強誘電性半導体の英語

強誘電体型不揮発性半導体メモリ例文帳に追加

FERROELECTRIC MATERIAL NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁

強誘電体キャパシタ素子及び不揮発性半導体記憶素子例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT - 特許庁

強誘電体を用いた不揮発性半導体記憶素子とその制御方法例文帳に追加

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING FERROELECTRIC SUBSTANCE, AND ITS CONTROL METHOD - 特許庁

強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS DRIVING METHOD - 特許庁

強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイ及びその駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY AND DRIVING METHOD THEREFOR - 特許庁

強誘電体膜形成時に半導体基板の裏面に付着する汚染成分が半導体基板中に拡散し、半導体デバイスの特性変動を起こすことを防止する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents the occurrence of a characteristic fluctuation of a semiconductor device due to a fact that contamination components attached to the back of a semiconductor substrate in forming a ferroelectric film spread in the semiconductor substrate. - 特許庁

強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法において、半導体装置の信頼性を向上させること。例文帳に追加

To improve reliability of a semiconductor device, in a manufacturing method of the semiconductor device provided with a ferroelectric capacitor. - 特許庁