「バルク半導体」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

バルク半導体基板上にＳＯＩ層を形成する。例文帳に追加

The SOI structure is formed on a bulk semiconductor substrate. - 特許庁

半導体プロセスガス用バルク供給装置例文帳に追加

BULK SUPPLYING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS GAS - 特許庁

半導体バルク単結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR BULK SINGLE CRYSTAL - 特許庁

バルク半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

BULK SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

半導体メモリ装置およびバルク領域形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND BULK AREA FORMING METHOD - 特許庁

バルク半導体基板に形成した半導体装置は、静電放電（ＥＳＤ）デバイスを含みうる。例文帳に追加

The semiconductor device formed in the bulk semiconductor substrate can contain an electrostatic discharge(ESD) device. - 特許庁

化合物半導体バルク結晶の成長方法、および化合物半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING BULK CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。例文帳に追加

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate. - 特許庁

半導体集積回路は、半導体基板に形成されたバルクトランジスタ及び該バルクトランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を備える。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit comprises a bulk transistor formed on a semiconductor substrate, and a first interlayer insulating film for covering the bulk transistor. - 特許庁

基礎基板の両面に半導体バルク単結晶を同時に成長させることを特徴とする半導体バルク単結晶の製造方法。例文帳に追加

The method for producing semiconductor bulk single crystals is characterized in that the semiconductor bulk single crystals are simultaneously grown on both surfaces of a baser substrate. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法例文帳に追加

PRODUCTION OF BULK CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板からのバルク金属汚染の除去方法例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING BULK METAL CONTAMINATION FROM III-V SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

バルクの半導体基板Ｌ，Ｕを貼りあわせてＰＳＤを構成する。例文帳に追加

A PSD is constituted by sticking bulk semiconductor substrates L, U to each other. - 特許庁

ＡｌＮバルク単結晶及び半導体デバイス並びにＡｌＮ単結晶バルクの製造方法例文帳に追加

AlN BULK SINGLE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL BULK - 特許庁

半導体バルク基板や半導体・オン・絶縁体基板のような基板上に半導体デバイスを形成する良好な方法、及びその方法で形成した半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a good method for forming a semiconductor device on a substrate, e.g. a bulk semiconductor substrate or a semiconductor-on-insulator substrate, and to provide a semiconductor device formed by the method. - 特許庁

半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法、半導体ウェハの分析方法、及びバルク中に不純物Ｃｕのない半導体ウェハの製造方法例文帳に追加

METHOD OF DEPOSITING DOPANT METAL IN BULK OF SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF ANALYZING SEMICONDUCTOR WAFER AND MEHTOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER WITHOUT DOPANT Cu IN BULK - 特許庁

半導体ウェハのバルク中の不純物金属を効率的に半導体ウェハ表面に析出させることのできる半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of depositing a dopant metal in bulk of semiconductor wafer where the dopant metal in the bulk of the semiconductor wafer is efficiently deposited on a surface thereof. - 特許庁

１つ以上の半導体デバイスが、同一回路内の他の半導体デバイスのバルク効果から完全に分離される集積回路チップを提供する。例文帳に追加

To provide an integrated circuit chip in which one or more semiconductor device is isolated completely from bulk effect of other semiconductor device in same circuit. - 特許庁

ＳＯＩ構造とバルク構造とが混載された半導体基板上に形成された半導体装置を、チップサイズを増大させずに得る。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device formed on a semiconductor substrate in which an SOI structure and a bulk structure are mixedly mounted without increasing a chip size. - 特許庁

半導体装置１００は，Ｐ型半導体基板１とＮ型バルク層２とが貼り合わされた構造を有している。例文帳に追加

A semiconductor device 100 has a structure, in which a p-type semiconductor substrate 1 and an n-type bulk layer 2 are pasted together. - 特許庁

また、評価用半導体ウェーハを劈開などを行い、半導体ウェーハバルク部の不純物の濃度を測定する。例文帳に追加

The semiconductor wafer for evaluation is cleft and concentration of dopant in the semiconductor wafer bulk part is measured. - 特許庁

半導体ウェハ１００は、半導体バルク１０と、半導体バルク上に設けられた第１の埋込み絶縁層２０と、第１の埋込み絶縁層上に設けられた第１の半導体層３０と、第１の半導体層上に設けられた第２の埋込み絶縁層４０と、第２の埋め込み絶縁層上に設けられた第２の半導体層５０とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor wafer 100 includes a semiconductor bulk 10, a first embedded insulating layer 20 provided on the semiconductor bulk, a first semiconductor layer 30 provided on the first embedded insulating layer, a second embedded insulating layer 40 provided on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer 50 provided on the second embedded insulating layer. - 特許庁

フィルムバルク弾性波共振器を有するデュプレクサフィルタ及びその半導体パッケージ例文帳に追加

DUPLEXER FILTER AND ITS SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR - 特許庁

フローティングボディ素子及びバルクボディ素子を有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FLOATING BODY ELEMENT AND BULK BODY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁

その一端がバルク半導体基板にインタフェースするトレンチをＳＯＩ層を貫通して形成する。例文帳に追加

A trench, whose one end interfaces with the bulk semiconductor substrate is formed penetrating through the SOI layer. - 特許庁

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。例文帳に追加

A bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate is provided. - 特許庁

宇宙線中性子エラー耐性を向上させたバルク半導体デバイスを提供することにある。例文帳に追加

To provide a bulk semiconductor device which improves in resistance to a cosmic-ray neutron error. - 特許庁

動作特性の改善された半導体バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor bulk acoustic resonator(SBAR) whose operation characteristic is improved. - 特許庁

半導体プロセスガス用バルク供給装置とこれを使用したガス供給方法例文帳に追加

BULK SUPPLY DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESS GAS AND GAS SUPPLY METHOD USING THE SAME - 特許庁

半導体基板の上に形成されソース／ドレイン領域を有するバルクモストランジスタを備える。例文帳に追加

The present invention comprises a bulk MOS transistor having source/drain regions formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

半導体基板（バルク又は半導体オン・インシュレータ）内に配置されたトレンチ内に埋め込まれた少なくとも１つのｅヒューズを含む半導体構造体が提供される。例文帳に追加

A semiconductor structure includes at least one e-fuse embedded in a trench that is located in a semiconductor substrate (a bulk or semiconductor-on-insulator substrate). - 特許庁

バルクの基板上に第１半導体層（ＳｉＧｅ）１１、第２半導体層（Ｓｉ）１２をエピ成長させ、そこに第１半導体層１１の底面以上の深さの溝を形成する。例文帳に追加

A groove of depth larger than that of the bottom surface of a first semiconductor layer 11 is formed, at a location where a first semiconductor layer (SiGe) 11 and a second semiconductor layer (Si) 12 are formed by epitaxial growth on the substrate of bulk. - 特許庁

抵抗素子７ａ下の半導体基板１の不純物濃度は、バルクと同等かあるいはバルクの不純物濃度以下である。例文帳に追加

The impurity concentration of the semiconductor substrate 1 below the resistive element 7a is equal to or lower than that of bulk. - 特許庁

ＳＯＩ領域とバルク領域を有する半導体ウェハを製造するときに、半導体ウェハの表面のエッチング損傷を防止でき且つＳＯＩ領域の表面とバルク領域の表面の水平レベル差をなくすことができる半導体ウェハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor wafer which manufacturing method prevents etching damage to the surface of the semiconductor wafer upon manufacturing the semiconductor wafer having an SOI region and a bulk region, and eliminates a level difference between the surface of the SOI region and that of the bulk region. - 特許庁

半導体基板１１上にバルク半導体素子１２が形成され、素子間絶縁膜１３をはさんで薄膜トランジスタ１４が形成され、バルク半導体素子１２は素子間絶縁膜１３に開孔されたコンタクトホール１５を介して薄膜トランジスタ１４と導通している。例文帳に追加

A bulk semiconductor device 12 is formed on a semiconductor substrate 11, a thin film transistor 14 is formed as interposing an inter-element insulating film 13 between itself and the semiconductor device 12, and the semiconductor device 12 is electrically connected to the thin film transistor 14 through a contact hole 15 formed in the inter-element insulating film 13. - 特許庁

紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。例文帳に追加

The method deposits the dopant metal in the bulk of semiconductor wafer where heating is started from a backside of the semiconductor wafer W3 by a hot plate 1 irradiating ultraviolet rays onto the surface of the semiconductor wafer W3 by a ultraviolet irradiation lamp 2, and then the dopant metal Cu in the bulk of the semiconductor wafer W3 is deposited. - 特許庁

絶縁層１０３上に半導体層５が積層されてなるＳＯＩ領域と、下地が基板のみからなるバルク領域とを同一の半導体基板１０１に備え、バルク領域に形成されたバルクトランジスタ１０と、ＳＯＩ領域に形成されたＳＯＩトランジスタ２０との間の半導体基板１０１に電位固定用の不純物拡散層９１を備える。例文帳に追加

An SOI region obtained by laminating a semiconductor layer 5 on an insulating layer 103 and a bulk region where an underlayer is composed of only a substrate are provided on a same semiconductor substrate 101, and an impurity diffusion layer 91 for fixing a potential is provided in the semiconductor substrate 101 between a bulk transistor 10 formed in the bulk region and an SOI transistor 20 formed in the SOI region. - 特許庁

熱電素子は、二つのＣｕ製の電極１，２と、電極１上にＮｉシート６を介して設けられるｎ型ＳｉＣ半導体バルク４と、電極２上にＡｌシート８を介して設けられるｐ型ＳｉＣ半導体バルク５と、半導体バルク４及び５上に、それぞれＮｉシート７及びＡｌシート９を介して、設けられる一つのＣｕ製金属電極３とを備えて構成される。例文帳に追加

This thermoelectric element includes two Cu-made electrodes 1 and 2, an n-shape SiC semiconductor bulk 4 provided on the electrode 1 via an Ni sheet 6, a p-type semiconductor bulk 5 provided on the electrode 2 via an Al sheet 8, and a single Cu-made metal electrode 3 provided on the semiconductor bulks 4 and 5 via Ni and Al sheets 7 and 9. - 特許庁

低電圧領域として使用されるＳＯＩ型ＭＩＳＦＥＴと、高電圧領域として使用されるバルク型ＭＩＳＦＥＴとが共存する半導体装置であっても半導体装置全体を縮小でき、更にプロセスが複雑化することなく作製できる半導体装置と製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can downsize the whole semiconductor device and be manufactured without complicating processes even in the semiconductor device in which SOI MISFET used as a low voltage region and a bulk MISFET used as a high voltage region coexist, and a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

簡単な構成で短時間に低コストでかつ高密度の無機化合物バルク体を得ることのできる無機化合物バルク体の製造方法、無機化合物バルク体並びに半導体抵抗素子材を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an inorganic-compound bulk body which can obtain a high-density inorganic-compound bulk body with a simple structure at low cost and in a short period of time, and to provide an inorganic compound bulk body and a semiconductor resistance element material. - 特許庁

安価なバルク半導体基板を用いながらも、特別なプロセスを要さずにサイリスタを用いたメモリセルを得ることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with which a memory cell using a thyristor can be obtained without a need of a special process while an inexpensive bulk semiconductor substrate is used. - 特許庁

バルク型半導体装置に用いられていたレイアウトパターンを必要最小限の変更でＳＯＩ型半導体装置のレイアウトパターンに変換して用いる。例文帳に追加

To use a layout pattern for bulk type semiconductor device in an SOI type semiconductor device by converting it with minimum necessary alteration. - 特許庁

本発明は、半導体デバイスを製造する更なる処理ステップを実施する前に、本発明の実施形態に係るバルク金属汚染を除去する方法を用いて、半導体デバイスを製造するための方法を提供する。例文帳に追加

Provided is a method of manufacturing a semiconductor device by removing bulk metal contamination before performing subsequent processing steps of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。例文帳に追加

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate. - 特許庁

該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。例文帳に追加

A semiconductor plug is formed on the source/drain regions in the bulk MOS transistor and is extended via at least one portion of the interlayer insulating film. - 特許庁