「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 221 222 次へ＞- The upper and lower portions of the fixed magnetic layer 23 are sandwiched by non-magnetic metal magnetostriction enhancement layers 22, 40.
固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２，４０で挟む。 - 特許庁 - Upon the reception of information regarding the contents key position, a client computer records the information on the upper layer part 102.
クライアントコンピュータはコンテンツ用キー位置の情報を受信すると、上層部１０２に記録する。 - 特許庁 - An upper-layer side return core is formed above the main magnetic pole 41 via an insulating film.
一方、主磁極４１の上側には絶縁膜を介して上層側リターンコアが形成されている。 - 特許庁 - A filter layer 24 for communicating upper end sides of the vertical drain members 22 with each other is installed.
次に、バーチカルドレーン材２２の上端側間を連通させるフィルター層２４を敷設形成する。 - 特許庁 - The upper layer 2 has a plurality of convex parts 4 projecting toward the skin of the wearer.
上層２が、着用者の肌側に向けて突出して多数の凸部４を形成している。 - 特許庁 - A two-layered resist layer composed of an upper film 3 and a lower film 2 is formed on a board 4.
基板４の上に、上層膜３と下層膜２の２層膜からなるレジスト層を形成する。 - 特許庁 - An upper recording layer 3 is a translucent reflection film made of, for example, TeGeSb.
上部記録層３は、例えばＴｅＧｅＳｂ等から形成される半透明反射膜である。 - 特許庁 - Furthermore, prestress is introduced in advance only into the subsidiary column 7 arranged on the upper layer of the building T'.
また、建物Ｔ’の上層に配された付帯柱７にのみ、予めプレストレスを導入する。 - 特許庁 - The first light transparent layer 20 surrounds the upper end and side surface of the light emitting element 13.
第１の透光性層２０は、発光素子１３の上端および側面を囲んでいる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device dispensing with a process for removing an upper layer.
上部層を除去する工程が不要な半導体装置の製造方法を提供すること - 特許庁 - The upper insulating film 4 has a composition or density which is different from that of the thermally oxidized layer 3.
上部絶縁膜４は、熱酸化膜３とは組成若しくは密度の異なる絶縁膜である。 - 特許庁 - A patterned hard mask layer HM is formed on the upper surface of a Low-k film II2.
Ｌｏｗ−ｋ膜ＩＩ２の上面に、パターニングされたハードマスク層ＨＭが形成される。 - 特許庁 - A cut 76 penetrating through a resin layer 50 is formed to enclose a third upper surface 68.
第３上面６８を囲むように樹脂層５０を貫通する切れ目７６が形成されている。 - 特許庁 - A sealing film 11 is provided on the top surface of the upper-layer insulator film 5 including the wiring 9.
配線９を含む上層絶縁膜５の上面には封止膜１１が設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor element 7 is bonded on a core base material 6 and the upper part thereof is covered with an insulation layer 8.
コア基材６の上に半導体素子７を接着し、その上を絶縁層８で覆う。 - 特許庁 - On the wiring insulating film, a wiring pattern and an upper-layer insulating film covering the wiring pattern are provided.
配線絶縁膜上に、配線パターンと、配線パターンを覆う上層絶縁膜とを備えている。 - 特許庁 - A gap is formed between a part of the wiring 30 and the upper surface 24 of the resin layer 20.
配線３０の一部と、樹脂層２０の上面２４と、の間にはギャップが形成されている。 - 特許庁 - Furthermore, a second dielectric substance layer 38 is adjacent to the metallic plug 32 and is provided with an upper electrode 40 thereon.
更に、第２の誘電体層は金属プラグに隣接し、上部電極をその上に有する。 - 特許庁 - To provide a silica body having a low refractive index and excellent adhesion with a base material and the upper layer thereof.
低屈折率で基材及びその上層との密着性に優れたシリカ体を提供する。 - 特許庁 - To form a stable aggregate layer by exhausting retained gas in an upper part of a filtering tank.
ろ過槽上部に滞留する滞留ガスを排出し、安定した凝集層を形成すること。 - 特許庁 - The heating resistor pattern 4 is formed integrally with the upper layer 12 by calcination.
発熱抵抗体用パターン４は、焼成によって上層１２と一体的に形成されている。 - 特許庁 - The p-type semiconductor region 18 includes an upper light guide layer 32 and clad layers 33, 34.
ｐ型半導体領域１８は、上部光ガイド層３２及びクラッド層３３，３４を含む。 - 特許庁 - The topmost metallic layer is formed at the upper part of the interlayer dielectric film in the cell array region.
前記セルアレイ領域内の前記層間絶縁膜上部に最上部金属層が配置される。 - 特許庁 - A surface protecting layer 4 is formed with uniform thickness over the whole upper surface of the secondary conductor 3.
二次導体３の上面に、その全体に亘って一様厚さの表面保護層４を設ける。 - 特許庁 - A pad 11 and a pad 31 are formed in upper and lower wiring layers of a layer insulation film 20.
層間絶縁膜２０の上下の配線層には、パッド１１やパッド３１が形成されている。 - 特許庁 - A micro-lens array is preferred to be fitted at an interface between the light guide plate and the upper layer.
導光板と上部層との間の界面には好ましくはマイクロレンズアレイが設けられている。 - 特許庁 - Furthermore, it will become possible to highly precisely form wiring on the upper layer of the support substrate 1.
また、その支持基板１の上層には高精度で配線を形成することが可能になる。 - 特許庁 - The semiconductor configuration 2 is provided on an upper surface of the base plate 1 through an adhesion layer 3.
ベース板１の上面には半導体構成体２が接着層３を介して設けられている。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR PREVENTING BAIT FROM BEING TAKEN BY FISH OR THE LIKE IN UPPER LAYER OF WATER IN FISHING
釣に於ける水中上層の魚などによるえさとりの防止装置及びその方法． - 特許庁 - The area of the upper surface of the substrate 52a is larger than that of the lower surface of the semiconductor layer 52b.
基板５２ａの表面の面積が半導体層５２ｂの下面の面積よりも大きい。 - 特許庁 - Between each of the plurality of carbon nanotubes (8) and the upper layer wire (15), Ti layers (9) are formed.
複数のカーボンナノチューブ（８）と上層配線（１５）との間には、Ti層９が形成されている。 - 特許庁 - Thickness of the ceramic insulating layer 18 on the upper surface of the address electrodes 11 is set 0-20 μm.
アドレス電極１１の上面におけるセラミック絶縁層１８の厚さが０〜２０μｍである。 - 特許庁 - Alternatively, a top grounding surface is provided via an insulating layer at the upper side of conductive wiring.
代替的に、導電配線の上側には絶縁層を介設して頂部接地面が配備される。 - 特許庁 - As the metal film 7 of the upper layer, an Ni film, a Co film or a Ti film is formed, for example.
上層の金属膜７としては、例えばＮｉ膜、Ｃｏ膜又はＴｉ膜を形成する。 - 特許庁 - Dielectric isolation regions are formed in an upper silicon layer and filled with a thermal conductive material.
上部シリコン層内に誘電性分離領域を形成し、熱伝導性材料を充填する。 - 特許庁 - To surely position a needle point of a needle tube that punctures the skin, to a skin upper layer part.
皮膚に穿刺した針管の針先を皮膚上層部に確実に位置させるようにすること。 - 特許庁 - (a) Knowledge required for description and analysis of a weather map (including upper layer weather map for an aeroplane)
イ 天気図（飛行機にあつては、上層天気図を含む。）の解説及び分析に必要な知識 - 日本法令外国語訳データベースシステム - The upper part is coated with a resin layer 23 and the side faces 23a-23d of the package are formed of cut faces.
上部を樹脂層２３で被覆し、パッケージの側面２３ａ〜２３ｄは切断面で構成する。 - 特許庁 - Thus, the deposition of the plating layer to the upper face of the long-length substrate 303 can be reduced.
これにより、長尺基板３０３の上面への鍍金層の付着を低減することができる。 - 特許庁 - An upper structure 16 is supported on a lower structure 14 by an air layer 20.
空気層２０によって下部構造物１４の上に上部構造物１６が支持されている。 - 特許庁 - The negative electrode wiring upper layer is film-formed simultaneously with the film formation of a negative electrode 22 by aluminum, or the like.
陰極配線上部層は、アルミニウムなどを用い、陰極２２の成膜と同時に成膜する。 - 特許庁 - To reduce a inter-wiring capacitance between a bit line and an upper wiring layer, in a DRAM memory cell.
ＤＲＡＭメモリセルにおいて、ビット線と上層配線層との配線間容量の低減化を図る。 - 特許庁 - Thereby, insulation between the lower shielding layer 21 and the upper conductive electrode 26 can be reliably secured.
よって、下部シールド層２１と上部導通電極２６との絶縁を確実に確保できる。 - 特許庁 - A substrate a light emitting semiconductor layer 3, having a light emitting area at the upper surface, is provided.
基板の上に、その上表面が発光面となる発光性半導体層３が設けられている。 - 特許庁 - A low air permeable layer 4 is provided on at least the upper surface and bottom surface of the filler 3.
挿填体３との少なくとも上面及び底面に低通気性層４が設けられている。 - 特許庁 - The upper surface of resin layer 12 comprises a flat surface 12a and a slope 12b.
樹脂層１２の上面は、平坦な平坦面１２ａと、傾斜した傾斜面１２ｂとで構成する。 - 特許庁 - The multi-layer magnetoresistance(MR) structure is arranged between the upper shield 50 and the lower shield 10.
多層磁気抵抗（ＭＲ）構造は、上部シールド５０と下部シールド１０の間に配置される。 - 特許庁 - Then upper-layer materials are disposed on the wiring boards 1 and 2, and protective materials are disposed on the materials.
また，積層配線板１，２の上に上層材を配置し，さらにその上に保護材を配置する。 - 特許庁 - The photosensitive resin layer 37 is developed and upper electrode 2 and porous layers 4 are formed (h).
感光性樹脂層３７を現像して上部電極２、多孔状層４を形成する（ｈ）。 - 特許庁 - The gate electrode 3 is connected to a word line and the upper layer wiring through a second contact C2.
ゲート電極３は第２コンタクトＣ２を介してワード線や上層配線に接続される。 - 特許庁
- ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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