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隔離ゲート電界効果トランジスタの英語
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「隔離ゲート電界効果トランジスタ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3件
絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加
An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor. - 特許庁
絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加
An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 separated from each other by the insulating layer 3; and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4; are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor. - 特許庁
絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加
An insulating layer 3, a gate electrode 2 and an organic semiconductor layer 4 which are separated from each other by the insulating layer 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 which are both formed so as to come into contact with the organic semiconductor layer 4, are formed on an insulating support substrate 1 for the formation of the field effect transistor. - 特許庁
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isolated-gate field-effect transistor
日英・英日専門用語
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