「insulated gate bipolar transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND DRIVE METHOD THEREFOR例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよびその駆動方法 - 特許庁

HORIZONTAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR OF REVERSE CONDUCTING TYPE例文帳に追加

逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

P-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

ｐ−チャンネル絶縁ゲートバイポーラートランジスタ - 特許庁

BIDIRECTIONAL LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

双方向横形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

INSULATED GATE-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁

TRENCH-TYPE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

HORIZONTAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

TRENCH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURE OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND THE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

半導体装置の製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

REVERSE BLOCKING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING REVERSE BLOCKING INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法 - 特許庁

INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR COMPRISING CURRENT SUPPRESSING LAYER例文帳に追加

電流抑制層を備える絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ - 特許庁

INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE-TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

REVERSE BLOCKING INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS FABRICATION METHOD例文帳に追加

逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming a gate control electrode for an insulated gate bipolar transistor.例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのためのゲートコントロール電極を作る方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GATE CONTROL ELECTRODE FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

絶縁ゲ—ト型バイポ—ラトランジスタのためのゲ—トコントロ—ル電極を作製する方法 - 特許庁

To form a bipolar transistor and an insulated-gate transistor in one element region to dispense with an electrical wiring to connect both transistors of the bipolar transistor and the insulated-gate transistor with each other.例文帳に追加

１つの素子領域にバイポーラトランジスタと絶縁ゲート型トランジスタを形成して、両トランジスタを接続する電気配線を不要とする。 - 特許庁

To provide a horizontal insulated gate bipolar transistor superior in prevention of latch-up.例文帳に追加

ラッチアップの防止に優れた横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor having high latchup strength.例文帳に追加

ラッチアップ耐量が高い、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを提供すること。 - 特許庁

TRENCH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) WITH DEPRESSION STOP LAYER例文帳に追加

空乏ストップ層を有するトレンチ絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ） - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR INSPECTION METHOD AND MANUFACTURING METHOD, AND TEST CIRCUIT例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタの検査方法、製造方法、及びテスト回路 - 特許庁

INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INVERTER CIRCUIT例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、並びに、インバータ回路 - 特許庁

To effectively activate an impurity in an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) device or the like at a sufficient depth.例文帳に追加

ＩＧＢＴデバイスなどの不純物活性化を十分な深さで効果的に行うことを可能にする。 - 特許庁

A semiconductor chip 3 made of an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is mounted on the surface of the circuit substrate 2.例文帳に追加

回路基板２の表面にＩＧＢＴである半導体チップ３が載置される。 - 特許庁

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND FABRICATION METHOD THEREFOR例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタを作製する方法 - 特許庁

To provide an insulated gate bipolar transistor (IGBT) having a low on-state voltage and a high withstand voltage.例文帳に追加

オン電圧が低いとともに耐圧が高いＩＧＢＴを提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve characteristics of a lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) formed on a laminated substrate having a thin active layer.例文帳に追加

薄い活性層を有する積層基板に形成される横型ＩＧＢＴの特性を改善する。 - 特許庁

To reduce the on-voltage of an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type.例文帳に追加

逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのオン電圧を低減する。 - 特許庁

To improve the transistor to stand short-circuitting until the insulated gate bipolar transistor is broken by the saturated current in the insulated gate bipolar transistor, and improve a switching speed.例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタで、飽和電流に達して前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが破壊するまでの短絡耐量を改善すると同時に、スイッチングスピードを高速化する。 - 特許庁

In the insulated gate type bipolar transistor, a triangular voltage generated in an engine control unit is applied to a gate electrode of the insulated gate type bipolar transistor.例文帳に追加

前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、エンジンコントロールユニットで発生した三角波電圧が前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのゲート電極に印加される。 - 特許庁

To increase a capacitance ratio between the capacitance between the gate and the emitter and the gate-collector capacitance, in an insulated gate bipolar transistor having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有するＩＧＢＴにおいて、ＧＥ間容量とＧＣ間容量との容量比を大きくすること。 - 特許庁

To improve a breakdown voltage of an IGBT (IEGT) (Insulated Gate Bipolar Transistor) (Injection Enhanced Gate Transistor) structure, and to improve a diode characteristic in an inversely conducted structure.例文帳に追加

ＩＧＢＴ（ＩＥＧＴ）構造における破壊耐圧の向上とともに逆導通構造にした場合のダイオード特性の向上を図る。 - 特許庁