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bicharacteristicを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
In the CMOS device, a conductive part 8 for electrically connecting a p^-well 10 to a p-substrate 12 is formed in a region having a triple well structure forming an embedded N well 9 in the under surface of a bicharacteristic MOSFET and including directly under the storage node of the nMOSFET or in a region abutting thereto.例文帳に追加
CMOSデバイスにおいて、両特性のMOSFET下面に埋め込みNウェル9を形成するトリプルウェル構造を有し、nMOSFETのストレージノード直下を含む領域または隣接する領域に、p^−ウェル10とp基板12を電気的に接続する導通部8を形成する。 - 特許庁
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