正四面体半導体の英語

ウェハ１に正四面体溝２を形成し、チャネルとして機能する第１の半導体層であるチャネル層２１と、フローティングゲートとして機能する第２の半導体層である３層構造のフローティング層２２と、ドレインコンタクトを確保するための第３の半導体層である電極コンタクト層２３とから構成されるメモリ部３を形成する。例文帳に追加

A regular tetrahedron channel 2 is formed at a wafer 1, and a memory part 3 is formed, which comprises a channel layer 21 which is a first semiconductor layer and functions as a channel, a floating layer 22 of a three-layer structure which is a second semiconductor layer functioning as a floating gate, and an electrode contact layer 23 which is a third semiconductor layer for assuring a drain contact. - 特許庁