バルク半導体の英語

半導体バルク単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR BULK SINGLE CRYSTAL - 特許庁

バルク半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

BULK SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

半導体メモリ装置およびバルク領域形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND BULK AREA FORMING METHOD - 特許庁

バルク半導体基板に形成した半導体装置は、静電放電（ＥＳＤ）デバイスを含みうる。例文帳に追加

The semiconductor device formed in the bulk semiconductor substrate can contain an electrostatic discharge(ESD) device. - 特許庁

化合物半導体バルク結晶の成長方法、および化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING BULK CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。例文帳に追加

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate. - 特許庁

半導体集積回路は、半導体基板に形成されたバルクトランジスタ及び該バルクトランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を備える。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit comprises a bulk transistor formed on a semiconductor substrate, and a first interlayer insulating film for covering the bulk transistor. - 特許庁

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing semiconductor bulk single crystals is characterized in that the semiconductor bulk single crystals are simultaneously grown on both surfaces of a baser substrate. - 特許庁