SBARとは 意味・読み方・使い方

Preferably, the bottom electrode is the only electrode spanning the cavity, and consequently the formation of parasitic FBAR or parasitic SBAR is limited.例文帳に追加

好適には、下側電極は空洞にまたがる電極だけであり、これにより寄生FBAR又は寄生SBARの形成を制限する。 - 特許庁

The acoustically-coupled transformer has a first stacked bulk acoustic resonator (SBAR) and a second SBAR.例文帳に追加

本発明の音響結合変成器は、第１のＳＢＡＲ（スタック型バルク音響共鳴器）と第２のＳＢＡＲを有する。 - 特許庁

The transformer additionally has a first electrical circuit connecting the lower FBAR of the first SBAR to the lower FBAR of the second SBAR, and a second electrical circuit connecting the upper FBAR of the first SBAR to the upper FBARs of the second SBAR.例文帳に追加

変成器はさらに、第１のＳＢＡＲの下方のＦＢＡＲを第２のＳＢＡＲの下方のＦＢＡＲへと接続する第１の電気回路、および第１のＳＢＡＲの上方のＦＢＡＲを第２のＳＢＡＲの上方のＦＢＡＲへと接続する第２の電気回路を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor bulk acoustic resonator(SBAR) whose operation characteristic is improved.例文帳に追加

動作特性の改善された半導体バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）を提供する。 - 特許庁

LATERAL MODE SUPPRESSION OF SEMICONDUCTOR BULK ACOUSTIC RESONATOR(SBAR) DEVICE USING TAPERED ELECTRODE AND ELECTRODE EDGE PART ATTENUATION MATERIAL例文帳に追加

テ—パ—付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ＳＢＡＲ）装置の横モ—ド抑制 - 特許庁

In a preferable embodiment, the cavities are formed by forming depressions in substrates (46, 78) by etching, filling the depressions with a sacrificial material (52), deposting a conductive layer and an electrode layers (54 and 94) defining FBAR or SBAR, and then removing the sacrificial material from the depressions.例文帳に追加

好適な実施例において、空洞は、エッチングにより基板(46;78)内への窪みを形成して、その窪みを犠牲材料(52)で充填し、FBAR又はSBARを画定する導電層と電極層(54と94)を堆積させ、その後に犠牲材料を窪みから除去することにより形成される。 - 特許庁

The film acoustically-coupled transformer includes a stacked pair of film bulk acoustic resonators (FBARs) and a stacked bulk acoustic resonator (SBAR) with an acoustic decoupler between the FBARs.例文帳に追加

スタック対をなす膜状バルク音響共鳴器（ＦＢＡＲ）と、ＦＢＡＲ間の音響デカップラを備えるスタック形バルク音響共鳴器（ＳＢＡＲ）を含む音響結合変成器が得られる。 - 特許庁