電子線照射誘起欠陥の英語

本発明の半導体結晶のスクリーニング方法は、半導体結晶に電子線又は光を照射することによって半導体結晶の不完全部分での欠陥を誘起し、その後、カソードルミネッセンス法又はフォトルミネッセンス法により半導体結晶の欠陥検査を行い、その結果に基づいて半導体結晶のスクリーニングを行う工程を備える。例文帳に追加

This semiconductor crystal screening method is equipped with steps of: inducing a defect in the imperfect portion of the semiconductor crystal by applying an electron beam or light to the semiconductor crystal; and then, performing defect inspection on the semiconductor crystal by a cathode luminescence method or photoluminescence method to screen the semiconductor crystal based on a result thereof. - 特許庁