「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
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第１の検出回路１３０は、差動入力端子１１０の出力から接続認識信号を検出したときに、レシーバー回路１２０とリカバリ変換回路１２２の電源をオンする電源制御信号ｃｔｒ０を上位層に出させるための第１の制御信号ｃｔｒ１を出力する。 - 特許庁 - To provide an installation method of a manhole cover receiving frame that can install the cover receiving frame on a cylindrical base wall or a foundation adjusting layer of a manhole with high work efficiency in a face support state at a predetermined accurate height so that the upper edge surface of the cover receiving frame is substantially flush with the surrounding existing paved road surface.
マンホールの筒状基壁又は基礎調整層上に蓋受枠をその上縁面が周辺の既設舗装路面と実質的に同じ高さになるように、作業性良く、所定の正確な高さに面支持状態で据え付けることを可能にするマンホール蓋受枠の据付工法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solar cell including unit cells having an organic thin film electromotive force layer, ends of adjacent unit cells being overlapped with each other to provide conduction, and capable of reducing resistance between a conductive base material of one unit cell and an upper electrode of the other unit cell in the overlapped portion, and to provide a method for manufacturing the solar cell.
有機薄膜起電力層を有した単位セルの端部同士を重ね合わせて導通させた太陽電池において、この重ね合わせた部分における一方の単位セルの導電性基材と他方の単位セルの上部電極との間の抵抗を小さくすることができる太陽電池と、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal device in which an insulating film having a continuous flat surface on the upper layer side of a pixel electrode, is formed throughout an element substrate, and an insulating film having a uniform film thickness is also formed on each pixel electrode, and also to provide a method for manufacturing the liquid crystal device, and a projection display device.
素子基板全体にわたって、画素電極の上層側に連続した平坦面を備えた絶縁膜を形成することができるとともに、各画素電極上に均等な膜厚の絶縁膜を設けることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁 - The electronic device comprises a wiring substrate 1, an electronic component element 4 mounted on the wiring substrate 1, a resin material 2 covering the electronic component element 4 and provided on the wiring substrate 1, a ground electrode pattern 5 positioned at an outer periphery portion of the wiring substrate 1, and a shield layer 3 provided on an upper surface of the resin material 2.
電子装置は、配線基板１と、配線基板１に実装された電子部品素子４と、電子部品素子４を覆っているとともに、配線基板１の上に設けられた樹脂材２と、配線基板１の外周部に位置するグランド電極パターン５と、樹脂材２の上面に設けられているシールド層３とを備えている。 - 特許庁 - The formation of this solder mask is performed by using a stencil print unit 12 to apply photo-imageable ink 2 to a carrier film 1A, compressing the photo-imageable ink 2 through a stencil opening 12d by a scraper 12c along the upper surface of a metal stencil plate 12b to form a photo-imageable ink layer to be transferred to the carrier film 1A.
ソルダ・マスクの形成はステンシル印刷ユニット１２を使用して、フォトイメージャブル・インク２が、キャリア・フィルム１Ａに金属ステンシル板１２ｂの上面に沿ってスクレーパ１２ｃによって、ステンシル開口１２ｄを介してフォトイメージャブル・インク２を圧搾し、フォトイメージャブル・インク層を形成し、キャリア・フィルム１Ａに転写することによって行われる。 - 特許庁 - In the solid-state image pickup element, a step is formed in the vicinity of a boundary between both parts that a front surface of a light receiving plane of the pixel part area is positioned lower than the upper surface of the multilayer wiring part area, and a sloped transparent resin layer whose surface protrudes downward is provided on a surface ranging from the step to the pixel part.
固体撮像素子において、画素部領域の受光面表面が多層配線部領域の上面より低い位置となるように両部の境界付近に段差が形成され、段差から画素部にいたる表面上に、その表面が下に凸なスロープ状の透明樹脂層を設けた。 - 特許庁 - The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.
前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The first layers are disposed in contact with the steel product surfaces and the second layers are disposed on the upper layer of the first layers.
前記防食皮膜は、陰イオン選択透過性を有する固体電解質を含有する第１の層と、陽イオン選択透過性を有する固体電解質を含有する第２の層とを含み、前記第１の層は前記鋼材表面に接して設けられ、前記第２の層はこの第１の層の上層に設けられたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electrophoretic display medium, in which an adhesive layer can be formed only on the upper face of a structure selectively and efficiently, the compatibility and mixture between electrophoretic ink and an adhesive can be suppressed, and damage to the electrophoretic ink can be suppressed when a display medium is manufactured.
構造体の上面だけに選択的に接着剤層を効率よく形成することができるとともに、電気泳動インクと接着剤との相溶・混合を抑制することができ、さらに表示媒体製造時の電気泳動インクへのダメージを抑制することができる、電気泳動表示媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrophoretic display device and a method for manufacturing the device for suppressing decrease in adhesive force and improving structural durability and display durability of the electrophoretic display device even when an upper face of a structural body is adhered to a counter electrode substrate via an adhesive layer.
接着層を介して構造体の上面と対向電極基板とを接着する場合であっても、接着力の低下を抑制し、電気泳動表示装置の構造的耐久性や表示耐久性を向上した電気泳動表示装置及びその製造方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁 - The LC filter 10 is provided with: a first spiral conductor 17 formed to an upper side of an insulation layer 16; a dielectric thin film 18 formed on the first spiral conductor 17; and a second spiral conductor 19 arranged opposite to the first spiral conductor 17 via the dielectric thin film 18.
ＬＣフィルタ１０は、絶縁層１６の上面に形成された第１のスパイラル導体１７と、第１のスパイラル導体１７上に形成された誘電体薄膜１８と、誘電体薄膜１８を介して第１のスパイラル導体１７と対向配置された第２のスパイラル導体１９とを備えている。 - 特許庁 - For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.
そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁 - This cutter for window glass adhesive layer is provided with an endless belt 10 having prescribed width to be driven in the desired direction in close contact with the upper surface of window shield glass G and a frame body 20 where the endless belt 10 is stretched so as to be driven back and forth by a driving pulley 11 and a pair of driven pulleys 12 and 13.
この窓ガラス接着剤層の切断器は、ウインドシールドガラスＧの上面に密着して所望方向に駆動される所定幅の無端ベルト１０と、無端ベルト１０を駆動プーリ１１及び一対の従動プーリ１２，１３によって前後方向に駆動可能に張架したフレーム本体２０を備えている。 - 特許庁 - In the installation of the fire-resistive covering material 8, fire- resistive cloth 14 of fixed width is stuck at least on the surface side of the upper mounting edge section of an external-layer covering material 11 and the material 8 is clamped and fixed to the concrete pedestal 4a of a superstructure 4 through a ring-shaped clamp member 15.
耐火被覆材８の取付けは、外層被覆材１１の上部取付け縁部の少なくとも表面側に所定幅の耐炎化クロス１４を貼付け、そして図３に示すような公知のリング状のクランプ部材１５を介して前記上部構造物４のコンクリート台座４ａに締め付け固定してある。 - 特許庁 - At least either one of the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 has first electrode 110, 210 having a forward tapered sidewall, and a second electrode 120, 220 adjoining the first electrode 110 through an insulating layer 150, 250 in a practically same plane and having a reversely tapered sidewall.
下側電極１３０及び上側電極２３０の少なくともいずれかは、順テーパの側壁を有する第１の電極１１０、２１０と、絶縁層１５０、２５０を介して第１の電極１１０と実質的に同じ平面内で隣接し、逆テーパの側壁を有する第２の電極１２０、２２０と、を有する。 - 特許庁 - After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded.
ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３の上部に開孔部１２８を有するレジストマスク７を多結晶Ｓｉ膜６上に形成した後、Ｓｉイオン１０注入を行い、ゲート絶縁膜５を構成するＳｉＯＮ膜の原子同士の結合を弱める。 - 特許庁 - In addition, as the position detecting accuracy keeping apparatus 1, a rectangular flat panel-like shielding plate 33 is used, and a lower part winding part 31 and an upper part winding part 32 in the carriage carrying belt 9, and the shielding plate 33 being the position detecting accuracy keeping apparatus 1 above them are respectively arranged horizontally to form a three-layer shielding structure.
また位置検出精度維持装置１として矩形平板状の遮蔽板３３を使用し、キャリッジ搬送用ベルト９における下部巻回部３１と上部巻回部３２、その上方に前記位置検出精度維持装置１である遮蔽板３３をそれぞれ水平に配置して３層の遮蔽構造を形成した。 - 特許庁 - The removal means is equipped with an air knife 18 installed in a manner of crossing the substrate and discharging air toward the upper face of the substrate 2 and a wave elimination member 20 for suppressing waving of the liquid layer X caused at a time of discharging air.
この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 - 特許庁 - In the blood separating method for separating plasma or serum from the whole sampled blood, the whole sampled blood containing particulates is mixed with a polymer flocculant, the mixture is treated centrifugally to make blood cells precipitate and particulates flocculated by the polymer flocculant, and the plasma or the serum on the upper layer is recovered.
微粒子を含む採取全血を高分子凝集剤と混合し、その混合物を遠心処理に供して前記高分子凝集剤により凝集した血球と微粒子を沈降させ、上層の血漿または血清を回収することを特徴とする採取全血から血清または血漿を分離する血液分離方法。 - 特許庁 - To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.
キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁 - The bipolar transistor has a semiconductor mesa section BM formed by allowing at least one portion of a base layer 13 to face the upper surface.
ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。 - 特許庁 - The piezoelectric resonant stack 14 comprises a vibrating area 20 in which the upper electrode 12 and the lower electrode 10 face each other via the piezoelectric layer 2 and which is positioned in accordance with the gap 4, a supporting area 24 in contact with the substrate 8, and a buffering area 22 which is positioned between the vibrating area 20 and the supporting area 24.
圧電共振スタック１４は、上部電極１２と下部電極１０とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域２０と、基板８に接する支持領域２４と、振動領域２０及び支持領域２４の間に位置する緩衝領域２２とからなる。 - 特許庁 - The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).
レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁 - Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.
単結晶構造部１１１ａ上に位置する絶縁膜１１２に、エミッタ開口部１１４を形成し、エミッタ開口部１１４内に位置する単結晶構造部１１１ａの上部を熱酸化して酸化膜１１５をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部１１１ａのダメージを取り除く。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.
第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁 - To prevent weld marks on the upper face side of the core bar of a ring portion even when cover layers of a synthetic resin are injection-molded in an interspaced relation along the circumference of the ring portion in the plan each via a single gate disposed near a cover layer end.
リング部の平面周方向に沿って部分的に配置される合成樹脂製の被覆層が、被覆層の端部側に配置される１つのゲートを利用して射出成形により形成されても、リング部芯金の上面側にウエルドマークが発生することを防止することができるステアリングホイールを提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.
ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にＡＲＬを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.
上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁 - In the fire extinguisher, a film 15 to be a composite material which has pigments printed on the surface and a protective film formed on an upper layer of the pigment is attached on an outer peripheral surface of the fire extinguishing agent storage container 11 which has an mouth part to be an opening part and is molded by resin without seams.
消火器は、開口部となる口部を有するとともに継ぎ目のない樹脂によって成形される消火剤貯蔵容器１１の外周表面上に、表面に顔料が印刷されるとともに、顔料の上層に保護膜が形成された複合材料であるフィルム１５が装着される。 - 特許庁 - A sidewall 26 formed on a sidewall of a gate electrode 27 is different in thickness in a horizontal direction (along an upper surface of a semiconductor layer 2) between a drain side and a source side differently from a side wall 8 of a CMOS transistor 1, and a sidewall 26B on the drain side is thicker than a sidewall 26A on the source side.
ゲート電極２７の側壁に形成されるサイドウォール２６は、ＣＭＯＳトランジスタ１のサイドウォール８とは異なり、ドレイン側とソース側とで、水平方向（半導体層２の表面に沿った方向）の厚さが異なっており、ドレイン側のサイドウォール２６Ｂは、ソース側のサイドウォール２６Ａよりも厚い。 - 特許庁 - In the piezoelectric element 12, part or all of an outer circumferential shape of the electrode 11 is formed to be a shape corresponding to distributions of a vibration mode of a target order or their sum and an insulation layer 13 comprising an insulating member is formed over an entire face of at least a lower face or an upper face of the electrode 11.
電極１１における外周形状の一部または全部を、着目する次数の振動モード分布またはそれらの和に対応した形状に構成する一方、電極１１の下面側または上面側の少なくとも何れか一方の全面に亘って、絶縁部材からなる絶縁層１３を形成する。 - 特許庁 - As to various shoes, between a vamp cover 2 and an inner lining 4 of sock shape which compose an upper body, a thin waterproof layer 3 is intervened which shapes a similar figure with the inner lining and does not have sewing seams, and perfectly hermetic twofold linings 6 are formed which do not cause water permeation at least inside the inner lining.
各種シューズにおいて、その甲本体を構成する外側甲被材２とソックス形状の内側裏材４との間に、内側裏材と相似形状の縫製縫い目をもたない薄い防水層３を介在し、少なくとも内側裏材内に浸水を招かない完全密封型二重ライニング６を形成するものである。 - 特許庁 - The original plate is obtained by disposing at least two positive type recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbent and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure with infrared laser light on a base and the coating weight of the upper positive type recording layer is in the range of 0.05-0.45 g/m2.
支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含み、赤外レーザの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大するポジ型記録層を少なくとも２層設けてなり、上層のポジ型記録層の塗布量が０．０５〜０．４５ｇ／ｍ^2の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁 - This device is equipped with a receiving recessed part 3 provided in a roller conveyer 1 conveying a substrate B of a solar battery by supporting a lower surface b2 in an opposite side of an upper surface b1 formed with a transparent electrode layer A of the substrate and a delivery machine 11 reciprocating the substrate B moved over this recessed part 3 and a prescribed delivered part.
太陽電池の基板Ｂをその透明電極層Ａが形成された上面ｂ１とは反対側の下面ｂ２を支持して搬送するローラコンベア１に設けた受取り凹部３と、この凹部３と所定の被受渡し部分とにわたって基板Ｂを往復移動させる受渡し機１１とを具備する。 - 特許庁 - The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.
本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁 - The embossed surface 42 of the thermoplastic resin molding 40 is constituted of rough unevenness 44 on the side of a substrate and fine unevenness 46 in an acute angle shape on the side of the upper layer, and the low glossiness or the light diffusiveness is obtained by setting the three dimensional surface roughness parameter of the embossed surface 42 in a prescribed range.
熱可塑性樹脂成形品４０のシボ表面４２は、下地側の粗い凹凸４４と上層側の鋭角形状の細かい凹凸４６からなり、該シボ表面４２の３次元表面粗さパラメータを所定範囲内に設定することで、低光沢性あるいは光拡散性が得られる。 - 特許庁 - As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.
その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁 - A narrow conductive film is longitudinally disposed on a longitudinally long transparent film 10 having an adhesive layer on its rear surface, and a longitudinally long closed rectangle is disposed on the lower part using an extended line of the conductive film as a side, thereby forming an antenna element 12, and a feeder section 14 is provided on the upper part of the antenna element 12.
裏面に接着剤層が配設された縦方向に長い透明フィルム１０に、幅の狭い導電膜を縦方向に配設するとともにその延長線を一辺として下側部分に縦方向に長い閉じた長方形を配設してアンテナエレメント１２とし、アンテナエレメント１２の上端部に給電部１４を設ける。 - 特許庁 - A Bluetooth (R) apparatus 11 is composed of a radio communication unit 12 which makes radio communication, a link control unit 13 which controls the connection/cutoff of a physical link for the radio communication unit 12, and an application unit 14 which includes the upper layer of a Bluetooth (R) protocol stack and a man-machine interface.
Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ機器１１は、無線通信を行う無線通信部１２と、無線通信部に対して物理リンクの接続／切断の制御を行うリンク制御部１３と、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈプロトコルスタックの上位レイヤやマンマシンインタフェースなどを含むアプリケーション部１４で構成されている。 - 特許庁 - In a fuel cell 10 generating electrical energy, at least one conductive gas distributor 14 is a reticulated three dimensional structure 40 including a first ductile basic skeleton 46 made of metal or a metal alloy used under compression in its elastic region and a conductive upper layer 42 made of corrosive resistant metal or alloy.
電気エネルギーを発生する燃料電池（10）において、少なくとも１個の導電性ガス分配器（14）は、その弾性領域で圧縮下に用いた第１の金属又は金属合金製の延性基本骨格（46）と耐蝕性金属又は合金製の導電性上層（42）とを包含してなる網状三次元構造体（40）である。 - 特許庁 - In site work, after the electric equipment box 6 has been mounted to the box subsidiary member 4 through a coupling means 5, when concrete is placed on the upper surface of the precast concrete slab 1, the precast concrete slab 1 is combined with a concrete layer 7, and a slab or a wall surface or the like can be formed in a state where the electric equipment box 6 is buried.
現場施工では、電設用ボックス６をボックス付帯部材４に結合手段５を介して取り付けた後、プレキャストコンクリート板１の上面にコンクリートを打設すれば、プレキャストコンクリート板１とコンクリート層７が一体となり、電設用ボックス６が埋め込まれた状態のスラブ或いは壁面等を形成できる。 - 特許庁 - According to the vibration control device 1, a contact between water and the outside air is interrupted and the evaporation of water can be prevented because the nonvolatile liquid constitutes the uppermost layer section and covers the upper section of water when the inside of the liquid storage space is filled with water, and the capacity of water in the liquid storage space can be kept constant at all times.
前述制振装置１によれば、例えば液体収容空間内に水を張った場合には、不揮発性液体が最上層部を構成して水の上部を覆うので、水と外気との接触を断って水の蒸発を防止でき、液体収容空間内の水の容量を常に一定に保つことができる。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a circuit formed of a plurality of thin film transistors 100, a gate interconnect line 22 connected commonly with a plurality of thin film transistors 100 is divided and the divided gate interconnect lines 22 are connected electrically through a connection interconnect line 29 arranged on an upper layer of the gate interconnect line 22.
複数の薄膜トランジスタ１００により回路が形成された半導体装置であって、複数の薄膜トランジスタ１００に共通接続されたゲート配線２２が分割されており、分割されたゲート配線２２同士が、ゲート配線２２よりも上層に配置された接続配線２９により電気的に接続されている。 - 特許庁 - Infrared ray radiation effect is enhanced by installing a far infrared ray radiating material layer in an under storage par 10 provided with an air permeable bottom, storing a far infrared ray radiating regenerator 44 in upper storage arranged on the top of the under storage and heating by a heater 42 imbedded in the far infrared ray regenerator 44.
通気性の底面を備えた下部収納部１０に遠赤外線放射材層を収納し、下部収納部上にに設けられた上部収納部に遠赤外線放射蓄熱層４４を収納し、遠赤外線放射蓄熱層４４に埋設されたヒータ４２により加熱して遠赤外線放射効果を増進させる。 - 特許庁 - The wiring board is provided with a wiring conductor 3 on at least either of the inside or the surface of an insulation base 1 made of non-magnetic ferrite, and a ferrite layer 2 formed of a ferrite sintered body covering the upper and lower surfaces of the wiring conductor 3 which are formed by simultaneous baking together with the insulation base 1.
非磁性フェライトの焼結体から成る絶縁基体１の内部および表面の少なくとも一方に、配線導体３と、この配線導体３の上面および下面を覆うフェライトの焼結体から成るフェライト層２とが、絶縁基体１との同時焼成で形成されている配線基板である。 - 特許庁 - A storage means 4 creates transmission entry by adding additional information comprising transmission information and status information to a packet when receiving the packet from an upper layer, and stores the transmission entry in a queue 3 by giving a time T1 when the created transmission entry is stored in the queue 3 to the status information of the transmission entry.
格納手段４は、上位層からパケットを受けると、送信情報およびステータス情報からなる付加情報をパケットに追加して送信エントリを作成し、その作成した送信エントリをキュー３に格納する時刻Ｔ１を送信エントリのステータス情報に付与して送信エントリをキュー３に格納する。 - 特許庁 - In the seismic isolator 1, which is disposed on a foundation for a building skeleton and in which the laminated rubbers 2 by the alternate- layer structure of the rubber and a steel plate are disposed among upper-lower flange plates 3 and 3, restraining members 10 restraining the relative displacement of the flange plates 3 and 3 are installed detachably among the flange plates 3 and 3.
建物躯体の基礎に配設され、上下のフランジプレート３、３間にゴムと鋼板の互層構造による積層ゴム２を配設した免震装置１において、前記上下のフランジプレート３、３の相対的な変位を拘束する拘束部材１０をフランジプレート３、３間に取り外し可能に取り付けた。 - 特許庁 - Furthermore, since a thin film electrode 6 on the p-type GaN layer 2c is led out to the upper surface of sidewall on the circumferential edge of the recess 4 and a p-type pad electrode 17 is formed at that part, the nano-column 2 is not damaged even if wire bonding is performed with sufficient strength and optimal bonding conditions can be selected.
また、ｐ型ＧａＮ層２ｃ上の薄膜電極６を凹所４の周縁の側壁上面まで引出し、その部分にｐ型パッド電極１７を形成するので、充分な強度でワイヤボンディングを行っても、ナノコラム２にダメージを与えることはなく、ボンディング条件を最適に選択できる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a circuit pattern (4) located on a semiconductor substrate, a pair of contact holes (1) positioned in the surrounding of the circuit pattern, and a reference wiring pattern (2) located on an upper layer of an insulating film, on which the pair of contact holes is provided so as to be connected with the pair of holes.
本発明による半導体装置は、半導体基板上に設けられた回路パターン（４）と、前記回路パターンの周囲に配置されたコンタクトホール対（１）と、前記コンタクトホール対が設けられた絶縁膜の上層に前記コンタクトホール対と接続するように設けられた基準配線パターン（２）とを具備している。 - 特許庁
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