingly capable of effectively suppressing fatigue failure of a solder layer joining the substrate and a semiconductor package.
半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In storing topologies in each of a plurality of services in an overlay network constructed on an upper layer of a router network (lower network) including a plurality of nodes, the network topology design apparatus 10 calculates a resource utilization amount to be consumed in each service and preferentially stores service having a larger resource utilization amount.
複数のノードを備えるルータ網（下位網）の上位のレイヤに構築されるオーバーレイネットワークにおいて、複数のサービスごとのトポロジを収容する際に、ネットワークトポロジ設計装置１０は、各サービスごとに消費するリソース利用量を算出し、リソース利用量の大きいサービスを優先的に収容する。 - 特許庁 - The structure, a package structure body of laminated dies, and the method for forming the same, wherein an elastic adhesive layer provided on a first die covers the entire upper surface of the first die to form a frame on a first peripheral end except for an opening formed on a first contact pad.
本願発明は構造と、積層したダイのパッケージの構造体と、その形成方法を提供することであって、第１のダイ上に備えられた弾性接着剤層は、第１のダイの全上表面を覆い、第１コンタクトパッド上に形成された開口を除いた第１の周辺端部に枠を形成する。 - 特許庁 - The electrooptical device comprises pixel electrodes (9a), TFTs (30) connected thereto, upper shade layers (73, 6a) covering the upsides of at least channel regions of the TFTs, and a lower shade layer (11a) covering the downsides of at least the channel regions of the TFTs on a TFT array substrate (10).
電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（７３、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。 - 特許庁 - To solve such a problem that a non-vulcanized rubber layer flows on vulcanizing, flows out with an adhesive applied onto a steel plate on flowing out of a forming die, and the adhesive strength of an outer periphery edge lowers when manufacturing a rubber bearing which elastically supports an upper structure in a bridge.
橋梁等における上部構造体を弾性支持するゴム支承を製造するに際し、加硫成形時に未加硫のゴム層が流動して成形型の外部に流出する際に鋼板に塗着処理してある接着剤とともに流出してしまい、外周端部の接着強度が低下する問題を解決する。 - 特許庁 - To obtain a high strength heavy corrosionproof coated steel material excellent in coating properties, preventing the peel from a protective coated edge part and having stable impact resistance and excellent corrosionproofness by mechanically and directly fixing the edge part of the high strength coating applied to an upper layer after a corrosionproof coating is formed to a steel material or by a method equal thereto.
防食被覆形成後に上層に塗装する高強度被覆の端部を鋼材と機械的に直接固定、あるいはそれと同等の方法により、被覆性に優れるとともに保護被覆端部からの剥離を防止し、安定した耐衝撃性と優れた防食性を持つ高強度重防食被覆鋼材。 - 特許庁 - To solve the problem that in a conventional temperature and pressure regulator in an apparatus for supplying sparkling beverage, when the volume of the sparkling beverage in a container is not small, the spouting pressure is insufficient and when the upper layer of a sparkling beverage having a high carbon dioxide concentration is spouted, an appropriate volume of the sparkling beverage can not be spouted.
従来の発泡飲料供給装置の温度圧力調節装置では、容器内の発泡飲料が少なくないときに注出圧力が不足し、或いは炭酸ガス濃度が高い発泡飲料液の上層部分を注出する時には適切な発泡飲料を注出することができない。 - 特許庁 - Turning back to this case, as shown in the description of the claimed invention, the numerical limitation may merely suggest the upper and lower thicknesses of the polyethylene resin layer, for the person skilled in the art to readily implement the claimed invention with effective resistance and workability which are the common objectives in both inventions.
本事例に戻ると、請求項に係る発明の明細書に示されている通り、数値限定は、当業者が両発明の共通の目的である有効な耐性と加工性をもって、請求項に係る発明を容易に実施できるポリエチレン樹脂層の上限の厚さと下限の厚さを提示しているにすぎない。 - 特許庁 - This method hardens resin mortar by heating and compression, after filling the resin mortar of a thermosetting resin in the upper part, by filling a water retentive material in the lower layer of the shallow plastic vessel.
浅いプラスチック製容器の下層に保水部を設け、上方に樹脂モルタル層を有するものであって、保水部の上面の高さに排水孔を設けたもの、及び浅いプラスチック製容器の下層に保水材を充填し、上方に熱硬化性樹脂の樹脂モルタルを充填した後、加熱、圧縮し樹脂モルタルを硬化させる方法。 - 特許庁 - Thus, the height H of the step 44 is formed to an extent equivalent to the thickness T of the rectangular wire 21, and thereby the inclined plane 45 is formed to rise by one layer portion of the thickness T of the rectangular wire 21, when going once around along a circumference direction R2 toward the upper edge 44a from the lower edge 44b.
このように、段差４４の高さＨを平角線２１の厚みＴに相当する程度にすることで、傾斜面４５は下縁４４ｂから上縁４４ａに向けて周回方向Ｒ２に沿って１周回すると平角線２１の厚みＴの１層分だけ上がるように形成されている。 - 特許庁 - To provide a carrier and method for manufacturing a printed board, wherein a structure of the carrier is simplified, and improving junction reliability of a circumferential part of the carrier is improved by coupling a joining means not only with a side face but also with an upper surface of a metallic layer, and also to provide a method of manufacturing the printed board using the carrier.
キャリアの構造を簡単にし、金属層の側面だけでなく上面にも接合手段を結合してキャリアの外周部の接合信頼性を向上させることができるプリント基板製造用キャリア及びその製造方法、並びにこれを用いたプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A suction member 10 is so formed as to have many support protrusions 2 on the upper surface of a base 1, and each support protrusion 2 is formed to have a base 3 with a conical frustum-like shape and a small protrusion 4 on the center of its top surface, and on its top and side surfaces, a protective layer 5 is formed.
本発明の一実施形態に係る吸着部材１０は、基体１の上面に多数の支持用凸部２を形成した吸着部材１０であって、支持用凸部２は、上面中央部に小凸部４を形成した円錐台状をなす基部３の上面及び側面に保護層５を形成してなる。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device is characterized in that the closed space 11 of the light receiving region formed on a solid-state image pickup element as an upper layer of a silicon substrate 1 with a frame wall 6 and a sealing glass plate 7 is filled with transparent inert oil 10 of ≤1.3 in refractive index, especially, fluorine-based oil typically of perfluoro-polyester oil.
シリコン基板１上層の固体撮像素子の上に枠壁６と封止ガラス板７により形成された受光領域の閉鎖空間１１に、屈折率１．３以下の透明不活性オイル１０、特に、パーフルオロポリエーテル油を代表とするフッ素系オイルが充填されていることを特徴とする固体撮像装置である。 - 特許庁 - In the liquid crystal device 100 and the method for manufacturing the same, a second insulating film 162 is formed after a first insulting film 161 is formed on the upper layer side of pixel electrodes 9a, and then, the second insulating film 162 is polished until regions planarly overlapping the pixel electrodes 9a, of the first insulating film 161 is exposed.
液晶装置１００およびその製造方法において、画素電極９ａの上層側に第１絶縁膜１６１を形成した後、第２絶縁膜１６２を形成し、その後、第１絶縁膜１６１において画素電極９ａと平面的に重なる領域が露出するまで第２絶縁膜１６２を研磨する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes a memory cell array MA including memory cells MC arranged at respective crossing parts between a bit line BL and a word line WL, and a dummy word line DummyWL which is formed at wiring layer same as the word line WL and formed to cross the bit line BL in an upper part of a bit line driver 25.
半導体記憶装置は、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの各交差部に配置されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡと、ワード線ＷＬと同一の配線層に形成され、ビット線ドライバ２５の上部の領域でビット線ＢＬと交差するように形成されたダミーワード線ＤｕｍｍｙＷＬとを備える。 - 特許庁
