BGANとは 意味・読み方・使い方

In the HEMT element 3, a BGaN portion 50 composed of a mixed crystal of BN and GaN is formed at the middle in the thickness direction of the GaN electron transit layer 45.例文帳に追加

このＨＥＭＴ素子３において、ＧａＮ電子走行層４５の厚さ方向途中部に、ＢＮとＧａＮとの混晶からなるＢＧａＮ部５０を形成する。 - 特許庁

A p-carrier block layer 10 with a large band gap that is made of BAlGAN or AlGaN is provided between the n-MQW active layer 9 and a p-light guide layer 11 that is made of BGaN or GaN.例文帳に追加

ｎ−ＭＱＷ活性層９とＢＧａＮまたはＧａＮからなるｐ−光ガイド層１１との間にＢＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる大きなバンドギャップを有するｐ−キャリアブロック層１０を設ける。 - 特許庁

The GaN semiconductor includes a c-GaN single crystal film 5 having a thickness of about 1-10 μm, and is formed sequentially via a 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of about 100 nm to 1 μm and a BGaN mixed crystal layer 4 having a thickness of about 1-20 nm, on a single crystal Si substrate 1.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に厚さ１００ｎｍ〜１μｍ程度の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３及び厚さ１〜２０ｎｍ程度のＢＧａＮ混晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

An n-carrier block layer 8 with a large band gap, consisting of BAlGaN or AlGaN is provided between an n-light guide layer 7, that is made of BGaN or GAN and an n-MQW active layer 9 made of BInGAN or InGaN.例文帳に追加

ＢＧａＮまたはＧａＮからなるｎ−光ガイド層７とＢＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＮからなるｎ−ＭＱＷ活性層９との間にＢＡｌＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる大きなバンドギャップを有するｎ−キャリアブロック層８を設ける。 - 特許庁