堆積ラグの英語

半導体基板上に、多層膜４１の構成材料を順次堆積し（ｂ）、堆積された多層膜４１のうちプラグ形成予定領域及び当該プラグ形成予定領域を囲繞する領域を除去する（ｄ）。例文帳に追加

Constituent materials of a multilayer film 41 are successively deposited on a semiconductor substrate (b), and a plug formation scheduled region and the region surrounding the plug formation scheduled region are removed from the deposited multilayer film 41 (d). - 特許庁

例えば、製鉄スラグに好アルカリ性微生物を付着させ、この製鉄スラグを有機性堆積物の存在する範囲に散布することで水中の有機性堆積物の浄化が進行する。例文帳に追加

For instance, by attaching the alkalophilic microorganisms to the iron-making slag and spreading the iron-making slag in the range where the organic sediment exists, the cleaning of the organic sediment in the water advances. - 特許庁

本発明は、Ruプラグなどの金属プラグを堆積する前、表面がコンタクトホール上端より低くなるまでバリア層をエッチバックする。例文帳に追加

Before depositing a metal plug such as a Ru plug, a barrier layer is etched back until the surface of the barrier layer is below an upper edge of a contact hole. - 特許庁

基板１０の上にアモルファス構造のＴｉＮ膜４を堆積し、その上にＷ膜６を堆積し、Ｗ膜６、ＴｉＮ膜４およびＴｉ膜１を除去して、Ｗプラグ6aを形成する。例文帳に追加

A TiN film 4 of amorphous structure is laminated on the substrate 10, and a W film 6 is laminated thereon, and further the W film 6, TiN film 4 and Ti film 1 are removed to form a W plug 6a. - 特許庁

本発明は、コンセントにプラグのブレ−ドを差し込んだ際、塵埃の堆積に起因する漏電の発生を防止した塵埃堆積防止用コンセント及びコンセントカバ−に関するものである。例文帳に追加

To provide a leak prevention type receptacle and a receptacle cover prevented from a leakage caused by the accumulation of dust generated when inserting a plug into the receptacle. - 特許庁

具体的には、すす堆積量推定手段は、内燃機関の回転数及び燃料噴射量に基づいて、筒内（グロープラグの周辺など）のすす堆積量を推定し、グロープラグ制御手段は、推定されたすす堆積量が所定値よりも大きい場合に、グロープラグを通電する制御を行う。例文帳に追加

Actually, a soot deposit quantity estimating means estimates a soot deposit quantity in the cylinder (such as the periphery of the glow plug) based on an engine speed of the internal combustion engine and a fuel injection quantity, and a glow plug control means executes control for carrying an electric current to the glow plug when the estimated soot deposit quantity is larger than a predetermined value. - 特許庁

本発明によると、半導体デバイスの相互接続構造は、バイア或いはコンタクト窓（１１）内に堆積されたタングステンプラグ（１４）を含む。例文帳に追加

The interconnection structure of a semiconductor device contains a tungsten plug (14) deposited in a via or a contact window (11). - 特許庁

それから、前記金属膜24を基点としてタングステンを選択成長によってほぼ垂直に堆積してメタルプラグ27を形成する。例文帳に追加

Then, a metal plug 27 is formed by almost vertically depositing tungsten through selective development with the metal film 24 as an origin. - 特許庁