double layer resist systemとは 意味・読み方・使い方

The silicon-containing copolymer is suited in use as the upper layer resist of a double-layer resist system.例文帳に追加

本発明のケイ素含有コポリマーは二重層レジストシステムの上層レジストとして用いるのに適している。 - 特許庁

To obtain a novel silicon-containing copolymer useful for a photosensitive resin composition which is used for the upper layer of a double-layer resist system and has excellent tack to the lower layer of a resin.例文帳に追加

二重層レジストシステムの上層に使用され、樹脂下層に対して優れた粘着性を有する感光性樹脂組成物のために有用な新規なケイ素含有コポリマーを提供すること。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁

The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 0.93-1.0, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３を越え１．０以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁