「upper- layer」を含む例文一覧(11093)

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  • In the above embodiment, although the paste-like blend A is an upper layer, A and B can be laminated reversely as an alternative setting.
    この実施形態では、ペースト状配合物Aが上層であるが、AとBとが逆であっても良い。 - 特許庁
  • In a drum pad 10, a pad section 15, a rear side composite layer 30M2 and a base section 40 are stacked from an upper side.
    ドラムパッド10は、上側からパッド部15、裏側複合層30M2及びベース部40が積層されてなる。 - 特許庁
  • To provide a catalyst which has a noble metal carried in high density on the surface of a coated layer in an upper flow part and is less costly.
    上流部のコート層表面に貴金属を高密度で担持するとともに、コストも安価な触媒とする。 - 特許庁
  • The base sheet 18 has a three-layer structure and has a lower sheet 24, a reinforcing sheet 22 and an upper sheet 23.
    ベースシート18は三層構造を有し、下側シート24、補強シート22及び上側シート23を有する。 - 特許庁
  • The upper part of the layer 1 is connected with an electrode wiring 4 via a contact hole opened in the film 3.
    層1の上部は、SiO_2 膜3にあけられたコンタクトホールを介して電極配線4に接続される。 - 特許庁
  • To provide a method for fabricating an ultrathin SOI MOS transistor having an upper silicon layer thinner than 20 nm.
    20nmより薄い上部シリコン層を有する超薄膜SOI MOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The first annealing is performed to the ferroelectric layer, and then the film of a noble metallic oxide of upper electrode is grown.
    強誘電体層に1回目のアニールを行った後、貴金属酸化物の上部電極層を成膜する。 - 特許庁
  • Each of the electrodes arranged on the upper and the lower faces of the liquid crystal layer 34 is a unit transparent electrode.
    液晶層34の上下面に配された電極は、それぞれ単一の透明電極にて構成されている。 - 特許庁
  • The upper face of the second layer c formed into the desired designed floor 5 is colored 6, and the surface is processed.
    所望のデザイン床5に形成された第2層cの上面に着色6を施し、表面処理する。 - 特許庁
  • As a first process, a lower clad layer 3 is formed by using resin on the upper surface of the inorganic material substrate 1.
    第1の工程として、無機材料基板1の上面に下部クラッド層3を樹脂により形成する。 - 特許庁
  • Thereafter, a barrier metal layer F2 is deposited on the whole surfaces of the substrate P comprising the upper surfaces of the pattern F1 and the bank B.
    その後、膜パターンF1、及びバンクBの上面を含む基板Pの全面に、バリアメタル層F2を成膜する。 - 特許庁
  • In etching in the case of forming a contact hole, the etching is performed while leaving an upper layer metal film of a wiring pattern.
    コンタクトホール形成の際のエッチングにおいて、配線パターンの上層金属膜を残したままエッチングをする。 - 特許庁
  • To improve the visibility of display on a display device on an upper layer side, in a multilayer-type information display device.
    多層式の情報表示装置において、上層側の表示装置の表示の視認性を向上を図る。 - 特許庁
  • A pile periphery fixing liquid layer 14 is formed at the outer peripheral face 4 of the pile hole 12 side wall and the upper pile 1.
    杭穴12側壁と上杭1の外周面4に杭周固定液層14が形成されている。 - 特許庁
  • Further, a feed pipe 4 is inserted into the inside of the shift catalyst layer 3 from the side of the upper end of the container 2.
    また、シフト触媒層3の内部には反応容器2の上端側から供給配管4を挿入する。 - 特許庁
  • The listener may include various components, such as an upper layer application and a stream reservation protocol stack.
    リスナは、上位層アプリケーションおよびストリーム予約プロトコルスタックのような、さまざまな構成要素を含むことができる。 - 特許庁
  • Consequently, the taps are also exposed when the passivation film is removed uniformly for exposing the upper-layer wiring.
    このことにより、上層配線を露出させるために一律にパッシベーション膜を除去すれば、タップも露出する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device in which a contact plug and upper layer wiring can be surely connected, and method of manufacturing the same.
    コンタクトプラグと上層配線の確実な接続の得られる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The transparent electrode 36 is equipped on the upper surface of the optical modulation film 34 with the protective layer 50 interposed in between.
    この光変調膜34の上面には、この保護層50を挟んで透明電極36が設けられる。 - 特許庁
  • Each leveled solder bump 22b is formed to be molded with a leveling member the upper portion of each solder layer through plating, etc.
    レベリングされた半田バンプ22b はめっき等による半田層の上部をレベリング部材で成形して形成される。 - 特許庁
  • Next, a buffer layer 2 of AlN is formed with a thickness of about 40 nm, mainly on each upper step face and on each bottom face of the steps of the substrate 1.
    次にAlNのバッファ層2を約40nmの厚さに基板1の段差の主に上段面と底面に形成する。 - 特許庁
  • In addition, the electrochemical analysis inspection strip includes an enzyme reagent layer provided on the upper surface of the metal electrode.
    加えて、この電気化学式分析検査ストリップは、金属電極の上面に設けられた酵素試薬層を含む。 - 特許庁
  • The transparent toner image is formed on the base or upper layer of the colored toner image formed on the recording medium 2.
    透明トナー像は、記録媒体2上に形成する前記有色トナー像の下地又は上層に形成する。 - 特許庁
  • Between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode is arranged on the upper side electron supply layer.
    ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 - 特許庁
  • The protective film 32 is formed on the upper layer of the underlying electrode film 31 by vacuum film deposition.
    保護膜32は、真空成膜法による膜であって、下地電極膜31の上層に形成されている。 - 特許庁
  • Next, a first resist film 22 is formed on the one flank side of the upper layer pole 14a and is subjected to an etching treatment.
    次に、上層ポール14aの一方の側面側に、第1のレジスト膜22を形成し、エッチング処理を施す。 - 特許庁
  • Interconnection in the logical cells and interconnection between the logical cells are constituted only of upper n interconnect layer (n<m).
    論理セル内の配線および論理セル間の配線を、上位n層の配線層(n<m)のみを用いて構成する。 - 特許庁
  • A global home register GHR 1 is arranged on the upper layer of the plurality of cognitive gateways CGW1 and CGW2.
    グローバルホームレジスタGHR1は、複数のコグニティブゲートウェイCGW1,CGW2よりも上位層に配置される。 - 特許庁
  • Each upper shoe 3 has its frame body 3a supported on an outer periphery of a substrate 3c via an elastic layer 3b.
    上沓3は、基板3cの外周に弾性層3bを介して枠体3aが支持されたものである。 - 特許庁
  • The amorphous film is processed using the first resist film as a mask and the upper layer insulating film is exposed.
    前記第1のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。 - 特許庁
  • A lower layer protection film 5 composed of a polyimide is provided on an upper surface of an insulating film 3 composed of silicon oxide.
    酸化シリコンからなる絶縁膜3の上面にはポリイミドからなる下層保護膜5が設けられている。 - 特許庁
  • An insulating spacer is formed on the interior of an upper substrate and extended into a liquid crystal layer to maintain a cell gap.
    絶縁スペーサが、上部基板の内部の上に形成され、セル・ギャップを維持するように液晶層に延びている。 - 特許庁
  • The intermediate layer is typically made of Ru to promote antiferromagnetic coupling between the upper and lower magnetic layers.
    中間層は、典型的にはRuであり、上側と下側磁気層の間の反強磁性結合を促進する。 - 特許庁
  • The concave structure can be formed in the upper layer electrode by using an existing process, which does not increase the mask process.
    この凹構造は既存の工程を利用して上層電極に形成可能で、マスクプロセスを増加することがない。 - 特許庁
  • The core portion 68 is embedded inside the semiconductor pillar SP, and retreats from the upper surface of the insulating layer 16.
    芯部68は、半導体ピラーSPの内側に埋め込まれ、絶縁層16の上面から後退している。 - 特許庁
  • This anti-static film forming composition is used for the upper layer of the electron beam resist including water soluble resin and ion liquid.
    水溶性樹脂及びイオン液体を含む電子線レジストの上層に用いる帯電防止膜形成組成物。 - 特許庁
  • To provide a structure and a method for forming an electrical contact layer on the upper part of nanorod alignment.
    ナノロッドの配列の上部への電気接点層を形成するための構造および方法を提供すること。 - 特許庁
  • The elements covering the diodes are formed on the upper side of a buried insulating layer provided in the intermediate part of the substrate.
    これらのダイオードで覆った素子を基板の昼間部に設けた埋込絶縁層の上側に形成させた。 - 特許庁
  • A dummy oscillator 18a has a piezoelectric layer 22 consisting of an upper piezoelectric 31 and a lower piezoelectric 32.
    ダミー振動子18aは、上層圧電体31及び下層圧電体32からなる圧電体層22を有する。 - 特許庁
  • The switching part comprises a liquid repellent column 8 provided in a flow passage at the upper layer that includes a part of the pixel 22.
    スイッチ部は、画素22の部分を含む上層流路に設けられた撥液体柱8から構成される。 - 特許庁
  • After that, a metal thin film is formed on the upper surface side of the two-layer substrate 10 by using electroless plating liquid.
    その後、二層基材10の上面側に無電解めっき液を用いて金属薄膜が形成される。 - 特許庁
  • HEAT-SOFTENING METHOD FOR UPPER LAYER FILM FOR VACUUM PACKING MACHINE, ITS DEVICE AND VACUUM PACKING MACHINE USING IT
    真空包装機における上層フィルムの熱軟化方法、及びその装置、並びにこれを用いた真空包装機 - 特許庁
  • Moreover, a second metal compound film 18 including nitrogen is formed on the upper surface of a copper layer 16.
    さらに、銅層16の上面には窒素を含有する第2金属化合物膜18が形成されている。 - 特許庁
  • Then an upper clad layer 17 made of a planar glass substrate is fixed thereto to manufacture the optical waveguide substrate.
    そして、その上に平面ガラス基板からなる上部クラッド層17を固定し、光導波路基板を製作する。 - 特許庁
  • When manufacturing the microstructure, first of all, a Ti conductive layer 8 is formed on an upper surface of a silicon substrate 6.
    微細構造体を製造する場合は、まずシリコン基板6の上面にTiの導電層8を成膜する。 - 特許庁
  • An electrode pad cell Pad is composed of a two-layer structure of a lower electrode pad 50 and an upper electrode pad 51.
    電極パッドセルPadは、下側の電極パッド50と上側の電極パッド51との2層構造よりなる。 - 特許庁
  • When a tin-copper alloy is plated as the upper layer, the plated underlayer of nickel is made to contain a very small amount of boron and sulfur.
    また、上層がスズ−銅合金皮膜の場合には、ニッケルの下地皮膜にホウ素、硫黄を微量含有する。 - 特許庁
  • A second gap exists between the upper side of the conductive nanotube and a first part of the second insulating layer.
    導電性ナノチューブの上側と第2の絶縁層の第1の部分との間に第2の間隙が存在する。 - 特許庁
  • A sensor comprises a lower electrode, an amorphous oxide semiconductor layer, and an upper electrode which are formed on a transparent substrate.
    センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。 - 特許庁
  • First silicide films 31a and 31b are formed in the upper layer part of the first gate electrodes 15a and 16a.
    第1のシリサイド膜31a,31bが第1のゲート電極15a,16aの上層部に形成されている。 - 特許庁
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