「insulated gate bipolar transistor」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an insulated gate transistor chip which prevents with a simple composition the gate oscillation caused by a feedback circuit formed for a reason in the insulated gate bipolar transistor chip.例文帳に追加

本発明は、絶縁ゲート型トランジスターチップ内の要因により形成される帰還回路によるゲート発振を簡易な構成で抑制する絶縁ゲート型トランジスターチップを提供することを目的とする。 - 特許庁

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector.例文帳に追加

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor in which a leakage current due to a reverse direction voltage is not easily generated in the insulated-gate bipolar transistor for which a collector electrode film formed on the back surface of the forming surface of a gate electrode film is Schottky-joined to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極膜の形成面の裏面に形成したコレクタ電極膜を半導体基板にショットキー接合させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、逆方向電圧によるリーク電流を発生しにくいものを提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SCHOTTKY BARRIER DIODE, METHOD OF MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び半導体装置 - 特許庁

The snubber circuit 03 for the power semiconductor switching element 1 has an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 2, an avalanche diode 21, a diode 22 and a resistor 23.例文帳に追加

パワー半導体スイッチング素子１のスナバ回路０３は、ＩＧＢＴ２と、アバランシェダイオード２１と、ダイオード２２と、抵抗２３とを有する。 - 特許庁

To provide an insulated gate bipolar transistor which has a latchup countermeasure without any increase in total cell area, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

全体セル面積が大きくならずにラッチアップ対策を設けた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulated gate type bipolar transistor (below called 'IGBT') is used as a switching component of an ignition coil for internal combustion engines.例文帳に追加

内燃機関用の点火コイルのスイッチング素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、「ＩＧＢＴ」という）を使用する。 - 特許庁

The collector of an insulated gate bipolar transistor IGBT1 is connected to an inverting input terminal of a first comparator COMP1 via a diode D1.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のコレクタはダイオードＤ１を介して第１比較器ＣＯＭＰ１の反転入力端子に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING SWITCHING SPEED OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(IGBT) ELEMENT, ITS STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）素子のスイッチング速度の制御方法、その構造及び製造方法 - 特許庁

The semiconductor wafer 10 with IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) elements 1 and small-area transistors 2 formed on its surface is prepared.例文帳に追加

ＩＧＢＴ素子１と、小面積のトランジスタ２とが表面に形成された半導体ウェハ１０を準備する。 - 特許庁

To provide a technology where on-voltage is reduced, without increasing the feedback capacitance in an insulated gate bipolar transistor.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、帰還容量が増加することなく、オン電圧を低減させる技術を提供する。 - 特許庁

Each of the upper arm 21U and the lower arm 21L comprises an insulating substrate 41, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) 42, and a free-wheeling diode (FWD) 43.例文帳に追加

上アーム２１Ｕ及び下アーム２１Ｌの各々は、絶縁基板４１と、ＩＧＢＴ４２と、ＦＷＤ４３と、を備えている。 - 特許庁

To improve the recovery property of a built-in diode of IGBT without impairing forward characteristics of an insulated gate bipolar transistor (IGBT).例文帳に追加

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の順方向特性を損なわずに、ＩＧＢＴの内蔵ダイオードのリカバリー特性を向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reverse recovery capability of a diode while securing an active region of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) region.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域の活性領域を確保しつつ、ダイオード逆回復耐量を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture an insulated gate bipolar transistor having a thin device thickness while a doping profile of a field stop layer or a collector layer is controlled.例文帳に追加

薄いデバイス厚のＩＧＢＴを、フィールドストップ層やコレクタ層のドーピング・プ口ファイルを制御しつつ作製すること。 - 特許庁

An electronic circuit 1 has an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 11, an FWD(Free Wheeling Diode) 12, and a semiconductor element driving circuit 13.例文帳に追加

電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。 - 特許庁

To improve a withstand voltage characteristic and reduce an occupation area while keeping a switching characteristic and low on-resistance of an insulated gate bipolar transistor.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタのスイッチング特性および低オン抵抗を維持しつつ耐圧特性を改善しかつ占有面積を低減する。 - 特許庁

To achieve a method for inspecting an insulated gate bipolar transistor, capable of inspecting the intrinsic gettering performance efficiently and estructively.例文帳に追加

イントリンシックゲッタリング能力を非破壊で効率よく検査すること可能な絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの検査方法を実現する。 - 特許庁

To provide a technology which can improve a manufacture yield of a semiconductor device having, for example, IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) as a semiconductor component.例文帳に追加

半導体素子として、例えばＩＧＢＴを有する半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

A lateral insulated gate bipolar transistor (IGBT) 1 includes p-type collector regions 46, 48 and a p-type collector well region 44.例文帳に追加

横型ＩＧＢＴ１は、ｐ型のコレクタ領域４６，４８とｐ型のコレクタウェル領域４４を備えている。 - 特許庁

To provide a lateral (insulated gate bipolar transistor) IGBT capable of reducing a turn-on voltage, securing breakage resistance, and performing high speed switching, simultaneously.例文帳に追加

オン電圧の低減と、破壊耐量確保、高速スイッチングを同時に実現できる横型ＩＧＢＴを提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for the usage of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) for manufacturing the IGBT excellent in breakdown voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧に優れたＩＧＢＴを製造するＩＧＢＴ用途のエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Unlike the conventional structure of an insulated-gate bipolar transistor, a well electrode 8 is formed on the region 2, and a source electrode 9 is formed on the region 3.例文帳に追加

従来構造と異なり、ウエル領域２上にウエル電極８を形成し、ソース領域３上にソース電極９を形成する。 - 特許庁

A function that holds a turn-off period of a drive signal of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) longer than a prescribed period is arranged at a control part.例文帳に追加

上記課題は、ＩＧＢＴの駆動信号のターンオフの期間を一定以上保持する機能を制御部に設けることによって解決できる。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor which has a small tail current and in which a switching speed at a high speed is realized, and to provide a manufacturing method for the bipolar transistor.例文帳に追加

テール電流の小さい、高速のスイッチング速度が実現された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulated-gate semiconductor device having a structure that can achieve an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with lower loss by reducing the resistance of a channel portion.例文帳に追加

チャネル部の抵抗を低減することでより低損失なＩＧＢＴを実現することができる構造を備えた絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a drive circuit for an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) that solves a problem of disabled gate control by a large gate current at a high-speed in the case of switching gate resistors by an analog switch.例文帳に追加

ＩＧＢＴのドライブ回路として、ゲート抵抗をアナログスイッチで切り替えるには、高速で大きな電流によるゲート制御ができない。 - 特許庁

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

This IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) is provided with an insulating region 42 formed so as to be positioned with a predetermined distance from a gate insulating film 34 in an n^--type drift region 24 existing in a clearance between trench gate electrodes 32.例文帳に追加

トレンチゲート電極３２間の間隙に存在するｎ^−型ドリフト領域２４内の、ゲート絶縁膜３４から所定距離を隔てた位置に形成されている絶縁領域４２を備えるＩＧＢＴである。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor 100 includes a first conductivity-type first semiconductor region 8, a second conductivity-type second semiconductor region 10, a trench gate 24, and a dummy trench gate 32.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１００は、第１導電型の第１半導体領域８と、第２導電型の第２半導体領域１０と、トレンチゲート２４と、ダミートレンチゲート３２を備えている。 - 特許庁

To simultaneously perform both a high yield and a low manufacturing cost in the case of manufacturing a semiconductor device in which an insulated gate field effect transistor and a bipolar transistor are formed on a common semiconductor base.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタとバイポーラトランジスタとが共通の半導体基体に形成される半導体装置の製造に際して高い歩留りと低い製造コストとの両方を同時に達成する。 - 特許庁

To provide an insulated gate bipolar transistor which has a buffer region containing arsenic and has high reliability and a high-speed switching speed, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

ヒ素を含むバッファ領域を備え、高い信頼性と高速のスイッチング速度とを有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor chip includes: a semiconductor substrate; an emitter electrode formed on the front surface of the semiconductor substrate; a collector electrode formed on the back surface of the semiconductor substrate; and a gate pad formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板の表面に形成されたエミッタ電極と、該半導体基板の裏面に形成されたコレクタ電極と、該半導体基板の表面に形成されたゲートパッドとを備える。 - 特許庁

To suppress excessive injection of holes from an insulated gate bipolar transistor (IGBT) cell to a diode cell during diode operation even in such a structure where a trench for emitter contact is not provided between trenches constituting a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を構成するトレンチの間にエミッタコンタクト用のトレンチを設けない構造であっても、ダイオード動作時にＩＧＢＴセルからダイオードセルへの過剰なホール注入を抑制する。 - 特許庁

To suppress dispersion of each threshold voltage of a trench gate and improve the reverse recovery characteristic, in a semiconductor device where both a diode region and an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region exist.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域が混在した半導体装置において、トレンチゲートのそれぞれの閾値電圧のばらつきを抑制するとともに、逆回復特性を改善することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a built-in diode, which prevents increase in a forward direction loss by avoiding an interference between the diode element and gate signals of the IGBT.例文帳に追加

ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。 - 特許庁

Resistors R1, R2 discharge gate electric charge in parallel by a fact that output of a control circuit 104 is switched from H to L and transistors Q2 and Q3 is turned on when an IGBT (insulated gate bipolar transistor) device Q1 is turned off.例文帳に追加

制御回路１０４の出力ＶｉｎがＨからＬレベルに切り替り、ＩＧＢＴ素子Ｑ１がターンオフ時に、トランジスタＱ２及びＱ３がオンすることによって、抵抗Ｒ１、Ｒ２が並立にゲート電荷を放電する。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and transistor driving method which enables the effective use of electric charge stored in a gate input capacitor of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) to reduce the required capacity of the transistor driving power and achieves the power saving of the overall device.例文帳に追加

絶縁ゲート型のトランジスタのゲート入力容量に蓄積された電荷を有効利用することにより、当該トランジスタを駆動するための電源に必要とされる電源容量を低減し、かつ装置全体の省電力化を図る半導体装置及びトランジスタの駆動方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SCHOTTKY DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、ショットキーバリアダイオードの製造方法及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法並びに半導体装置 - 特許庁

To prevent an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) from being destroyed due to an overvoltage because of a voltage unbalance among the IGBTs when an overcurrent flows through the IGBTs connected in series configuring a power converter.例文帳に追加

電力変換器を構成する直列接続されたＩＧＢＴに過電流が通流した際に、IGBT間に電圧アンバランスが生じ、過電圧によりＩＧＢＴが破壊することを防止する。 - 特許庁

To suppress generation of the recovery breakdown of a reflux diode in a semiconductor device, having an insulated gate bipolar transistor and the reflux diode formed integrally.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタと還流ダイオードとが一体化された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリー破壊の発生を抑制する。 - 特許庁

The insulated gate bipolar transistor includes: an N-type semiconductor layer 3; and a collector part formed on the surface part of the N-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

本発明の絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、Ｎ型半導体層３と、Ｎ型半導体層３の表面部に形成されたコレクタ部とを具備する。 - 特許庁

A PN junction diode between an emitter electrode (22) and a collector electrode (23) of the insulated gate bipolar transistor is built through a PN junction formed between the peripheral base region (27) and the first base region (16).例文帳に追加

周辺ベース領域(27)と第１のベース領域(16)との間に形成されるＰＮ接合により、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ電極(22)とコレクタ電極(23)との間にＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁