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ひ素原子の英語
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英訳・英語 arsenic atom
「ひ素原子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1件
シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に積層して形成されたゲート電極と、ひ素およびリンを含有する拡散層とを備え、ひ素の最高濃度部の濃度とリンの最高濃度部の濃度がともに1026原子/m3以上1027原子/m3以下であり、なおかつリンの最高濃度部の前記シリコン基板表面からの深さがひ素の最高濃度部の深さ以下であるようにする。例文帳に追加
Both the concentration of arsenic at a maximum concentration portion and that of phosphorus at a maximum concentration portion are at least 1026 atom/m^3 and up to 1027 atom/m^3, and the depth of the maximum concentration portion of phosphorus from the surface of the silicon substrate is up to that of the maximum concentration portion of arsenic. - 特許庁
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