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insulated gate bipolar transistorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 アイ‐ジー‐ビー‐ティー、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。
「insulated gate bipolar transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 157件
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲートバイポーラトランジスタを備えた半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE AND INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
半導体装置及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
HORIZONTAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁
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Weblio英和対訳辞書での「insulated gate bipolar transistor」の意味 |
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insulated gate bipolar transistor
Insulated-gate bipolar transistor
「insulated gate bipolar transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 157件
MANUFACTURING METHOD FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁
INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR OF REVERSE CONDUCTING TYPE例文帳に追加
逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
P-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ｐ−チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ - 特許庁
BIDIRECTIONAL LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
双方向横形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
INSULATED GATE-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁
TRENCH-TYPE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁
HORIZONTAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁
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