AlNとは 意味・読み方・使い方

A nitride semiconductor element 40 includes a low-temperature deposition buffer layer 42 containing AlN on a substrate 41, a first nitride semiconductor single-crystal layer 43 containing the AlN with a first AlN molar fraction, and a second nitride semiconductor single-crystal layer 44 which contains the AlN with a second AlN molar fraction, and the second molar fraction is larger than the first one.例文帳に追加

本発明の窒化物半導素子（４０）は、基板（４１）上にAlNを含む低温堆積緩衝層（４２）と第一のAlNモル分率でAlNを含む第一の窒化物半導体単結晶層（４３）と第二のAlNモル分率でAlNを含む第二の窒化物半導体単結晶層（４４）とを含み、第二のAlNモル分率が第一のAlNモル分率より大きい。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR ALN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR PREPARING AlN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlN CRYSTAL, AlN CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＡｌＮ結晶の成長方法、ＡｌＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

METHOD FOR GROWING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＡｌＮ単結晶の成長方法およびＡｌＮ単結晶 - 特許庁

The metal nitride is preferably composed of one or more kinds selected from TiN, AlN and Si_3N_4.例文帳に追加

金属窒化物は、TiN、AlN、Si_３N_４のうちの１種以上とすることが好ましい。 - 特許庁

To provide a thin film of AlN which is flat and thin, and a process for producing the thin film of AlN.例文帳に追加

平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁