A light-emitting diode includes a transparent substrate with an absorption coefficient less than 4 per centimeter, epitaxial layers having absorption coefficients of less than 500 per centimeter, in layers other than the active emission layers; and an ohmic contact and metallization layer on at least one of the epitaxial layers, with the ohmic contact and metallization layer, having a transmissivity of at least about 80 percent.例文帳に追加

発光ダイオードであって、４毎センチメートル未満の吸収係数を有する透明な基板と、複数の活性放射層以外の層において５００毎センチメートル未満の吸収係数を有する複数のエピタキシャル層と、該複数のエピタキシャル層上のうちの少なくとも１つの上のオーム接触および金属被覆層であって、該オーム接触および該金属被覆層は、少なくとも約８０パーセントの透過率を有する、オーム接触および金属被覆層とを備えている、発光ダイオード。 - 特許庁