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顕微鏡露出計の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
ラッピング後、エッチングした半導体ウェハを、露出時間が数値表示される顕微鏡写真撮影装置にセットして、当該導体ウェハの裏面についての露出時間を計測し、予め把握されている上記露出時間とエッチング量との相関から、当該半導体ウェハの裏面粗さを評価する。例文帳に追加
The semiconductor wafer which is etched after lapping is set on a microscopic photographing device with an exposure time numerically displayed, the exposure time for the rear face of the semiconductor wafer is measured, and the roughness of the wafer rear face is evaluated based on a known correlation between the exposure time and the etched amount. - 特許庁
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