isolated-gate field-effect transistorとは 意味・読み方・使い方

At the bottom part of a self-aligned contact opening part that is formed between the gates of the insulated-gate field-effect transistor and includes the side face isolated from the gates of the insulated-gate field-effect transistor by a sidewall insulating film 8 and an insulating film 9, a polysilicon plug 11 having a recessed shape is provided.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートの間に形成され、側面が側壁絶縁膜８及び絶縁膜９により絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲートと分離された自己整合コンタクト開口部の底部には凹部形状のポリシリコンプラグ１１が設けられる。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 111a is formed on a surface part of the n-type epitaxial layer 104 being isolated from the p-type silicon substrate 101 and made a top gate of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｐ型シリコン基板１０１から離れて前記Ｎ型エピタキシャル層１０４の表面部分にＰ型拡散層１１１ａを形成し、接合型電界効果トランジスタ１５１のトップゲートとする。 - 特許庁