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Alignment Mark for Scribingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
In the semiconductor wafer, a device region 10a for creating therein the semiconductor device is formed and partitioned; and on the top surface of the semiconductor layer 200 positioned in a scribing region 10b which serves as a cutting margin region when dicing the semiconductor wafer, an alignment mark 30 (first oxide film) is so formed as to expose it to the outside.例文帳に追加
半導体デバイスが作製される領域であるデバイス領域10aを区画形成するとともに、当該半導体ウエハのダイシング時に切り代となる領域であるスクライブ領域10bに位置する半導体層200の上表面に、アライメントマーク30(第1酸化膜)が露出するように形成されている。 - 特許庁
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